氦氣測(cè)漏裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種氦氣測(cè)漏裝置，主要解決了現(xiàn)有裝載晶圓的托盤開(kāi)始執(zhí)行工藝配方后才能夠了解氦氣泄漏的大小，從而嚴(yán)重影響ICP蝕刻機(jī)蝕刻效果的問(wèn)題。該氦氣測(cè)漏裝置包括用于固定裝載晶圓的托盤的固定機(jī)構(gòu)，用于將托盤和固定機(jī)構(gòu)接觸面之間形成的腔體進(jìn)行抽真空的真空泵，真空泵通過(guò)管道和腔體連通，管道上設(shè)置有用于檢測(cè)真腔體真空度的真空計(jì)和用于檢測(cè)氦氣泄漏數(shù)據(jù)的氦氣偵測(cè)計(jì)。該氦氣測(cè)漏裝置可以準(zhǔn)確掌握鋁托盤氦氣泄漏的實(shí)際情況，并通過(guò)調(diào)整托盤裝載晶圓的位置減少對(duì)工藝的影響，提高了設(shè)備的穩(wěn)定性。
【專利說(shuō)明】氦氣測(cè)漏裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于LED【技術(shù)領(lǐng)域】，主要涉及一種氦氣測(cè)漏裝置，用于檢測(cè)ICP托盤裝載晶圓后是否發(fā)生氦氣泄漏。
【背景技術(shù)】
[0002]目前LED外延襯底圖形在制造過(guò)程中，常常要在晶圓上做出極細(xì)微尺寸的圖案(Pattern)，這些圖案最主要的形成方式乃是使用蝕刻(Etching)技術(shù)，將微影(Photo-Lithography)技術(shù)所產(chǎn)生的光阻圖形轉(zhuǎn)印到光阻底下的材質(zhì)上,而電衆(zhòng)反應(yīng)離子蝕刻是將晶圓上不需要的部分的材質(zhì)用電漿氣體去除以達(dá)成圖形轉(zhuǎn)移(PatternTransfer)目的。
[0003]反應(yīng)式離子蝕刻屬于干蝕刻的一種，機(jī)械上屬電感耦合式，在反應(yīng)腔中通入氣體，控制真空抽氣系統(tǒng)使環(huán)境維持于低壓(-1?20mTorr)狀態(tài)，利用下電極上之13.56MHz低功率射頻產(chǎn)生偏壓，使電漿中離子或自由基轟擊或與基板反應(yīng)造成蝕刻。
[0004]反應(yīng)式離子蝕刻反應(yīng)腔中有2個(gè)電極，下電極接射頻電源并通水冷卻，并可通入氦氣當(dāng)熱傳導(dǎo)介質(zhì)幫助冷卻，被蝕刻晶圓即放在下電極板上，而上電極為分氣盤，蝕刻氣體由上方均勻注入腔中，反應(yīng)后之氣體由腔體下方四周的抽氣管路排出。
[0005]現(xiàn)有ICP蝕刻機(jī)是將有承載晶圓的鋁托盤放置在腔體內(nèi)的卡盤上，通過(guò)壓環(huán)裝置使鋁托盤和卡盤緊密接觸，通過(guò)氦氣的通入使鋁托盤的溫度快速的降低，但是目前的工藝是在ICP (Inductively Coupled Plasma感應(yīng)稱合等離子體)托盤裝載Wafer (晶圓)完成后，將裝載Wafer的托盤通入機(jī)臺(tái)的蝕刻環(huán)境腔體，開(kāi)始執(zhí)行工藝配方后才能夠了解氦氣泄漏的大小，如果氦氣泄漏超過(guò)設(shè)定的最大值，將會(huì)改變腔室環(huán)境的壓力嚴(yán)重影響蝕刻的效果。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本實(shí)用新型提供一種氦氣測(cè)漏裝置，主要解決了現(xiàn)有裝載晶圓的托盤開(kāi)始執(zhí)行工藝配方后才能夠了解氦氣泄漏的大小，從而嚴(yán)重影響ICP蝕刻機(jī)蝕刻效果的問(wèn)題。
[0007]本實(shí)用新型的具體技術(shù)解決方案如下:
[0008]該氦氣測(cè)漏裝置包括用于固定裝載晶圓的托盤的固定機(jī)構(gòu)，用于將托盤和固定機(jī)構(gòu)接觸面之間形成的腔體進(jìn)行抽真空的真空泵，真空泵通過(guò)管道和腔體連通，管道上設(shè)置有用于檢測(cè)真腔體真空度的真空計(jì)和用于檢測(cè)氦氣泄漏數(shù)據(jù)的氦氣偵測(cè)計(jì)。
[0009]上述管道上設(shè)置有開(kāi)關(guān)真空泵的手動(dòng)閥。
