本發(fā)明屬于高分子薄膜材料技術(shù)領(lǐng)域，具體地說，涉及一種檢測(cè)爆炸物敏感薄膜的制備方法。

背景技術(shù)：

目前，檢測(cè)爆炸物的熒光傳感器主要具有熒光特性的聚合物材料，當(dāng)膜吸附被測(cè)氣體后,會(huì)引起膜性質(zhì)的變化，引起敏感材料熒光強(qiáng)度變化，起到檢測(cè)爆炸物的目的。膜的選擇性和敏感性由許多因素決定,包括膜的物理化學(xué)性質(zhì)、被測(cè)物的性質(zhì)、載膜片的選擇及操作條件等。聚合物薄膜的制備方法有很多種,常用的方法主要有自組裝法,氣相沉積聚合法、旋涂法,以及噴墨法。目前許多聚合物成膜方法過程繁瑣，耗時(shí)，且原料成本過高?，F(xiàn)有的爆炸品探測(cè)器主要采用熒光淬滅原理進(jìn)行檢測(cè)，對(duì)可靠,穩(wěn)定和重復(fù)性好的熒光薄膜材料有著較大的需求。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺陷，本發(fā)明提出了一種檢測(cè)爆炸物敏感薄膜的制備方法，該敏感薄膜應(yīng)用到一種小型爆炸物探測(cè)器，同時(shí)，可以調(diào)控敏感薄膜的制備工藝，使其滿足探測(cè)器所需的熒光強(qiáng)度，并提高薄膜穩(wěn)定性，可靠性，具有成本低、快捷、重復(fù)性好的特點(diǎn)。

其技術(shù)方案如下：

一種檢測(cè)爆炸物敏感薄膜的制備方法，包括以下步驟：

步驟1、配制聚合物溶液：將熒光聚合物溶解于氯仿或甲苯中，濃度為1-1.5mg/ml；

步驟2、硅片和玻璃片的預(yù)處理:將硅片裁成大約為1×1cm大小的硅片；將硅片和玻璃片用過氧化氫H₂O₂超聲清洗5min，再用去離子水超聲清洗5min，用乙醇超聲清洗5min，最后將其浸入到乙醇中待用；

步驟3、用旋涂方法制備聚合物熒光薄膜：取出干凈的硅片，用氣體噴槍將表面的灰塵和液滴吹除干凈；勻膠機(jī)勻膠速度以400--700r/min速度，保持6s和勻膠速度以500--2000r/min速度保持40s，得到厚度為200nm—80um的熒光薄膜材料。

進(jìn)一步，步驟1中所述的熒光聚合物材料為MEH-PPV、香豆素或者PPV衍生物。

本發(fā)明所得到的薄膜應(yīng)用到一種小型爆炸物探測(cè)器(專利號(hào)：201220663879.4)中，根據(jù)熒光淬滅現(xiàn)象，檢測(cè)出爆炸品。

本發(fā)明具有以下有益效果：用本發(fā)明所述旋涂方法制備出來的聚合物熒光薄膜，成功解決了現(xiàn)有旋涂方法中原料成本高，耗時(shí)長(zhǎng)，穩(wěn)定性差，重復(fù)性差的問題。本發(fā)明1-2次即可獲得厚度在200nm—60um之間的聚合物熒光材料，簡(jiǎn)單，快捷的制備出穩(wěn)定性好，重復(fù)性好的熒光薄膜材料。應(yīng)用到一種小型爆炸物探測(cè)器(專利號(hào)：20122066387.4)，在與爆炸物(如TNT)蒸氣接觸后，熒光淬滅現(xiàn)象明顯，能有效的檢測(cè)出爆炸品。且由于這種小型爆炸物探測(cè)器(專利號(hào)：20122066387.4)所需熒光薄膜少，而所旋涂的薄膜面積相對(duì)其用量大得多，因此極大的提高了薄膜的制備效率，有利于推廣。

附圖說明

圖1是熒光光譜儀熒光淬滅現(xiàn)象圖；

圖2是薄膜側(cè)面圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案作進(jìn)一步詳細(xì)地說明。

