高深寬比微結(jié)構(gòu)中底部電極表面的檢測(cè)裝置和檢測(cè)方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了高深寬比微結(jié)構(gòu)中底部電極表面檢測(cè)的裝置和檢測(cè)方法，其中，所述裝置包括該高深寬比微結(jié)構(gòu)包括：至少一個(gè)高深寬比結(jié)構(gòu)，與每個(gè)高深寬比結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)的一個(gè)底部電極和一個(gè)引出電極，底部電極與引出電極相連，所述裝置還包括：圍堰、導(dǎo)電溶液、公共電極、測(cè)試電極和測(cè)試系統(tǒng)，其中，圍堰位于高深寬比微結(jié)構(gòu)上，并與高深寬比微結(jié)構(gòu)配合形成容器，導(dǎo)電溶液盛放與圍堰與高深寬比微結(jié)構(gòu)形成的容器中，公共電極位于導(dǎo)電溶液中，測(cè)試電極與引出電極連接，測(cè)試系統(tǒng)連接于公共電極和測(cè)試電極之間。本發(fā)明能夠檢測(cè)到底部電極表面用肉眼無法觀測(cè)到的表面殘留物，檢測(cè)裝置結(jié)構(gòu)簡單，檢測(cè)方法易于操作。
【專利說明】高深寬比微結(jié)構(gòu)中底部電極表面的檢測(cè)裝置和檢測(cè)方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及微電子【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種高深寬比微結(jié)構(gòu)中底部電極表面的檢測(cè)裝置和檢測(cè)方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著微機(jī)電系統(tǒng)(Micro Electro Mechanical，MEMS)的發(fā)展，對(duì)微結(jié)構(gòu)所提出的要求也越來越高，高深寬比微細(xì)結(jié)構(gòu)(High Aspect Ratio Micro Structures,HARMS)就是其中關(guān)鍵之一，加工出HARMS可以使得微器件的性能，如驅(qū)動(dòng)力、使用頻率范圍、靈敏度和位移量得到提高。HARMS通常是指深寬比大于2:1的，寬度小于100微米的三維微結(jié)構(gòu)。
[0003]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中高深寬比微結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)圖，參見圖1，該高深寬比微結(jié)構(gòu)包括襯底11和基材12，基材12位于襯底11上，基材12中設(shè)置有至少一高深寬比結(jié)構(gòu)13，與每個(gè)高深寬比結(jié)構(gòu)13對(duì)應(yīng)一個(gè)底部電極14和一個(gè)引出電極15，底部電極14和引出電極15相連，底部電極14位于襯底11的上表面,引出電極15位于襯底11的下表面。
[0004]具有高深寬比微結(jié)構(gòu)中底部電極14的表面必須清潔干凈，當(dāng)?shù)撞侩姌O14表面有殘留的有機(jī)物時(shí)會(huì)導(dǎo)致底部電極表面阻抗過高，甚至底部電極14本身被絕緣，導(dǎo)致測(cè)量信號(hào)的大幅度衰減，甚至對(duì)于微弱信號(hào)會(huì)無法測(cè)量。因此，在加工完成后，需要對(duì)高深寬比微結(jié)構(gòu)中底部電極14表面的清潔情況進(jìn)行檢測(cè)，現(xiàn)有技術(shù)中一般在顯微鏡下用肉眼進(jìn)行檢測(cè)，然而有些有機(jī)物是透明的，因此，簡單的光學(xué)檢測(cè)不能有效檢測(cè)到底部電極表面的清潔狀況。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例提供一種高深寬比微結(jié)構(gòu)中底部電極表面的檢測(cè)裝置和檢測(cè)方法，以解決光學(xué)檢測(cè)不能有效檢測(cè)到底部電極表面的清潔狀況的問題。
[0006]第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種高深寬比微結(jié)構(gòu)中底部電極表面檢測(cè)裝置，該高深寬比微結(jié)構(gòu)包括:至少一個(gè)高深寬比結(jié)構(gòu)，與每個(gè)所述高深寬比結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)的一個(gè)底部電極和一個(gè)引出電極，且所述底部電極與所述引出電極相連，