[0010]上述固定機(jī)構(gòu)包括用于承載托盤的卡盤，托盤通過(guò)固定壓塊固定在卡盤上。
[0011]本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)如下:
[0012]該氦氣測(cè)漏裝置可以準(zhǔn)確掌握鋁托盤氦氣泄漏的實(shí)際情況，并通過(guò)調(diào)整托盤裝載晶圓的位置減少對(duì)工藝的影響，提高了設(shè)備的穩(wěn)定性。【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0013]圖1為本實(shí)用新型氦氣測(cè)漏裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0014]附圖明細(xì)如下:1-卡盤；2_招托盤；3_固定裝置；4_手動(dòng)閥；5_真空計(jì)；6_氦氣偵測(cè)計(jì)；7-真空泵。
【具體實(shí)施方式】
[0015]以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的工作過(guò)程進(jìn)行詳述，如圖2所示:
[0016]在將裝載晶圓后的托盤裝入機(jī)臺(tái)的環(huán)境腔室之前，先將托盤放置在氦氣測(cè)漏裝置的卡盤上，再使用固定壓塊壓住鋁托盤的邊緣位置，然后打開(kāi)裝置中的真空泵(Pump)，使管道達(dá)到真空狀態(tài)，緊接著慢慢打開(kāi)管道上端的手動(dòng)閥門，抽取托盤與卡盤之間的大氣。
[0017]抽取一段時(shí)間后觀察真空計(jì)的數(shù)值，當(dāng)真空計(jì)的數(shù)值達(dá)到工藝的要求后，在裝有氦氣的鋼瓶端口加裝氣槍，并調(diào)整氦氣壓力在要求工作的范圍內(nèi)，然后使用氣槍對(duì)偵測(cè)氦氣泄漏裝置上托盤中晶圓的邊緣位置進(jìn)行吹掃，在吹掃的過(guò)程中可以通過(guò)該裝置上的氦氣偵測(cè)計(jì)觀察濃度的存在，如果氦氣偵測(cè)計(jì)顯示無(wú)氦氣被偵測(cè)到，說(shuō)明此晶圓位置處的氦氣無(wú)泄漏，接著可以偵測(cè)下一個(gè)晶圓位置處的氦氣泄漏情況，如果氦氣偵測(cè)計(jì)顯示有氦氣被偵測(cè)到，說(shuō)明此晶圓位置處的氦氣有泄漏，可以暫時(shí)將該晶圓的位置記錄。
[0018]等到將鋁托盤上的所有晶圓位置處的氦氣泄漏情況記錄完成后，關(guān)閉手動(dòng)閥門，將托盤從偵測(cè)裝置上拆卸下來(lái)，再將托盤放置在裝片載臺(tái)上，拆卸托盤上的石英蓋板，使用裝片工具調(diào)整有氦氣泄漏位置的晶圓，調(diào)整完成后再次使用托盤裝載晶圓偵測(cè)氦氣泄漏裝置，直至托盤上裝載的晶圓位置處都沒(méi)有氦氣被偵測(cè)到。
【權(quán)利要求】
1.一種氦氣測(cè)漏裝置，其特征在于:包括用于固定裝載晶圓的托盤的固定機(jī)構(gòu)，用于將托盤和固定機(jī)構(gòu)接觸面之間形成的腔體進(jìn)行抽真空的真空泵，真空泵通過(guò)管道和腔體連通，管道上設(shè)置有用于檢測(cè)真腔體真空度的真空計(jì)和用于檢測(cè)氦氣泄漏數(shù)據(jù)的氦氣偵測(cè)計(jì)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氦氣測(cè)漏裝置，其特征在于:所述管道上設(shè)置有開(kāi)關(guān)真空泵的手動(dòng)閥。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的氦氣測(cè)漏裝置，其特征在于:所述固定機(jī)構(gòu)包括用于承載托盤的卡盤，托盤通過(guò)固定壓塊固定在卡盤上。
【文檔編號(hào)】G01M3/20GK203688172SQ201420013301
【公開(kāi)日】2014年7月2日 申請(qǐng)日期:2014年1月9日 優(yōu)先權(quán)日:2014年1月9日
【發(fā)明者】羅建華, 賀波亮, 陳起偉, 李斌, 張潮, 封龍剛 申請(qǐng)人:西安神光安瑞光電科技有限公司