電流傳感器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及電流傳感器，其包括：塑料的殼體(7)；電流導(dǎo)體(3)，其具有一體地成形的第一電端子和第二電端子(4,5)，通過所述第一電端子和第二電端子供應(yīng)并排出要測(cè)量的電流；第三電端子(6)；以及半導(dǎo)體芯片(1)，其具有至少一個(gè)磁場(chǎng)傳感器(2)，所述磁場(chǎng)傳感器對(duì)于由流過電流導(dǎo)體(3)的電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)的與半導(dǎo)體芯片(1)的表面垂直的分量敏感。第一電端子和第二電端子(4,5)被設(shè)置在殼體(7)的第一側(cè)，第三電端子(6)被設(shè)置在殼體(7)的與第一側(cè)相對(duì)的一側(cè)。半導(dǎo)體芯片(1)作為倒裝芯片被安裝。半導(dǎo)體芯片(1)包括與第三端子(6)進(jìn)行電連接的第一凸塊(8)和位于電流導(dǎo)體(3)之上且通過隔離層(10)與半導(dǎo)體芯片(1)電分離的第二凸塊(9)。
【專利說明】電流傳感器【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及一種電流傳感器，尤其涉及一種在IC殼體(IC=集成電路)中封裝的電流傳感器，在該電流傳感器中，電流導(dǎo)體引導(dǎo)通過殼體。
【背景技術(shù)】
[0002]電流導(dǎo)體以很多配置和變型可用。例如，從EP1443332、W02005026749、W02006130393和DE102009054892已知檢測(cè)由電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)的電流傳感器，其被封裝在傳統(tǒng)的IC殼體中，并且其中，要測(cè)量的電流流過的電流導(dǎo)體被引導(dǎo)通過殼體。這種電流傳感器包含被設(shè)置為引線框架的一部分的電流導(dǎo)體和安裝在引線框架上的半導(dǎo)體芯片，引線框架用于安裝和產(chǎn)生電端子，并且，該半導(dǎo)體芯片包括至少一個(gè)磁場(chǎng)傳感器和其操作所需的且用于其輸出信號(hào)的處理的電子器件。
[0003]由于引導(dǎo)通過殼體的電流導(dǎo)體具有相對(duì)較小的橫截面并在磁場(chǎng)傳感器的區(qū)域中包括甚至進(jìn)一步減少的橫截面以便增大此處的電流密度并從而局域地增大磁場(chǎng)，所以由電流導(dǎo)體中的功率耗散而產(chǎn)生的熱導(dǎo)致加熱電流傳感器，這產(chǎn)生磁場(chǎng)傳感器的不期望的漂移波動(dòng)。在半導(dǎo)體芯片中集成的電流導(dǎo)體和電子器件需要相互電絕緣，其中，安裝需要預(yù)定的介電強(qiáng)度，其通常為2至4kV。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明是基于開發(fā)一種用于相對(duì)較高的額度電流和較高的介電強(qiáng)度的電流傳感器的目的，該電流傳感器需要小量的空間并可以以低成本制造。
[0005]根據(jù)本發(fā)明的電流傳感器包括:
[0006]塑料的殼體；
[0007]電流導(dǎo)體，具有一體地成形的第一電端子和第二電端子，通過所述第一電端子和第二電端子供應(yīng)并排出要測(cè)量的電流；
[0008]第三電端子；
[0009]具有有效表面的半導(dǎo)體芯片，具有至少一個(gè)磁場(chǎng)傳感器，所述磁場(chǎng)傳感器對(duì)于由流過電流導(dǎo)體的電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)的與半導(dǎo)體芯片的有效表面垂直的分量敏感，
[0010]其中，第一電端子和第二電端子被設(shè)置在殼體的第一側(cè)，第三電端子被設(shè)置在殼體的與第一側(cè)相對(duì)的一側(cè)，其中，半導(dǎo)體芯片的有效表面面對(duì)電流導(dǎo)體，并且，半導(dǎo)體芯片的電連接表面通過第一凸塊(bump)與第三電端子連接，其中，第二凸塊位于電流導(dǎo)體上或者在電流導(dǎo)體的突起上，并且其中，第二凸塊通過隔離層與半導(dǎo)體芯片電分離。
