本發(fā)明涉及集成電路封裝設(shè)備制造領(lǐng)域，特別涉及一種劃片機(jī)漏水檢測(cè)方法及裝置。

背景技術(shù)：

劃片機(jī)是集成電路生產(chǎn)線上將晶圓或硅片分割成獨(dú)立單元的設(shè)備，在對(duì)晶圓或硅片進(jìn)行分割的過程中需要用到水和氣，如果在分割過程中出現(xiàn)漏水現(xiàn)象，不僅會(huì)造成設(shè)備導(dǎo)軌絲杠生銹、變形，還會(huì)造成電氣線路短路毀壞設(shè)備，更嚴(yán)重的還有可能使人觸電。目前，劃片機(jī)還沒有簡(jiǎn)便可靠的漏水檢測(cè)方法與裝置。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種劃片機(jī)漏水檢測(cè)方法及裝置，能夠檢測(cè)劃片機(jī)的劃切箱是否漏水。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的實(shí)施例提供技術(shù)方案如下：

一方面，提供一種劃片機(jī)漏水檢測(cè)裝置，應(yīng)用于劃片機(jī)，所述劃片機(jī)放置在兩條相對(duì)設(shè)置的導(dǎo)軌上，所述導(dǎo)軌放置在導(dǎo)軌安裝基座上，所述漏水檢測(cè)裝置包括：

設(shè)置在所述導(dǎo)軌安裝基座上、相互絕緣并行纏繞的第一漏水檢測(cè)線和第二漏水檢測(cè)線，所述第一漏水檢測(cè)線和第二漏水檢測(cè)線的第一端均懸空；

與所述第一漏水檢測(cè)線和第二漏水檢測(cè)線的第二端分別連接的漏水檢測(cè)電路，在所述劃片機(jī)漏水時(shí)，所述漏水檢測(cè)電路的輸出端的輸出電位能夠發(fā)生變化；

與所述漏水檢測(cè)電路的輸出端連接的處理器，能夠根據(jù)所述漏水檢測(cè)電路 的輸出電位判斷所述劃片機(jī)是否漏水。

進(jìn)一步地，所述漏水檢測(cè)電路包括：

PNP三極管和NPN三極管；

其中，所述PNP三極管的發(fā)射極通過第一電阻與高電位連接，所述PNP三極管的發(fā)射極與第一漏水檢測(cè)線連接，所述PNP三極管的集電極通過第五電阻接地；所述PNP三極管的基極通過第二電阻與所述NPN三極管的集電極連接，所述NPN三極管的發(fā)射極接地，所述NPN三極管的基極通過第四電阻接地，同時(shí)所述NPN三極管的基極通過第三電阻與第二漏水檢測(cè)線連接，所述NPN三極管的集電極為所述漏水檢測(cè)電路的輸出端。

進(jìn)一步地，還包括：

發(fā)光二極管，所述發(fā)光二極管的陰極與所述PNP三極管的集電極連接，所述發(fā)光二極管的陽極與第五電阻連接，所述第五電阻的另一端接地。

進(jìn)一步地，所述PNP三極管為三極管8550。

進(jìn)一步地，所述NPN三極管為三極管9014。

進(jìn)一步地，所述處理器與所述NPN三極管的集電極連接。

進(jìn)一步地，所述處理器具體用于將所述NPN三極管的集電極的輸出電位與預(yù)設(shè)電位進(jìn)行比較，在所述NPN三極管的集電極的輸出電位與預(yù)設(shè)電位不同時(shí)，判斷劃片機(jī)漏水。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種劃片機(jī)漏水檢測(cè)方法，應(yīng)用于如上所述的劃片機(jī)漏水檢測(cè)裝置，所述漏水檢測(cè)方法包括：

利用所述處理器檢測(cè)所述漏水檢測(cè)電路的輸出端的輸出電位是否發(fā)生變化；

在所述漏水檢測(cè)電路的輸出端的輸出電位發(fā)生變化時(shí)，判斷所述劃片機(jī)漏水。

本發(fā)明的實(shí)施例具有以下有益效果：

上述方案中，第一漏水檢測(cè)線和第二漏水檢測(cè)線設(shè)置在導(dǎo)軌安裝基座上、相互絕緣并行纏繞，第一漏水檢測(cè)線和第二漏水檢測(cè)線的第一端均懸空，漏水檢測(cè)電路與第一漏水檢測(cè)線和第二漏水檢測(cè)線的第二端分別連接，在劃片機(jī)漏 水時(shí)，漏水檢測(cè)電路的輸出端的輸出電位能夠發(fā)生變化，這樣與漏水檢測(cè)電路的輸出端連接的處理器能夠根據(jù)漏水檢測(cè)電路的輸出電位判斷劃片機(jī)是否漏水。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實(shí)施例劃片機(jī)漏水檢測(cè)裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例劃片機(jī)漏水檢測(cè)電路的示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的實(shí)施例要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖及具體實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。

