本文中描述的各種實(shí)施例涉及集成電路封裝件，并且更具體地涉及扇出型晶片級(jí)封裝件(fowlp)。

背景技術(shù)：

在具有扇出型晶片級(jí)封裝件的傳統(tǒng)的集成電路模塊中，集成電路芯片的接地屏蔽通常由圍繞覆蓋模塊內(nèi)的所有芯片的模制件的金屬屏蔽件來(lái)提供。雖然這樣的傳統(tǒng)的接地屏蔽可以能夠提供模塊間屏蔽，即，在分離的模塊之間的屏蔽，但是它不能提供模塊內(nèi)屏蔽，即，在同一模塊內(nèi)的不同芯片之間的屏蔽。此外，傳統(tǒng)的接地屏蔽件的屏蔽平面被定位為圍繞覆蓋模塊內(nèi)的所有芯片的模制件的外表面，并且因此與嵌入在芯片內(nèi)的電路分開(kāi)相當(dāng)長(zhǎng)的距離。因此，傳統(tǒng)的fowlp模塊中的這樣的傳統(tǒng)的接地屏蔽件的接地效果可能受到限制。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本公開(kāi)的示例性實(shí)施例涉及集成電路器件及其制造方法。

在實(shí)施例中，提供了一種器件，該器件包括：包括至少一個(gè)導(dǎo)體部分和至少一個(gè)絕緣體部分的扇出型晶片級(jí)封裝件(fowlp)；包括第一多個(gè)接觸件的第一芯片，第一芯片定位為與fowlp直接接觸；包括第二多個(gè)接觸件的第二芯片，第二芯片定位為與fowlp直接接觸，其中第一芯片和第二芯片通過(guò)間隙來(lái)間隔開(kāi)，并且其中fowlp的所述至少一個(gè)導(dǎo)體部分被定位為與在第一芯片與第二芯片之間的間隙正對(duì)；以及包括多個(gè)導(dǎo)體表面的導(dǎo)體屏蔽件，其中導(dǎo)體表面中的至少一個(gè)導(dǎo)體表面直接連接到fowlp的與在第一芯片與第二芯片之間的間隙正對(duì)的所述至少一個(gè)導(dǎo)體部分，其中導(dǎo)體表面中的至少一個(gè)導(dǎo)體表面直接(immediately)圍繞第一芯片，并且其中導(dǎo)體表面中的至少一個(gè)導(dǎo)體表面直接(immediately)圍繞第二芯片。

在另一實(shí)施例中，提供了一種器件，該器件包括：包括多個(gè)導(dǎo)體部分和多個(gè)電介質(zhì)部分的扇出型晶片級(jí)封裝件(fowlp)，fowlp具有在導(dǎo)體部分和電介質(zhì)部分上方的實(shí)質(zhì)上平坦的第一表面；包括與fowlp直接接觸的第一多個(gè)接觸件的第一芯片；包括與fowlp直接接觸的第二多個(gè)接觸件的第二芯片，其中第一芯片和第二芯片通過(guò)間隙來(lái)間隔開(kāi)，并且其中fowlp的導(dǎo)體部分中的至少一個(gè)導(dǎo)體部分被定位為與在第一芯片與第二芯片之間的間隙正對(duì)；以及包括多個(gè)導(dǎo)體表面的導(dǎo)體屏蔽件，其中導(dǎo)體表面中的至少一個(gè)導(dǎo)體表面直接連接到fowlp的導(dǎo)體部分中的與在第一芯片與第二芯片之間的間隙正對(duì)的所述至少一個(gè)導(dǎo)體部分，其中導(dǎo)體表面中的至少一個(gè)導(dǎo)體表面直接圍繞第一芯片，并且其中導(dǎo)體表面中的至少一個(gè)導(dǎo)體表面直接圍繞第二芯片。