[0011]優(yōu)選地，位于半導(dǎo)體芯片下方的第三電端子的末端基本上沿著一條線設(shè)置，并且，電流導(dǎo)體的相鄰邊緣與所述線 平行地延伸，從而所有的第三電端子以近似相同的距離遠(yuǎn)離電流導(dǎo)體。
[0012]優(yōu)選地，電流導(dǎo)體包括至少兩個(gè)突起，所述至少兩個(gè)突起延伸到殼體的邊緣并在此處露出。[0013]優(yōu)選地，隔離層包括有機(jī)材料的層。有機(jī)材料可以是聚酰亞胺。
[0014]優(yōu)選地，在半導(dǎo)體芯片的主體材料的表面和第二凸塊之間不存在用于產(chǎn)生電連接的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。
[0015]電流導(dǎo)體可以在三側(cè)上完全被鐵磁層覆蓋并在邊界區(qū)域中在面對(duì)半導(dǎo)體芯片的第四側(cè)上被鐵磁層覆蓋。
[0016]半導(dǎo)體芯片可以在背側(cè)上被鐵磁層覆蓋。
[0017]殼體可以是QFN殼體，并且其中，僅電流傳感器的電端子在QFN殼體的下側(cè)處露出。
[0018]優(yōu)選地，至少一個(gè)磁場(chǎng)傳感器包括被設(shè)置在電流導(dǎo)體的不同邊緣處的兩個(gè)磁場(chǎng)傳感器或者磁場(chǎng)傳感器的簇，從而由流過電流導(dǎo)體的電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)在所述兩個(gè)磁場(chǎng)傳感器的位置處指向相反的方向。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]被合并在本說明書中并構(gòu)成本說明書的一部分的附圖示出了本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例，并且與詳細(xì)描述一起起到解釋本發(fā)明的原理和實(shí)施方式的作用。這些圖不是按比例繪制的。在附圖中:
[0020]圖1示出根據(jù)本發(fā)明的電流傳感器的第一實(shí)施例的俯視圖，以及
[0021]圖2示出具有凸塊的半導(dǎo)體芯片的截面圖；
[0022]圖3示出根據(jù)本發(fā)明的電流傳感器的第二實(shí)施例的俯視圖；
[0023]圖4和圖5示出根據(jù)本發(fā)明的電流傳感器的第三實(shí)施例的俯視圖和仰視圖；
[0024]圖6和圖7示出根據(jù)本發(fā)明的電流傳感器的進(jìn)一步的實(shí)施例的俯視圖，以及
[0025]圖8和圖9示出根據(jù)本發(fā)明的電流傳感器的進(jìn)一步的實(shí)施例的截面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0026]圖1示出根據(jù)本發(fā)明的電流傳感器的俯視圖。電流傳感器包括具有至少一個(gè)磁場(chǎng)傳感器2以及用于至少一個(gè)磁場(chǎng)傳感器2的操作和對(duì)由至少一個(gè)磁場(chǎng)傳感器2供應(yīng)的測(cè)量信號(hào)的處理的電子電路的半導(dǎo)體芯片I。電流傳感器還包括平坦的電流導(dǎo)體3，該電流導(dǎo)體3的末端被形成為一體地成形的第一電端子4和第二電端子5。電流導(dǎo)體還包括用于向電子電路供應(yīng)電力并用于輸出信號(hào)的輸出的第三電端子6。其數(shù)量至少為3，并且，在本例子中，為4。電流導(dǎo)體3和半導(dǎo)體芯片I被封裝在IC殼體7中，其中，電端子4、5和6作為IC引線從殼體7 (例如，在S0IC-8或S0IC-16殼體的情況中)突出，或者在殼體7 (例如，在QFN殼體的情況中)的底側(cè)和/或側(cè)壁露出。電流導(dǎo)體3和電端子4、5和6是用于制造的所謂的引線框架的部分。電端子4和5被設(shè)置在殼體7的第一側(cè)，電端子6被設(shè)置在殼體7的與第一側(cè)相對(duì)的第二側(cè)。半導(dǎo)體芯片I被安裝為倒裝芯片，即，集成有至少一個(gè)磁場(chǎng)傳感器2和電子電路的其有效表面面對(duì)電流導(dǎo)體3，并且，所謂的第一凸塊8在半導(dǎo)體芯片I和電端子6之間產(chǎn)生電連接。