本發(fā)明的實(shí)施例針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中劃片機(jī)還沒有簡(jiǎn)便可靠的漏水檢測(cè)方法與裝置的問題，提供一種劃片機(jī)漏水檢測(cè)方法及裝置，能夠檢測(cè)劃片機(jī)的劃切箱是否漏水。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種劃片機(jī)漏水檢測(cè)裝置，應(yīng)用于劃片機(jī)，所述劃片機(jī)放置在兩條相對(duì)設(shè)置的導(dǎo)軌上，所述導(dǎo)軌放置在導(dǎo)軌安裝基座上，所述漏水檢測(cè)裝置包括：

設(shè)置在所述導(dǎo)軌安裝基座上、相互絕緣并行纏繞的第一漏水檢測(cè)線和第二漏水檢測(cè)線，所述第一漏水檢測(cè)線和第二漏水檢測(cè)線的第一端均懸空；

與所述第一漏水檢測(cè)線和第二漏水檢測(cè)線的第二端分別連接的漏水檢測(cè)電路，在所述劃片機(jī)漏水時(shí)，所述漏水檢測(cè)電路的輸出端的輸出電位能夠發(fā)生變化；

與所述漏水檢測(cè)電路的輸出端連接的處理器，能夠根據(jù)所述漏水檢測(cè)電路的輸出電位判斷所述劃片機(jī)是否漏水。

本發(fā)明實(shí)施例中，第一漏水檢測(cè)線和第二漏水檢測(cè)線設(shè)置在導(dǎo)軌安裝基座上、相互絕緣并行纏繞，第一漏水檢測(cè)線和第二漏水檢測(cè)線的第一端均懸空，漏水檢測(cè)電路與第一漏水檢測(cè)線和第二漏水檢測(cè)線的第二端分別連接，在劃片機(jī)漏水時(shí)，漏水檢測(cè)電路的輸出端的輸出電位能夠發(fā)生變化，這樣與漏水檢測(cè) 電路的輸出端連接的處理器能夠根據(jù)漏水檢測(cè)電路的輸出電位判斷劃片機(jī)是否漏水。

進(jìn)一步地，所述漏水檢測(cè)電路包括：

PNP三極管和NPN三極管；

其中，所述PNP三極管的發(fā)射極通過第一電阻與高電位連接，所述PNP三極管的發(fā)射極與第一漏水檢測(cè)線連接，所述PNP三極管的集電極通過第五電阻接地；所述PNP三極管的基極通過第二電阻與所述NPN三極管的集電極連接，所述NPN三極管的發(fā)射極接地，所述NPN三極管的基極通過第四電阻接地，同時(shí)所述NPN三極管的基極通過第三電阻與第二漏水檢測(cè)線連接，所述NPN三極管的集電極為所述漏水檢測(cè)電路的輸出端。

進(jìn)一步地，還包括：

發(fā)光二極管，所述發(fā)光二極管的陰極與所述PNP三極管的集電極連接，所述發(fā)光二極管的陽極與第五電阻連接，所述第五電阻的另一端接地。

進(jìn)一步地，所述PNP三極管為三極管8550。

進(jìn)一步地，所述NPN三極管為三極管9014。

進(jìn)一步地，所述處理器與所述NPN三極管的集電極連接。

進(jìn)一步地，所述處理器具體用于將所述NPN三極管的集電極的輸出電位與預(yù)設(shè)電位進(jìn)行比較，在所述NPN三極管的集電極的輸出電位與預(yù)設(shè)電位不同時(shí)，判斷劃片機(jī)漏水。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種劃片機(jī)漏水檢測(cè)方法，應(yīng)用于如上所述的劃片機(jī)漏水檢測(cè)裝置，所述漏水檢測(cè)方法包括：

