一種低溫鈀基氫氣傳感器及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種低溫鈀基氫氣傳感器，包括：陽(yáng)極氧化鋁支撐層；納米金屬鈀顆粒層，設(shè)置在陽(yáng)極氧化鋁支撐層上；叉指電極，設(shè)置在所述納米金屬鈀顆粒層上。本發(fā)明的實(shí)施例中提供的低溫鈀基氫氣傳感器及其制造方法以納米金屬鈀顆粒層為氣體敏感層，陽(yáng)極氧化鋁層（AAO）為支撐層，并采用金屬叉指電極，獲得的低溫鈀基氫氣傳感器對(duì)氫氣具有良好的響應(yīng)，相比傳統(tǒng)的氫氣傳感器響應(yīng)速度更快，工作溫度更低，選擇性良好，使用壽命長(zhǎng)，而且工藝方法簡(jiǎn)單易操作，成本低廉，易于集成化，適合于大規(guī)模生產(chǎn)化要求。
【專利說(shuō)明】一種低溫鈀基氫氣傳感器及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電子材料【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其是涉及一種低溫鈀基氫氣傳感器及其制造方法。
[0002]
【背景技術(shù)】
[0003]隨著社會(huì)經(jīng)濟(jì)的迅猛發(fā)展，工業(yè)化程度的日益提高以及可持續(xù)發(fā)展戰(zhàn)略的實(shí)施，能源問(wèn)題和環(huán)境問(wèn)題己經(jīng)成為急需解決的事情。不可再生能源(比如石油、天然氣等等)的大量消耗和伴隨而來(lái)的溫室效應(yīng)、日益惡劣的全球環(huán)境、日益嚴(yán)重的污染程度等等使得迫切需要尋找理想、高效、清潔的新型能源，從而有效完成能源、環(huán)境的可持續(xù)發(fā)展。
[0004]氫氣作為一種較為理想的新型能源，由于其無(wú)污染、儲(chǔ)量豐富以及燃燒放熱多等多種優(yōu)點(diǎn)，受到人們的青睞，并得到越來(lái)越廣泛的開(kāi)發(fā)利用。氫氣被廣泛應(yīng)用于各種工業(yè)生產(chǎn)場(chǎng)合，如氨、甲醇和其它化學(xué)制品的合成、石油加工、半導(dǎo)體制作、化學(xué)制品的還原及冶金等等。同時(shí)，作為化學(xué)、食品、電子工業(yè)等的重要原材料，在工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)方面也有著廣泛的應(yīng)用。
[0005]然而，氫氣本身也存在一些顯著地缺點(diǎn):氫氣是一種易燃易爆氣體，與空氣混合之后容易發(fā)生爆炸，其爆炸范圍為4.65%-93.9% (體積濃度)，而且氫氣具有較大的擴(kuò)散系數(shù)和較低的燃燒熱能。因此，為了保障在各種含氫的工業(yè)生產(chǎn)過(guò)程中氫氣能源的使用、轉(zhuǎn)移和存儲(chǔ)等應(yīng)用方面的安全性，發(fā)展用于檢測(cè)氫氣泄漏和環(huán)境中氫氣濃度的高靈敏度的氫氣傳感器，已經(jīng)成為人們?nèi)找骊P(guān)注的問(wèn)題，研究高性能的氫氣傳感器也已經(jīng)成為傳感器領(lǐng)域的重要研究方向。
[0006]目前，用于監(jiān)測(cè)氫含量的傳感器主要包括金屬氧化物半導(dǎo)體氫氣傳感器、熱電型氫敏材料及傳感器、光學(xué)型氫氣傳感器以及電化學(xué)型氫氣傳感器等。
[0007]金屬氧化物半導(dǎo)體傳感器以氧化錫、氧化鋅、氧化鎢等金屬氧化物材料為主制成，穩(wěn)定性高、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、價(jià)格便宜、易于復(fù)合，近幾十年得到了廣泛的研究。但是，單一的金屬氧化物氫敏材料的響應(yīng)靈敏度難以滿足實(shí)際的要求，同時(shí)由于金屬氧化物對(duì)還原性氣體具有普遍的響應(yīng)，對(duì)氫氣無(wú)特殊的響應(yīng)性，所以金屬氧化物半導(dǎo)體氫氣傳感器的選擇性較差。
