流量傳感器及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種能夠抑制每個(gè)流量傳感器的性能偏差且實(shí)現(xiàn)性能提高的技術(shù)。例如，在與在形成在半導(dǎo)體芯片(CHP1)上的露出的流量檢測(cè)部(FDU)上流動(dòng)的氣體的前進(jìn)方向并行的任意剖面中，通過(guò)使不與配置在中央部附近的半導(dǎo)體芯片(CHP1)重合地配置在半導(dǎo)體芯片(CHP1)的外側(cè)區(qū)域的突出銷(EJPN)從下金屬模具(BM)突起，使封閉體從下金屬模具(BM)脫模。由此，根據(jù)本實(shí)施方式一，與將突出銷(EJPN)配置在與半導(dǎo)體芯片(CHP1)重合的區(qū)域地進(jìn)行封閉體從下金屬模具(BM)的脫模的場(chǎng)合相比，能夠減小脫模時(shí)施加在封閉體上的變形。
【專利說(shuō)明】流量傳感器及其制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及流量傳感器及其制造方法，尤其涉及對(duì)樹(shù)脂封閉型的流量傳感器及其制造技術(shù)有效的技術(shù)。

【背景技術(shù)】
[0002]在日本特開(kāi)2004-74713號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)I)中，作為半導(dǎo)體包裝的制造方法，公開(kāi)了通過(guò)設(shè)置了脫模薄膜板的金屬模具夾緊部件，并使樹(shù)脂流入的技術(shù)。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0004]專利文獻(xiàn)
[0005]專利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)2004-74713號(hào)公報(bào)


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]發(fā)明所要解決的課題
[0007]例如，以往在汽車等內(nèi)燃機(jī)關(guān)中設(shè)有電子控制燃料噴射裝置。該電子控制燃料噴射裝置通過(guò)適當(dāng)?shù)卣{(diào)整流入內(nèi)燃機(jī)關(guān)中的氣體(空氣)與燃料的量，具有有效地使內(nèi)燃機(jī)關(guān)進(jìn)行工作的作用。因此，在電子控制燃料噴射裝置中，需要正確地把握流入內(nèi)燃機(jī)關(guān)的氣體(空氣)。因此，在電子控制燃料噴射裝置上設(shè)有測(cè)定氣體(空氣)的流量的流量傳感器(氣流傳感器)。
[0008]即使在流量傳感器中，尤其利用半導(dǎo)體微機(jī)械加工技術(shù)制造的流量傳感器能夠減小成本，并且能夠以低電力驅(qū)動(dòng)，因此備受矚目。這種流量傳感器例如在由硅構(gòu)成的半導(dǎo)體基板的背面形成由各向異性蝕刻形成的隔膜(薄板部)，在與該隔膜相對(duì)的半導(dǎo)體基板的表面形成由發(fā)熱電阻與測(cè)溫電阻構(gòu)成的流量檢測(cè)部。
[0009]在實(shí)際的流量傳感器中，例如除了形成隔膜及流量檢測(cè)部的第一半導(dǎo)體芯片外，還具有形成控制流量檢測(cè)部的控制電路部的第二半導(dǎo)體芯片。上述第一半導(dǎo)體芯片及第二半導(dǎo)體芯片例如搭載在基板上，與形成在基板上的配線(端子)電連接。具體地說(shuō)，例如第一半導(dǎo)體芯片利用由金屬線構(gòu)成的金屬絲與形成在基板上的配線連接，第二半導(dǎo)體芯片使用形成在第二半導(dǎo)體芯片上的沖擊電極，與形成在基板上的配線連接。這樣，搭載在基板上的第一半導(dǎo)體芯片與第二半導(dǎo)體芯片通過(guò)形成在基板上的配線電連接。其結(jié)果，能利用形成在第二半導(dǎo)體芯片上的控制電路部控制形成在第一半導(dǎo)體芯片上的流量檢測(cè)部，從而構(gòu)成流量傳感器。
[0010]此時(shí)，連接第一半導(dǎo)體芯片與基板的金屬線(金屬絲)為了防止由變形引起的接觸等，通常由澆注樹(shù)脂固定。即，金屬線(金屬絲)由澆注樹(shù)脂覆蓋并固定，利用該澆注樹(shù)月旨，保護(hù)金屬線(金屬絲)。另一方面，構(gòu)成流量傳感器的第一半導(dǎo)體芯片及第二半導(dǎo)體芯片通常未由澆注樹(shù)脂封閉。即，在通常的流量傳感器中，呈只有金屬線(金屬絲)由澆注樹(shù)脂覆蓋的結(jié)構(gòu)。
[0011]在此，金屬線(金屬絲)的利用澆注樹(shù)脂的固定由于在未由金屬模具等固定第一半導(dǎo)體芯片的狀態(tài)下進(jìn)行，因此，存在由于澆注樹(shù)脂的收縮，第一半導(dǎo)體芯片從搭載位置偏離的問(wèn)題。另外，澆注樹(shù)脂通過(guò)滴下而形成，因此，存在澆注樹(shù)脂的尺寸精度下降的問(wèn)題。其結(jié)果，每個(gè)流量傳感器在形成有流量檢測(cè)部的第一半導(dǎo)體芯片的搭載位置產(chǎn)生偏離，并且澆注樹(shù)脂的形成位置也微妙地不同，各流量傳感器的檢測(cè)性能產(chǎn)生偏差。因此，為了控制各流量傳感器的性能偏差，需要對(duì)每個(gè)流量傳感器進(jìn)行檢測(cè)性能的修正，產(chǎn)生追加流量傳感器的制造工序的性能修正工序的必要性。尤其當(dāng)性能修正工序變長(zhǎng)時(shí)，流量傳感器的制造工序的吐吞量下降，還存在流量傳感器的成本上升的問(wèn)題點(diǎn)。另外，澆注樹(shù)脂未進(jìn)行利用加熱的固化促進(jìn)，因此，澆注樹(shù)脂到固化的時(shí)間變長(zhǎng)，流量傳感器的制造工序的吞吐量下降。
[0012]本發(fā)明的目的在于提供能夠抑制每個(gè)流量傳感器的性能偏差且實(shí)現(xiàn)性能提高(也包括提高可靠性且實(shí)現(xiàn)性能提高的場(chǎng)合)的技術(shù)。
[0013]本發(fā)明的上述及其他目的與新的特征從本說(shuō)明書(shū)的記述及附圖中變得明確。
[0014]用于解決課題的方法
[0015]如下那樣簡(jiǎn)單地說(shuō)明在本申請(qǐng)中公開(kāi)的、作為代表技術(shù)的概要。
[0016]例如，代表的實(shí)施方式的流量傳感器在與在露出的流量檢測(cè)部上流動(dòng)的氣體的前進(jìn)方向并行的任意剖面中，通過(guò)使不與半導(dǎo)體芯片重合地配置在半導(dǎo)體芯片的外側(cè)區(qū)域的突出銷從下金屬模具突起，使封閉體從下金屬模具脫離。
[0017]發(fā)明效果
[0018]如下簡(jiǎn)單地說(shuō)明由在本申請(qǐng)中公開(kāi)的發(fā)明中、作為代表的技術(shù)得到的效果。
[0019]能夠抑制每個(gè)流量傳感器的性能偏差且實(shí)現(xiàn)性能提高。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0020]圖1是表示實(shí)施方式一的流量傳感器的電路結(jié)構(gòu)的電路方框圖。