[0007]所述裝置還包括:
[0008]圍堰，位于所述高深寬比微結(jié)構(gòu)上，并與所述高深寬比微結(jié)構(gòu)配合形成容器；
[0009]導(dǎo)電溶液，盛放于所述圍堰與所述高深寬比微結(jié)構(gòu)形成的容器中；
[0010]公共電極，部分浸在所述導(dǎo)電溶液中；
[0011]測(cè)試電極，與所述任意一個(gè)引出電極連接；
[0012]測(cè)試系統(tǒng)，連接于所述公共電極和所述測(cè)試電極之間；
[0013]其中，所述底部電極、弓I出電極、導(dǎo)電溶液、公共電極、測(cè)試電極和測(cè)試系統(tǒng)組成導(dǎo)電回路。
[0014]進(jìn)一步地，所述導(dǎo)電溶液為電解質(zhì)溶液。
[0015]進(jìn)一步地，所述測(cè)試電極能任意移動(dòng)以實(shí)現(xiàn)對(duì)所有底部電極的表面進(jìn)行檢測(cè)。[0016]進(jìn)一步地，所述測(cè)試系統(tǒng)至少包括電流表和電源，所述電流表和所述電源串聯(lián)連接。
[0017]進(jìn)一步地，所述圍堰由橡皮泥粘貼于所述高深寬比微結(jié)構(gòu)上來形成；或者
[0018]所述圍堰由夾具壓在所述高深寬比微結(jié)構(gòu)上來形成。
[0019]第二方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種高深寬比微結(jié)構(gòu)中底部電極表面檢測(cè)方法，所述方法包括:
[0020]根據(jù)所述底部電極、弓丨出電極、導(dǎo)電溶液、公共電極、測(cè)試電極和測(cè)試系統(tǒng)組成導(dǎo)電回路，所述測(cè)試系統(tǒng)測(cè)量所述高深寬比微結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電回路中的電流值或所述高深寬比微結(jié)構(gòu)中底部電極表面的電阻值；
[0021]將所述高深寬比微結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電回路中的電流值與標(biāo)定基片的導(dǎo)電回路中的電流值相比較或者將所述高深寬比微結(jié)構(gòu)中底部電極表面的電阻值與標(biāo)定基片中底部電極表面的電阻值相比較；
[0022]當(dāng)所述高深寬比微結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電回路中的電流值小于所述標(biāo)定基片的導(dǎo)電回路中的電流值時(shí)，判定所述高深寬比微結(jié)構(gòu)中底部電極的表面潔凈度差；或者
[0023]當(dāng)所述高深寬比微結(jié)構(gòu)中底部電極表面的電阻值大于所述標(biāo)定基片中底部電極表面的電阻值時(shí)，判斷所述高深寬比微結(jié)構(gòu)中底部電極的表面潔凈度差。
[0024]進(jìn)一步地，在根據(jù)所述底部電極、引出電極、導(dǎo)電溶液、公共電極、測(cè)試電極和測(cè)試系統(tǒng)組成導(dǎo)電回路，所述測(cè)試系統(tǒng)測(cè)量所述高深寬比微結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電回路中的電流值或所述高深寬比微結(jié)構(gòu)中底部電極表面的電阻值之前，所述方法還包括:
[0025]對(duì)帶有圍堰的高深寬比微結(jié)構(gòu)進(jìn)行等離子處理；
[0026]將導(dǎo)電溶液注入所述等離子處理后的所述圍堰和高深寬比微結(jié)構(gòu)形成的容器中。
[0027]進(jìn)一步地，所述標(biāo)定基片中底部電極的大小與所述高深寬比微結(jié)構(gòu)中底部電極的大小相同。
[0028]進(jìn)一步地，高深寬比微結(jié)構(gòu)中導(dǎo)電回路中的電流值或底部電極的電阻值測(cè)量時(shí)所用的導(dǎo)電溶液與所述標(biāo)定基片中導(dǎo)電回路中的電流值或底部電極的電阻值測(cè)量時(shí)所用的導(dǎo)電溶液相同。
[0029]進(jìn)一步地，所述高深寬比微結(jié)構(gòu)中導(dǎo)電回路中的電流值或底部電極的電阻值的測(cè)量環(huán)境與所述標(biāo)定基片中導(dǎo)電回路中的電流值或底部電極的電阻值的測(cè)量環(huán)境相同。