[0008]熱電型氫氣傳感器是主要是通過(guò)測(cè)量環(huán)境中氫氣與氧氣在探測(cè)器中包含的催化劑作用下反應(yīng)所釋放出的熱量來(lái)進(jìn)行氫氣的探測(cè)。一般情況下，熱電型氫敏材料中選用的催化金屬對(duì)氫氣具有專一性，因此熱電型氫氣傳感器具有較好的選擇性。但是，由于熱電型氫氣傳感器的性能依賴于催化劑的活性，催化劑中毒現(xiàn)象會(huì)影響其性能。
[0009]光學(xué)型氫氣傳感器通常采用鈀作為敏感材料。金屬鈀在吸收氫氣之后，會(huì)發(fā)生相變，進(jìn)而其光學(xué)性質(zhì)隨之改變，并且變化值是氫氣濃度的函數(shù)，光學(xué)型氫氣傳感器就是根據(jù)這一原理實(shí)現(xiàn)對(duì)氫氣濃度的監(jiān)測(cè)。到目前為止，光學(xué)型氫氣傳感器還存在一些缺點(diǎn)，如在經(jīng)過(guò)多次循環(huán)后易出現(xiàn)脫層、起泡，因而使用壽命較短。如何延長(zhǎng)光學(xué)型氫敏材料的使用壽命，已經(jīng)成為光學(xué)型氫氣傳感器研究中的焦點(diǎn)問(wèn)題。[0010]電化學(xué)氫氣傳感器由于其產(chǎn)生的電勢(shì)與傳感器的尺寸無(wú)關(guān)，容易微型化，因此得到了應(yīng)用。但是，電化學(xué)氫氣傳感器的壽命仍有待提高。
[0011]

【發(fā)明內(nèi)容】

[0012]本發(fā)明的目的之一是提供一種響應(yīng)速度更快、選擇性良好、使用壽命長(zhǎng)的低溫鈀基氫氣傳感器及其制造方法。
[0013]本發(fā)明公開(kāi)的技術(shù)方案包括:
提供了一種低溫鈀基氫氣傳感器，其特征在于，包括:陽(yáng)極氧化鋁支撐層；納米金屬鈀顆粒層，所述納米金屬鈀顆粒層設(shè)置在所述陽(yáng)極氧化鋁支撐層上，并且包括多個(gè)納米金屬鈀顆粒；叉指電極，所述叉指電極設(shè)置在所述納米金屬鈀顆粒層上。
[0014]本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述叉指電極包括:第一電極，所述第一電極包括第一支臂、第二支臂和第一連接臂，并且所述第一支臂和所述第二支臂通過(guò)所述第一連接臂相互連接；第二電極，所述第二電極包括第三支臂、第四支臂和第二連接臂，并且所述第三支臂和所述第四支臂通過(guò)所述第二連接臂相互連接；其中，所述第三支臂位于所述第一支臂和所述第二支臂之間，所述第二支臂位于所述第三支臂和所述第四支臂之間。
[0015]本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述第一電極還包括第五支臂，所述第五支臂連接到所述第一連接臂上，并且所述第四支臂位于所述第二支臂和所述第五支臂之間。
[0016]本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述叉指電極的材料為金、銀、鋁或者鎳鎘合金。
[0017]本發(fā)明的實(shí)施例還提供了一種制造低溫鈀基氫氣傳感器的方法，其特征在于，包括:制備陽(yáng)極氧化鋁支撐層；在所述陽(yáng)極氧化鋁支撐層上形成納米金屬鈀顆粒層，其中所述納米金屬鈀顆粒層包括多個(gè)納米金屬鈀顆粒；在所述納米金屬鈀顆粒層上形成叉指電極。
[0018]本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述叉指電極包括:第一電極，所述第一電極包括第一支臂、第二支臂和第一連接臂，并且所述第一支臂和所述第二支臂通過(guò)所述第一連接臂相互連接；第二電極，所述第二電極包括第三支臂、第四支臂和第二連接臂，并且所述第三支臂和所述第四支臂通過(guò)所述第二連接臂相互連接；其中，所述第三支臂位于所述第一支臂和所述第二支臂之間，所述第二支臂位于所述第三支臂和所述第四支臂之間。
[0019]本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述第一電極還包括第五支臂，所述第五支臂連接到所述第一連接臂上，并且所述第四支臂位于所述第二支臂和所述第五支臂之間。