[0021]圖2是表不構(gòu)成實(shí)施方式一的流量傳感器的一部分的半導(dǎo)體芯片的布局結(jié)構(gòu)的俯視圖。
[0022]圖3是表示第一相關(guān)技術(shù)的流量傳感器的結(jié)構(gòu)的剖視圖。
[0023]圖4是表示對(duì)第一相關(guān)技術(shù)的流量傳感器進(jìn)行樹(shù)脂封閉的工序的剖視圖。
[0024]圖5是表示使用第二相關(guān)技術(shù)實(shí)施樹(shù)脂封閉工序的樣式的剖視圖。
[0025]圖6是表示第二相關(guān)技術(shù)的脫模工序的剖視圖。
[0026]圖7(a)是表示實(shí)施方式一的流量傳感器的安裝結(jié)構(gòu)的俯視圖，(b)是由(a)的A-A線剖切的剖視圖，(c)是表示半導(dǎo)體芯片的背面的俯視圖。
[0027]圖8(a)是表示實(shí)施方式一的流量傳感器的安裝結(jié)構(gòu)的俯視圖，(b)是由(a)的A-A線剖切的剖視圖，(c)是由(a)的B-B線剖切的剖視圖。
[0028]圖9是從背面?zhèn)扔^察實(shí)施方式一的流量傳感器的俯視圖。
[0029]圖10是表示實(shí)施方式一的流量傳感器的制造工序的剖視圖。
[0030]圖11是表示緊接著圖10的流量傳感器的制造工序的剖視圖。
[0031]圖12是表示緊接著圖11的流量傳感器的制造工序的剖視圖。
[0032]圖13是表示緊接著圖12的流量傳感器的制造工序的剖視圖。
[0033]圖14是表示實(shí)施方式一的流量傳感器的制造工序的剖視圖。
[0034]圖15是表示緊接著圖14的流量傳感器的制造工序的剖視圖。
[0035]圖16是表示緊接著圖15的流量傳感器的制造工序的剖視圖。
[0036]圖17是表示緊接著圖16的流量傳感器的制造工序的剖視圖。
[0037]圖18是表示圖16中的區(qū)域的放大圖的一例的圖。
[0038]圖19是表示圖16中的區(qū)域的放大圖的另一例的圖。
[0039]圖20是表不實(shí)施方式一的流量傳感器的結(jié)構(gòu)的剖視圖。
[0040]圖21(a)?(e)是表示由突出銷產(chǎn)生的痕跡的一例的剖視圖。
[0041]圖22是從背面?zhèn)扔^察變形例一的流量傳感器的俯視圖。
[0042]圖23(a)是表示變形例二的樹(shù)脂封閉后的流量傳感器的結(jié)構(gòu)的俯視圖，(b)是由(a)的A-A線剖切的剖視圖，(C)是由(a)的B_B線剖切的剖視圖。
[0043]圖24(a)是表示實(shí)施方式二的流量傳感器的安裝結(jié)構(gòu)的俯視圖，(b)是由(a)的A-A線剖切的剖視圖，(c)是由(a)的B-B線剖切的剖視圖。
[0044]圖25是從背面?zhèn)扔^察實(shí)施方式二的流量傳感器的俯視圖。

【具體實(shí)施方式】
[0045]在以下的實(shí)施方式中，在需要方便時(shí)，分割為多個(gè)區(qū)域或?qū)嵤┓绞竭M(jìn)行說(shuō)明，但除了特別明示的場(chǎng)合，這些并不是互相無(wú)關(guān)，存在一方或另一方的一部分或全部變形例、詳細(xì)、補(bǔ)充說(shuō)明等關(guān)系。
[0046]另外，在以下的實(shí)施方式中，在言及要素的數(shù)量等(包括個(gè)數(shù)、數(shù)值、量、范圍等)的場(chǎng)合，除了特別明示的場(chǎng)合及理論上明確地被限定為特定的個(gè)數(shù)的場(chǎng)合等，未限定于該特定的數(shù)量，可以是特定數(shù)以上或以下。
[0047]另外，在以下的實(shí)施方式中，其構(gòu)成要素(也包括要素步驟等)除了特別明示的場(chǎng)合及理論上認(rèn)為必須的場(chǎng)合等，未必是必須的。
[0048]同樣地，在以下的實(shí)施方式中，在言及結(jié)構(gòu)要素等的形狀、位置關(guān)系等時(shí)，除了特別明示的場(chǎng)合及在理論上認(rèn)為不明確的場(chǎng)合等，包括實(shí)質(zhì)上近似或類似其形狀等的要素等。這種情況對(duì)上述數(shù)值及范圍也相同。
[0049]另外，在用于說(shuō)明實(shí)施方式的全部圖中，對(duì)相同的部件原則上標(biāo)注相同的符號(hào)，并省略其重復(fù)的說(shuō)明。另外，為了使附圖容易明白，存在即使是俯視圖，也標(biāo)注陰影的場(chǎng)合。
[0050](實(shí)施方式一)
[0051]<流量傳感器的電路結(jié)構(gòu)>
[0052]首先，說(shuō)明流量傳感器的電路結(jié)構(gòu)。圖1是表示本實(shí)施方式一的流量傳感器的電路結(jié)構(gòu)的電路方框圖。在圖1中，本實(shí)施方式一的流量傳感器首先具有用于控制流量傳感器的CPU(Central Processing Unit) 1，另外，具有用于向該CPUl輸入輸入信號(hào)的輸入電路2、以及用于輸出來(lái)自CPUl的輸出信號(hào)的輸出電路3。并且，在流量傳感器中設(shè)有存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器4，CPUl訪問(wèn)存儲(chǔ)器4，能夠參照存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器4中的數(shù)據(jù)。
[0053]接著，CPUl通過(guò)輸出電路3與晶體管Tr的基體電極連接。并且，該晶體管Tr的集電極連接在電源P上，晶體管Tr的發(fā)射電極通過(guò)發(fā)熱電阻HR連接在接地(GND)上。因此，晶體管Tr由CPUl控制。S卩，晶體管Tr的基體電極通過(guò)輸出電路3連接在CPUl上，因此，將來(lái)自CPUl的輸出信號(hào)輸入晶體管Tr的基體電極。
[0054]其結(jié)果，利用來(lái)自CPUl的輸出信號(hào)(控制信號(hào))控制流過(guò)晶體管Tr的電流。當(dāng)通過(guò)來(lái)自CPU1的輸出信號(hào)，流經(jīng)晶體管Tr的電流變大時(shí)，從電源PS供給到發(fā)熱電阻HR的電流變大，發(fā)熱電阻HR的加熱量變大。
[0055]另一方面，當(dāng)由于來(lái)自CPU1的輸出信號(hào)，流經(jīng)晶體管Tr的電流變小時(shí)，供給到發(fā)熱電阻HR的電流變少，發(fā)熱電阻HR的加熱量減少。
[0056]這樣在本實(shí)施方式一的流量傳感器中，利用CPU1控制流經(jīng)發(fā)熱電阻HR的電流量，由此，由CPU1控制來(lái)自發(fā)熱電阻HR的發(fā)熱量。
[0057]接著，在本實(shí)施方式一的流量傳感器中，為了利用CPU1控制流經(jīng)發(fā)熱電阻HR的電流，設(shè)有加熱器控制電橋HCB。該加熱器控制電橋HCB檢測(cè)從發(fā)熱電阻HR釋放的發(fā)熱量，向輸入電路2輸出該檢測(cè)結(jié)果。其結(jié)果，CPU1能夠輸入來(lái)自加熱器控制電橋HCB的檢測(cè)結(jié)果，據(jù)此，控制流經(jīng)晶體管Tr的電流。