第二凸塊9還被設(shè)置在電流導(dǎo)體3和半導(dǎo)體芯片I之間，所述第二凸塊在半導(dǎo)體芯片I和電流導(dǎo)體3之間沒有產(chǎn)生任何電連接，而通過隔離層與半導(dǎo)體芯片I分離，如圖2中詳細(xì)地示出的。隔離層可由例如鈍化層的單個(gè)不導(dǎo)電層構(gòu)成，或者可由位于彼此之上的兩個(gè)或更多個(gè)不導(dǎo)電(即，電絕緣)層構(gòu)成。[0027]電流導(dǎo)體3基本上為U形，其中，U由三個(gè)部分形成，所述三個(gè)部分即包括第一電端子4的第一部分、具有平行邊緣12的第二細(xì)長(zhǎng)部分和包括第二電端子5的第三部分。在如圖1所示的根據(jù)本發(fā)明的電流傳感器的實(shí)施例中，電流導(dǎo)體3包括作為端子引線從殼體7突出的兩個(gè)第二電端子5和兩個(gè)第一電端子4。從殼體7突出的第一電端子4的端子引線的末端可在其部分上相互連接，即，它們可被形成為所謂的融合引線，從殼體7突出的第二電端子5的端子引線的末端也是如此。優(yōu)選地，設(shè)置兩個(gè)磁場(chǎng)傳感器2或者磁場(chǎng)傳感器的簇，其被設(shè)置在電流導(dǎo)體3的邊緣12的區(qū)域中的中間部分的兩側(cè)。由于由流過電流導(dǎo)體3的電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)在兩個(gè)磁場(chǎng)傳感器2的位置處指向相反的方向，所以兩個(gè)磁場(chǎng)傳感器2的輸出信號(hào)彼此相減(差分電路)。結(jié)果，可以消除均勻的外部干擾場(chǎng)的影響。每一個(gè)磁場(chǎng)傳感器優(yōu)選地為霍爾元件或霍爾元件的簇。
[0028]第一凸塊8和第二凸塊9被施加到半導(dǎo)體芯片I，其中，第一凸塊8接觸電連接表面13 (圖2)，而第二凸塊9通過隔離層與半導(dǎo)體芯片I的有效表面電分離。在電流傳感器的制造期間，半導(dǎo)體芯片I作為倒裝芯片被定位于引線框架上。第一凸塊8被擱在第三電端子6上，并且在半導(dǎo)體芯片I和電端子6之間進(jìn)行電連接。第二凸塊9被擱在電流導(dǎo)體3上。它們的任務(wù)是支持半導(dǎo)體芯片I，使得半導(dǎo)體芯片I的有效表面與電流導(dǎo)體3的表面平行地對(duì)準(zhǔn)，并且在封裝在殼體7中的過程中也保持如此，該封裝通過在模子中澆注來進(jìn)行。隔離層確保第二凸塊9與半導(dǎo)體芯片I電分離，并由此還確保電流導(dǎo)體3與半導(dǎo)體芯片I電分離。
[0029]根據(jù)本發(fā)明的電流傳感器這樣設(shè)計(jì)，使得與預(yù)定的標(biāo)準(zhǔn)IC殼體組合地一方面實(shí)現(xiàn)高介電強(qiáng)度，另一方面實(shí)現(xiàn)最高可能的額度電流。這兩個(gè)目標(biāo)以這樣的方式被實(shí)現(xiàn):位于倒裝芯片的下方的第三電端子6的末端基本上沿著與電流導(dǎo)體3的中間部分的相鄰邊緣12平行地延伸的線11設(shè)置，從而所有的第三電端子6以近似相同的距離A遠(yuǎn)離電流導(dǎo)體3。距離A的尺寸被設(shè)計(jì)到提供所需的介電強(qiáng)度的程度。沿著線11設(shè)置第三電端子6確保電流導(dǎo)體3可以很大程度地填充在殼體7內(nèi)全部可用的區(qū)域，除了用于防止電流導(dǎo)體3和殼體7的分層所需的電流導(dǎo)體3中的凹部和/或孔。換句話說，電流導(dǎo)體3在任何地方都具有相對(duì)較大的寬度，這將其電阻減少到最小可能的值，并由此一方面確保在預(yù)定的殼體尺寸下最小化功率耗散，另一方面確保將產(chǎn)生的熱高效地耗散到周圍環(huán)境。
[0030]第一凸塊8和第二凸塊9以距離B相互分離。這些凸塊有效地被設(shè)置為靠近半導(dǎo)體芯片I的相反邊緣，從而距離B為最大值。距離B也可以較小。在B>A時(shí)通常實(shí)現(xiàn)第二凸塊9的支持功能，因?yàn)樵谶@種情況中距離A通常是半導(dǎo)體芯片I的邊長(zhǎng)度的至少四分之一至三分之一。優(yōu)選地，存在兩個(gè)第二凸塊9。還可以僅僅設(shè)置一個(gè)第二凸塊9，于是，該第二凸塊9必須近似地被設(shè)置在半導(dǎo)體芯片I的中心軸上。