[0020]本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述叉指電極的材料為金、銀、鋁或者鎳鎘合金。
[0021]本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，在所述陽(yáng)極氧化鋁支撐層上形成納米金屬鈀顆粒層的步驟包括:用電子束蒸發(fā)法、熱蒸發(fā)法或者磁控濺射法在所述陽(yáng)極氧化鋁支撐層上形成所述納米金屬鈕顆粒層。
[0022]本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，在所述納米金屬鈀顆粒層上形成叉指電極的步驟包括:用剝離法或者刻蝕法在所述納米金屬鈀顆粒層上形成所述叉指電極。
[0023]本發(fā)明的實(shí)施例中提供的低溫鈀基氫氣傳感器及其制造方法以納米金屬鈀顆粒層為氣體敏感層，陽(yáng)極氧化鋁層(AAO)為支撐層，并采用金屬叉指電極，獲得的低溫鈀基氫氣傳感器對(duì)氫氣具有良好的響應(yīng)，相比傳統(tǒng)的氫氣傳感器響應(yīng)速度更快，工作溫度更低，選擇性良好，使用壽命長(zhǎng)，而且工藝方法簡(jiǎn)單易操作，成本低廉，易于集成化，適合于大規(guī)模生產(chǎn)化要求。
[0024]
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0025]圖1是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的制造低溫鈀基氫氣傳感器的方法的流程示意圖。
[0026]圖2是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的低溫鈀基氫氣傳感器的側(cè)視示意圖。
[0027]圖3是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的低溫鈀基氫氣傳感器的俯視示意圖。
[0028]
【具體實(shí)施方式】
[0029]下面將結(jié)合附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例的低溫鈀基氫氣傳感器及其制造方法。
[0030]圖1為本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的制造低溫鈀基氫氣傳感器的方法的流程示意圖；圖2為本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的低溫鈀基氫氣傳感器的側(cè)視示意圖；圖3為本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的低溫鈀基氫氣傳感器的俯視示意圖。下面結(jié)合圖1至圖3詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的制造低溫鈀基氫氣傳感器的方法的各個(gè)步驟。
[0031]如圖1所示，在步驟10中，可以首先制備陽(yáng)極氧化鋁(AAO)支撐層3。
[0032]本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，可以明采用陽(yáng)極氧化法制備該陽(yáng)極氧化鋁支撐層。
[0033]陽(yáng)極氧化法通常是指將金屬或合金作為陽(yáng)極，在電解液以及適當(dāng)?shù)碾妷弘娏鳁l件下使其表面形成氧化物薄膜的過(guò)程。本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，可以以金屬鋁箔或者鋁片作為陽(yáng)極，在相應(yīng)的電解液和特定的工藝條件下，在外加電流的作用下，在金屬鋁表面形成一層氧化膜。具體地，本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，制備陽(yáng)極氧化鋁支撐層的步驟可以包括下列步驟。
[0034](I)鋁片退火及清洗