[0058]具體地說(shuō)，如圖1所示，加熱器控制電橋HCB在參照電壓Vref 1與接地(GND)之間具有構(gòu)成電橋的電阻R1?電阻R4。在這樣構(gòu)成的加熱器控制電橋HCB中，由發(fā)熱電阻HR加熱的氣體比進(jìn)氣溫度只高一定溫度(Λ Τ、例如100°C )的場(chǎng)合，以節(jié)點(diǎn)A的電位與節(jié)點(diǎn)B的電位的電位差為0的方式，設(shè)定電阻R1?電阻R4的阻值。即，構(gòu)成加熱器控制電橋HCB的電阻R1?電阻R4以串聯(lián)連接電阻R1與電阻R3的結(jié)構(gòu)要素和串聯(lián)連接電阻R2與電阻R4的結(jié)構(gòu)要素在參照電壓Vrefl和接地(GND)之間并聯(lián)連接的方式構(gòu)成電橋。并且，電阻R1與電阻R3的連接點(diǎn)為節(jié)點(diǎn)A，電阻R2與電阻R4的連接點(diǎn)為節(jié)點(diǎn)B。
[0059]此時(shí)，由發(fā)熱電阻HR加熱的氣體與構(gòu)成加熱器控制電橋HCB的電阻R1接觸。因此，利用來(lái)自發(fā)熱電阻HR的發(fā)熱量，構(gòu)成加熱器控制電橋HCB的電阻R1的阻值主要變化。當(dāng)電阻R1的阻值這樣變化時(shí)，節(jié)點(diǎn)A與節(jié)點(diǎn)B之間的電位差變化。該節(jié)點(diǎn)A與節(jié)點(diǎn)B的電位差通過(guò)輸入電路2輸入到CPU1，因此，CPU1根據(jù)節(jié)點(diǎn)A與節(jié)點(diǎn)B的電位差，控制流經(jīng)晶體管Tr的電流。
[0060]具體地說(shuō)，CPU1以節(jié)點(diǎn)A與節(jié)點(diǎn)B之間的電位差為0的方式控制流經(jīng)晶體管Tr的電流，從而控制來(lái)自發(fā)熱電阻HR的發(fā)熱量。即，在本實(shí)施方式一的流量傳感器中，CPU1根據(jù)加熱器控制電橋HCB的輸出，以由發(fā)熱電阻HR加熱的氣體保持為比進(jìn)氣溫度只高某一定溫度(Λ Τ、例如100°C )的一定值的方式進(jìn)行反饋控制。
[0061]接著，本實(shí)施方式一的流量傳感器具有用于檢測(cè)氣體的流量的溫度傳感器電橋TSB。該溫度傳感器電橋TSB由在參照電壓Vref2與接地(GND)之間構(gòu)成電橋的四個(gè)測(cè)溫電阻構(gòu)成。該四個(gè)測(cè)溫電阻由兩個(gè)上游測(cè)溫電阻UR1、UR2、兩個(gè)下游測(cè)溫電阻BR1、BR2構(gòu)成。
[0062]g卩，圖1的箭頭方向表示氣體流動(dòng)的方向，在該氣體流動(dòng)的方向的上游側(cè)設(shè)有上游測(cè)溫電阻UR1、UR2，在下游側(cè)設(shè)有下游測(cè)溫電阻BR1、BR2。這些上游測(cè)溫電阻UR1、UR2及下游測(cè)溫電阻BR1、BR2以到發(fā)熱電阻HR的距離相同的方式配置。
[0063]在溫度傳感器電橋TSB中，在參照電壓Vref2與接地(GND)之間串聯(lián)連接上游測(cè)溫電阻UR1與下游測(cè)溫電阻BR1，該上游測(cè)溫電阻UR1與下游測(cè)溫電阻BR1的連接點(diǎn)為節(jié)點(diǎn)C0
[0064]另一方面，在接地(GND)與參照電壓Vref2之間串聯(lián)連接上游測(cè)溫電阻UR2與下游測(cè)溫電阻BR2，該上游測(cè)溫電阻UR2與下游測(cè)溫電阻BR2的連接點(diǎn)為節(jié)點(diǎn)D。并且，節(jié)點(diǎn)C的電位與節(jié)點(diǎn)D的電位通過(guò)輸入電路2輸入CPU1。并且，以在沿箭頭方向流動(dòng)的氣體流量為O的無(wú)風(fēng)狀態(tài)時(shí)，節(jié)點(diǎn)C的電位與節(jié)點(diǎn)D的電位的差電位為OV的方式設(shè)定上游測(cè)溫電阻UR1、UR2與下游測(cè)溫電阻BR1、BR2的各阻值。
[0065]具體地說(shuō)，上游測(cè)溫電阻URUUR2與下游測(cè)溫電阻BR1、BR2以距發(fā)熱電阻HR的距離相等，并且阻值也相等的方式構(gòu)成。因此，在溫度傳感器電橋TSB中，構(gòu)成為，不論發(fā)熱電阻HR的發(fā)熱量，只要是無(wú)風(fēng)狀態(tài)，則節(jié)點(diǎn)C與節(jié)點(diǎn)D的差電位為0V。
[0066]<流量傳感器的動(dòng)作>
[0067]本實(shí)施方式一的流量傳感器如上所述那樣構(gòu)成，以下參照?qǐng)D1說(shuō)明其動(dòng)作。首先，CPUl通過(guò)輸出電路3向晶體管Tr的基體電極輸出輸出信號(hào)(控制信號(hào))，使電流流經(jīng)晶體管Tr。于是，電流從連接在晶體管Tr的集電極的電源PS流向連接在晶體管Tr的發(fā)射電極的發(fā)熱電阻HR。因此，發(fā)熱電阻HR發(fā)熱。并且，由來(lái)自發(fā)熱電阻HR的發(fā)熱而變暖的氣體加熱構(gòu)成加熱器控制電橋HCB的電阻Rl。
[0068]此時(shí)，以在由發(fā)熱電阻HR而變暖的氣體升溫一定溫度(例如100°C )的場(chǎng)合，加熱器控制電橋HCB的節(jié)點(diǎn)A與節(jié)點(diǎn)B的差電位為OV的方式，設(shè)定電阻Rl?R4的各阻值。因此，例如在由發(fā)熱電阻HR而變暖的氣體升溫一定溫度(例如100°C )的場(chǎng)合，加熱器控制電橋HCB的節(jié)點(diǎn)A與節(jié)點(diǎn)B之間的差電位為0V，該差電位(OV)通過(guò)輸入電路2輸入CPUl。并且，識(shí)別了來(lái)自加熱器控制電橋HCB的差電位為OV的CPUl通過(guò)輸出電路3向晶體管Tr的基體電極輸出用于維持現(xiàn)狀的電流量的輸出信號(hào)(控制信號(hào))。
[0069]另一方面，在由發(fā)熱電阻HR而變暖的氣體偏離一定溫度(例如100°C )的場(chǎng)合，在加熱器控制電橋HCB的節(jié)點(diǎn)A與節(jié)點(diǎn)B之間產(chǎn)生不是OV的差電位，該差電位通過(guò)輸入電路2輸入CPUl。并且，識(shí)別了產(chǎn)生來(lái)自加熱器控制電橋HCB的差電位的CPUl通過(guò)輸出電路3向晶體管Tr的基體電極輸出差電位變?yōu)镺V的輸出信號(hào)(控制信號(hào))。
[0070]例如，在產(chǎn)生由發(fā)熱電阻HR而變暖的氣體升溫比一定溫度(例如100°C )高的方向的差電位的場(chǎng)合，CPUl將流經(jīng)晶體管Tr的電流減少的控制信號(hào)(輸出信號(hào))向晶體管Tr的基體電極輸出。相對(duì)于此，在產(chǎn)生由發(fā)熱電阻HR而變暖的氣體升溫比一定溫度(例如100C )低的方向的差電位的場(chǎng)合，CPUl將流經(jīng)晶體管Tr的電流增加的控制信號(hào)(輸出信號(hào))向晶體管Tr的基體電極輸出。
[0071]如上所述，CPUl以加熱器控制電橋HCB的節(jié)點(diǎn)A與節(jié)點(diǎn)B之間的差電位為OV (平衡狀態(tài))的方式，根據(jù)來(lái)自加熱器控制電橋HCB的輸出信號(hào)，進(jìn)行反饋控制。因此可知，在本實(shí)施方式一的流量傳感器中，以由發(fā)熱電阻HR而變暖的氣體為一定溫度的方式進(jìn)行控制。