[0030]本發(fā)明實(shí)施例提供的高深寬比微結(jié)構(gòu)中底部電極表面檢測(cè)裝置和方法，通過底部電極、引出電極、導(dǎo)電溶液、公共電極、測(cè)試電極和測(cè)試系統(tǒng)組成一個(gè)導(dǎo)電回路，通過測(cè)試系統(tǒng)可以測(cè)量所述導(dǎo)電回路中的電流值，也可以測(cè)量底部電極表面的電阻值，根據(jù)所述電阻值或電流值來判斷底部電極表面是否清潔干凈，由此，能夠檢測(cè)到底部電極表面用肉眼無法觀測(cè)到的表面殘留物，且該檢測(cè)裝置結(jié)構(gòu)簡單，檢測(cè)方法易于操作，從而有效檢測(cè)高深寬比微結(jié)構(gòu)中底部電極表面的清潔狀況。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0031]下面將通過參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例，使本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員更清楚本發(fā)明的上述及其他特征和優(yōu)點(diǎn)，附圖中:
[0032]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中高深寬比微結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)圖；[0033]圖2是本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種高深寬比微結(jié)構(gòu)中底部電極的表面檢測(cè)裝置的結(jié)構(gòu)圖；
[0034]圖3是本發(fā)明實(shí)施例一中標(biāo)定基片中底部電極表面的測(cè)量裝置的結(jié)構(gòu)圖；
[0035]圖4是本發(fā)明實(shí)施例二提供的一種高深寬比微結(jié)構(gòu)中底部電極的表面檢測(cè)方法的流程圖；
[0036]圖5是本發(fā)明實(shí)施例二提供的一種標(biāo)定基片中底部電極的表面檢測(cè)方法的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0037]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說明?？梢岳斫獾氖?，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用于解釋本發(fā)明，而非對(duì)本發(fā)明的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分而非全部內(nèi)容。
[0038]實(shí)施例一
[0039]圖2是本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種高深寬比微結(jié)構(gòu)中底部電極的表面檢測(cè)裝置的結(jié)構(gòu)圖，參見圖2，該高深寬比微結(jié)構(gòu)包括襯底和基材，基材中設(shè)置有至少一個(gè)高深寬比結(jié)構(gòu)21，與每個(gè)所述高深寬比結(jié)構(gòu)21對(duì)應(yīng)的一個(gè)底部電極22和一個(gè)引出電極23，底部電極22和引出電極23相連，所述底部電極22位于襯底的上表面，引出電極23位于襯底的下表面，該高深寬比微結(jié)構(gòu)還包括圍堰24、導(dǎo)電溶液25、公共電極26、測(cè)試電極27和測(cè)試系統(tǒng)28。
[0040]所述圍堰24位于所述高深寬比微結(jié)構(gòu)上，并與所述高深寬比微結(jié)構(gòu)配合形成容器，使得所述高深寬比微結(jié)構(gòu)的正面浸泡在所述導(dǎo)電溶液25中，其中，所述高深寬比微結(jié)構(gòu)的正面是指底部電極22朝向所述高深寬比結(jié)構(gòu)21的一面，也就是所述襯底的上表面。
[0041]在本實(shí)施例中，所述圍堰24可以由橡皮泥粘貼于所述高深寬比微結(jié)構(gòu)上來形成，與該高深寬比微結(jié)構(gòu)形成容器，所述圍堰24也可以由夾具壓于該高深比微結(jié)構(gòu)的基材上來形成，也可以夾于該高深寬微結(jié)構(gòu)基材的側(cè)面與該高深寬比微結(jié)構(gòu)形成容器，從而使得所述高深寬比微結(jié)構(gòu)的正面浸泡在導(dǎo)電溶液中。