利用所述處理器檢測(cè)所述漏水檢測(cè)電路的輸出端的輸出電位是否發(fā)生變化；

在所述漏水檢測(cè)電路的輸出端的輸出電位發(fā)生變化時(shí)，判斷所述劃片機(jī)漏水。

本發(fā)明實(shí)施例中，第一漏水檢測(cè)線和第二漏水檢測(cè)線設(shè)置在導(dǎo)軌安裝基座上、相互絕緣并行纏繞，第一漏水檢測(cè)線和第二漏水檢測(cè)線的第一端均懸空，漏水檢測(cè)電路與第一漏水檢測(cè)線和第二漏水檢測(cè)線的第二端分別連接，在劃片 機(jī)漏水時(shí)，漏水檢測(cè)電路的輸出端的輸出電位能夠發(fā)生變化，這樣與漏水檢測(cè)電路的輸出端連接的處理器能夠根據(jù)漏水檢測(cè)電路的輸出電位判斷劃片機(jī)是否漏水。

下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)介紹：

圖1為本實(shí)施例劃片機(jī)漏水檢測(cè)裝置的結(jié)構(gòu)示意圖，其中導(dǎo)軌3和導(dǎo)軌4設(shè)置在導(dǎo)軌安裝基座5上，檢測(cè)線1和檢測(cè)線2設(shè)置在導(dǎo)軌安裝基座5上，并行纏繞，彼此之間相互絕緣。

如圖2所示，本實(shí)施例的漏水檢測(cè)電路包括PNP型三極管8550、NPN型三極管9014、發(fā)光二極管、第一電阻R1、第二電阻R2、第三電阻R3、第四電阻R4和第五電阻R5。

其中，PNP三極管的發(fā)射極通過R1與高電位VCC連接，PNP三極管的發(fā)射極E與檢測(cè)線1連接，PNP三極管的集電極C與發(fā)光二極管的陰極連接，發(fā)光二極管的陽極通過R5接地；PNP三極管的基極b通過R2與NPN三極管的集電極C連接，NPN三極管的發(fā)射極E接地，NPN三極管的基極b通過R4接地，同時(shí)NPN三極管的基極b通過R3與檢測(cè)線2連接，NPN三極管的集電極b為漏水檢測(cè)電路的輸出端。

本實(shí)施例中，檢測(cè)線1與檢測(cè)線2并行纏繞在一起，兩根線之間的是絕緣的，三極管9014和三極管8550都不導(dǎo)通。由于檢測(cè)線1和檢測(cè)線2是纏繞在導(dǎo)軌安裝基座的底部，在正常情況下未漏水時(shí)，兩條檢測(cè)線之間絕緣；當(dāng)劃片機(jī)漏水時(shí)，在重力作用下，漏水會(huì)浸濕檢測(cè)線，由于水具有導(dǎo)電性，原本絕緣的兩根檢測(cè)線會(huì)導(dǎo)通，一旦導(dǎo)通，漏水檢測(cè)電路中元器件的狀態(tài)隨即發(fā)生改變，NPN三極管的集電極b的電位U會(huì)發(fā)生變化，處理器檢測(cè)到電位U發(fā)生變化后，判定劃片機(jī)發(fā)生漏水。

具體地，在檢測(cè)線1和檢測(cè)線2導(dǎo)通時(shí)，三極管9014的基極b相對(duì)于發(fā)射極E有正向電位差，三極管9014導(dǎo)通工作，三極管9014的集電極的電流同時(shí)也是三極管8550的基極電流，三極管8550也導(dǎo)通工作，此時(shí)的三極管8550的集電極電位U發(fā)生改變：

U＝i_c2×(R5+R6)+i_b2×R2+U_bc2+U_led，

其中，i_c2為三極管8550(PNP型)的集電極電流，

i_b2為三極管8550(PNP型)的基極電流，

U_bc2為三極管8550(PNP型)的基極與集電極之間的電壓，

U_led為發(fā)光二極管的電壓。

同時(shí)圖2中的發(fā)光二極管變亮，處理器檢測(cè)到NPN三極管的集電極b的電位U發(fā)生改變，做出漏水判斷，完成劃片機(jī)的漏水檢測(cè)工作。

本實(shí)施例的劃片機(jī)漏水檢測(cè)方法采用的元器件性能可靠，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，提高了信號(hào)傳輸和處理的可靠性；實(shí)時(shí)性能好，電路延時(shí)小，提高了漏水檢測(cè)結(jié)果的精度和準(zhǔn)確性。

以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明所述原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。