[0072]接著，對(duì)測(cè)定本實(shí)施方式一的流量傳感器中的氣體的流量的動(dòng)作進(jìn)行說(shuō)明。首先，對(duì)無(wú)風(fēng)狀態(tài)的場(chǎng)合進(jìn)行說(shuō)明。以在沿箭頭方向流動(dòng)的氣體的流量是零的無(wú)風(fēng)狀態(tài)時(shí)，溫度傳感器電橋TSB的節(jié)點(diǎn)C的電位與節(jié)點(diǎn)D的電位的差電位為OV的方式，設(shè)定上游測(cè)溫電阻UR1、UR2與下游測(cè)溫電阻BR1、BR2的各阻值。
[0073]具體地說(shuō)，上游測(cè)溫電阻URUUR2與下游測(cè)溫電阻BR1、BR2構(gòu)成為距發(fā)熱電阻HR的距離相等，并且，阻值也相等。因此，在溫度傳感器電橋TSB中，不論發(fā)熱電阻HR的發(fā)熱量，只要是無(wú)風(fēng)狀態(tài)，則節(jié)點(diǎn)C與節(jié)點(diǎn)D的差電位為0V，該差電位(OV)通過(guò)輸入電路2輸入CPUl。并且，識(shí)別了來(lái)自溫度傳感器電橋TSB的差電位是OV的CPUl識(shí)別為沿箭頭方向流動(dòng)的氣體的流量是零，通過(guò)輸出電路3將表示氣體流量Q是零的輸出信號(hào)從本實(shí)施方式一的流量傳感器輸出。
[0074]接著，考慮氣體沿圖1的箭頭方向流動(dòng)的場(chǎng)合。在該場(chǎng)合，如圖1所示，配置在氣體流動(dòng)的方向的上游側(cè)的上游測(cè)溫電阻UR1、UR2由沿箭頭方向流動(dòng)的氣體冷卻。因此，上游測(cè)溫電阻UR1、UR2的溫度下降。相對(duì)于此，配置在氣體流動(dòng)的方向的下游側(cè)的下游測(cè)溫電阻BR1、BR2由于由發(fā)熱電阻HR而變暖的氣體流向下游測(cè)溫電阻BR1、BR2，因此溫度上升。其結(jié)果，溫度傳感器電橋TSB的平衡被破壞，在溫度傳感器電橋TSB的節(jié)點(diǎn)C與節(jié)點(diǎn)D之間廣生不是零的差電位。
[0075]將該差電位通過(guò)輸入電路2輸入CPU1。并且，識(shí)別了來(lái)自溫度傳感器電橋TSB的差電位不是零的CPUl識(shí)別沿箭頭方向流動(dòng)的氣體的流量不是零。之后，CPUl訪問(wèn)存儲(chǔ)器4。存儲(chǔ)器4存儲(chǔ)使差電位與氣體流量對(duì)應(yīng)的對(duì)比表(工作表)，因此，訪問(wèn)存儲(chǔ)器4的CPUl從存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器4中的對(duì)比表計(jì)算氣體流量Q。這樣，由CPUl計(jì)算的氣體流量Q通過(guò)輸出電路3從本實(shí)施方式一的流量傳感器輸出。如上所述，根據(jù)本實(shí)施方式一的流量傳感器，能求出氣體的流量。
[0076]<流量傳感器的布局結(jié)構(gòu)>
[0077]接著，對(duì)本實(shí)施方式一的流量傳感器的布局結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。例如，圖1所示的本實(shí)施方式一的流量傳感器形成在兩個(gè)半導(dǎo)體芯片上。具體地說(shuō)，發(fā)熱電阻HR、加熱器控制電橋HCB及溫度傳感器電橋TSB形成在一個(gè)半導(dǎo)體芯片上，CPUl、輸入電路2、輸出電路3及存儲(chǔ)器4等形成在另一個(gè)半導(dǎo)體芯片上。以下，對(duì)形成有發(fā)熱電阻HR、加熱器控制電橋HCB及溫度傳感器電橋TSB的半導(dǎo)體芯片的布局結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。
[0078]圖2是表不構(gòu)成本實(shí)施方式一的流量傳感器的一部分的半導(dǎo)體芯片CHPl的布局結(jié)構(gòu)的俯視圖。首先，如圖2所示，半導(dǎo)體芯片CHPl呈矩形形狀，氣體從該半導(dǎo)體芯片CHPl的左側(cè)向右側(cè)(箭頭方向)流動(dòng)。并且，如圖2所示，在呈矩形形狀的半導(dǎo)體芯片CHPl的背面?zhèn)刃纬删匦涡螤畹母裟F。隔膜DF表示使半導(dǎo)體芯片CHPl的厚度變薄的薄板區(qū)域。即，形成有隔膜DF的區(qū)域的厚度比其他半導(dǎo)體芯片CHPl的區(qū)域的厚度薄。
[0079]如圖2所示，在這樣形成有隔膜DF的背面區(qū)域所相對(duì)的半導(dǎo)體芯片CHPl的表面區(qū)域形成流量檢測(cè)部FDU。具體地說(shuō)，在該流量檢測(cè)部FDU的中央部形成發(fā)熱電阻HR，在該發(fā)熱電阻HR的周圍形成構(gòu)成加熱器控制電橋的電阻Rl。并且，在流量檢測(cè)部FDU的外側(cè)形成構(gòu)成加熱器控制電橋的電阻R2?R4。利用這樣形成的電阻Rl?R4，構(gòu)成加熱器控制電橋。
[0080]特別地，構(gòu)成加熱器控制電橋的電阻Rl形成在發(fā)熱電阻HR的附近，因此，能夠高精度地將由來(lái)自發(fā)熱電阻HR的發(fā)熱而變暖的氣體的溫度反映在電阻Rl上。
[0081]另一方面，構(gòu)成加熱器控制電橋的電阻R2?R4離開(kāi)發(fā)熱電阻HR地配置，因此，能夠難以受到來(lái)自發(fā)熱電阻HR的發(fā)熱的影響。
[0082]因此，電阻Rl能夠?qū)τ砂l(fā)熱電阻HR而變暖的氣體的溫度敏感地進(jìn)行反應(yīng)，并且，電阻R2?R4難以受到發(fā)熱電阻HR的影響，容易將阻值維持為一定值。因此，能夠提高加熱器控制電橋的檢測(cè)精度。
[0083]另外，以?shī)A住形成在流量檢測(cè)部FDU上的發(fā)熱電阻HR的方式配置上游測(cè)溫電阻URUUR2與下游測(cè)溫電阻BR1、BR2。具體地說(shuō)，在氣體流動(dòng)的箭頭方向的上游側(cè)形成上游測(cè)溫電阻UR1、UR2，在氣體流動(dòng)的箭頭方向的下游側(cè)形成下游測(cè)溫電阻BR1、BR2。
[0084]通過(guò)這樣構(gòu)成，在氣體沿箭頭方向流動(dòng)的場(chǎng)合，能夠降低上游測(cè)溫電阻UR1、UR2的溫度，并且，能夠使下游測(cè)溫電阻BR1、BR2的溫度上升。利用這樣配置在流量檢測(cè)部FDU上的上游測(cè)溫電阻UR1、UR2及下游測(cè)溫電阻BR1、BR2，形成溫度傳感器電橋。
[0085]上述發(fā)熱電阻HR、上游測(cè)溫電阻UR1、UR2及下游測(cè)溫電阻BR1、BR2在例如利用濺射法或CVD(Chemical Vapor Deposit1n)法等方法形成白金(鉬)等金屬膜或多晶娃(多結(jié)晶硅)等半導(dǎo)體薄膜后，通過(guò)利用離子蝕刻等方法形成圖案。
[0086]這樣構(gòu)成的發(fā)熱電阻HR、構(gòu)成加熱器控制電橋的電阻R1?R4及構(gòu)成溫度傳感器電橋的上游測(cè)溫電阻UR1、UR2與下游測(cè)溫電阻BR1、BR2分別與配線WL1連接，被引出至沿半導(dǎo)體芯片CHP1的下邊配置的焊墊roi。