[0031]除了露出的連接表面13以外，半導(dǎo)體芯片I的有效表面被鈍化層14覆蓋，例如，該鈍化層由二氧化硅或氮化硅組成。鈍化層14是不導(dǎo)電的。另外的不導(dǎo)電層15被施加到相對(duì)較薄的鈍化層14，該鈍化層14的厚度的尺寸以這樣的方式被設(shè)計(jì)，從而實(shí)現(xiàn)電流導(dǎo)體3和半導(dǎo)體芯片I之間所需的介電強(qiáng)度。有機(jī)材料尤其適合用作不導(dǎo)電層15的材料。聚酰亞胺是優(yōu)選的有機(jī)材料的例子。不導(dǎo)電層15的厚度通常在10至20 μ m的范圍中，但是，它也可以達(dá)到30或者甚至40 μ m的較高值。鈍化層14和不導(dǎo)電層15聯(lián)合地形成兩層隔離層，該隔離層被示出并在圖2中由附圖標(biāo)記10表示。[0032]電流導(dǎo)體3具有電阻，這是流過電流導(dǎo)體3的電流產(chǎn)生需要被耗散到周圍環(huán)境的熱的原因。為了最少化由最大許可電流產(chǎn)生的熱，電流導(dǎo)體3應(yīng)該在其整個(gè)長(zhǎng)度上被制得盡可能寬。另一方面，為了最大化由流過電流導(dǎo)體3的電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)，電流導(dǎo)體3的寬度應(yīng)該在至少一個(gè)磁場(chǎng)傳感器2的區(qū)域中被制得盡可能窄。電流導(dǎo)體3的厚度是均勻的，因?yàn)樗梢€框架的厚度預(yù)先確定。端子引線的幾何結(jié)構(gòu)，即，尤其是其寬度W1，按照標(biāo)準(zhǔn)被預(yù)先確定。電流導(dǎo)體3的寬度有利地總是比端子引線的預(yù)定寬度Wl寬。如果需要的話，電流導(dǎo)體3可以被設(shè)置有另外的孔或狹縫，以便排除與殼體7的分層。
[0033]為了提高機(jī)械穩(wěn)定性，電流導(dǎo)體3可任選地被形成有突起16，這些突起16起初被連接到引線框架的框架，但是，在制造過程結(jié)束時(shí)與電端子4、5和6 —起從引線框架的框架切斷。因此，突起16在殼體7的邊緣處露出。在本例子中，設(shè)置兩個(gè)突起16，其被設(shè)置在電流導(dǎo)體3的中間部分的延伸中。
[0034]圖2以不是真正按比例繪制的示圖示出具有第一凸塊8和第二凸塊9的半導(dǎo)體芯片I的截面圖。除了第一凸塊8與半導(dǎo)體芯片I的電連接表面13接觸的位置以外，聯(lián)合地形成隔離層10的鈍化層14和另外的不導(dǎo)電層15覆蓋半導(dǎo)體芯片I的有效表面。凸塊8和9通過標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)來制造。例如，它們包括金屬層17 (在本領(lǐng)域中被稱為金屬通孔)、銅層18和焊料層19。凸塊8和9也可以由其他材料制成。金屬層17也可以是兩個(gè)或更多材料的序列，從而一方面金屬層17將被很好地接合，并且，另一方面金屬層17可用作用于電沉積銅層18的籽晶層。當(dāng)?shù)寡b芯片被安裝在引線框架上時(shí)，凸塊8和9與電端子6或電流導(dǎo)體3—起熔解和焊接。第一凸塊8與半導(dǎo)體芯片I上的電連接表面13進(jìn)行電連接，然而，隔離層10防止電流導(dǎo)體3與半導(dǎo)體芯片I之間的電連接。
[0035]有利地，為了進(jìn)一步提高介電強(qiáng)度，在半導(dǎo)體芯片I的主體材料的表面和第二凸塊9之間沒有導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。這種導(dǎo)電結(jié)構(gòu)由被提供用于制造電連接的金屬化層(例如，連接表面13的金屬化層)制成。