將金屬鋁材料進(jìn)行高溫退火，可以在大氣、氮?dú)饣蛘邭鍤猸h(huán)境下進(jìn)行退火。退火溫度通?？梢赃x擇為500°C，時(shí)間可以選擇為5-10小時(shí)。退火后的鋁材料分別在丙酮溶液和乙醇溶液中超聲清洗。
[0035](2)電化學(xué)拋光
將經(jīng)過(guò)步驟(I)處理之后的金屬鋁材料作為陽(yáng)極，置于拋光液中進(jìn)行拋光。拋光液可以采用碳酸鈉/磷酸溶液、磷酸/鉻酸/硫酸溶液、氟硼酸、硫酸/鉻酸溶液或者高氯酸溶液等多種溶液。拋光時(shí)可以采用恒壓條件或恒流條件，具體的電壓電流數(shù)值可以根據(jù)所采用的拋光溶液來(lái)確定。例如，一個(gè)實(shí)施例中，對(duì)于高氯酸溶液，可以采用恒壓15V或恒流0.2A來(lái)進(jìn)行。拋光時(shí)間可以視具體情況而定。
[0036](3)鋁陽(yáng)極氧化
將經(jīng)過(guò)步驟(2)處理之后的鋁材料作為陽(yáng)極，浸入電解液中進(jìn)行陽(yáng)極氧化。電解液可以采用硫酸溶液、草酸溶液或者鉻酸溶液等。溶液濃度對(duì)于不同溶液可以不同。例如，一個(gè)實(shí)施例中，對(duì)于硫酸溶液，濃度可以為15%-20%，或者草酸溶液濃度可為3%-10%，等等。針對(duì)不同的溶液所采用的電壓或電流也可以不同。例如，一個(gè)實(shí)施例中，若采用草酸溶液，恒壓條件下電壓一般可以設(shè)置為30-60V。氧化時(shí)間視具體情況而定。例如，一個(gè)實(shí)施例中，若采用一步氧化法，氧化時(shí)間可以設(shè)置為10小時(shí)；若采用二步氧化法，氧化時(shí)間可以設(shè)置為:一步氧化時(shí)間3小時(shí)，二步氧化時(shí)間3小時(shí)。
[0037]然后，在步驟12中，可以在陽(yáng)極氧化鋁支撐層3上形成納米金屬鈀顆粒層2，其中該納米金屬鈀顆粒層2可以包括多個(gè)納米金屬鈀顆粒。例如，如圖2所示，納米金屬鈀顆粒層2包括許多納米金屬鈀顆粒，并且這些納米金屬鈀顆?？梢耘帕谐申嚵?。
[0038]本發(fā)明的實(shí)施例中，可以采用電子束蒸發(fā)法、熱蒸發(fā)法或者磁控濺射法等等適合的方法在陽(yáng)極氧化鋁支撐層3上形成納米金屬鈀顆粒層2。
[0039]本發(fā)明的實(shí)施例中，納米金屬鈀顆粒層2的厚度可以為10-100納米。例如，一個(gè)實(shí)施例中，納米金屬鈀顆粒層2的厚度可以為45納米。
[0040]然后，在步驟16中，可以在納米金屬鈀顆粒層2上形成叉指電極I。
[0041]本發(fā)明的實(shí)施例中，可以采用剝離法或者刻蝕法在所述納米金屬鈀顆粒層上形成所述叉指電極。
[0042]例如，一個(gè)實(shí)施例中，可以在金屬鈀顆粒層上形成具有叉指電極形狀的通孔的掩膜，然后用電子束蒸發(fā)法、熱蒸發(fā)法、磁控濺射法或者其他適合的方法在其上進(jìn)行電極材料的沉積，然后去除該掩膜，從而在該金屬鈀顆粒層上上形成具有預(yù)定形狀的叉指電極。
[0043]或者，另一個(gè)實(shí)施例中，可以用電子束蒸發(fā)法、熱蒸發(fā)法、磁控濺射法或者其他適合的方法在金屬鈀顆粒層上沉積形成電極材料層，然后刻蝕去除該電極材料層的一部分從而形成預(yù)定形狀的叉指電極I。
[0044]本發(fā)明的實(shí)施例中，該叉指電極的材料可以為金、銀、鋁、鎳鎘合金或者其他適合的金屬材料。
[0045]如圖3所示，本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，該叉指電極I可以包括第一電極10和第二電極12。第一電極10包括第一支臂103、第二支臂105和第一連接臂101，該第一支臂103和第二支臂105通過(guò)該第一連接臂101相互連接。
[0046]第二電極12包括第三支臂123、第四支臂125和第二連接臂121，該第三支臂123和第四支臂125通過(guò)該第二連接臂121相互連接。
[0047]第三支臂123位于第一支臂103和第二支臂105之間，并且第二支臂105位于第三支臂123和第四支臂125之間。即，第一電極10和第二電極12的各自的支臂交叉設(shè)置。