[0087]如上所述，構(gòu)成本實(shí)施方式一的流量傳感器的一部分的半導(dǎo)體芯片CHP1形成布局結(jié)構(gòu)。實(shí)際的流量傳感器具有形成有發(fā)熱電阻HR、加熱器控制電橋HCB及溫度傳感器電橋TSB的一個(gè)半導(dǎo)體芯片、形成CPU1、輸入電路2、輸出電路3及存儲(chǔ)器4等的另一個(gè)半導(dǎo)體芯片，呈將這些半導(dǎo)體芯片安裝在基板上的結(jié)構(gòu)。
[0088]以下，首先對(duì)涉及流量傳感器的安裝結(jié)構(gòu)的相關(guān)技術(shù)進(jìn)行說(shuō)明，之后，說(shuō)明該相關(guān)技術(shù)具有的問(wèn)題點(diǎn)。其次，說(shuō)明實(shí)施了解決相關(guān)技術(shù)具有的問(wèn)題點(diǎn)的努力的本實(shí)施方式一的流量傳感器的安裝結(jié)構(gòu)。
[0089]<相關(guān)技術(shù)的說(shuō)明>
[0090]圖3是表不第一相關(guān)技術(shù)的流量傳感器FSP的結(jié)構(gòu)的剖視圖。如圖3所不,第一相關(guān)技術(shù)的流量傳感器FSP在芯片搭載部TAB1上具有半導(dǎo)體芯片CHP1，該半導(dǎo)體芯片CHP1以粘接材料ADH1粘接在芯片搭載部TAB1上。在半導(dǎo)體芯片CHP1的主面(上面、表面)上形成流量檢測(cè)部FDU，在半導(dǎo)體芯片CHP1的背面中、與流量檢測(cè)部FDU相對(duì)的位置形成隔膜(薄板部)DF。并且，在第一相關(guān)技術(shù)的流量傳感器FSP中，半導(dǎo)體芯片CHP1的一部分及芯片搭載部TAB1的一部分由包括樹(shù)脂MR的封閉體封閉。具體地說(shuō)，在第一相關(guān)技術(shù)的流量傳感器FSP中，以一邊使形成在半導(dǎo)體芯片CHP1的上表面的流量檢測(cè)部FDU露出，一邊覆蓋半導(dǎo)體芯片CHP1的側(cè)面及上表面的一部分的方式形成樹(shù)脂MR。此時(shí)，在第一相關(guān)技術(shù)的流量傳感器FSP中，半導(dǎo)體芯片CHP1的上表面SUR(CHP)的高度比樹(shù)脂MR的上表面SUR(MR)高度低。換言之，樹(shù)脂MR的上表面SUR(MR)的高度也能夠比半導(dǎo)體芯片CHP1的上表面SUR(CHP)的聞度聞。
[0091]這樣構(gòu)成的第一相關(guān)技術(shù)的流量傳感器FSP例如由圖4所示的制造工序樹(shù)脂封閉。圖4是表示對(duì)第一相關(guān)技術(shù)的流量傳感器FSP進(jìn)行樹(shù)脂封閉的工序的剖視圖。
[0092]如圖4所示，利用粘接材料ADH1將半導(dǎo)體芯片CHP1固定在形成在引線架LF上的芯片搭載部TAB1上。并且，利用上金屬模具UM與下金屬模具BM隔著第二空間夾入搭載了半導(dǎo)體芯片CHP1的引線架LF。之后，在加熱下，通過(guò)使樹(shù)脂MR流入該第二空間，利用樹(shù)脂MR封閉半導(dǎo)體芯片CHP1的一部分。
[0093]此時(shí)，如圖4所示，隔膜DF的內(nèi)部空間由粘接材料ADH1與上述第二空間隔離，因此，在利用樹(shù)脂MR填充第二空間時(shí)，也能夠防止樹(shù)脂MR進(jìn)入隔膜DF的內(nèi)部空間。
[0094]另外，在上金屬模具UM上以確保包圍形成在半導(dǎo)體芯片CHP1的上表面SUR(CHP)的流量檢測(cè)部FDU的第一空間SP1 (密封空間)的方式形成凹部。因此，當(dāng)將上金屬模具UM按壓到半導(dǎo)體芯片CHP1上時(shí)，利用形成在上金屬模具UM上的凹部確保包圍形成在半導(dǎo)體芯片CHP1上的流量檢測(cè)部FDU及其附近區(qū)域的第一空間SP1 (密封空間)，并且例如能夠封閉半導(dǎo)體芯片CHPl的側(cè)面及上表面的一部分。即，根據(jù)第一相關(guān)技術(shù)，能夠使形成在半導(dǎo)體芯片CHPl上的流量檢測(cè)部FDU及其附近區(qū)域露出，并且封閉半導(dǎo)體芯片CHPl的一部分。
[0095]在此，在第一相關(guān)技術(shù)中，如圖4所示，使彈性體薄膜LAF介于搭載了半導(dǎo)體芯片CHPl的引線架LF與上金屬模具UM之間。由此，例如在半導(dǎo)體芯片CHPl的厚度比平均的厚度薄的場(chǎng)合，在利用上金屬模具UM與下金屬模具BM夾入搭載了半導(dǎo)體芯片CHPl的引線架LF時(shí)，產(chǎn)生間隙，但能夠利用彈性體薄膜LAF填充該間隙，因此，能夠防止樹(shù)脂泄漏到半導(dǎo)體芯片CHPl上。
[0096]另一方面，在半導(dǎo)體芯片CHPl的厚度比平均的厚度厚的場(chǎng)合，在利用上金屬模具UM與下金屬模具BM夾入搭載了半導(dǎo)體芯片CHPl的引線架LF時(shí)，由于彈性體薄膜LAF比半導(dǎo)體芯片CHPl柔軟，因此，為了吸收半導(dǎo)體芯片CHPl的厚度，彈性體薄膜LAF的厚度方向的尺寸變化。由此，即使半導(dǎo)體芯片CHPl的厚度比平均的厚度厚，也能防止力過(guò)度地施加在半導(dǎo)體芯片CHPl上，其結(jié)果，能防止半導(dǎo)體芯片CHPl斷裂。
[0097]S卩，根據(jù)第一相關(guān)技術(shù)的流量傳感器的制造方法，利用上金屬模具UM隔著彈性體薄膜LAF按壓半導(dǎo)體芯片CHP1。因此，能夠利用彈性體薄膜LAF的厚度變化吸收由半導(dǎo)體芯片CHP1、粘接材料ADH1、引線架LF的厚度不均引起的部件的安裝偏差。這樣根據(jù)第一相關(guān)技術(shù)，能夠緩和施加在半導(dǎo)體芯片CHPl上的夾緊力。其結(jié)果，能夠防止半導(dǎo)體芯片CHPl的分割、缺口或龜裂等為代表的破損。即，根據(jù)第一相關(guān)技術(shù)的流量傳感器的制造方法，能夠保護(hù)半導(dǎo)體芯片CHPl免受伴隨由部件的安裝不均引起的夾緊力的增大的半導(dǎo)體芯片CHPl的分割、缺口或龜裂等為代表的破損影響。
[0098]具體地說(shuō)，圖4是表示作為制造方法，在利用下金屬模具BM、設(shè)置了彈性體薄膜LAF的上金屬模具UM夾入搭載在引線架LF的芯片搭載部TABl上的半導(dǎo)體芯片CHPl等部件的狀態(tài)下，將樹(shù)脂MR注入形成在上金屬模具UM與下金屬模具BM之間的第二空間的工序的剖視圖。特別地，圖4表示流量傳感器的空氣(氣體)的流動(dòng)方向的剖視圖。如圖4所示，半導(dǎo)體芯片CHPl的端部隔著彈性體薄膜LAF由上金屬模具UM按壓，由此，由上金屬模具UM固定半導(dǎo)體芯片CHPl。
[0099]這樣，利用圖4所示的制造方法，制造在利用樹(shù)脂MR封閉半導(dǎo)體芯片CHPl的場(chǎng)合，樹(shù)脂MR的上表面SUR(MR)的位置比半導(dǎo)體芯片CHPl的上表面SUR(CHP)的位置高的流量傳感器(參照?qǐng)D3)。