在另一實(shí)施例中，提供了一種器件，該器件包括：包括多個(gè)導(dǎo)體部分和多個(gè)絕緣體部分的扇出型晶片級(jí)封裝件(fowlp)，fowlp具有在導(dǎo)體部分和絕緣體部分上方的實(shí)質(zhì)上平坦的第一表面；包括與fowlp直接接觸的第一多個(gè)接觸件的第一芯片；包括與fowlp直接接觸的第二多個(gè)接觸件的第二芯片，其中第一芯片和第二芯片通過(guò)間隙來(lái)間隔開(kāi)，并且其中fowlp導(dǎo)體部分中的至少一個(gè)導(dǎo)體部分被定位為與在第一芯片與第二芯片之間的間隙正對(duì)；以及用于接地屏蔽第一芯片和第二芯片的裝置。

在另一實(shí)施例中，提供了一種制造器件的方法，該方法包括：提供具有第一表面的重構(gòu)帶；在重構(gòu)帶的第一表面上提供第一多個(gè)接觸件和第二多個(gè)接觸件；在重構(gòu)帶的第一表面上提供具有用于容納第一多個(gè)接觸件的第一多個(gè)接觸件開(kāi)口的第一芯片；在重構(gòu)帶的第一表面上提供具有用于容納第二多個(gè)接觸件的第二多個(gè)接觸件開(kāi)口的第二芯片，其中第一芯片和第二芯片通過(guò)間隙來(lái)間隔開(kāi)，間隙暴露重構(gòu)帶的第一表面的至少一部分；以及提供包括多個(gè)導(dǎo)體表面的導(dǎo)體屏蔽件，其中導(dǎo)體表面中的至少一個(gè)導(dǎo)體表面與重構(gòu)帶的通過(guò)在第一芯片與第二芯片之間的間隙暴露的所述至少一部分直接接觸，其中導(dǎo)體表面中的至少一個(gè)導(dǎo)體表面直接圍繞第一芯片，并且其中導(dǎo)體表面中的至少一個(gè)導(dǎo)體表面直接圍繞第二芯片。

附圖說(shuō)明

附圖被呈現(xiàn)以幫助描述本公開(kāi)的實(shí)施例，并且附圖被提供僅用于說(shuō)明而非限制實(shí)施例。

圖1是具有直接圍繞器件內(nèi)的芯片的接地屏蔽的扇出型晶片級(jí)封裝件(fowlp)器件的實(shí)施例的截面圖。

圖2是示出制造圖1的fowlp器件的方法的實(shí)施例中的第一步驟的截面圖。

圖3是示出制造圖1的fowlp器件的方法的實(shí)施例中的第二步驟的截面圖。

圖4是示出制造圖1的fowlp器件的方法的實(shí)施例中的第三步驟的截面圖。

圖5是示出制造圖1的fowlp器件的方法的實(shí)施例中的第四步驟的截面圖。

圖6是示出制造圖1的fowlp器件的方法的實(shí)施例中的第五步驟的截面圖。

圖7是示出制造fowlp器件的方法的實(shí)施例中的處理步驟的流程圖。

具體實(shí)施方式

在涉及具體實(shí)施例的以下說(shuō)明和相關(guān)附圖中描述了本公開(kāi)的各方面。在不脫離本公開(kāi)的范圍的情況下，可以設(shè)計(jì)替代實(shí)施例。另外，眾所周知的要素將不會(huì)被詳細(xì)描述或?qū)⒈皇÷?，以免模糊本公開(kāi)的相關(guān)細(xì)節(jié)。

詞語(yǔ)“示例性”在本文中用于表示“用作示例、實(shí)例或說(shuō)明”。本文中描述為“示例性”的任何實(shí)施例不一定被解釋為比其他實(shí)施例優(yōu)選或有利。類似地，術(shù)語(yǔ)“實(shí)施例”不要求所有實(shí)施例都包括所討論的特征、優(yōu)點(diǎn)或操作模式。