[0042]所述導(dǎo)電溶液25盛放于所述圍堰24與所述高深寬比微結(jié)構(gòu)形成的容器中，其中，所述導(dǎo)電溶液25優(yōu)選的為電解質(zhì)溶液，更優(yōu)選的，所述電解質(zhì)溶液為高導(dǎo)電性的電解質(zhì)溶液，該高導(dǎo)電性由電解質(zhì)溶液的濃度和所述電解質(zhì)溶液中的離子類型來決定，該高導(dǎo)電性的電解質(zhì)溶液包括但不限制于:氯化鉀(kcl)飽和溶液、氯化鉀(NaCl)飽和溶液和氯化鎂(MgCl2)飽和溶液等。
[0043]所述公共電極26部分浸在所述導(dǎo)電溶液25中，部分與所述測(cè)試系統(tǒng)28連接。
[0044]所述測(cè)試電極27與所述任意一個(gè)弓I出電極23連接，所述測(cè)試電極27通過導(dǎo)電溶液25與所述公共電極26連接，在本實(shí)施例中，所述測(cè)試電極27的位置不是固定不變的，而是能夠任意移動(dòng)以實(shí)現(xiàn)對(duì)所有底部電極的表面進(jìn)行檢測(cè)，當(dāng)測(cè)試完一個(gè)底部電極22的表面清潔情況時(shí)，所述測(cè)試電極27與下一個(gè)底部電極22對(duì)應(yīng)的引出電極23連接，對(duì)下一個(gè)底部電極22的表面清潔情況進(jìn)行檢測(cè)。
[0045]所述測(cè)試系統(tǒng)28連接于所述公共電極26和所述測(cè)試電極27之間，所述測(cè)試系統(tǒng)28至少可包括一個(gè)電流表281和一個(gè)電源282，所述電流表281和所述電源282串聯(lián)連接，所述底部電極22、引出電極23、導(dǎo)電溶液25、公共電極26、測(cè)試電極27和測(cè)試系統(tǒng)28組成一個(gè)導(dǎo)電回路。
[0046]通過所述導(dǎo)電回路可以直接測(cè)試所述測(cè)試電極27連接的引出電極23所對(duì)應(yīng)的底部電極22的表面清潔狀況。原因在于，通過所述導(dǎo)電回路中的測(cè)試系統(tǒng)28可以測(cè)出整個(gè)導(dǎo)電回路的電阻值，由于整個(gè)導(dǎo)電回路中引出電極23、導(dǎo)電溶液25、公共電極26、測(cè)試電極27和測(cè)試系統(tǒng)28的電導(dǎo)率非常高，因此整個(gè)回路中底部電極22的電阻是測(cè)試系統(tǒng)28測(cè)出的電阻主要部分，將測(cè)量得到的該高深寬比微結(jié)構(gòu)中底部電極的電阻值與標(biāo)準(zhǔn)回路中底部電極的電阻值進(jìn)行比較，當(dāng)測(cè)量得到的底部電極的電阻值大于標(biāo)準(zhǔn)回路底部電極的電阻值時(shí)，說明該高深寬比微結(jié)構(gòu)的底部電極表面有殘留物質(zhì)，該底部電極的表面潔凈度差，當(dāng)測(cè)量得到的電阻值大于標(biāo)準(zhǔn)回路的電阻值的程度越大，說明該高深寬比微結(jié)構(gòu)的底部電極表面的潔凈度越差。此外，也可通過所述測(cè)試系統(tǒng)中的電流表測(cè)量所述高深寬比微結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電回路中的電流值，將高深寬比微結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電回路中的電流值與標(biāo)定基片的導(dǎo)電回路中的電流值相比較，當(dāng)高深寬比微結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電回路中的電流值小于所述標(biāo)定基片的導(dǎo)電回路中的電流時(shí)，判斷所述高深寬比微結(jié)構(gòu)中底部電極的表面潔凈度差。其中，所述高深寬比微結(jié)構(gòu)中導(dǎo)電回路中的電流值可通過測(cè)試系統(tǒng)28中的電流表281讀出，所述高深寬比微結(jié)構(gòu)的底部電極的電阻值可通過測(cè)試系統(tǒng)28中電流表281中的電流值和所述電源282的電壓值獲得。
[0047]圖3是本發(fā)明實(shí)施例一中標(biāo)定基片中底部電極表面的測(cè)量裝置的結(jié)構(gòu)圖，參見圖3，該標(biāo)定基片中底部電極檢測(cè)裝置包括:襯底31、底部電極32、引出電極33、圍堰34、導(dǎo)電溶液35、公共電極36、測(cè)試電極37和測(cè)試系統(tǒng)38。
[0048]所述標(biāo)定基片中的底部電極32和所述弓I出電極33連接，所述底部電極32位于襯底31的上表面，所述引出電極33位于襯底31的下表面，所述底部電極32可以通過刻蝕的工藝形成于襯底的上表面，所述引出電極33可通過刻蝕的工藝形成于襯底的下表面，由于所述底部電極32和引出電極33形成于襯底31中是現(xiàn)有技術(shù)，所以在此不再贅述。