[0100]在第一相關(guān)技術(shù)中，能夠在利用金屬模具固定形成有流量檢測(cè)部FDU的半導(dǎo)體芯片CHPl的狀態(tài)下進(jìn)行，因此，能夠在抑制半導(dǎo)體芯片CHPl的位置偏離的狀態(tài)下，利用樹(shù)脂MR封閉半導(dǎo)體芯片CHPl的一部分。這意味著根據(jù)第一相關(guān)技術(shù)的流量傳感器FSP的制造方法，能抑制各流量傳感器的位置偏離，能夠用樹(shù)脂MR封閉半導(dǎo)體芯片CHPl的一部分，能夠抑制形成在半導(dǎo)體芯片CHPl上的流量檢測(cè)部FDU的位置的偏差。其結(jié)果，根據(jù)第一相關(guān)技術(shù)，能夠使檢測(cè)氣體的流量的流量檢測(cè)部FDU的位置在各流量傳感器中一致，因此，能夠在各流量傳感器中抑制檢測(cè)氣體流量的性能不均。即，根據(jù)在利用金屬模具固定并封閉半導(dǎo)體芯片CHPl的一部分的第一相關(guān)技術(shù)，與使用澆注樹(shù)脂的技術(shù)相比，能夠?qū)γ總€(gè)流量傳感器FSP抑制性能偏差。
[0101]在此，例如在采用樹(shù)脂封閉工序的流量傳感器FSP的制造工序中，需要使包括樹(shù)脂MR的封閉體從下金屬模具BM順暢地脫模。因此，如圖4所示，通常，在下金屬模具BM上插入能上下移動(dòng)的突出銷(頂出銷)EJPN,通過(guò)使用該突出銷EJPN，使樹(shù)脂封閉后的封閉體從下金屬模具BM脫模。
[0102]此時(shí)，如圖4所示，為了通過(guò)使突出銷EJPN突出，使施加到封閉體上的力均等且順暢地實(shí)現(xiàn)封閉體的脫模，突出銷EJPN的位置配置在將封閉體的橫向尺寸三等分的位置附近。即，如圖4所示，在與半導(dǎo)體芯片CHP1在平面上重合的位置配置突出銷EJPN。在該場(chǎng)合，在圖4所示的樹(shù)脂封閉工序中，認(rèn)為沒(méi)有任何問(wèn)題，但在采用以下所示的第二相關(guān)技術(shù)的場(chǎng)合，本發(fā)明人新發(fā)現(xiàn)問(wèn)題點(diǎn)顯著化。
[0103]對(duì)該第二相關(guān)技術(shù)進(jìn)行說(shuō)明。例如，如在上述第一相關(guān)技術(shù)也進(jìn)行那樣，在樹(shù)脂封閉工序中，在利用上金屬模具UM與下金屬模具BM夾入搭載了半導(dǎo)體芯片CHP1的引線架LF后，通過(guò)在由上金屬模具UM與下金屬模具BM夾入的密封空間注入樹(shù)脂MR，形成封閉體。因此，利用上金屬模具UM與下金屬模具BM夾入搭載了半導(dǎo)體芯片CHP1的引線架LF時(shí)的位置重合精度是重要的。因此，例如作為第二相關(guān)技術(shù)，在構(gòu)成引線架LF的一部分的擋板上設(shè)置定位孔，并且，在下金屬模具BM上設(shè)置定位銷，將定位銷插入定位孔。根據(jù)該第二相關(guān)技術(shù)，通過(guò)將定位銷插入定位孔，能夠可靠地將引線架LF固定在下金屬模具BM上，因此，能夠提高利用上金屬模具UM與下金屬模具BM夾入引線架LF時(shí)的位置重合精度。
[0104]并且，從提高下金屬模具BM與引線架LF的位置重合精度的觀點(diǎn)來(lái)看，在采用第二相關(guān)技術(shù)的場(chǎng)合，當(dāng)使突出銷EJPN的位置與上述第一相關(guān)技術(shù)同等時(shí)，難以實(shí)現(xiàn)順暢的脫模的問(wèn)題點(diǎn)顯著化。以下，對(duì)該點(diǎn)進(jìn)行說(shuō)明。
[0105]圖5是表示使用第二相關(guān)技術(shù)實(shí)施樹(shù)脂封閉工序的樣式的剖視圖。具體地說(shuō)，如圖5所示，在構(gòu)成引線架LF的一部分的擋板DM上形成定位孔AHL，在該定位孔AHL中插入設(shè)在下金屬模具BM上的定位銷APN。其結(jié)果，根據(jù)第二相關(guān)技術(shù)，能夠?qū)⒋钶d了半導(dǎo)體芯片CHP1的引線架LF可靠地固定在下金屬模具BM上，由此，能夠提高利用上金屬模具UM與下金屬模具BM夾入引線架LF時(shí)的位置重合精度。
[0106]如圖5所示，通常，在通過(guò)利用柱塞PJ使樹(shù)脂MR流入而形成封閉體后，使用插入下金屬模具BM的突出銷EJPN，使封閉體從下金屬模具BM脫模。該突出銷EJPN能夠利用突出銷板EPLT上下移動(dòng)，突出銷板EPLT能夠利用成形裝置的加壓機(jī)構(gòu)與彈簧SPR沿上下方向移動(dòng)。
[0107]此時(shí)，如圖5所示，考慮突出銷EJPN與半導(dǎo)體芯片CHP1在平面上重合地配置的場(chǎng)合。換言之，考慮將突出銷EJPN的位置配置在將封閉體的橫向的尺寸三等分的位置附近的場(chǎng)合。在該場(chǎng)合，突出銷EJPN的位置與定位銷APN的位置離開(kāi)。
[0108]在此，在設(shè)在引線架LF上的定位孔AHL中插入下金屬模具BM的定位銷APN，因此，該部分與引線架LF的其他部分比較，難以脫模。另外，圖5所示的右側(cè)的定位孔AHL被使樹(shù)脂MR流入的閘門(mén)覆蓋，因此，右側(cè)的定位孔AHL為由使通過(guò)閘門(mén)的樹(shù)脂MR覆蓋的狀態(tài)，因此，難以脫模。
[0109]因此，在突出銷EJPN的位置配置在將封閉體的橫向的尺寸三等分的位置附近的場(chǎng)合，在突出銷EJPN的位置與定位銷APN的位置離開(kāi)的狀態(tài)下，利用突出銷EJPN對(duì)半導(dǎo)體芯片CHP1的正下方區(qū)域施加負(fù)荷而脫模。此時(shí)，如圖6所示，以突出銷EJPN的位置與將定位銷APN插入定位孔AHL的連接部較大地離開(kāi)的情況、該連接部緊緊地被固定且定位銷APN難以從定位孔AHL拔出的情況、以及樹(shù)脂MR覆蓋該連接部的上部為起因而使連接部難以脫模。即，在第二相關(guān)技術(shù)中，如圖6所示，在通過(guò)使突出銷EJPN上升而使由樹(shù)脂MR構(gòu)成的封閉體從下金屬模具BM脫模時(shí)，離開(kāi)突出銷EJPN的連接部難以脫模。
[0110]其結(jié)果，在該連接部成為支點(diǎn)且未脫模的狀態(tài)下，利用突出銷EJPN將封閉體的中央部向上部提起。因此，如圖6所示，在使封閉體從下金屬模具BM脫模時(shí)，封閉體為向上凸的變形狀態(tài)。在該場(chǎng)合，變形在封閉體的中央部最大。并且，在封閉體的中央部封閉半導(dǎo)體芯片CHPl，在半導(dǎo)體芯片CHPl上形成作為薄板部的隔膜DF。因此，形成在半導(dǎo)體芯片CHPl上的隔膜DF由于使封閉體從下金屬模具BM脫模時(shí)的變形而容易被破壞。即，由于脫模時(shí)的封閉體的變形，形成在半導(dǎo)體芯片CHPl上的隔膜DF容易被破壞。因此，在第二相關(guān)技術(shù)中，由于隔膜DF被破壞而導(dǎo)致流量傳感器的成品率下降，由此，導(dǎo)致流量傳感器的制造成本增大的問(wèn)題顯著化。
[0111]如上所述，在第二相關(guān)技術(shù)中，從提高利用上金屬模具UM與下金屬模具BM夾入引線架LF時(shí)的位置重合精度的觀點(diǎn)出發(fā)，采用在構(gòu)成引線架LF的一部分的擋板DM上形成定位孔AHL，在該定位孔AHL中插入設(shè)在下金屬模具BM上的定位銷APN的連接結(jié)構(gòu)。另一方面，該連接結(jié)構(gòu)由于緊緊地固定引線架LF與下金屬模具BM，成為使封閉體從下金屬模具BM脫模時(shí)的障礙。因此，當(dāng)對(duì)利用突出銷EJPN的脫模方法未實(shí)施任何工夫，則在脫模時(shí)導(dǎo)致封閉體的較大的變形。特別地，在流量傳感器中，在被封閉體封閉的半導(dǎo)體芯片CHPl上形成由不耐變形的薄板部構(gòu)成的隔膜DF，因此，脫模時(shí)的封閉體的較大的變形直接導(dǎo)致流量傳感器被破壞。