本文中使用的術(shù)語(yǔ)僅用于描述特定實(shí)施例的目的，而不是意圖限制實(shí)施例。如本文中使用的，單數(shù)形式的“一個(gè)”、“一”和“該”也旨在包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文另外明確指示。還將理解，術(shù)語(yǔ)“包括”、“包括……的”、“包含”或“包含……的”在本文中使用時(shí)，規(guī)定所陳述的特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件的存在，但是不排除一個(gè)或多個(gè)其他特征、整體、步驟、操作、元件、組件或其組合的存在或添加。此外，應(yīng)當(dāng)理解，詞語(yǔ)“或”具有與布爾運(yùn)算符“or”相同的含義，即，包含“任一者”和“兩者”的可能性，而不限于“排他性的或者”(“xor”)，除非另外明確說(shuō)明。還應(yīng)當(dāng)理解，除非另外明確說(shuō)明，否則兩個(gè)相鄰的詞語(yǔ)之間的符號(hào)“/”具有與“或”相同的含義。此外，除非另外明確說(shuō)明，否則諸如“連接到”、“耦合到”或“與之通信”等短語(yǔ)不限于直接連接。

圖1是具有直接圍繞器件內(nèi)的芯片的接地屏蔽的扇出型晶片級(jí)封裝件(fowlp)器件的實(shí)施例的截面圖。在圖1中，提供了用于具有多個(gè)芯片的器件的扇出型晶片級(jí)封裝件(fowlp)102。在實(shí)施例中，fowlp102包括一個(gè)或多個(gè)再分布層(rdl)104，rdl104包括一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)體部分106a、106b、106c、...106f以及一個(gè)或多個(gè)絕緣體或電介質(zhì)部分108a、108b、108c、...108g。在實(shí)施例中，fowlp102可以在利用晶片級(jí)封裝(wlp)工藝裝配之后包括插入件狀布線，以形成可以被視為插入式(interposing)fowlp的結(jié)構(gòu)。多個(gè)芯片可以設(shè)置在fowlp102上，并且一個(gè)或多個(gè)集成電路可以被嵌入到fowlp器件中的每個(gè)芯片中。在圖1的實(shí)施例中，為了簡(jiǎn)化說(shuō)明，示出了兩個(gè)芯片110和112，盡管在本公開(kāi)的范圍內(nèi)可以在fowlp器件中設(shè)置多于兩個(gè)芯片。在圖1所示的實(shí)施例中，第一芯片110包括與fowlp102直接接觸的多個(gè)接觸件114a、114b和114c，并且第二芯片112也包括與fowlp102直接接觸的多個(gè)接觸件116a和116b。在實(shí)施例中，第一芯片110中的接觸件114a、114b和114c以及第二芯片112中的接觸件116a和116b每個(gè)包括傳導(dǎo)性接觸件，例如金屬接觸件。

在fowlp102包括fowlprdl104的實(shí)施例中，fowlprdl104中設(shè)置有多個(gè)導(dǎo)體部分106a、106b、106c、...106f以及多個(gè)絕緣體或電介質(zhì)部分108a、108b、108c、...108g。導(dǎo)體部分106a、106b、106c、...106f可以散布在絕緣體或電介質(zhì)部分108a、108b、108c、...108g之間。在實(shí)施例中，導(dǎo)體部分106a、106b、106c、...106f被圖案化或定位為使得fowlprdl104的導(dǎo)體部分106a、106b、106c、...106f中的至少一些直接連接到由插入式fowlp支持的芯片中的相應(yīng)的傳導(dǎo)性接觸件。例如，在圖1所示的實(shí)施例中，第一芯片110的接觸件114a、114b和114c分別直接連接到fowlprdl104的導(dǎo)體部分106a、106b和106c，而第二芯片112的接觸件116a和116b分別直接連接到fowlprdl104的導(dǎo)體部分106e和106f。

在實(shí)施例中，fowlp102或fowlprdl104具有在其導(dǎo)體部分106a、106b、106c、...106f以及其絕緣體或電介質(zhì)部分108a、108b、108c、...108g上方的實(shí)質(zhì)上平坦的頂面118。在實(shí)施例中，第一芯片110具有在其接觸件114a、114b和114c上方以及在芯片110的底部的其余部分上方的實(shí)質(zhì)上平坦的底面120。以類似的方式，第二芯片112也具有在其接觸件116a和116b上方以及在芯片112的底部的其余部分上方的實(shí)質(zhì)上平坦的底面122。這樣，芯片110和112二者的底面120和122與fowlp102或fowlprdl104的頂面118直接接觸。此外，在圖1所示的fowlp器件的實(shí)施例中，第一芯片110和第二芯片112通過(guò)間隙124間隔開(kāi)。

