一種脈沖漏磁探傷儀的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種探測(cè)裝置，具體涉及一種脈沖漏磁探傷儀。其包括開關(guān)電源、磁化器探頭、脈沖激勵(lì)信號(hào)源、數(shù)據(jù)采集模塊以及數(shù)據(jù)采集分析軟件。所述脈沖激勵(lì)信號(hào)源含信號(hào)調(diào)理電路，所述脈沖激勵(lì)信號(hào)源一端與開關(guān)電源相連，另一端分別于數(shù)據(jù)采集模塊、磁化器探頭相連，所述數(shù)據(jù)采集模塊下接數(shù)據(jù)采集分析軟件。本實(shí)用新型，不需要檢測(cè)部件打磨、配置磁懸液、記錄缺陷等步驟，操作過程簡(jiǎn)單，檢測(cè)成本大大降低，檢測(cè)效率大大提高，有助于提高特種設(shè)備焊縫表面和近表面缺陷的檢測(cè)質(zhì)量和檢測(cè)效率。
【專利說明】一種脈沖漏磁探傷儀

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實(shí)用新型涉及一種探測(cè)裝置，具體涉及一種脈沖漏磁探傷儀。

【背景技術(shù)】
[0002] 目前，特種設(shè)備表面缺陷的檢測(cè)手段主要磁粉探傷、滲透檢測(cè)、渦流檢測(cè)等技術(shù)。 其中，滲透檢測(cè)技術(shù)只適宜表面開口型缺陷的檢查，對(duì)工件表面要求清潔和干燥，并且檢測(cè) 結(jié)果的判定受檢測(cè)人員的現(xiàn)場(chǎng)操作和經(jīng)驗(yàn)影響大，且無法檢測(cè)近表面的缺陷；渦流檢測(cè)技 術(shù)線圈不需與被測(cè)物直接接觸，可進(jìn)行高速檢測(cè)，易于實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化，但檢測(cè)設(shè)備較大，一般 用于管材的出場(chǎng)檢驗(yàn)，且檢測(cè)靈敏度較低，對(duì)結(jié)構(gòu)復(fù)雜的工件也不適用；磁粉檢測(cè)是目前 特種設(shè)備檢測(cè)行業(yè)應(yīng)用最廣泛的表面無損探傷技術(shù)，檢測(cè)靈敏度高，可發(fā)現(xiàn)微米級(jí)寬度的 小缺陷，但其對(duì)被測(cè)工件表面要求嚴(yán)格，需要去除設(shè)備表面涂層，檢測(cè)用磁懸液需要操作人 員現(xiàn)場(chǎng)配制，檢測(cè)結(jié)果受其濃度影響，同時(shí)，在環(huán)境溫度低于零度時(shí)，會(huì)因磁懸液結(jié)冰而致 使檢測(cè)工作無法開展。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是如何克服現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，提供一種脈沖漏 磁探傷儀，能夠有效克服表面涂層、環(huán)境溫度等因素對(duì)檢測(cè)的影響，實(shí)現(xiàn)特種設(shè)備的不停產(chǎn) 1?效率檢測(cè)，大幅提1?特種設(shè)備的檢驗(yàn)效率和安全可罪性。
[0004] 本實(shí)用新型的技術(shù)解決方案是：一種脈沖漏磁探傷儀，其特征在于：包括開關(guān)電 源、磁化器探頭、脈沖激勵(lì)信號(hào)源、數(shù)據(jù)采集模塊以及數(shù)據(jù)采集分析軟件。所述脈沖激勵(lì)信 號(hào)源含信號(hào)調(diào)理電路，所述脈沖激勵(lì)信號(hào)源一端與開關(guān)電源相連，另一端分別于數(shù)據(jù)采集 模塊、磁化器探頭相連，所述數(shù)據(jù)采集模塊下接數(shù)據(jù)采集分析軟件。
[0005] 所述磁化器探頭由U型磁芯骨架、激勵(lì)線圈及霍爾傳感器，所述激勵(lì)線圈纏繞于 磁芯線圈上，所述霍爾傳感器安裝在U型骨架管腳中間。
[0006] 所述開關(guān)電源采用NES-200-12型穩(wěn)壓電源。
[0007] 所述U型磁芯骨架為鐵氧體。
[0008] 所述U型磁芯骨架高為31. 7mm寬為59mm，磁芯直徑為15. 8mm。
[0009] 所述激勵(lì)線圈匝數(shù)為200匝，激勵(lì)線圈線徑為0. 75mm。