[0112]因此，在本實(shí)施方式一中，為了改進(jìn)上述方面，以采用在構(gòu)成引線架LF的一部分的擋板DM上形成定位孔AHL，在該定位孔AHL中插入設(shè)在下金屬模具BM上的定位銷APN的連接結(jié)構(gòu)為前提，在利用突出銷EJPN的脫模方法上下工夫。以下對(duì)實(shí)施該工夫的本實(shí)施方式一的技術(shù)思想進(jìn)行說(shuō)明。
[0113]<實(shí)施方式一的特征的概要>
[0114]本實(shí)施方式一的特征在于，在與在形成在半導(dǎo)體芯片上的露出的流量檢測(cè)部上流動(dòng)的氣體的前進(jìn)方向平行的流量傳感器的任意剖面中，通過(guò)與配置在中央部附近的半導(dǎo)體芯片不重合地使配置在半導(dǎo)體芯片的外側(cè)區(qū)域的突出銷從下金屬模具突出，使封閉體從下金屬模具脫模。由此，與在與半導(dǎo)體芯片重合的區(qū)域配置突出銷地進(jìn)行封閉體從下金屬模具的脫模的場(chǎng)合相比，能夠減小在脫模時(shí)施加在封閉體上的變形。即，與利用突出銷使封閉體的中央部附近突出的結(jié)構(gòu)相比，通過(guò)采用利用突出銷使封閉體的周邊部(外緣部)附近突起的結(jié)構(gòu)，能夠減小封閉體的變形。其結(jié)果，能夠防止由于施加在封閉體上的變形，導(dǎo)致形成在半導(dǎo)體芯片上的隔膜被破壞，由此，能夠?qū)崿F(xiàn)流量傳感器的成品率提高，或者流量傳感器的制造成本的下降。
[0115]特別地，在該第一實(shí)施方式中，在封閉體的外側(cè)配置擋板，將形成在下金屬模具上的定位銷插入設(shè)在該擋板上的定位孔而形成連接部。該連接部被緊緊地固定，定位銷難以從定位孔拔出，并且，樹(shù)脂覆蓋該連接部的上部為，由此，連接部難以脫模，但在本實(shí)施方式一中，采用利用突出銷使封閉體的周邊部(外緣部)突出的結(jié)構(gòu)。這意味著，利用突出銷的突出位置與連接部的位置接近，由此，連接部容易脫模，并且，也能抑制難以脫模的連接部成為支點(diǎn)的封閉體的變形。因此，根據(jù)本實(shí)施方式一，能夠防止由于施加在封閉體上的較大的變形致使形成在半導(dǎo)體芯片上的隔膜被破壞，由此，能夠得到能實(shí)現(xiàn)流量傳感器的成品率提高，或者流量傳感器的制造成本下降的顯著的效果。
[0116]<實(shí)施方式一的流量傳感器的安裝結(jié)構(gòu)>
[0117]以下，說(shuō)明本實(shí)施方式一的流量傳感器的安裝結(jié)構(gòu)。圖7是表示本實(shí)施方式一的流量傳感器FS1的安裝結(jié)構(gòu)的圖，是表示利用樹(shù)脂封閉前的結(jié)構(gòu)的圖。特別地，圖7(a)是表示本實(shí)施方式一的流量傳感器FS1的安裝結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖7(b)是由圖7(a)的A-A線剖切的剖視圖，圖7(c)是表示半導(dǎo)體芯片CHP1的背面的俯視圖。
[0118]首先，如圖7(a)所示，本實(shí)施方式一的流量傳感器FS1例如具有由鋼材構(gòu)成的引線架LF。該引線架LF在由構(gòu)成外框體的擋板DM包圍的內(nèi)部具有芯片搭載部TAB1與芯片搭載部TAB2。并且，在芯片搭載部TAB1上搭載半導(dǎo)體芯片CHP1，在芯片搭載部TAB2上搭載半導(dǎo)體芯片CHP2。
[0119]半導(dǎo)體芯片CHP1呈矩形形狀，在大致中央部形成流量檢測(cè)部FDU。并且，與流量檢測(cè)部FDU連接的配線WL1形成在半導(dǎo)體芯片CHP1上。該配線WL1與沿半導(dǎo)體芯片CHP1的一邊形成的多個(gè)焊墊PD1連接。即，流量檢測(cè)部FDU與多個(gè)焊墊PD1由配線WL1連接。這些焊墊PD1例如通過(guò)由金屬線構(gòu)成的金屬絲W1與形成在引線架LF上的引線LD1連接。形成在引線架LF上的引線LD1還通過(guò)例如由金屬線構(gòu)成的金屬絲W2與形成在半導(dǎo)體芯片CHP2上的焊墊PD2連接。
[0120]在半導(dǎo)體芯片CHP2 上形成由 MISFET(Metal Insulator Semiconductor FieldEffect Transistor)等半導(dǎo)體元件、配線構(gòu)成的集成電路。具體地說(shuō)，形成構(gòu)成圖1所示的CPU1、輸入電路2、輸出電路3、或存儲(chǔ)器4等的集成電路。這些集成電路與作為外部連接端子起作用的焊墊PD2或焊墊PD3連接。并且，形成在半導(dǎo)體芯片CHP2上的焊墊PD3通過(guò)例如由金屬線構(gòu)成的金屬絲W3與形成在引線架LF上的引線LD2連接。這樣，形成有流量檢測(cè)部FDU的半導(dǎo)體芯片CHP1與形成有控制電路的半導(dǎo)體芯片CHP2通過(guò)形成在引線架LF上的引線LD1連接。在此，雖未圖示，但在半導(dǎo)體芯片CHP1的最外表面，以與進(jìn)行粘接的樹(shù)脂的應(yīng)力緩沖、表面保護(hù)、絕緣等為目的形成聚酰亞胺膜。
[0121]另外，圖7(a)所示的擋板DM具有防止后述的樹(shù)脂封閉工序的樹(shù)脂泄漏的功能。在本實(shí)施方式一中，在具有這種功能的擋板DM上設(shè)有多個(gè)定位孔AHL。該定位孔AHL用于使設(shè)在后述的下金屬模具上的定位銷插入，通過(guò)將定位銷插入設(shè)在擋板DM上的定位孔AHL中，能夠可靠地將具有擋板DM的引線架LF固定在下金屬模具上。由此，能夠提高將引線架LF配置在下金屬模具時(shí)的定位精度。
[0122]接著，如圖7(b)所示，在引線架LF上形成芯片搭載部TAB1，在該芯片搭載部TAB1上搭載半導(dǎo)體芯片CHP1。該半導(dǎo)體芯片CHP1利用粘接材料ADH1與芯片搭載部TAB1粘接。在半導(dǎo)體芯片CHP1的背面形成隔膜DF(薄板部)，在與隔膜DF相對(duì)的半導(dǎo)體芯片CHP1的表面形成流量檢測(cè)部FDU。另一方面，在位于隔膜DF的下方的芯片搭載部TAB1的底部形成開(kāi)口部0P1。在此，表示在位于隔膜DF的下方的芯片搭載部TAB1的底部形成開(kāi)口部0P1的例子，但本實(shí)施方式一的技術(shù)思想未限定于此，也能夠使用未形成開(kāi)口部0P1的引線架LF。
[0123]另外，如圖7(b)所示，在半導(dǎo)體芯片CHP1的表面(上表面)除了流量檢測(cè)部FDU夕卜，還形成有與流量檢測(cè)部FDU連接的焊墊roi，該焊墊PD1通過(guò)金屬絲W1與形成在引線架LF上的引線LD1連接。并且，在引線架LF上除了半導(dǎo)體芯片CHP1，還搭載半導(dǎo)體芯片CHP2，半導(dǎo)體芯片CHP2利用粘接材料ADH2粘接在芯片搭載部TAB2上。另外，形成在半導(dǎo)體芯片CHP2上的焊墊PD2與形成在引線架LF上的引線LDl通過(guò)金屬絲W2連接。形成在半導(dǎo)體芯片CHP2上的焊墊PD3與形成在引線架LF上的引線LD2通過(guò)金屬絲W3電連接。