在圖1所示的實(shí)施例中，第一芯片110具有帶有水平頂面126以及側(cè)面128和130的實(shí)質(zhì)上矩形的截面，而第二芯片112也具有帶有水平頂面132以及側(cè)面134和136的實(shí)質(zhì)上矩形的截面。然而，應(yīng)當(dāng)理解，芯片110和112在替代實(shí)施例中不需要具有矩形截面。在實(shí)施例中，設(shè)置有用于將第一芯片110和第二芯片112二者接地屏蔽的導(dǎo)體屏蔽件138。在實(shí)施例中，導(dǎo)體屏蔽件138具有多個(gè)導(dǎo)體表面，包括直接連接到在第一芯片110與第二芯片112之間的間隙124下方的fowlp102或fowlprdl104的導(dǎo)體部分106d的第一導(dǎo)體表面140a。

在圖1所示的實(shí)施例中，導(dǎo)體屏蔽件138還具有分別直接圍繞第一芯片110的水平頂面126以及側(cè)面128和130的導(dǎo)體表面140b、140c和140d。以類似的方式，導(dǎo)體屏蔽件138還包括分別直接圍繞第二芯片112的水平頂面132以及側(cè)面134和136的導(dǎo)體表面140e、140f和140g。在實(shí)施例中，fowlp102或fowlprdl104的導(dǎo)體部分106d可以接地，從而在電氣操作期間將整個(gè)導(dǎo)體屏蔽件138接地。在進(jìn)一步實(shí)施例中，導(dǎo)體屏蔽件138可以通過(guò)與fowlp102或fowlprdl104的多于一個(gè)接地的導(dǎo)體部分的電連接來(lái)接地。例如，如圖1所示的實(shí)施例所示，除了fowlp102或fowlprdl104的與在第一芯片110與第二芯片112之間的間隙124正對(duì)的導(dǎo)體部分106d之外，導(dǎo)體屏蔽件138還直接連接到fowlp102或fowlprdl104的在第一芯片110和第二芯片112的左側(cè)和右側(cè)的導(dǎo)體部分106a和106f。在進(jìn)一步實(shí)施例中，模制件142設(shè)置在與導(dǎo)體屏蔽件138的表面140a、140b、140c、...140g相對(duì)的外表面上，并且通過(guò)導(dǎo)體屏蔽件138與第一芯片110和第二芯片112分離。

圖2是示出制造圖1的fowlp器件的方法的實(shí)施例中的第一步驟的截面圖。在該實(shí)施例中，首先提供重構(gòu)帶202，但是隨后將在制造fowlp器件時(shí)去除重構(gòu)帶202。根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例的fowlp器件還可以在使用或不使用重構(gòu)帶的情況下以各種替代方式來(lái)制造。參考圖2，重構(gòu)帶202具有實(shí)質(zhì)上平坦的頂面204，以用于支撐稍后將成為fowlp器件的各部件的多個(gè)芯片。在圖2所示的實(shí)施例中，第一多個(gè)接觸件114a、114b和114c以及第二多個(gè)接觸件116a和116b設(shè)置在重構(gòu)帶202的第一表面204上。在進(jìn)一步實(shí)施例中，第一和第二多個(gè)接觸件114a、114b、114c、116a和116b可以包括傳導(dǎo)性或金屬接觸件。

在實(shí)施例中，兩個(gè)芯片110和112設(shè)置在重構(gòu)帶202的頂面204上。在進(jìn)一步實(shí)施例中，第一芯片110具有從其底面120凹陷的第一多個(gè)接觸件開(kāi)口206a、206b和206c，并且接觸件開(kāi)口206a、206b和206c被定位為分別容納重構(gòu)帶202的頂面204上的接觸件114a、114b和114c。以類似的方式，第一芯片110具有從其底面122凹陷的第二多個(gè)接觸件開(kāi)口208a和208b，并且接觸件開(kāi)口208a和208b被定位為分別容納重構(gòu)帶202的頂面204上的接觸件116a和116b。

