一種硅基功率檢測(cè)器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種硅基功率檢測(cè)器，屬于電路【技術(shù)領(lǐng)域】，該硅基功率檢測(cè)器包括自混頻電路和低通濾波器，在自混頻電路將射頻輸入信號(hào)混頻后經(jīng)低通濾波器濾除高頻分量，得到直流電平輸出，進(jìn)一步的還包括電流鏡電路；偏置電路和跟隨器，利用跟隨器來(lái)穩(wěn)定自混頻電路中的MOS管的直流偏置，使MOS管工作于臨界導(dǎo)通狀態(tài)。采用本發(fā)明的硅基功率檢測(cè)器，其工作頻率更寬，能廣泛地適用于各種工作頻率，同時(shí)，其輸入阻抗更高，功耗更小，靈敏度高，且結(jié)構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單，成本也相當(dāng)?shù)土?br> 【專利說(shuō)明】一種硅基功率檢測(cè)器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及電路【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及檢測(cè)電路【技術(shù)領(lǐng)域】，具體是指一種硅基功率 檢測(cè)器。

【背景技術(shù)】
[0002] 功率檢測(cè)器電路因能產(chǎn)生一個(gè)與輸入信號(hào)的功率、峰值或均方根值成正比的直流 電壓，而廣泛應(yīng)用于微波、射頻系統(tǒng)中，這些應(yīng)用包括增益自動(dòng)控制，電平自動(dòng)控制、信號(hào)強(qiáng) 度指示器、AM調(diào)制檢測(cè)、狀態(tài)指示器以及功率控制等。
[0003] 其中集成電路中的功率檢測(cè)器主要分為以下幾種：第一種是基于混頻功能的功率 檢測(cè)器，通過(guò)零中頻或超外差技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)。這類功率檢測(cè)器具有很好的靈敏度，但他們的動(dòng) 態(tài)范圍較低。第二種是基于肖特基二極管的功率檢測(cè)器，這類功率檢測(cè)器工作在飽和區(qū)時(shí) 可以用于小信號(hào)的檢測(cè)；工作在線性區(qū)時(shí)可以用于大信號(hào)的檢測(cè)。盡管這類功率檢測(cè)器比 較簡(jiǎn)單，然而用于GHz級(jí)別的信號(hào)檢測(cè)面臨頻率范圍有限、功耗大、匹配難度大以及芯片占 用面積大等問(wèn)題。第三種是通過(guò)三極管實(shí)現(xiàn)的功率檢測(cè)器，這類功率檢測(cè)器具有簡(jiǎn)單、低功 耗、高帶寬、芯片面積小、對(duì)溫度不敏感等優(yōu)點(diǎn)。然而現(xiàn)有技術(shù)中的CMOS工藝無(wú)法提供雙性 能的三極管。這就導(dǎo)致輸入阻抗較小，且工作頻率仍較有限。因此如何通過(guò)CMOS工藝實(shí)現(xiàn) 高輸入阻抗，工作頻率更寬的射頻功率檢測(cè)器是該【技術(shù)領(lǐng)域】中亟待解決的問(wèn)題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明的目的是克服了上述現(xiàn)有技術(shù)中的缺點(diǎn)，提供一種具有高輸入阻抗，功耗 更小，靈敏度高，且結(jié)構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單，成本低廉，能應(yīng)用于各種工作頻率帶寬的硅基功率檢測(cè) 器。
[0005] 為了實(shí)現(xiàn)上述的目的，本發(fā)明的硅基功率檢測(cè)器具有如下構(gòu)成：
[0006] 該硅基功率檢測(cè)器包括自混頻電路和低通濾波器，所述的自混頻的電路的輸入端 為射頻信號(hào)輸入端，其輸出端連接所述的低通濾波器的輸入端，所述的低通濾波器的輸出 端為直流電平輸出端。
