1.一種半導(dǎo)體模塊的測(cè)試方法，對(duì)半導(dǎo)體模塊進(jìn)行測(cè)試，所述半導(dǎo)體模塊是至少對(duì)第1半橋及第2半橋、和用于驅(qū)動(dòng)所述第1半橋及所述第2半橋的半導(dǎo)體集成電路進(jìn)行樹(shù)脂密封而成的，其特征在于，該半導(dǎo)體模塊的測(cè)試方法具有：
第1步驟，將構(gòu)成所述第1半橋的第1高側(cè)開(kāi)關(guān)與第1低側(cè)開(kāi)關(guān)之間的連接點(diǎn)、和構(gòu)成所述第2半橋的第2高側(cè)開(kāi)關(guān)與第2低側(cè)開(kāi)關(guān)之間的連接點(diǎn)連接于檢測(cè)部；
第2步驟，在所述第1步驟之后，使所述第1高側(cè)開(kāi)關(guān)成為導(dǎo)通狀態(tài)；
第3步驟，在所述第2步驟之后，使所述第1高側(cè)開(kāi)關(guān)成為截止?fàn)顟B(tài)；以及
第4步驟，在所述第3步驟之后，根據(jù)從所述檢測(cè)部輸出的信號(hào)，檢測(cè)所述半導(dǎo)體模塊有無(wú)誤動(dòng)作。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體模塊的測(cè)試方法，其特征在于，
在所述第1步驟中，使所述第1高側(cè)開(kāi)關(guān)及所述第2高側(cè)開(kāi)關(guān)、和所述第1低側(cè)開(kāi)關(guān)及所述第2低側(cè)開(kāi)關(guān)成為截止?fàn)顟B(tài)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體模塊的測(cè)試方法，其特征在于，
在所述第1步驟中，將所述第1高側(cè)開(kāi)關(guān)的柵極與驅(qū)動(dòng)信號(hào)源連接，將所述第2高側(cè)開(kāi)關(guān)的柵極和所述第1低側(cè)開(kāi)關(guān)及所述第2低側(cè)開(kāi)關(guān)的柵極連接于固定電位。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體模塊的測(cè)試方法，其特征在于，
所述固定電位是接地電位。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體模塊的測(cè)試方法，其特征在于，
在所述第1步驟中，
所述第1半橋及所述第2半橋的一端與直流電源的正端子連接，
所述第1半橋及所述第2半橋的另一端與所述直流電源的負(fù)端子連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體模塊的測(cè)試方法，其特征在于，
在所述第4步驟中，如果所述檢測(cè)部檢測(cè)到電流，則判定為所述半導(dǎo)體模塊進(jìn)行了誤動(dòng)作。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體模塊的測(cè)試方法，其特征在于，
重復(fù)執(zhí)行所述第2步驟和所述第3步驟。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體模塊的測(cè)試方法，其特征在于，
重復(fù)執(zhí)行所述第2步驟至所述第4步驟。
9.一種半導(dǎo)體模塊，其是至少對(duì)第1半橋及第2半橋、和用于驅(qū)動(dòng)所述第1半橋及所述第2半橋的半導(dǎo)體集成電路進(jìn)行樹(shù)脂密封而成的，其特征在于，
利用權(quán)利要求1至9中任意一項(xiàng)所述的測(cè)試方法，不會(huì)進(jìn)行誤動(dòng)作。