基于lte的監(jiān)控電路的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型適用于通信領(lǐng)域，提供一種基于LTE的監(jiān)控電路所述監(jiān)控電路包括：光耦合器、三極管、場效應(yīng)管、電阻和發(fā)光二極管；其中，光耦合器的第一、二輸入端分別連接RJ45接口的第一引腳和第二引腳，光耦合器的第一輸入端與RJ45接口第一引腳直接還設(shè)置有電阻R1，所述監(jiān)控電路還包括：溫度監(jiān)控電路，所述溫度監(jiān)控電路包括：負(fù)溫度系數(shù)的熱敏電阻RT、穩(wěn)壓管ZD、電阻和晶閘管SCR；本實(shí)用新型具有穩(wěn)定性高，溫度監(jiān)控的優(yōu)點(diǎn)。
【專利說明】基于LTE的監(jiān)控電路

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于通信領(lǐng)域，尤其涉及一種基于LTE的監(jiān)控電路。

【背景技術(shù)】
[0002]LTE(Long Term Evolut1n,長期演進(jìn))項(xiàng)目是3G的演進(jìn),它改進(jìn)并增強(qiáng)了 3G的空中接入技術(shù)，采用OFDM和MMO作為其無線網(wǎng)絡(luò)演進(jìn)的唯一標(biāo)準(zhǔn)。主要特點(diǎn)是在20MHz頻譜帶寬下能夠提供下行100Mbit/s與上行50Mbit/s的峰值速率，相對(duì)于3G網(wǎng)絡(luò)大大的提高了小區(qū)的容量，同時(shí)將網(wǎng)絡(luò)延遲大大降低:內(nèi)部單向傳輸時(shí)延低于5ms，控制平面從睡眠狀態(tài)到激活狀態(tài)遷移時(shí)間低于50ms，從駐留狀態(tài)到激活狀態(tài)的遷移時(shí)間小于100ms。
[0003]現(xiàn)有的LTE路由器結(jié)構(gòu)如圖1所示，包括:處理器101、存儲(chǔ)器102、LTE天線103、電源106和WIFI模塊104 ;但是由于LTE天線103并非所有的地點(diǎn)均能夠使用，所以在實(shí)際應(yīng)用中，LTE路由器通常還配置一個(gè)RJ45接口 105，增加RJ45接口后，可能出現(xiàn)如下問題，RJ45接口 I號(hào)引腳和2號(hào)引腳直接的電壓差如果超過工作電壓，則RJ45接口可能出現(xiàn)故障，這樣會(huì)影響整個(gè)LTE路由器的使用，所以需要一種電路結(jié)構(gòu)能夠檢測RJ45接口的電壓是否故障。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0004]本實(shí)用新型實(shí)施例的目的在于提供一種基于LTE的監(jiān)控電路，旨在解決現(xiàn)有的技術(shù)方案對(duì)RJ45的接口的電壓無法監(jiān)控，導(dǎo)致LTE路由器故障的問題。
[0005]本實(shí)用新型提供一種基于LTE的監(jiān)控電路，所述監(jiān)控電路包括:光耦合器、三極管、場效應(yīng)管、電阻和發(fā)光二極管；其中，光稱合器的第一、二輸入端分別連接RJ45接口的第一引腳和第二引腳，光稱合器的第一輸入端與RJ45接口第一引腳直接還設(shè)置有電阻Rl,光耦合器的第一輸出端連接至三極管Ql的基極，光耦合器的第二輸出端接地；三極管Ql集電極接地，發(fā)射極連接電阻R2和開關(guān)Kl后連接至電源；場效應(yīng)管Ml的源極連接電源，場效應(yīng)管Ml的柵極連接電阻R3后連接至三極管Q2的基極；三極管Q2發(fā)射極接地，三極管Q2集電極連接電阻R4后連接至電源；場效應(yīng)管M2的柵極連接三極管Q2的集電極，場效應(yīng)管M2的源極連接電源，場效應(yīng)管M2的漏極通過發(fā)光二極管連接處理器；
