技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提出一種微機(jī)械壓力傳感器裝置以及相應(yīng)的制造方法。微機(jī)械壓力傳感器裝置包括具有正面(VS)和背面(RS)的ASIC晶片(1)；在所述正面(VS)上形成的再布線裝置(1a)，該再布線裝置(1a)具有多個(gè)印制導(dǎo)線層(LB0，LB1，LB2)以及處在這些印制導(dǎo)線層(LB0，LB1，LB2)之間的絕緣層(I)；在所述多個(gè)印制導(dǎo)線層(LB0，LB1，LB2)中的最上面的印制導(dǎo)線層(LB0)上方形成的結(jié)構(gòu)化的絕緣層(6)；在所述絕緣層(6)上形成的微機(jī)械功能層(2；2″)，所述微機(jī)械功能層(2；2″)在所述絕緣層(6)的槽口(A1；A1″)上方具有能夠以壓力加載的膜片區(qū)域(M；M'；M″)作為第一壓力探測(cè)電極；在所述最上面的印制導(dǎo)線層(LB0)中、與所述膜片區(qū)域(M；M'；M″)隔開間距地在所述槽口(A1；A1″)中形成的第二壓力探測(cè)電極(7；7″)，所述第二壓力探測(cè)電極(7；7″)與所述膜片區(qū)域(M；M'；M″)電絕緣。所述膜片區(qū)域(M；M'；M″)通過一個(gè)或多個(gè)接觸插塞(P1，P2；P1″，P2″)與所述最上面的印制導(dǎo)線層(LB0)電連接，所述接觸插塞(P1，P2；P1″，P2″)被引導(dǎo)穿過所述膜片區(qū)域(M；M'；M″)且穿過所述絕緣層(6)。

技術(shù)研發(fā)人員：J·克拉森
受保護(hù)的技術(shù)使用者：羅伯特·博世有限公司
文檔號(hào)碼：201480073207
技術(shù)研發(fā)日：2014.11.17
技術(shù)公布日：2016.11.30