[0048]如圖3所示，本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，第一電極10還可以包括第五支臂107，該第五支臂107連接到第一連接臂101上，并且第四支臂125位于第二支臂105和第五支臂107之間。
[0049]類似地，容易理解，本發(fā)明的其他的實(shí)施例中，第一電極10和/或第二電極12還可以包括更多的支臂，并且其各自的支臂可以相互交叉設(shè)置。
[0050]此外，本發(fā)明的其他的實(shí)施例中，納米金屬鈀顆粒層2上可以設(shè)置多個(gè)第一電極10和/或第二電極12。
[0051]下面詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)例。該實(shí)例包括下列的步驟。
[0052]1.采用二步法制備陽(yáng)極氧化鋁。
[0053][I],鋁片(99.99%)在大氣環(huán)境中，500°C退火5小時(shí)。
[0054][2],使用乙醇，丙酮溶液，超聲清洗15分鐘。隨后使用50毫升(ml) I摩爾/升(mol/L)的氫氧化鈉溶液對(duì)鋁片進(jìn)行處理。[0055][3],使用高氯酸與乙醇混合溶液對(duì)鋁片進(jìn)行電化學(xué)拋光處理。高氯酸與乙醇體積比為1:3，采用恒流條件，電流設(shè)置為0.2A，拋光時(shí)間視具體情況而定，至鋁片表面光潔平整為止。
[0056][4].一次氧化與二次氧化均使用0.3摩爾/升(mol/L)草酸溶液，采用恒壓，電壓設(shè)置為40伏特(V)，氧化時(shí)間為一步氧化3小時(shí)，二步氧化3小時(shí)。
[0057]2.電子束蒸發(fā)沉積金屬鈀(99.5%)層，本底真空度為10_5帕(Pa)，厚度為45納米(nm)。
[0058]3.磁控濺射沉積叉指電極。電極采用銀金屬，采用磁控濺射制備銀薄膜，本底真空度1.8 X 10_3帕(Pa)，工作氣壓為0.3帕(Pa)，采用直流濺射，電壓為320伏特(V)，電流為
0.05安培(A)，濺射時(shí)間約為25分鐘-52分鐘。制得厚度約為50-100納米(nm)銀薄膜，通過(guò)剝離法獲取叉指電極形狀。
[0059]本發(fā)明實(shí)施例提供的低溫鈀基氫氣傳感器采用了叉指電極，該叉指電極可以有效地保證該氫氣傳感器的電學(xué)性能，同時(shí)可以有效地減少因?yàn)檎翦冸姌O所造成的敏感材料有效面積的損失，從而減少了對(duì)氣敏性能的影響。
[0060]本發(fā)明實(shí)施例提供的低溫鈀基氫氣傳感器對(duì)氫氣有良好的響應(yīng)，響應(yīng)速度快，其響應(yīng)時(shí)間以及恢復(fù)時(shí)間均不高于2分鐘，并且在可以常溫正常工作，壽命長(zhǎng)。此外，采用金屬鈀氣體敏感層，可以有效地保證探測(cè)器的選擇性，同時(shí)，無(wú)需其他催化劑，因此可以避免出現(xiàn)催化劑中毒的現(xiàn)象。
[0061]本發(fā)明實(shí)施例提供的方法中，利用陽(yáng)極氧化結(jié)合磁控濺射、電子束蒸發(fā)或熱蒸發(fā)等方式制造低溫鈀基氫氣傳感器，工藝簡(jiǎn)單，可重復(fù)性高，可用于規(guī)?；a(chǎn)。
[0062]本發(fā)明的實(shí)施例中提供的低溫鈀基氫氣傳感器及其制造方法以納米金屬鈀顆粒層為氣體敏感層，陽(yáng)極氧化鋁層(AAO)為支撐層，并采用金屬叉指電極，獲得的低溫鈀基氫氣傳感器對(duì)氫氣具有良好的響應(yīng)，相比傳統(tǒng)的氫氣傳感器響應(yīng)速度更快，工作溫度更低，選擇性良好，使用壽命長(zhǎng)，而且工藝方法簡(jiǎn)單易操作，成本低廉，易于集成化，適合于大規(guī)模生產(chǎn)化要求。