[0049]在本實(shí)施例中，所述標(biāo)定基片中底部電極32的大小與所述高深寬比微結(jié)構(gòu)中底部電極22的大小相同。
[0050]所述圍堰34位于所述標(biāo)定基片的襯底31上，與所述標(biāo)定基片配合形成容器，所述圍堰34優(yōu)選的可以由橡皮泥直接粘貼與標(biāo)定基片的襯底31上形成，所述圍堰34也可以由夾具壓在所述高深寬比微結(jié)構(gòu)上來形成。
[0051]所述導(dǎo)電溶液35盛放于所述圍堰34與所述標(biāo)定基片形成的容器中，使得標(biāo)定基片中底部電極32能夠浸泡在導(dǎo)電溶液35中。
[0052]所述公共電極36部分浸入所述導(dǎo)電溶液35中，部分與所述測(cè)試系統(tǒng)38連接。
[0053]所述測(cè)試電極37與所述弓I出電極33連接，且所述測(cè)試電極37通過所述導(dǎo)電溶液35與所述公共電極36連接。
[0054]所述測(cè)試系統(tǒng)38連接于所述公共電極36和所述測(cè)試電極37之間，所述測(cè)試系統(tǒng)38至少包括一個(gè)電流表381和一個(gè)電源382，所述電流表381和所述電源382串聯(lián)連接。其中，所述底部電極32、引出電極33、導(dǎo)電溶液35、公共電極36、測(cè)試電極37和測(cè)試系統(tǒng)38組成導(dǎo)電回路。
[0055]通過標(biāo)定基片中的導(dǎo)電回路可以通過測(cè)試系統(tǒng)中的電流表測(cè)量得到標(biāo)定基片的導(dǎo)電回路的電流值，也可以通過測(cè)試系統(tǒng)中的電流表和電源或獲得標(biāo)定基片中底部電極的電阻值。需要說明的是，所述標(biāo)定基片中底部電極測(cè)量時(shí)所用的導(dǎo)電溶液與所述高深寬比微結(jié)構(gòu)中底部電極測(cè)量時(shí)所用的導(dǎo)電溶液相同，所述標(biāo)定基片中底部電極測(cè)量時(shí)的環(huán)境與所述高深寬比微結(jié)構(gòu)中底部電極測(cè)量時(shí)的環(huán)境相同，其中，所述環(huán)境可包括溫度和濕度。
[0056]在本實(shí)施例中，所述標(biāo)定基片的襯底上也可以增加與所述高深寬比微結(jié)構(gòu)相同的高深寬比結(jié)構(gòu)，使得所述標(biāo)定基片的結(jié)構(gòu)與待檢測(cè)的高深寬比微結(jié)構(gòu)相同，從而提高檢測(cè)的效果。
[0057]本發(fā)明第一實(shí)施例提供的一種高深寬比微結(jié)構(gòu)中底部電極的表面檢測(cè)裝置，通過測(cè)試系統(tǒng)測(cè)量導(dǎo)電回路中的電流值或底部電極表面的電阻值，根據(jù)所述電阻值或電流值來判斷底部電極表面是否清潔干凈，由此，能夠檢測(cè)到底部電極表面用肉眼無法觀測(cè)到的表面殘留物，且該檢測(cè)裝置結(jié)構(gòu)簡單，檢測(cè)方法易于操作，從而有效檢測(cè)高深寬比微結(jié)構(gòu)中底部電極表面檢測(cè)的清潔狀況。
[0058]實(shí)施例二
[0059]圖4是本發(fā)明實(shí)施例二提供的一種高深寬比微結(jié)構(gòu)中底部電極的表面檢測(cè)方法的流程圖，參見圖4，該方法包括:
[0060]步驟41、根據(jù)所述底部電極、引出電極、導(dǎo)電溶液、公共電極、測(cè)試電極和測(cè)試系統(tǒng)組成導(dǎo)電回路，所述測(cè)試系統(tǒng)測(cè)量所述高深寬比微結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電回路中的電流值或所述高深寬比微結(jié)構(gòu)中底部電極表面的電阻值。
[0061]將所述公共電極、測(cè)試電極和測(cè)試系統(tǒng)放入高深寬比微結(jié)構(gòu)中，組成高深寬比微結(jié)構(gòu)底部電極測(cè)試裝置后，根據(jù)所述底部電極、引出電極、導(dǎo)電溶液、公共電極、測(cè)試電極和測(cè)試系統(tǒng)組成的導(dǎo)電回路，所述測(cè)試系統(tǒng)中的電流表可以測(cè)量所述高深寬比微結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電回路中的電流，通過所述測(cè)試系統(tǒng)中的電流表和電源可以獲得所述高深寬比微結(jié)構(gòu)中底部電極表面的電阻值。根據(jù)所述測(cè)量得到的電阻值或電流值對(duì)底部電極表面的清潔狀況進(jìn)行判斷。