[0006]所述監(jiān)控電路還包括:溫度監(jiān)控電路，所述溫度監(jiān)控電路包括:負(fù)溫度系數(shù)的熱敏電阻RT、穩(wěn)壓管ZD、電阻和晶閘管SCR ;其中，第二電源VC與電阻R9 —端連接，電阻R9的另一端與熱敏電阻RT的一端連接，熱敏電阻RT的另一端接地，電阻Rl的另一端還與穩(wěn)壓管ZD的陰極連接，穩(wěn)壓管ZD的陽極與電阻RlO的一端連接，電阻RlO的另一端接地；電阻R9的另一端還與發(fā)光二極管的正極連接，發(fā)光二極管的負(fù)極與晶閘管SCR的陽極連接，晶閘管SCR的陰極與電阻RlO的另一端連接；電阻R9的另一端還與電阻Rll的一端連接，電阻Rll的另一端還與晶閘管SCR的控制端和電阻R12的一端連接，電阻R12的另一端接地。
[0007]在本實(shí)用新型實(shí)施例中，本實(shí)用新型提供的技術(shù)方案提供一種基于LTE的監(jiān)控電路，其具有監(jiān)控RJ45的接口的電壓，當(dāng)該電壓不是工作電壓時(shí)，能夠進(jìn)行提示，使得用戶可以關(guān)閉RJ45接口，從而避免RJ45對(duì)LTE路由器的影響，所以其具有提高LTE路由器可靠性的優(yōu)點(diǎn)。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]圖1為現(xiàn)有技術(shù)提供的LTE路由器的結(jié)構(gòu)圖；
[0009]圖2是本實(shí)用新型提供的基于LTE的監(jiān)控電路的電路圖；
[0010]圖3為本實(shí)用新型提供的溫控電路圖。

【具體實(shí)施方式】
[0011]為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。
[0012]本實(shí)用新型提供一種基于LTE的監(jiān)控電路，該監(jiān)控電路如圖2所示，該監(jiān)控電路如圖2所示，連接在電源106與處理器101之間，并且監(jiān)控電路還連接RJ45的第一引腳和第二引腳；該監(jiān)控電路包括:光耦合器201、三極管、場效應(yīng)管、電阻和發(fā)光二極管；其中，光率禹合器201的第一、二輸入端分別連接RJ45的第一引腳和第二引腳,光稱合器201的第一輸入端與RJ45第一引腳直接還設(shè)置有電阻Rl,光稱合器201的第一輸出端連接至三極管Ql (PNP型)的基極，第二輸出端接地；三極管Ql (PNP型)集電極接地，發(fā)射極連接R2和開關(guān)Kl后連接至電源106 ;場效應(yīng)管Ml的源極連接電源106，Ml的柵極連接R3后連接至三極管Q2 (NPN型)的基極；三極管Q2發(fā)射極接地，集電極連接R4后連接至電源106 ;場效應(yīng)管M2的柵極連接Q2的集電極，M2的源極連接電源106，M2的漏極通過發(fā)光二極管連接處理器。
[0013]本實(shí)用新型的工作原理為，當(dāng)RJ45正常工作時(shí)，Ql導(dǎo)通，M2導(dǎo)通，此時(shí)發(fā)光二極管發(fā)光，當(dāng)RJ45非正常工作狀態(tài)時(shí)，Ql關(guān)閉，進(jìn)而導(dǎo)致M2關(guān)閉，此時(shí)發(fā)光二極管不發(fā)光，說明RJ45故障，通過發(fā)光二極管可以提醒用戶RJ45故障，從而用戶可以通過斷開Kl使得RJ45接口與處理器完全關(guān)閉，進(jìn)而減少RJ45故障對(duì)LTE路由器的影響。所以其具有提高LTE路由器可靠性的優(yōu)點(diǎn)。
