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一種電網(wǎng)設(shè)備狀態(tài)監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)分析平臺(tái)的制作方法

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一種電網(wǎng)設(shè)備狀態(tài)監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)分析平臺(tái)的制作方法與工藝

本發(fā)明屬于電網(wǎng)領(lǐng)域,尤其涉及一種電網(wǎng)設(shè)備狀態(tài)監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)分析平臺(tái)。



背景技術(shù):

隨著電網(wǎng)設(shè)備的快速發(fā)展,電網(wǎng)設(shè)備所對(duì)應(yīng)的監(jiān)測(cè)設(shè)備產(chǎn)生的監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)也越來(lái)越多。目前針對(duì)海量電網(wǎng)監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)的采集與分析的研究有很多,例如,對(duì)所采集的監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)進(jìn)行預(yù)處理或執(zhí)行簡(jiǎn)單固定的采集策略等,目前電網(wǎng)系統(tǒng)中的采集終端大多采用固定簡(jiǎn)單的模式進(jìn)行監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)采集,會(huì)產(chǎn)生大量重復(fù)或者無(wú)效的數(shù)據(jù),這對(duì)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)、挖掘和分析造成額外負(fù)擔(dān),降低了整個(gè)系統(tǒng)的運(yùn)行效率,另一方面對(duì)電網(wǎng)設(shè)備監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)的分析程度不夠,只是簡(jiǎn)單地進(jìn)行分析,由于分析程度不足,導(dǎo)致不能做出完整的應(yīng)急方案。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

本發(fā)明為解決公知技術(shù)中存在的技術(shù)問(wèn)題而提供一種利用采集數(shù)據(jù)分析模塊和數(shù)據(jù)處理模塊將監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)進(jìn)行雙重分析處理,不會(huì)出現(xiàn)混亂和遺漏的問(wèn)題,從而能夠做出相應(yīng)的應(yīng)急措施的一種電網(wǎng)設(shè)備狀態(tài)監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)分析平臺(tái)。

本發(fā)明為解決公知技術(shù)中存在的技術(shù)問(wèn)題所采取的技術(shù)方案是:一種電網(wǎng)設(shè)備狀態(tài)監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)分析平臺(tái),包括主機(jī)箱、輸入裝置和中央處理器,所述主機(jī)箱的頂部通過(guò)支撐架固定安裝有液晶顯示屏;所述液晶顯示屏的左右兩側(cè)均設(shè)置有警示燈,且警示燈固定安裝在主機(jī)箱的頂部;所述主機(jī)箱的前側(cè)從左到右依次設(shè)置有揚(yáng)聲器、操作控制臺(tái)和開(kāi)關(guān)按鈕;所述操作控制臺(tái)的前側(cè)面上設(shè)置有操作鍵盤;所述輸入裝置由空氣溫度傳感器、線表溫度傳感器、濕度傳感器、電流傳感器、電壓傳感器、三相不平衡度檢測(cè)儀和電網(wǎng)履冰監(jiān)測(cè)傳感器構(gòu)成;所述輸入裝置的輸出端與采集數(shù)據(jù)控制模塊的輸入端電性連接;所述采集數(shù)據(jù)控制模塊的輸出端與輸入模塊的輸入端電性連接;所述中央處理器的輸出端分別與液晶顯示屏、警示燈和揚(yáng)聲器的輸出端電性連接;所述中央處理器的輸出端通過(guò)采集數(shù)據(jù)分析模塊與數(shù)據(jù)處理模塊的輸入端電性連接;所述中央處理器分別與RAM存儲(chǔ)器、MRAM存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)庫(kù)電性連接。

進(jìn)一步,所述警示燈具體為紅色LED閃爍燈。

進(jìn)一步,所述操作鍵盤由按鍵和電容感應(yīng)檢測(cè)模塊構(gòu)成,且電容感應(yīng)檢測(cè)模塊的輸出端與中央處理器的輸入端電性連接。

進(jìn)一步,所述中央處理器的輸入端分別與輸入模塊和供電電源的輸出端電性連接。

本發(fā)明具有的優(yōu)點(diǎn)和積極效果是:該電網(wǎng)設(shè)備狀態(tài)監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)分析平臺(tái),通過(guò)采集數(shù)據(jù)控制模塊將多種監(jiān)測(cè)傳感器所監(jiān)測(cè)電網(wǎng)設(shè)備的監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)進(jìn)行快速收集,RAM存儲(chǔ)器、MRAM存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)庫(kù)的配合使用,可對(duì)監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)進(jìn)行對(duì)比、采樣、存儲(chǔ)和查詢,利用采集數(shù)據(jù)分析模塊和數(shù)據(jù)處理模塊將監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)進(jìn)行雙重分析處理,不會(huì)出現(xiàn)混亂和遺漏的問(wèn)題,從而能夠做出相應(yīng)的應(yīng)急措施。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的電網(wǎng)設(shè)備狀態(tài)監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)分析平臺(tái)結(jié)構(gòu)示意圖;

圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的電網(wǎng)設(shè)備狀態(tài)監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)分析平臺(tái)側(cè)視圖;

圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的原理框圖。

圖中:1、主機(jī)箱;2、支撐架;3、液晶顯示屏;4、警示燈;5、揚(yáng)聲器;6、操作控制臺(tái);7、開(kāi)關(guān)按鈕;8、操作鍵盤;9、按鍵;10、電容感應(yīng)檢測(cè)模塊;11、輸入裝置;12、空氣溫度傳感器;13、線表溫度傳感器;14、濕度傳感器;15、電流傳感器;16、電壓傳感器;17、三相不平衡度檢測(cè)儀;18、電網(wǎng)履冰監(jiān)測(cè)傳感器;19、采集數(shù)據(jù)控制模塊;20、輸入模塊;21、中央處理器;22、供電電源;23、采集數(shù)據(jù)分析模塊;24、數(shù)據(jù)處理模塊;25、RAM存儲(chǔ)器;26、MRAM存儲(chǔ)器;27、數(shù)據(jù)庫(kù)。

具體實(shí)施方式

為能進(jìn)一步了解本發(fā)明的發(fā)明內(nèi)容、特點(diǎn)及功效,茲例舉以下實(shí)施例,并配合附圖詳細(xì)說(shuō)明如下。

下面結(jié)合圖1和圖3對(duì)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)作詳細(xì)的描述:

本發(fā)明實(shí)施例提供的電網(wǎng)設(shè)備狀態(tài)監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)分析平臺(tái),包括主機(jī)箱、輸入裝置和中央處理器,所述主機(jī)箱的頂部通過(guò)支撐架固定安裝有液晶顯示屏;所述液晶顯示屏的左右兩側(cè)均設(shè)置有警示燈,且警示燈固定安裝在主機(jī)箱的頂部;所述主機(jī)箱的前側(cè)從左到右依次設(shè)置有揚(yáng)聲器、操作控制臺(tái)和開(kāi)關(guān)按鈕;所述操作控制臺(tái)的前側(cè)面上設(shè)置有操作鍵盤;所述輸入裝置由空氣溫度傳感器、線表溫度傳感器、濕度傳感器、電流傳感器、電壓傳感器、三相不平衡度檢測(cè)儀和電網(wǎng)履冰監(jiān)測(cè)傳感器構(gòu)成;所述輸入裝置的輸出端與采集數(shù)據(jù)控制模塊的輸入端電性連接;所述采集數(shù)據(jù)控制模塊的輸出端與輸入模塊的輸入端電性連接;所述中央處理器的輸出端分別與液晶顯示屏、警示燈和揚(yáng)聲器的輸出端電性連接;所述中央處理器的輸出端通過(guò)采集數(shù)據(jù)分析模塊與數(shù)據(jù)處理模塊的輸入端電性連接;所述中央處理器分別與RAM存儲(chǔ)器、MRAM存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)庫(kù)電性連接。

進(jìn)一步,所述警示燈具體為紅色LED閃爍燈。

進(jìn)一步,所述操作鍵盤由按鍵和電容感應(yīng)檢測(cè)模塊構(gòu)成,且電容感應(yīng)檢測(cè)模塊的輸出端與中央處理器的輸入端電性連接。

進(jìn)一步,所述中央處理器的輸入端分別與輸入模塊和供電電源的輸出端電性連接。

工作原理:該電網(wǎng)設(shè)備狀態(tài)監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)分析平臺(tái),空氣溫度傳感器實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)電網(wǎng)設(shè)備運(yùn)行環(huán)境的溫度參數(shù),線表溫度傳感器實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)電纜表面的溫度參數(shù),濕度傳感器實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)電網(wǎng)設(shè)備運(yùn)行環(huán)境的濕度參數(shù),電流傳感器實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)電網(wǎng)設(shè)備運(yùn)行的電流參數(shù),電壓傳感器實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)電網(wǎng)設(shè)備運(yùn)行的電壓參數(shù),三相不平衡度檢測(cè)儀實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)電網(wǎng)設(shè)備三相不平衡度參數(shù),電網(wǎng)履冰監(jiān)測(cè)傳感器實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)電網(wǎng)設(shè)備表面冰層厚度,以上監(jiān)測(cè)參數(shù)通過(guò)采集數(shù)據(jù)控制模塊實(shí)時(shí)進(jìn)行采集,并通過(guò)輸入模塊輸入到中央處理器中,利用采集數(shù)據(jù)分析模塊和數(shù)據(jù)處理模塊將監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)進(jìn)行雙重處理分析,對(duì)監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)進(jìn)行充分地分析處理,RAM存儲(chǔ)器、MRAM存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)庫(kù)的配合使用,可對(duì)監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)進(jìn)行對(duì)比、采樣、存儲(chǔ)和查詢,以便做出完整的應(yīng)急方案和故障預(yù)測(cè)方案,保證電網(wǎng)設(shè)備的安全平穩(wěn)運(yùn)行。

以上所述僅是對(duì)本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已,并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的限制,凡是依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所做的任何簡(jiǎn)單修改,等同變化與修飾,均屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。

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