實(shí)施例1

a.配制聚合物溶液：將熒光聚合物(如MEH-PPV、香豆素、PPV衍生物等)溶解于氯仿或甲苯中，濃度為1-1.5mg/ml；b.硅片和玻璃片的預(yù)處理:將硅片裁成大約為1×1cm大小的硅片；將硅片和玻璃片用過氧化氫(H₂O₂)超聲清洗5min,再用去離子水超聲清洗5min，用乙醇超聲清洗5min，最后將其浸入到乙醇中待用；c.用旋涂方法制備聚合物熒光薄膜：取出干凈的硅片，用氣體噴槍將表面的灰塵和液滴吹除干凈；勻膠機(jī)勻膠速度1以400--700r/min速度，保持6s和勻膠速度2以500--2000r/min速度保持40s，得到厚度為200nm—80um的熒光薄膜材料。d.將所得到的薄膜應(yīng)用到一種小型爆炸物探測(cè)器(專利號(hào)：20122066387.4)中，根據(jù)熒光淬滅現(xiàn)象，檢測(cè)出爆炸品。

實(shí)施例2

a.配制聚合物溶液：將熒光聚合物(如MEH-PPV)溶解于氯仿或甲苯中，濃度為1.2mg/ml；b.硅片和玻璃片的預(yù)處理:將硅片裁成大約為1×1cm大小的硅片；將硅片和玻璃片用過氧化氫(H₂O₂)超聲清洗5min,再用去離子水超聲清洗5min，用乙醇超聲清洗5min，最后將其浸入到乙醇中待用；c.用旋涂方法制備聚合物熒光薄膜：取出干凈的硅片，用氣體噴槍將表面的灰塵和液滴吹除干凈；設(shè)置勻膠機(jī)勻膠速度1以0r/min速度和勻膠速度2以1000r/min速度保持40s的參數(shù)，在勻膠速度2期間，滴入2滴聚合物熒光材料，得到厚度均勻的熒光薄膜材料。

實(shí)施例3

a.配制聚合物溶液：將熒光聚合物(如MEH-PPV)溶解于氯仿或甲苯中，濃度為1.2mg/ml；b.硅片和玻璃片的預(yù)處理:將硅片裁成大約為1×1cm大小的硅片；將硅片和玻璃片用過氧化氫(H₂O₂)超聲清洗5min,再用去離子水超聲清洗5min，用乙醇超聲清洗5min，最后將其浸入到乙醇中待用；c.用旋涂方法制備聚合物熒光薄膜：取出干凈的硅片，用氣體噴槍將表面的灰塵和液滴吹除干凈；設(shè)置勻膠機(jī)勻膠速度1以0r/min速度和勻膠速度2以2000r/min速度保持40s的參數(shù)，在勻膠速度2期間，滴入2滴聚合物熒光材料，得到厚度均勻的熒光薄膜材料。

實(shí)施例4

a.配制聚合物溶液：將熒光聚合物(如MEH-PPV)溶解于氯仿或甲苯中，濃度為1.2mg/ml；b.硅片和玻璃片的預(yù)處理:將硅片裁成大約為1×1cm大小的硅片；將硅片和玻璃片用過氧化氫(H₂O₂)超聲清洗5min,再用去離子水超聲清洗5min，用乙醇超聲清洗5min，最后將其浸入到乙醇中待用；c.用旋涂方法制備聚合物熒光薄膜：取出干凈的硅片，用氣體噴槍將表面的灰塵和液滴吹除干凈；設(shè)置勻膠機(jī)勻膠速度1以780r/min速度和勻膠速度2以0r/min速度保持40s的參數(shù)，在勻膠速度1開始期間，滴入1滴聚合物熒光材料在靜止的潔凈的硅片中央，得到厚度較厚的的圓形熒光薄膜材料。

以上所述，僅為本發(fā)明較佳的具體實(shí)施方式，本發(fā)明的保護(hù)范圍不限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明披露的技術(shù)范圍內(nèi)，可顯而易見地得到的技術(shù)方案的簡(jiǎn)單變化或等效替換均落入本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。