圖3是示出制造圖1的fowlp器件的方法的實(shí)施例中的第二步驟的截面圖。在圖3中，導(dǎo)體屏蔽件138設(shè)置在第一芯片110和第二芯片112上以及未被第一芯片110和第二芯片112覆蓋的重構(gòu)帶202的頂面204的部分上方，包括通過(guò)在第一芯片110與第二芯片112之間的間隙124暴露或另外未覆蓋的重構(gòu)帶202的頂面204的部分。如圖3所示，導(dǎo)體屏蔽件138的導(dǎo)體表面包括與在第一芯片110與第二芯片112之間的間隙124下方的重構(gòu)帶202的頂面204的部分直接接觸的導(dǎo)體表面140a。

導(dǎo)體屏蔽件138的導(dǎo)體表面還包括與第一芯片110的水平頂面126以及側(cè)面128和130直接接觸的導(dǎo)體表面140b、140c和140d、以及與第二芯片112的水平頂面132以及側(cè)面134和136直接接觸的導(dǎo)體表面140e、140f和140g。在圖3所示的實(shí)施例中，導(dǎo)體屏蔽件138也在第一芯片110和第二芯片112的左側(cè)和右側(cè)與重構(gòu)帶的頂面204直接接觸。在實(shí)施例中，使用一種或多種類型的金屬工藝，諸如鍍敷、濺射、沉積、或本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的其他傳統(tǒng)工藝，導(dǎo)體屏蔽件138可以作為共形屏蔽件被設(shè)置在第一芯片110和第二芯片112以及重構(gòu)帶202的頂面204的暴露部分上方。

圖4是示出制造圖1的fowlp器件的方法的實(shí)施例中的第三步驟的截面圖。在實(shí)施例中，模制件142可以通過(guò)本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的傳統(tǒng)的模制工藝布置在導(dǎo)體屏蔽件138的外表面上。如圖4所示，導(dǎo)體屏蔽件138具有：與在第一芯片110與第二芯片112之間的間隙124下方的重構(gòu)帶202的頂面204接觸的表面140a正對(duì)的外表面304a、分別與直接圍繞第一芯片110的表面140b、140c和140d正對(duì)的外表面304b、304c和304d、以及分別與直接圍繞第二芯片112的表面140e、140f和140g正對(duì)的外表面304e、304f和304g。如圖4所示，模制件142不與重構(gòu)帶202的表面或第一芯片110和第二芯片112中的任何一個(gè)的表面直接接觸。

圖5是示出制造圖1的fowlp器件的方法的實(shí)施例中的第四步驟的截面圖。在圖5中，重構(gòu)帶202已經(jīng)被去除。如圖5所示，第一芯片110的底面120以及接觸件114a、114b和114c、第二芯片112的底面122以及接觸件116a和116b、以及在第一芯片110與第二芯片112之間的間隙124正下方的導(dǎo)體屏蔽件138的導(dǎo)體表面140a在重構(gòu)帶202被去除之后被露出。在實(shí)施例中，第一芯片110和第二芯片112的底面120和122(包括接觸件114a、114b、114c、116a和116b的暴露的表面)以及導(dǎo)體屏蔽件138的導(dǎo)體表面140a實(shí)質(zhì)上彼此齊平，以形成實(shí)質(zhì)上平坦的底部。

圖6是示出制造圖1的fowlp器件的方法的實(shí)施例中的第五步驟的截面圖。在圖6中，fowlp102或fowlprdl104被設(shè)置到第一芯片110和第二芯片112的底面120和122以及導(dǎo)體屏蔽件138的導(dǎo)體表面104a。fowlprdl104可以通過(guò)使用再分布層(rdl)工藝或本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的另一工藝被設(shè)置到這些表面。在圖6所示的實(shí)施例中，fowlprdl104包括散布在多個(gè)絕緣體或電介質(zhì)部分108a、108b、108c、...108g之間的多個(gè)導(dǎo)體部分106a、106b、106c、...106f。如圖6所示，第一芯片110的接觸件114a、114b和114c分別直接連接到fowlprdl104的導(dǎo)體部分106a、106b和106c，而第二芯片112的接觸件116a和116b分別直接連接到fowlprdl104的導(dǎo)體部分106e和106f。在第一芯片110與第二芯片112之間的間隙124中的導(dǎo)體屏蔽件138的導(dǎo)體表面104a與fowlprdl104的導(dǎo)體部分106d直接接觸，導(dǎo)體部分106d在電氣操作中可以被接地?？梢葬槍?duì)導(dǎo)體屏蔽件138提供附加的接地接觸件，例如通過(guò)將fowlprdl104的導(dǎo)體部分106a和106f接地，導(dǎo)體部分106a和106f也直接連接到導(dǎo)體屏蔽件138。