[0036]圖3示出根據(jù)本發(fā)明的電流傳感器的第二實(shí)施例的俯視圖，該電流傳感器被設(shè)計(jì)用于S0IC-16殼體。在第一實(shí)施例和第二實(shí)施例中，電流導(dǎo)體3包括被一體地形成或者被一體地附接到電流導(dǎo)體3的兩個(gè)突起，在其上方設(shè)置第二凸塊9。一方面，這些突起允許分別靠近半導(dǎo)體芯片I的邊緣設(shè)置第一凸塊8和第二凸塊9，另一方面，這些突起允許以近似對(duì)稱的方式相對(duì)于電流導(dǎo)體3的在其中間部分的縱向軸設(shè)置半導(dǎo)體芯片I。與以相對(duì)較寬的方式制成的電流導(dǎo)體3的中間部分組合，這將導(dǎo)致電流導(dǎo)體3是相對(duì)于半導(dǎo)體芯片I的具有相對(duì)較大面積的熱源的結(jié)果，從而在操作磁場(chǎng)傳感器2所需的模擬電子電路和磁場(chǎng)傳感器2的區(qū)域中將不會(huì)產(chǎn)生溫度梯度。
[0037]圖4示出根據(jù)本發(fā)明的電流傳感器的第三實(shí)施例的俯視圖，該電流傳感器被設(shè)置和優(yōu)化用于QFN殼體。圖5從下方(S卩，其底側(cè))示出電流傳感器。引線框架包含額度厚度的第一區(qū)域20和減小厚度的第二區(qū)域21。第一區(qū)域20在殼體7的底側(cè)露出。第二區(qū)域21位于殼體7的內(nèi)部。第一區(qū)域20對(duì)應(yīng)于電流傳感器的端子，通過所述端子，電流傳感器與印刷電路板連接。為了提高機(jī)械穩(wěn)定性的目的，在本實(shí)施例中電流導(dǎo)體3也有利地被形成有突起16，這些突起16起初被連接到引線框架的框架，但是，在制造過程結(jié)束時(shí)與電端子4、5和6 —起從引線框架的框架切斷。突起16在殼體7的邊緣處被露出。在本實(shí)施例中，在電流導(dǎo)體3的中間部分的延伸的兩側(cè)分別設(shè)置兩個(gè)突起16。[0038]圖6示出第二實(shí)施例的變型，其中，電流傳感器3的中間部分在兩個(gè)磁場(chǎng)傳感器2的區(qū)域中變窄，并且，兩個(gè)磁場(chǎng)傳感器2之間的距離被減小。圖7示出第二實(shí)施例的電流傳感器的另外的變型，其中，電流導(dǎo)體3的中間部分由兩個(gè)狹縫22以S形狀的方式被形成在兩個(gè)磁場(chǎng)傳感器2的區(qū)域中。狹縫22以這樣的方式被設(shè)置:使得電流導(dǎo)體3在兩個(gè)磁場(chǎng)傳感器2的區(qū)域中變窄并以U形的方式包圍磁場(chǎng)傳感器2。與如圖4所示的電流傳感器相比，在這兩個(gè)變型中以較低的額度電流代價(jià)實(shí)現(xiàn)靈敏度的提高。
[0039]圖8示出根據(jù)本發(fā)明的電流傳感器的實(shí)施例的橫截面圖(不是真正地按比例繪制的)，其中，電流導(dǎo)體3在三側(cè)上完全被鐵磁層23覆蓋，并且在面對(duì)半導(dǎo)體芯片I的第四側(cè)上僅僅在邊界區(qū)域中被鐵磁層23覆蓋。鐵磁層23延伸到其覆蓋磁場(chǎng)傳感器2的程度。鐵磁層23的厚度近似為50至100 μ m,但也可以為更大。它表不磁軛,該磁軛在磁場(chǎng)傳感器2的位置處放大由流過電流導(dǎo)體3的電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)。例如，鐵磁層23通過電鍍被施加到電流導(dǎo)體3上。
[0040]圖9示出根據(jù)本發(fā)明的電流傳感器的實(shí)施例的橫截面圖(不是真正地按比例繪制的)，其中，鐵磁層24已經(jīng)被施加到半導(dǎo)體芯片I的背側(cè)。鐵磁層24減少了由電流導(dǎo)體3產(chǎn)生的磁場(chǎng)的磁阻并在另一方面放大了該磁場(chǎng)。另一方面，其充當(dāng)用于與由半導(dǎo)體芯片I所跨越的平面平行地延伸的外磁場(chǎng)的屏蔽。
[0041]圖8和9的實(shí)施例也可以被組合,從而存在兩個(gè)鐵磁層23和24。
[0042]例如，根據(jù)本發(fā)明的電流傳感器的配置滿足了標(biāo)準(zhǔn)UL60950-1的要求。
[0043]雖然本發(fā)明的實(shí)施例和應(yīng)用已經(jīng)被示出和描述，但是對(duì)于具有本公開的益處的領(lǐng)域的技術(shù)人員來說將顯而易見的是，在不脫離本文中的本發(fā)明構(gòu)思的情況下也可以進(jìn)行比上述的修改更多的修改。因此，除了在所附權(quán)利要求及其等同物的精神的方面以外，對(duì)本發(fā)明沒有限制。
【權(quán)利要求】