[0062]步驟42、將所述高深寬比微結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電回路中的電流值與標(biāo)定基片的導(dǎo)電回路中的電流值相比較或者將所述高深寬比微結(jié)構(gòu)中底部電極表面的電阻值與標(biāo)定基片中底部電極表面的電阻值相比較。
[0063]在本實(shí)施例中，當(dāng)所述高深寬比微結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電回路中的電流值小于所述標(biāo)定基片的導(dǎo)電回路中的電流值時(shí)，判定所述高深寬比微結(jié)構(gòu)中底部電極的表面潔凈度差，說明所述高深寬比微結(jié)構(gòu)中底部電極表面有殘留物質(zhì)；當(dāng)所述高深寬比微結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電回路中的電流值等于所述標(biāo)定基片的導(dǎo)電回路中的電流值時(shí)，判斷所述高深寬比微結(jié)構(gòu)中底部電極的表面潔凈。
[0064]或者，當(dāng)所述高深寬比微結(jié)構(gòu)中底部電極表面的電阻值大于所述標(biāo)定基片中底部電極表面的電阻值時(shí)，判斷所述高深寬比微結(jié)構(gòu)中底部電極的表面潔凈度差；當(dāng)所述高深寬比微結(jié)構(gòu)中底部電極表面的電阻值等于所述標(biāo)定基片中底部電極表面的電阻值時(shí)，判斷所述高深寬比微結(jié)構(gòu)中底部電極的表面潔凈。
[0065]本發(fā)明實(shí)施例通過高深寬比微結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電回路中的電流與標(biāo)定基片的導(dǎo)電回路中的電流相比較，或者通過高深寬比微結(jié)構(gòu)的底部電極的電阻值與標(biāo)定基片的底部電極的電阻值相比較，從而判斷所述高深寬比微結(jié)構(gòu)的底部電極的表面是否潔凈。[0066]在本實(shí)施例的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，在步驟41之前，所述高深寬比微結(jié)構(gòu)的底部電極的表面檢測(cè)方法還包括:
[0067]步驟41a、對(duì)帶有圍堰的高深寬比微結(jié)構(gòu)進(jìn)行等離子處理。
[0068]在本實(shí)施例中，可以將帶有圍堰的高深寬比微結(jié)構(gòu)放入等離子清洗機(jī)中進(jìn)行等離子處理，該等離子清洗機(jī)可包括控制單元、真空腔體以及真空泵，在真空腔體里，通過射頻電源在一定的壓力情況下起輝產(chǎn)生高能量的無序的等離子體，通過等體子體轟高深寬比微結(jié)構(gòu)的表面，以達(dá)到清洗目的，進(jìn)行等離子處理的好處在于，提高高深寬比微結(jié)構(gòu)的親水性，保證導(dǎo)電溶液填充到高深寬比微結(jié)構(gòu)中，保證底部電極表面沒有氣泡，從而提高高深寬比微結(jié)構(gòu)中導(dǎo)電回路的電流值或底部電極的電阻值的測(cè)量精度。
[0069]步驟41b，將導(dǎo)電溶液注入所述等離子處理后的所述圍堰和高深寬比微結(jié)構(gòu)形成的容器中。
[0070]進(jìn)行等離子處理后，將導(dǎo)電溶液注入圍堰和與所述高深寬比微結(jié)構(gòu)形成的容器中，使得所述高深寬比微結(jié)構(gòu)的底部電極全部浸入所述導(dǎo)電溶液中，使得所述底部電極、弓丨出電極、導(dǎo)電溶液、公共電極、測(cè)試電極和測(cè)試系統(tǒng)組成導(dǎo)電回路，通過所述導(dǎo)電回路中的電流表測(cè)量導(dǎo)電回路的電流值，通過所述導(dǎo)電回路中的電源的電壓值和所述電流表測(cè)量的電流值獲得高深寬比微結(jié)構(gòu)的底部電極的電阻值，從而根據(jù)所述電流值或電阻值判斷所述高深寬比微結(jié)構(gòu)的底部電極的表面是否有殘留物質(zhì)。
[0071]圖5是本發(fā)明實(shí)施例二提供的一種標(biāo)定基片中底部電極檢測(cè)方法的流程圖，參見圖5，該標(biāo)定基片中底部電極檢測(cè)方法包括:
[0072]步驟51、對(duì)帶有圍堰的標(biāo)定基片進(jìn)行等離子處理。
[0073]步驟52、將導(dǎo)電溶液注入所述等離子處理后的圍堰和所述標(biāo)定基片形成的容器中。