[0007] 該硅基功率檢測(cè)器中，所述的自混頻電路包括第一 M0S管Ml和第二M0S管M2,所 述的射頻信號(hào)輸入端的正極VIN+通過(guò)第一隔直電容C0連接第一 M0S管Ml的漏極，該射頻 信號(hào)輸入端的正極VIN+還順序通過(guò)第一隔直電容C0和第一耦合電容C2連接第二M0S管 M2的柵極；所述的射頻信號(hào)輸入端的負(fù)極VIN-通過(guò)第二隔直電容C1連接第二M0S管M2的 漏極，該射頻信號(hào)輸入端的負(fù)極VIN-還順序通過(guò)第二隔直電容C1和第二耦合電容C3連接 第一 M0S管Ml的柵極；所述的第一 M0S管Ml的源極與所述的第二M0S管M2的源極之間的 節(jié)點(diǎn)B連接所述的低通濾波器的輸入端；第一偏置電阻R1和第二偏置電阻R2串聯(lián)并跨接 于所述的第一隔直電容C0同第一耦合電容C2間的節(jié)點(diǎn)以及所述的第二隔直電容C1同第 二耦合電容C3間的節(jié)點(diǎn)之間。
[0008] 該硅基功率檢測(cè)器中，所述的低通濾波器為RC濾波器，其包括第五電阻R5、第四 電容R4以及第五電容R5,所述的第五電阻R5連接于所述的低通濾波器輸入端和直流電平 輸出端之間；所述的第四電容R4的一端連接于所述的低通濾波器輸入端與第五電阻R5之 間的節(jié)點(diǎn)，另一端接地GND ;所述的第五電容R5的一端連接于所述的第五電阻R5與直流電 平輸出端之間的節(jié)點(diǎn)D，另一端接地GND。
[0009] 該硅基功率檢測(cè)器還包括電流鏡電路；連接于所述的電流鏡電路輸出端的偏置電 路以及連接于所述偏置電路的跟隨器，所述的跟隨器還連接于所述的第一 M0S管Ml和第二 M0S管M2,用以控制所述的第一 M0S管Ml和第二M0S管M2的柵源電壓，使所述的第一 M0S 管Ml和第二M0S管M2均工作于臨界導(dǎo)通狀態(tài)。
[0010] 該硅基功率檢測(cè)器中，電流鏡電路包括第三M0S管M3、第四M0S管M4和第七M(jìn)0S 管M7,所述的第三M0S管M3、第四M0S管M4和第七M(jìn)0S管M7的柵極均連接參考電流IREF ; 所述的第三M0S管M3、第四M0S管M4和第七M(jìn)0S管M7的源極均接地GND ;所述的第三M0S 管M3的漏極連接所述的參考電流IREF ;所述的第四M0S管M4和第七M(jìn)0S管M7的漏極連 接所述的偏置電路。
[0011] 該硅基功率檢測(cè)器中，所述的偏置電路包括第五M0S管M5和第六M0S管M6,所述 的第五M0S管M5和第六M0S管M6的漏極均連接工作電壓VDD ;所述的第五M0S管M5的柵 極和源極均連接所述的第四M0S管M4的漏極；所述的第六M0S管M6的柵極和源極均連接 所述的第七M(jìn)0S管M7的漏極。
[0012] 該硅基功率檢測(cè)器中，所述的第六M0S管M6的柵極和源極與所述的第七M(jìn)0S管M7 的漏極之間的節(jié)點(diǎn)電壓VB等于所述的第一偏置電阻R1和第二偏置電阻R2之間的節(jié)點(diǎn)電 壓VB。
[0013] 該硅基功率檢測(cè)器中，所述的跟隨器包括第八M0S管M8和第九M0S管M9,所述的 第八M0S管M8的漏極連接工作電壓VDD，該第八M0S管M8的柵極連接所述的第五M0S管 M5柵極，由所述的第五M0S管M5向所述的第八M0S管M8提供柵極偏置；所述的第九M0S 管M9的漏極接地GND ;該第九M0S管M9的柵極連接于所述的第五電阻R5與直流電平輸出 端之間的節(jié)點(diǎn)D ;所述的第八M0S管M8的源極連接所述的第九M0S管M9的源極，第八M0S 管M8源極與第九M0S管M9源極之間的節(jié)點(diǎn)C通過(guò)第三偏置電阻R3連接所述的第一 M0S 管Ml柵極與第二耦合電容C3之間的節(jié)點(diǎn)A，該節(jié)點(diǎn)C還通過(guò)第四偏置電阻R4連接于所述 的第二M0S管M2柵極與第一耦合電容C2之間；所述的節(jié)點(diǎn)C與所述的節(jié)點(diǎn)D之間的電壓 差一定，以控制所述的節(jié)點(diǎn)A與節(jié)點(diǎn)B之間的電壓差一定，即所述的第一 M0S管Ml和第二 M0S管M2的柵源電壓一定，以使所述的第一 M0S管Ml和第二M0S管M2均工作于臨界導(dǎo)通 狀態(tài)。