[0014]可選的，該監(jiān)控電路還可以包括:溫度監(jiān)控電路，該溫度監(jiān)控電路如圖3所示，包括:負(fù)溫度系數(shù)的熱敏電阻RT、穩(wěn)壓管ZD、電阻和晶閘管SCR ;其中，第二電源VC與電阻R9一端連接，R9的另一端與RT的一端連接，RT的另一端接地，Rl的另一端還與ZD的陰極連接，ZD的陽極與電阻RlO的一端連接，RlO的另一端接地；R9的另一端還與發(fā)光二極管的正極連接，發(fā)光二極管的負(fù)極與SCR的陽極連接，SCR的陰極與RlO的另一端連接；R9的另一端還與Rll的一端連接，Rll的另一端還與SCR的控制端和R12的一端連接，R12的另一端接地。
[0015]溫控電路的原理為:依據(jù)負(fù)溫度系數(shù)的熱敏電阻的原理，當(dāng)溫度較低時(shí)，RT的阻值較大，SCR不導(dǎo)通，反之，當(dāng)溫度較高時(shí)，RT阻值較小，SCR導(dǎo)通，發(fā)光二極管亮起，證明溫度過高，當(dāng)然為了和上個(gè)發(fā)光二極管區(qū)分，可以使用不同顏色的發(fā)光二極管進(jìn)行區(qū)分。所以其具有監(jiān)控溫度的優(yōu)點(diǎn)。
[0016]以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種基于LTE的監(jiān)控電路，其特征在于，所述監(jiān)控電路包括:光耦合器、三極管、場效應(yīng)管、電阻和發(fā)光二極管；其中，光稱合器的第一、二輸入端分別連接RJ45接口的第一引腳和第二引腳,光稱合器的第一輸入端與RJ45接口第一引腳直接還設(shè)置有電阻Rl，光稱合器的第一輸出端連接至三極管Ql的基極，光耦合器的第二輸出端接地；三極管Ql集電極接地，發(fā)射極連接電阻R2和開關(guān)Kl后連接至電源；場效應(yīng)管Ml的源極連接電源，場效應(yīng)管Ml的柵極連接電阻R3后連接至三極管Q2的基極；三極管Q2發(fā)射極接地，三極管Q2集電極連接電阻R4后連接至電源；場效應(yīng)管M2的柵極連接三極管Q2的集電極，場效應(yīng)管M2的源極連接電源，場效應(yīng)管M2的漏極通過發(fā)光二極管連接處理器； 所述監(jiān)控電路還包括:溫度監(jiān)控電路，所述溫度監(jiān)控電路包括:負(fù)溫度系數(shù)的熱敏電阻RT、穩(wěn)壓管ZD、電阻和晶閘管SCR ;其中，第二電源VC與電阻R9 —端連接，電阻R9的另一端與熱敏電阻RT的一端連接，熱敏電阻RT的另一端接地，電阻Rl的另一端還與穩(wěn)壓管ZD的陰極連接，穩(wěn)壓管ZD的陽極與電阻RlO的一端連接，電阻RlO的另一端接地；電阻R9的另一端還與發(fā)光二極管的正極連接，發(fā)光二極管的負(fù)極與晶閘管SCR的陽極連接，晶閘管SCR的陰極與電阻RlO的另一端連接；電阻R9的另一端還與電阻Rll的一端連接，電阻Rll的另一端還與晶閘管SCR的控制端和電阻R12的一端連接，電阻R12的另一端接地。
【文檔編號(hào)】G01R31/00GK203965540SQ201420376515
【公開日】2014年11月26日 申請(qǐng)日期:2014年7月8日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月8日
【發(fā)明者】黃國昊, 張黎君, 田輝, 熊勝峰, 鄭旭升 申請(qǐng)人:惠州市三森軟件開發(fā)有限公司