[0063]以上通過(guò)具體的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了說(shuō)明，但本發(fā)明并不限于這些具體的實(shí)施例。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該明白，還可以對(duì)本發(fā)明做各種修改、等同替換、變化等等，這些變換只要未背離本發(fā)明的精神，都應(yīng)在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。此外，以上多處所述的“一個(gè)實(shí)施例”表示不同的實(shí)施例，當(dāng)然也可以將其全部或部分結(jié)合在一個(gè)實(shí)施例中。
【權(quán)利要求】
1.一種低溫IE基氫氣傳感器,其特征在于,包括: 陽(yáng)極氧化鋁支撐層； 納米金屬鈀顆粒層，所述納米金屬鈀顆粒層設(shè)置在所述陽(yáng)極氧化鋁支撐層上，并且包括多個(gè)納米金屬鈀顆粒； 叉指電極，所述叉指電極設(shè)置在所述納米金屬鈀顆粒層上。
2.如權(quán)利要求1所述的低溫鈀基氫氣傳感器，其特征在于，所述叉指電極包括: 第一電極，所述第一電極包括第一支臂、第二支臂和第一連接臂，并且所述第一支臂和所述第二支臂通過(guò)所述第一連接臂相互連接； 第二電極，所述第二電極包括第三支臂、第四支臂和第二連接臂，并且所述第三支臂和所述第四支臂通過(guò)所述第二連接臂相互連接； 其中， 所述第三支臂位于所述第一支臂和所述第二支臂之間，所述第二支臂位于所述第三支臂和所述第四支臂之間。
3.如權(quán)利要求2所述的低溫鈀基氫氣傳感器，其特征在于，所述第一電極還包括第五支臂，所述第五支臂連接到所述第一連接臂上，并且所述第四支臂位于所述第二支臂和所述第五支臂之間。
4.如權(quán)利要求1至3中任意一項(xiàng)所述的低溫鈀基氫氣傳感器，其特征在于:所述叉指電極的材料為金、銀、招或者鎳鎘合金。
5.一種制造低溫IE基氫氣傳感器的方法，其特征在于，包括: 制備陽(yáng)極氧化鋁支撐層； 在所述陽(yáng)極氧化鋁支撐層上形成納米金屬鈀顆粒層，其中所述納米金屬鈀顆粒層包括多個(gè)納米金屬鈕顆粒； 在所述納米金屬鈀顆粒層上形成叉指電極。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述叉指電極包括: 第一電極，所述第一電極包括第一支臂、第二支臂和第一連接臂，并且所述第一支臂和所述第二支臂通過(guò)所述第一連接臂相互連接； 第二電極，所述第二電極包括第三支臂、第四支臂和第二連接臂，并且所述第三支臂和所述第四支臂通過(guò)所述第二連接臂相互連接； 其中， 所述第三支臂位于所述第一支臂和所述第二支臂之間，所述第二支臂位于所述第三支臂和所述第四支臂之間。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一電極還包括第五支臂，所述第五支臂連接到所述第一連接臂上，并且所述第四支臂位于所述第二支臂和所述第五支臂之間。
8.如權(quán)利要求5至7中任意一項(xiàng)所述的方法，其特征在于:所述叉指電極的材料為金、銀、招或者鎳鎘合金。
9.如權(quán)利要求5至7中任意一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，在所述陽(yáng)極氧化鋁支撐層上形成納米金屬鈀顆粒層的步驟包括:用電子束蒸發(fā)法、熱蒸發(fā)法或者磁控濺射法在所述陽(yáng)極氧化鋁支撐層上形成所述納米金屬鈀顆粒層。
10.如權(quán)利要求5至8中任意一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，在所述納米金屬鈀顆粒層上形成叉指電極的步驟包括:用剝離法或者刻蝕法在所述納米金屬鈀顆粒層上形成所述叉指電極。
【文檔編號(hào)】G01N27/26GK104020201SQ201410275104
【公開(kāi)日】2014年9月3日 申請(qǐng)日期:2014年6月19日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月19日
【發(fā)明者】李世彬, 張鵬, 余宏萍, 王健波, 吳雙紅, 陳志
申請(qǐng)人:電子科技大學(xué)