[0014] 采用了該發(fā)明的硅基功率檢測(cè)器包括自混頻電路和低通濾波器，在自混頻電路將 射頻輸入信號(hào)混頻后經(jīng)低通濾波器濾除高頻分量，得到直流電平輸出，進(jìn)一步的還包括電 流鏡電路；偏置電路和跟隨器，利用跟隨器來(lái)穩(wěn)定自混頻電路中的M0S管的直流偏置，使 M0S管工作于臨界導(dǎo)通狀態(tài)。從而使本發(fā)明的硅基功率檢測(cè)器的工作頻率更寬，能廣泛地適 用于各種工作頻率，同時(shí)，其輸入阻抗更高，功耗更小，靈敏度高，且結(jié)構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單，成本也 相當(dāng)?shù)土?br>
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0015] 圖1為本發(fā)明的硅基功率檢測(cè)器的電路圖。
[0016] 圖2為本發(fā)明的硅基功率檢測(cè)器的輸入阻抗示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0017] 為了能夠更清楚地理解本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容,特舉以下實(shí)施例詳細(xì)說(shuō)明。
[0018] 請(qǐng)參閱圖1所示，為本發(fā)明的硅基功率檢測(cè)器的電路圖。
[0019] 在一種實(shí)施方式中，該硅基功率檢測(cè)器包括自混頻電路和低通濾波器，所述的自 混頻的電路的輸入端為射頻信號(hào)輸入端，其輸出端連接所述的低通濾波器的輸入端，所述 的低通濾波器的輸出端為直流電平輸出端。
[0020] 在較優(yōu)選的實(shí)施方式中，如圖1所示，所述的自混頻電路包括第一 M0S管Ml和第 二M0S管M2,所述的射頻信號(hào)輸入端的正極VIN+通過(guò)第一隔直電容C0連接第一 M0S管Ml 的漏極，該射頻信號(hào)輸入端的正極VIN+還順序通過(guò)第一隔直電容C0和第一耦合電容C2連 接第二M0S管M2的柵極；所述的射頻信號(hào)輸入端的負(fù)極VIN-通過(guò)第二隔直電容C1連接第 二M0S管M2的漏極，該射頻信號(hào)輸入端的負(fù)極VIN-還順序通過(guò)第二隔直電容C1和第二耦 合電容C3連接第一 M0S管Ml的柵極；所述的第一 M0S管Ml的源極與所述的第二M0S管 M2的源極之間的節(jié)點(diǎn)B連接所述的低通濾波器的輸入端；第一偏置電阻R1和第二偏置電 阻R2串聯(lián)并跨接于所述的第一隔直電容C0同第一耦合電容C2間的節(jié)點(diǎn)以及所述的第二 隔直電容C1同第二耦合電容C3間的節(jié)點(diǎn)之間。
[0021] 該硅基功率檢測(cè)器中，所述的低通濾波器為RC濾波器，其包括第五電阻R5、第四 電容R4以及第五電容R5,所述的第五電阻R5連接于所述的低通濾波器輸入端和直流電平 輸出端之間；所述的第四電容R4的一端連接于所述的低通濾波器輸入端與第五電阻R5之 間的節(jié)點(diǎn)，另一端接地GND ;所述的第五電容R5的一端連接于所述的第五電阻R5與直流電 平輸出端之間的節(jié)點(diǎn)D，另一端接地GND。
[0022] 在進(jìn)一步優(yōu)選的實(shí)施方式中，該硅基功率檢測(cè)器還包括電流鏡電路；連接于所述 的電流鏡電路輸出端的偏置電路以及連接于所述偏置電路的跟隨器，所述的跟隨器還連接 于所述的第一 M0S管Ml和第二M0S管M2,用以控制所述的第一 M0S管Ml和第二M0S管M2 的柵源電壓，使所述的第一 M0S管Ml和第二M0S管M2均工作于臨界導(dǎo)通狀態(tài)。