[0010] 所述脈沖激勵(lì)源部分包括FPGA電路、隔離驅(qū)動(dòng)電路、M0SFET斬波電路、低壓大電 流電源、鍵盤及顯示屏。
[0011] 所述M0SFET斬波電路型號(hào)為IRF1010。
[0012] 所述顯示屏為L(zhǎng)CD2864液晶模塊，具有128x64個(gè)點(diǎn)的分辨率，內(nèi)部設(shè)有ST7920顯 示驅(qū)動(dòng)芯片。
[0013] 所述鍵盤控制電路主要為脈沖信號(hào)源進(jìn)行控制，
[0014] 所述采集模塊包括數(shù)據(jù)采集卡，所述采集卡的采樣頻率為數(shù)字信號(hào)最高頻率的5 至10倍。
[0015] 所述被測(cè)磁件為磁件、硅橡膠、鋼板中的任意一種。
[0016] 本實(shí)用新型原理為脈沖激勵(lì)信號(hào)源產(chǎn)生脈沖信號(hào)，輸入探頭的激勵(lì)線圈中，對(duì)被 測(cè)磁件磁化。通常在被測(cè)磁件中用矩形溝槽模擬裂紋缺陷，使探頭在被測(cè)磁件表面水平移 動(dòng)，移動(dòng)的方向與矩形溝槽缺陷軸向呈垂直的角度，勻速的由溝槽左側(cè)無傷處，經(jīng)過溝槽， 向其右側(cè)無傷處移動(dòng)。當(dāng)探頭在經(jīng)過矩形溝槽缺陷上方時(shí)，這時(shí)放置在磁化器探頭下方的 霍爾傳感器拾取矩形溝槽缺陷處的漏磁信號(hào)，拾取到的信號(hào)經(jīng)過信號(hào)調(diào)理電路，被數(shù)據(jù)采 集模塊采集并傳送到數(shù)據(jù)采集分析軟件中。
[0017] 本是實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于克服表面涂層、環(huán)境溫度等因素對(duì)檢測(cè)的影響，實(shí)現(xiàn)特 種設(shè)備的不停廣1?效率檢測(cè)，大幅提1?特種設(shè)備的檢驗(yàn)效率和安全可罪性；避免檢測(cè)部件 打磨、配置磁懸液、記錄缺陷等步驟，操作過程簡(jiǎn)單，且檢測(cè)成本大大降低，檢測(cè)效率大大提 高，有助于提高特種設(shè)備焊縫表面和近表面缺陷的檢測(cè)質(zhì)量和檢測(cè)效率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0018] 下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明。
[0019] 圖1是本實(shí)用新型組織模塊示意圖；
[0020] 圖2是本實(shí)用新型磁傳感器結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021] 圖3是本實(shí)用新型脈沖激勵(lì)源信號(hào)源結(jié)構(gòu)圖；

【具體實(shí)施方式】
[0022] -種脈沖漏磁探傷儀，包括開關(guān)電源、磁化器探頭、脈沖激勵(lì)信號(hào)源、數(shù)據(jù)采集模 塊以及數(shù)據(jù)采集分析軟件。所述脈沖激勵(lì)信號(hào)源含信號(hào)調(diào)理電路，所述脈沖激勵(lì)信號(hào)源一 端與開關(guān)電源相連，另一端分別于數(shù)據(jù)采集模塊、磁化器探頭相連，所述數(shù)據(jù)采集模塊下接 數(shù)據(jù)采集分析軟件。所述磁化器探頭由U型磁芯骨架、激勵(lì)線圈及霍爾傳感器，所述激勵(lì)線 圈纏繞于磁芯線圈上，所述霍爾傳感器安裝在U型骨架管腳中間。所述脈沖激勵(lì)源部分包 括FPGA電路、隔離驅(qū)動(dòng)電路、M0SFET斬波電路、低壓大電流電源、鍵盤及顯示屏電路。本實(shí) 用新型所述開關(guān)電源采用NES-200-12型穩(wěn)壓電源，保證電壓穩(wěn)定。所述U型磁芯骨架采用 鐵氧體，節(jié)省成本。所述U型磁芯骨架高為31. 7mm寬為59_，磁芯直徑為15. 8_。為配合 U型磁芯骨架，所述激勵(lì)線圈匝數(shù)為200匝，激勵(lì)線圈線徑為0. 75mm。所述M0SFET斬波電 路型號(hào)為IRF1010。所述顯示屏為L(zhǎng)CD2864液晶模塊，具有128x64個(gè)點(diǎn)的分辨率，內(nèi)部設(shè)有 ST7920顯示驅(qū)動(dòng)芯片，保證顯示清晰可見。