1.一種電流傳感器,包括: 塑料的殼體⑵; 電流導(dǎo)體(3)，具有一體地成形的第一電端子和第二電端子(4，5)，通過所述第一電端子和第二電端子供應(yīng)并排出要測(cè)量的電流； 第三電端子(6)； 具有有效表面的半導(dǎo)體芯片(I)，具有至少一個(gè)磁場(chǎng)傳感器(2),所述磁場(chǎng)傳感器對(duì)于由流過電流導(dǎo)體(3)的電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)的與半導(dǎo)體芯片(I)的有效表面垂直的分量敏感， 其中，第一電端子和第二電端子(4,5)被設(shè)置在殼體(7)的第一側(cè),而第三電端子(6)被設(shè)置在殼體(7)的與第一側(cè)相對(duì)的一側(cè)，其中，半導(dǎo)體芯片(I)的有效表面面對(duì)電流導(dǎo)體(3)，并且半導(dǎo)體芯片⑴的電連接表面(13)通過第一凸塊⑶與第三電端子(6)連接，其中，第二凸塊(9)位于電流導(dǎo)體(3)上或者在電流導(dǎo)體(3)的突起上，并且其中，第二凸塊(9)通過隔離層(10)與半導(dǎo)體芯片(I)電分離。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電流傳感器，其中，位于半導(dǎo)體芯片(I)下方的第三電端子(6)的末端基本上沿著一條線(11)設(shè)置，并且其中，電流導(dǎo)體(3)的相鄰邊緣(12)與所述線(11)平行地延伸，從而所有的第三電端子(6)以近似相同的距離㈧遠(yuǎn)離電流導(dǎo)體(3)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電流傳感器，其中，電流導(dǎo)體(3)包括至少兩個(gè)突起(16)，所述至少兩個(gè)突起延伸到殼體(7)的邊緣并在此處露出。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電流傳感器，其中，隔離層(10)包括有機(jī)材料的層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電流傳感器，其中，有機(jī)材料是聚酰亞胺。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電流傳感器,其中,在半導(dǎo)體芯片(I)的主體材料的表面和第二凸塊(9)之間不存在用于產(chǎn)生電連接的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電流傳感器，其中，電流導(dǎo)體(3)在三側(cè)上完全被鐵磁層(23)覆蓋并在面對(duì)半導(dǎo)體芯片(I)的第四側(cè)上在邊界區(qū)域中被鐵磁層(23)覆蓋。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電流傳感器，其中，半導(dǎo)體芯片(I)在背側(cè)上被鐵磁層(24)覆蓋。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電流傳感器,其中，殼體(7)是QFN殼體，并且其中，僅電流傳感器的電端子在QFN殼體的下側(cè)處露出。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中的任意一項(xiàng)所述的電流傳感器，其中，至少一個(gè)磁場(chǎng)傳感器(2)包括被設(shè)置在電流導(dǎo)體(3)的不同邊緣處的兩個(gè)磁場(chǎng)傳感器或者磁場(chǎng)傳感器的簇，從而由流過電流導(dǎo)體(3)的電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)在所述兩個(gè)磁場(chǎng)傳感器(2)的位置處指向相反的方向。
【文檔編號(hào)】G01R19/00GK104034935SQ201410082133
【公開日】2014年9月10日 申請(qǐng)日期:2014年3月7日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月8日
【發(fā)明者】羅伯特·拉茲, 陳健, M·阿克曼 申請(qǐng)人:邁來芯科技有限公司