[0074]步驟53、根據(jù)底部電極、引出電極、導(dǎo)電溶液、公共電極、測(cè)試電極和測(cè)試系統(tǒng)組成的導(dǎo)電回路，所述測(cè)試系統(tǒng)測(cè)量標(biāo)定基片的導(dǎo)電回路中的電流值或所述標(biāo)定基片中底部電極表面的電阻值。
[0075]在本實(shí)施例中，將帶有圍堰的標(biāo)定基片放入等離子清洗機(jī)中進(jìn)行等離子處理后，將導(dǎo)電溶液注入圍堰和標(biāo)定基片組成的圍堰中，將公共電極放入導(dǎo)電溶液并與所述測(cè)試系統(tǒng)連接，將測(cè)試電極與引出電極連接，并與所述測(cè)試系統(tǒng)連接后，所述導(dǎo)電溶液、底部電極、引出電極、公共電極、測(cè)試電極和測(cè)試系統(tǒng)組成一個(gè)導(dǎo)電回路，通過所述導(dǎo)電回路測(cè)量標(biāo)定基片中底部電極表面的電阻值或電流值。
[0076]需要說明的是，所述標(biāo)定基片中底部電極的大小與所述高深寬比微結(jié)構(gòu)中底部電極的大小相同。
[0077]所述標(biāo)定基片中底部電極測(cè)試時(shí)所使用的導(dǎo)電溶液與所述高深寬比微結(jié)構(gòu)中的底部電極測(cè)試時(shí)所使用的導(dǎo)電溶液相同，并且所述標(biāo)定基片中的底部電極測(cè)試時(shí)所處的環(huán)境與所述高深寬比微結(jié)構(gòu)中的底部電極測(cè)試時(shí)所處的環(huán)境相同，例如:所述環(huán)境可以包括:溫度和濕度。
[0078]本發(fā)明第二實(shí)施例提供的一種高深寬比微結(jié)構(gòu)中底部電極的表面檢測(cè)方法，通過測(cè)試系統(tǒng)測(cè)量導(dǎo)電回路中的電流值或底部電極表面的電阻值，將所述高深寬比微結(jié)構(gòu)中導(dǎo)電回路的電流值或底部電極的電阻值與標(biāo)定基片中導(dǎo)電回路的電流值或底部電極的電阻值相比較，根據(jù)比較結(jié)果來判斷底部電極表面是否清潔干凈，由此，能夠檢測(cè)到底部電極表面用肉眼無法觀測(cè)到的表面殘留物，且該檢測(cè)裝置結(jié)構(gòu)簡單，檢測(cè)方法易于操作，從而有效檢測(cè)高深寬比微結(jié)構(gòu)中底部電極表面的清潔狀況。
[0079] 以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，并不用于限制本發(fā)明，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，本發(fā)明可以有各種改動(dòng)和變化。凡在本發(fā)明的精神和原理之內(nèi)所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種高深寬比微結(jié)構(gòu)中底部電極表面的檢測(cè)裝置，該高深寬比微結(jié)構(gòu)包括:至少一個(gè)高深寬比結(jié)構(gòu)，與每個(gè)所述高深寬比結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)的一個(gè)底部電極和一個(gè)引出電極，且所述底部電極與所述引出電極相連，其特征在于，所述裝置還包括: 圍堰，位于所述高深寬比微結(jié)構(gòu)上，并與所述高深寬比微結(jié)構(gòu)配合形成容器； 導(dǎo)電溶液，盛放于所述圍堰與所述高深寬比微結(jié)構(gòu)形成的容器中； 公共電極，部分浸在所述導(dǎo)電溶液中； 測(cè)試電極，與所述任意一個(gè)引出電極連接； 測(cè)試系統(tǒng)，連接于所述公共電極和所述測(cè)試電極之間； 其中，所述底部電極、引出電極、導(dǎo)電溶液、公共電極、測(cè)試電極和測(cè)試系統(tǒng)組成導(dǎo)電回路。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高深寬比微結(jié)構(gòu)中底部電極表面的檢測(cè)裝置，其特征在于，所述導(dǎo)電溶液為電解質(zhì)溶液。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高深寬比微結(jié)構(gòu)中底部電極表面的檢測(cè)裝置，其特征在于，所述測(cè)試電極能任意移動(dòng)以實(shí)現(xiàn)對(duì)所有底部電極的表面進(jìn)行檢測(cè)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高深寬比微結(jié)構(gòu)中底部電極表面的檢測(cè)裝置，其特征在于，所述測(cè)試系統(tǒng)至少包括電流 表和電源，所述電流表和所述電源串聯(lián)連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高深寬比微結(jié)構(gòu)中底部電極表面的檢測(cè)裝置，其特征在于，所述圍堰由橡皮泥粘貼于所述高深寬比微結(jié)構(gòu)上來形成；或者 所述圍堰由夾具壓在所述高深寬比微結(jié)構(gòu)上來形成。