[0023] 當(dāng)脈沖激勵(lì)信號(hào)源向激勵(lì)線圈發(fā)出脈沖，激勵(lì)線圈產(chǎn)生磁場(chǎng)并對(duì)進(jìn)行磁化，達(dá)到 一定的磁化強(qiáng)度時(shí)，被測(cè)磁件有缺陷存在時(shí)，在表面缺陷處，會(huì)產(chǎn)生漏磁場(chǎng)，可以被信號(hào)米 集卡采集再傳送給數(shù)據(jù)采集分析軟件。
[0024] 所述脈沖信號(hào)的產(chǎn)生過程為：通過鍵盤輸入數(shù)據(jù)，賦給方波信號(hào)產(chǎn)生模塊，F(xiàn)PGA 輸出方波信號(hào)，同時(shí)由顯示模塊，對(duì)方波信號(hào)的幅值頻率、占空比等進(jìn)行顯示。產(chǎn)生的方波 信號(hào)，經(jīng)過光藕隔離電路，輸入到驅(qū)動(dòng)電路，連接到M0SFET管上，控制M0SFET管通斷，產(chǎn)生 脈沖激勵(lì)信號(hào)。
【權(quán)利要求】
1. 一種脈沖漏磁探傷儀，其特征在于：包括開關(guān)電源、磁化器探頭、脈沖激勵(lì)信號(hào)源、 數(shù)據(jù)采集模塊以及數(shù)據(jù)采集分析軟件，所述脈沖激勵(lì)信號(hào)源含信號(hào)調(diào)理電路，所述脈沖激 勵(lì)信號(hào)源一端與開關(guān)電源相連，另一端分別于數(shù)據(jù)采集模塊、磁化器探頭相連，所述數(shù)據(jù)采 集模塊下接數(shù)據(jù)采集分析軟件，所述磁化器探頭由U型磁芯骨架、激勵(lì)線圈及霍爾傳感器 組成，所述激勵(lì)線圈纏繞于磁芯線圈上，所述霍爾傳感器安裝在U型磁芯骨架管腳中間。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種脈沖漏磁探傷儀，其特征在于：所述開關(guān)電源采用 NES-200-12型穩(wěn)壓電源。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種脈沖漏磁探傷儀，其特征在于：所述U型磁芯骨架為鐵 氧體。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種脈沖漏磁探傷儀，其特征在于：所述U型磁芯骨架高為 31. 7mm寬為59mm,磁芯直徑為15. 8_。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種脈沖漏磁探傷儀，其特征在于：所述激勵(lì)線圈匝數(shù)為200 阻，激勵(lì)線圈直徑為〇· 75mm。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種脈沖漏磁探傷儀，其特征在于：所述脈沖激勵(lì)源部分包 括FPGA電路、隔離驅(qū)動(dòng)電路、MOSFET斬波電路、低壓大電流電源、鍵盤及顯示屏。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種脈沖漏磁探傷儀，其特征在于：所述MOSFET斬波電路型 號(hào)為 IRF1010。
8. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種脈沖漏磁探傷儀，其特征在于：所述顯示屏為L(zhǎng)CD2864 液晶模塊，具有128x64個(gè)點(diǎn)的分辨率，內(nèi)部設(shè)有ST7920顯示驅(qū)動(dòng)芯片。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種脈沖漏磁探傷儀，其特征在于：所述采集模塊包括數(shù)據(jù) 采集卡，所述采集卡采樣頻率為數(shù)字信號(hào)最高頻率的5至10倍。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種脈沖漏磁探傷儀，其特征在于：還包括被測(cè)磁件，所述 被測(cè)磁件為磁件、硅橡膠、鋼板中的任意一種。
【文檔編號(hào)】G01N27/83GK203908994SQ201420275349
【公開日】2014年10月29日 申請(qǐng)日期:2014年5月27日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月27日
【發(fā)明者】王其龍, 李強(qiáng), 劉德勝, 張凱, 呂希東 申請(qǐng)人:呂希東