[0023] 在更優(yōu)選的實(shí)施方式中，電流鏡電路包括第三M0S管M3、第四M0S管M4和第七M(jìn)0S 管M7,所述的第三M0S管M3、第四M0S管M4和第七M(jìn)0S管M7的柵極均連接參考電流IREF ; 所述的第三M0S管M3、第四M0S管M4和第七M(jìn)0S管M7的源極均接地GND ;所述的第三M0S 管M3的漏極連接所述的參考電流IREF ;所述的第四M0S管M4和第七M(jìn)0S管M7的漏極連 接所述的偏置電路。所述的偏置電路包括第五M0S管M5和第六M0S管M6,所述的第五M0S 管M5和第六M0S管M6的漏極均連接工作電壓VDD ;所述的第五M0S管M5的柵極和源極均 連接所述的第四M0S管M4的漏極；所述的第六M0S管M6的柵極和源極均連接所述的第七 M0S管M7的漏極。所述的第六M0S管M6的柵極和源極與所述的第七M(jìn)0S管M7的漏極之間 的節(jié)點(diǎn)電壓VB等于所述的第一偏置電阻R1和第二偏置電阻R2之間的節(jié)點(diǎn)電壓VB。所述 的跟隨器包括第八M0S管M8和第九M0S管M9,所述的第八M0S管M8的漏極連接工作電壓 VDD，該第八M0S管M8的柵極連接所述的第五M0S管M5柵極，由所述的第五M0S管M5向所 述的第八M0S管M8提供柵極偏置；所述的第九M0S管M9的漏極接地GND ;該第九M0S管M9 的柵極連接于所述的第五電阻R5與直流電平輸出端之間的節(jié)點(diǎn)D;所述的第八MOS管M8的 源極連接所述的第九M0S管M9的源極，第八M0S管M8源極與第九M0S管M9源極之間的節(jié) 點(diǎn)C通過(guò)第三偏置電阻R3連接所述的第一 M0S管Ml柵極與第二耦合電容C3之間的節(jié)點(diǎn) A，該節(jié)點(diǎn)C還通過(guò)第四偏置電阻R4連接于所述的第二M0S管M2柵極與第一耦合電容C2 之間；所述的節(jié)點(diǎn)C與所述的節(jié)點(diǎn)D之間的電壓差一定，以控制所述的節(jié)點(diǎn)A與節(jié)點(diǎn)B之間 的電壓差一定，即所述的第一 M0S管Ml和第二M0S管M2的柵源電壓一定，以使所述的第一 M0S管Ml和第二M0S管M2均工作于臨界導(dǎo)通狀態(tài)。
[0024] 在實(shí)際應(yīng)用中，本發(fā)明的功率檢測(cè)器的整體電路基于硅基CMOS器件，該功率檢測(cè) 器通過(guò)自混頻方式實(shí)現(xiàn)。輸入射頻信號(hào)VIN+、VIN-分別經(jīng)耦合電容C2、C3耦合到M2、M1的 柵極。漏端輸入的射頻信號(hào)與柵端輸入的射頻信號(hào)經(jīng)Ml、M2實(shí)現(xiàn)自混頻功能，然后由R5、 C5、C4組成的低通濾波器濾除高頻分量，從而得到直流電平輸出。
[0025] 圖1中，C0、C1為隔直電容，C2、C3為耦合電容，虹、1?2、1?3、1?4均為偏置電阻，]\11、 M2的漏端電壓由電流鏡產(chǎn)生，M3、M4、M7組成NM0S電流鏡對(duì)，復(fù)制電流IREF，通過(guò)M5給M8 提供柵極偏置，M6二極管連接獲得節(jié)點(diǎn)電壓VB，M8、M9組成源跟隨器結(jié)構(gòu)。M1、M2工作在臨 界導(dǎo)通狀態(tài)，漏源端電位幾乎相等，因此漏端偏置電壓決定了輸出端的直流電平。由于處于 臨界導(dǎo)通狀態(tài)的Ml、M2對(duì)偏置電壓的變化非常敏感，為了不使管子截止，本發(fā)明給出的具 體解決方法如下：圖1中由于B點(diǎn)電位等于D點(diǎn)電位，A點(diǎn)電位等于C點(diǎn)電位，PM0S管M8、 M9組成源跟隨器結(jié)構(gòu)，M8為電流源。當(dāng)電流一定時(shí)，C、D兩點(diǎn)的電位差為一定值，從而A、B 兩點(diǎn)之間的電位差也為定值。即通過(guò)M9管穩(wěn)定的柵源電壓差來(lái)鉗制Ml管和M2管的柵源 兩端的電壓差。因此通過(guò)這種方式來(lái)穩(wěn)定管子的直流偏置。
[0026] 在將本發(fā)明的功率檢測(cè)器應(yīng)用于900MHz UHF頻段情況下，工作頻段覆蓋UHF頻段 840MHz?960MHz。通過(guò)應(yīng)用實(shí)際可發(fā)現(xiàn)，其靈敏度低于-15dBm，以滿足系統(tǒng)對(duì)載波泄漏信 號(hào)抵消程度的要求；輸入阻抗應(yīng)大于1K，避免在功率檢測(cè)點(diǎn)信號(hào)的損失。圖2給出了本發(fā) 明的功率檢測(cè)器的輸入阻抗結(jié)果，可見(jiàn)輸入阻抗在1.65kQ左右。