6.一種高深寬比微結(jié)構(gòu)中底部電極表面的檢測(cè)方法，其特征在于，所述方法包括: 根據(jù)所述底部電極、引出電極、導(dǎo)電溶液、公共電極、測(cè)試電極和測(cè)試系統(tǒng)組成導(dǎo)電回路，所述測(cè)試系統(tǒng)測(cè)量所述高深寬比微結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電回路中的電流值或所述高深寬比微結(jié)構(gòu)中底部電極表面的電阻值； 將所述高深寬比微結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電回路中的電流值與標(biāo)定基片的導(dǎo)電回路中的電流值相比較或者將所述高深寬比微結(jié)構(gòu)中底部電極表面的電阻值與標(biāo)定基片中底部電極表面的電阻值相比較； 當(dāng)所述高深寬比微結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電回路中的電流值小于所述標(biāo)定基片的導(dǎo)電回路中的電流值時(shí)，判定所述高深寬比微結(jié)構(gòu)中底部電極的表面潔凈度差；或者 當(dāng)所述高深寬比微結(jié)構(gòu)中底部電極表面的電阻值大于所述標(biāo)定基片中底部電極表面的電阻值時(shí)，判斷所述高深寬比微結(jié)構(gòu)中底部電極的表面潔凈度差。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的高深寬比微結(jié)構(gòu)中底部電極表面的檢測(cè)方法，其特征在于，在根據(jù)所述底部電極、引出電極、導(dǎo)電溶液、公共電極、測(cè)試電極和測(cè)試系統(tǒng)組成導(dǎo)電回路，所述測(cè)試系統(tǒng)測(cè)量所述高深寬比微結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電回路中的電流值或所述高深寬比微結(jié)構(gòu)中底部電極表面的電阻值之前，所述方法還包括: 對(duì)帶有圍堰的高深寬比微結(jié)構(gòu)進(jìn)行等離子處理； 將導(dǎo)電溶液注入所述等離子處理后的所述圍堰和高深寬比微結(jié)構(gòu)形成的容器中。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的高深寬比微結(jié)構(gòu)中底部電極表面的檢測(cè)方法，其特征在于，所述標(biāo)定基片中底部電極的大小與所述高深寬比微結(jié)構(gòu)中底部電極的大小相同。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的高深寬比微結(jié)構(gòu)中底部電極表面的檢測(cè)方法，其特征在于，高深寬比微結(jié)構(gòu)中導(dǎo)電回路中的電流值或底部電極的電阻值測(cè)量時(shí)所用的導(dǎo)電溶液與所述標(biāo)定基片中導(dǎo)電回路中的電流值或底部電極的電阻值測(cè)量時(shí)所用的導(dǎo)電溶液相同。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的高深寬比微結(jié)構(gòu)中底部電極表面的檢測(cè)方法，其特征在于，所述高深寬比微結(jié)構(gòu)中導(dǎo)電回路中的電流值或底部電極的電阻值的測(cè)量環(huán)境與所述標(biāo)定基片中導(dǎo)電回路中 的電流值或底部電極的電阻值的測(cè)量環(huán)境相同。
【文檔編號(hào)】G01N27/20GK104007147SQ201410251035
【公開日】2014年8月27日 申請(qǐng)日期:2014年6月6日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月6日
【發(fā)明者】于中堯 申請(qǐng)人:華進(jìn)半導(dǎo)體封裝先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)中心有限公司