技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及用于晶片級器件輻射效應(yīng)試驗的X射線輻照測試設(shè)備，該設(shè)備是由X射線輻照裝置、顯微成像裝置、探針臺、冷卻與空氣循環(huán)裝置、輻射測量裝置、控制與測試分系統(tǒng)、框架、水平導軌、高壓程控電源、X射線控制器、UNIDOS劑量儀、控制計算機、半導體參數(shù)測試儀、示波器和矩陣開關(guān)組成，該設(shè)備實現(xiàn)晶片級器件的輻照與在線輻射效應(yīng)參數(shù)提取及實時監(jiān)測；并實現(xiàn)輻照測試的一體化、操作的自動化，可顯著提高輻照與測試的穩(wěn)定性與效率。該設(shè)備直接對晶片級器件進行試驗，摒除了器件封裝材料、封裝結(jié)構(gòu)、引線及封裝過程引入的一些不確定因素的影響，可顯著降低參數(shù)提取的偏差；消除了輻照、測試環(huán)境交替以及測試時間延遲給試驗結(jié)果帶來的影響。

技術(shù)研發(fā)人員：李豫東;于新;于剛;文林;何承發(fā);郭旗
受保護的技術(shù)使用者：中國科學院新疆理化技術(shù)研究所
文檔號碼：201610516216
技術(shù)研發(fā)日：2016.07.04
技術(shù)公布日：2016.12.07