[0027] 本發(fā)明的功率檢測(cè)器可達(dá)到以下效果：
[0028] (1)有很高的輸入阻抗，約在千歐級(jí)，功率檢測(cè)節(jié)點(diǎn)的阻抗為50歐姆，因此引入的 損失極小。
[0029] (2)電路的功耗很小，微安級(jí)別。
[0030] (3)由于通過(guò)自混頻方式實(shí)現(xiàn)，因此工作頻率很寬。
[0031] (4)得益于輸入自混頻管Ml，M2極高的輸入阻抗以及輸出端C4, R5, C5組成的濾 波網(wǎng)絡(luò)，本發(fā)明的功率檢測(cè)器靈敏度很高，能檢測(cè)輸入功率低至_15dBm的載波泄漏信號(hào)。
[0032] 采用了該發(fā)明的硅基功率檢測(cè)器包括自混頻電路和低通濾波器，在自混頻電路將 射頻輸入信號(hào)混頻后經(jīng)低通濾波器濾除高頻分量，得到直流電平輸出，進(jìn)一步的還包括電 流鏡電路；偏置電路和跟隨器，利用跟隨器來(lái)穩(wěn)定自混頻電路中的M0S管的直流偏置，使 M0S管工作于臨界導(dǎo)通狀態(tài)。從而使本發(fā)明的硅基功率檢測(cè)器的工作頻率更寬，能廣泛地適 用于各種工作頻率，同時(shí)，其輸入阻抗更高，功耗更小，靈敏度高，且結(jié)構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單，成本也 相當(dāng)?shù)土?br> [0033] 在此說(shuō)明書中，本發(fā)明已參照其特定的實(shí)施例作了描述。但是，很顯然仍可以作出 各種修改和變換而不背離本發(fā)明的精神和范圍。因此，說(shuō)明書和附圖應(yīng)被認(rèn)為是說(shuō)明性的 而非限制性的。
【權(quán)利要求】
1. 一種硅基功率檢測(cè)器，其特征在于，包括自混頻電路和低通濾波器，所述的自混頻的 電路的輸入端為射頻信號(hào)輸入端，其輸出端連接所述的低通濾波器的輸入端，所述的低通 濾波器的輸出端為直流電平輸出端。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基功率檢測(cè)器，其特征在于，所述的自混頻電路包括第一 MOS 管（Ml)和第二 MOS 管（M2)， 所述的射頻信號(hào)輸入端的正極（VIN+)通過(guò)第一隔直電容（C0)連接第一 MOS管（Ml) 的漏極，該射頻信號(hào)輸入端的正極（VIN+)還順序通過(guò)第一隔直電容（CO)和第一耦合電容 (C2)連接第二M0S管（M2)的柵極； 所述的射頻信號(hào)輸入端的負(fù)極（VIN-)通過(guò)第二隔直電容（C1)連接第二M0S管（M2) 的漏極，該射頻信號(hào)輸入端的負(fù)極（VIN-)還順序通過(guò)第二隔直電容（C1)和第二耦合電容 (C3)連接第一 M0S管（Ml)的柵極； 所述的第一 M0S管（Ml)的源極與所述的第二M0S管（M2)的源極之間的節(jié)點(diǎn)B連接所 述的低通濾波器的輸入端； 第一偏置電阻（R1)和第二偏置電阻（R2)串聯(lián)并跨接于所述的第一隔直電容（C0)同 第一耦合電容（C2)間的節(jié)點(diǎn)以及所述的第二隔直電容（C1)同第二耦合電容（C3)間的節(jié) 點(diǎn)之間。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的硅基功率檢測(cè)器，其特征在于，所述的低通濾波器為RC濾波 器，其包括第五電阻（R5)、第四電容（R4)以及第五電容（R5)，所述的第五電阻（R5)連接 于所述的低通濾波器輸入端和直流電平輸出端之間；所述的第四電容（R4)的一端連接于 所述的低通濾波器輸入端與第五電阻（R5)之間的節(jié)點(diǎn)，另一端接地（GND);所述的第五電 容（R5)的一端連接于所述的第五電阻（R5)與直流電平輸出端之間的節(jié)點(diǎn)D，另一端接地 (GND)〇