圖7是示出制造fowlp器件的方法的實(shí)施例中的處理步驟的流程圖。在圖7中，在框702中，提供具有第一表面的重構(gòu)帶。在框704中，在重構(gòu)帶的第一表面上提供第一多個(gè)接觸件和第二多個(gè)接觸件。在框706中，在重構(gòu)帶的第一表面上提供具有用于容納第一多個(gè)接觸件的第一多個(gè)接觸件開(kāi)口的第一芯片。在框708中，在重構(gòu)帶的第一表面上提供具有用于容納第二多個(gè)接觸件的第二多個(gè)接觸件開(kāi)口的第二芯片。在實(shí)施例中，第一芯片和第二芯片通過(guò)間隙間隔開(kāi)，該間隙暴露重構(gòu)帶的第一表面的至少一部分。

在框710中，提供包括多個(gè)導(dǎo)體表面的導(dǎo)體屏蔽件。在實(shí)施例中，至少一個(gè)導(dǎo)體表面與重構(gòu)帶的通過(guò)在第一芯片與第二芯片之間的間隙暴露的至少一部分直接接觸。在實(shí)施例中，至少一個(gè)導(dǎo)體表面直接圍繞第一芯片，并且至少一個(gè)導(dǎo)體表面直接圍繞第二芯片。在進(jìn)一步實(shí)施例中，在導(dǎo)體屏蔽件外部提供模制件。在實(shí)施例中，去除重構(gòu)帶以暴露包括第一多個(gè)觸點(diǎn)的第一芯片的底面、包括第二多個(gè)觸點(diǎn)的第二芯片的底面、以及導(dǎo)體屏蔽件的在第一芯片與第二芯片之間的部分的底面。在實(shí)施例中，fowlprdl設(shè)置在第一芯片和第二芯片的底面、以及導(dǎo)體屏蔽件的在第一芯片與第二芯片之間的部分上。在進(jìn)一步實(shí)施例中，fowlprdl可以通過(guò)使用rdl工藝來(lái)提供。

通過(guò)直接圍繞fowlp器件或模塊中的每個(gè)芯片的導(dǎo)體屏蔽件，可以實(shí)現(xiàn)同一fowlp器件或模塊內(nèi)的不同芯片之間的模塊內(nèi)屏蔽。此外，導(dǎo)體屏蔽件可以通過(guò)與fowlp的一個(gè)或多個(gè)接地的導(dǎo)體部分的直接接觸而被接地，從而實(shí)現(xiàn)導(dǎo)體屏蔽件的可靠接地。通過(guò)緊湊的分區(qū)式接地屏蔽，同一器件或模塊上的各種數(shù)字、模擬、混合信號(hào)、或rf電路可以在彼此之間沒(méi)有不期望的電磁或無(wú)線電信號(hào)(rf)干擾的情況下操作。

盡管上述公開(kāi)內(nèi)容示出了說(shuō)明性實(shí)施例，但是應(yīng)當(dāng)注意，在不脫離所附權(quán)利要求的范圍的情況下，可以在本文中進(jìn)行各種改變和修改。根據(jù)本文中描述的實(shí)施例的方法權(quán)利要求的功能、步驟或動(dòng)作不需要以任何特定順序來(lái)執(zhí)行，除非另外明確說(shuō)明。此外，雖然元件可以以單數(shù)來(lái)描述或要求保護(hù)，但是除非明確地陳述單數(shù)，否則復(fù)數(shù)可以被考慮。