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的硅基功率檢測(cè)器，其特征在于，還包括電流鏡電路；連接于所 述的電流鏡電路輸出端的偏置電路以及連接于所述偏置電路的跟隨器，所述的跟隨器還連 接于所述的第一 M0S管（Ml)和第二M0S管（M2)，用以控制所述的第一 M0S管（Ml)和第二 M0S管（M2)的柵源電壓，使所述的第一 M0S管（Ml)和第二M0S管（M2)均工作于臨界導(dǎo)通 狀態(tài)。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的硅基功率檢測(cè)器，其特征在于，電流鏡電路包括第三M0S管 (M3)、第四M0S管（M4)和第七M(jìn)0S管（M7)，所述的第三M0S管（M3)、第四M0S管（M4)和第 七M(jìn)0S管（M7)的柵極均連接參考電流（IREF);所述的第三M0S管（M3)、第四M0S管（M4) 和第七M(jìn)0S管（M7)的源極均接地（GND);所述的第三M0S管（M3)的漏極連接所述的參考 電流（IREF);所述的第四M0S管（M4)和第七M(jìn)0S管（M7)的漏極連接所述的偏置電路。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的硅基功率檢測(cè)器，其特征在于，所述的偏置電路包括第五M0S 管（M5)和第六M0S管（M6)，所述的第五M0S管（M5)和第六M0S管（M6)的漏極均連接工作 電壓（VDD);所述的第五M0S管（M5)的柵極和源極均連接所述的第四M0S管（M4)的漏極； 所述的第六M0S管（M6)的柵極和源極均連接所述的第七M(jìn)0S管（M7)的漏極。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的硅基功率檢測(cè)器，其特征在于，所述的第六M0S管（M6)的柵 極和源極與所述的第七M(jìn)0S管（M7)的漏極之間的節(jié)點(diǎn)電壓VB等于所述的第一偏置電阻 (R1)和第二偏置電阻（R2)之間的節(jié)點(diǎn)電壓VB。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的硅基功率檢測(cè)器，其特征在于，所述的跟隨器包括第八MOS管 (M8)和第九M0S管（M9)， 所述的第八M0S管（M8)的漏極連接工作電壓（VDD)，該第八M0S管（M8)的柵極連接所 述的第五M0S管（M5)柵極，由所述的第五M0S管（M5)向所述的第八M0S管（M8)提供柵極 偏置； 所述的第九M0S管（M9)的漏極接地（GND);該第九M0S管（M9)的柵極連接于所述的 第五電阻（R5)與直流電平輸出端之間的節(jié)點(diǎn)D ; 所述的第八M0S管（M8)的源極連接所述的第九M0S管（M9)的源極，第八M0S管（M8) 源極與第九M0S管（M9)源極之間的節(jié)點(diǎn)C通過(guò)第三偏置電阻（R3)連接所述的第一 M0S管 (Ml)柵極與第二耦合電容（C3)之間的節(jié)點(diǎn)A，該節(jié)點(diǎn)C還通過(guò)第四偏置電阻（R4)連接于 所述的第二M0S管（M2)柵極與第一耦合電容（C2)之間； 所述的節(jié)點(diǎn)C與所述的節(jié)點(diǎn)D之間的電壓差一定，以控制所述的節(jié)點(diǎn)A與節(jié)點(diǎn)B之間 的電壓差一定，即所述的第一 M0S管（Ml)和第二M0S管（M2)的柵源電壓一定，以使所述的 第一 M0S管（Ml)和第二M0S管（M2)均工作于臨界導(dǎo)通狀態(tài)。
【文檔編號(hào)】G01R21/00GK104122437SQ201410354308
【公開(kāi)日】2014年10月29日 申請(qǐng)日期:2014年7月24日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月24日
【發(fā)明者】周福泉 申請(qǐng)人:上海銀晟偉業(yè)信息技術(shù)有限公司