[0124]粘接半導(dǎo)體芯片CHPl與芯片搭載部TABl的粘接材料ADHl或粘接半導(dǎo)體芯片CHP2與芯片搭載部TAB2的粘接材料ADH2例如能夠使用以環(huán)氧樹(shù)脂或聚氨酯樹(shù)脂等熱固化性樹(shù)脂為成分的粘接材料、以聚酰亞胺樹(shù)脂或丙烯樹(shù)脂、氟素樹(shù)脂等熱可塑性樹(shù)脂為成分的粘接材料。
[0125]例如，半導(dǎo)體芯片CHPl與芯片搭載部TABl的粘接能夠通過(guò)如圖7 (C)所示那樣涂敷粘接材料ADHl或銀軟膏等、薄膜狀的粘接材料進(jìn)行。圖7(c)是表示半導(dǎo)體芯片CHPl的背面的俯視圖。如圖7(c)所示，在半導(dǎo)體芯片CHPl的背面形成隔膜DF，以包圍該隔膜DF的方式涂敷粘接材料ADHl。另外，在圖7(c)中，表示以將隔膜DF包圍為四邊形形狀的方式涂敷粘接材料ADHl的例子，但未限定于此，也可以以橢圓形狀等任意形狀包圍隔膜DF的方式涂敷粘接材料ADHl。
[0126]在本實(shí)施方式一的流量傳感器FSl中，利用樹(shù)脂封閉前的流量傳感器FSl的安裝結(jié)構(gòu)如上述那樣構(gòu)成，以下對(duì)利用樹(shù)脂封閉后的流量傳感器FSl的安裝結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。
[0127]圖8是表示本實(shí)施方式一的流量傳感器FSl的安裝結(jié)構(gòu)的圖，是表示利用樹(shù)脂封閉后的結(jié)構(gòu)的圖。特別地，圖8(a)是表示本實(shí)施方式一的流量傳感器FSl的安裝結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖8(b)是由圖8(a)的A-A線剖切的剖視圖，圖8 (c)是以圖8(a)的B-B線剖切的首1J視圖。
[0128]在本實(shí)施方式一的流量傳感器FSl中，如圖8(a)所示，為在使形成在半導(dǎo)體芯片CHPl上的流量檢測(cè)部FDU露出的狀態(tài)下，半導(dǎo)體芯片CHPl的一部分及半導(dǎo)體芯片CHP2的整體由樹(shù)脂MR覆蓋的結(jié)構(gòu)。即，在本實(shí)施方式一中，在使形成有流量檢測(cè)部FDU的區(qū)域露出的狀態(tài)下，一并利用樹(shù)脂MR封閉半導(dǎo)體芯片CHPl的焊墊形成區(qū)域及半導(dǎo)體芯片CHP2的全部區(qū)域。
[0129]在此，在本實(shí)施方式一中，例如可以以覆蓋與形成在半導(dǎo)體芯片CHPl上的焊墊ro電連接的金屬絲Wl的方式，設(shè)置由樹(shù)脂MR構(gòu)成的凸部。即，為了可靠地封閉環(huán)高度高的金屬線(金屬絲)等部件，能夠在樹(shù)脂MR(封閉體)上形成凸部。但是，如圖8(a)及圖8(b)所示，在本實(shí)施方式一中，凸部不是必須結(jié)構(gòu)部件。即，即使不設(shè)置凸部，只要能利用樹(shù)脂MR封閉電連接形成在半導(dǎo)體芯片CHPl上的焊墊PDl與引線LDl的金屬線(金屬絲)，則不需要在樹(shù)脂MR(封閉體)上設(shè)置凸部。
[0130]另外，上述樹(shù)脂MR例如能夠使用環(huán)氧樹(shù)脂或苯酚樹(shù)脂等熱固化性樹(shù)脂、聚碳酸酯、聚對(duì)笨二甲酸乙酯等熱可塑性樹(shù)脂，并且，也能夠在樹(shù)脂中混入玻璃或云母等填充材料。
[0131]根據(jù)本實(shí)施方式一，利用該樹(shù)脂MR的封閉能夠在利用金屬模具固定形成有流量檢測(cè)部FDU的半導(dǎo)體芯片CHPl的狀態(tài)下進(jìn)行，因此，能夠在抑制半導(dǎo)體芯片CHPl的位置偏離的狀態(tài)下，利用樹(shù)脂MR封閉半導(dǎo)體芯片CHPl的一部分及半導(dǎo)體芯片CHP2，這表示，根據(jù)本實(shí)施方式一的流量傳感器FSl，能在抑制各流量傳感器FSl的位置偏離的狀態(tài)下，利用樹(shù)脂MR封閉半導(dǎo)體芯片CHPl的一部分及半導(dǎo)體芯片CHP2的全部區(qū)域，能抑制形成在半導(dǎo)體芯片CHPl上的流量檢測(cè)部FDU的位置偏離。
[0132]其結(jié)果，根據(jù)本實(shí)施方式一，由于能夠使檢測(cè)氣體的流量的流量檢測(cè)部FDU的位置在各流量傳感器FS1中一致，因此，能夠得到能夠抑制在各流量傳感器FS1中檢測(cè)氣體流量的性能偏差的顯著的效果。
[0133]另外，在本實(shí)施方式一中，為了防止樹(shù)脂MR進(jìn)入隔膜DF的內(nèi)部空間，例如，以采用以包圍形成在半導(dǎo)體芯片CHP1的背面的隔膜DF的方式涂敷粘接材料ADH1的結(jié)構(gòu)為前提。并且，如圖8(b)及圖8(c)所示，在位于形成在半導(dǎo)體芯片CHP1的背面的隔膜DF的下方的芯片搭載部TAB1的底部形成開(kāi)口部0P1，并且，在覆蓋芯片搭載部TAB1的背面的樹(shù)脂MR上設(shè)置開(kāi)口部0P2。
[0134]由此，根據(jù)本實(shí)施方式一的流量傳感器FS1，隔膜DF的內(nèi)部空間通過(guò)形成在芯片搭載部TAB1的底部的開(kāi)口部0P1及形成在樹(shù)脂MR的開(kāi)口部0P2與流量傳感器FS1的外部空間連通。其結(jié)果，能夠使隔膜DF的內(nèi)部空間的壓力與流量傳感器FS1的外部空間的壓力相等，抑制在隔膜DF上施加應(yīng)力。
[0135]另外，在本實(shí)施方式一中，樹(shù)脂MR的上表面SUR(MR)比半導(dǎo)體芯片CHP1的上表面SUR(CHP)高。即，在本實(shí)施方式一中，在與空氣的流動(dòng)并行方向的剖面中，樹(shù)脂MR(封閉體)的上表面SUR(MR)高度比包括流量檢測(cè)部FDU的半導(dǎo)體芯片CHP1的上表面SUR(CHP)的高度高。由此，能夠使在流量檢測(cè)部FDU的上方流動(dòng)的空氣的流動(dòng)穩(wěn)定化，由此，能夠提高流量檢測(cè)部FDU的流量檢測(cè)精度。
[0136]另外，在本實(shí)施方式一的流量傳感器FS1中，在與空氣的流動(dòng)并行方向(Y方向)的剖面中，呈樹(shù)脂MR局部地覆蓋半導(dǎo)體芯片CHP1的上部的形狀。因此，在與空氣的流動(dòng)并行方向的剖面中，半導(dǎo)體芯片CHP1與樹(shù)脂MR的接觸面積增加，因此，能夠防止半導(dǎo)體芯片CHP1與樹(shù)脂MR的界面的剝離。
[0137]如上所述，本實(shí)施方式一的流量傳感器FS1具備上述特征點(diǎn)，因此，能夠避免裂縫從剝離部分成長(zhǎng)而產(chǎn)生較大的分割的問(wèn)題，并且，能夠抑制在流量檢測(cè)部FDU的上方的空氣的紊亂。其結(jié)果，能夠提高在流量檢測(cè)部FDU的正確的空氣流量的測(cè)定精度。
[0138]在此，在本實(shí)施方式一中，具有采用利用突出銷使封閉體的周邊部(外緣部)附近突出的結(jié)構(gòu)這一特征。因此，利用突出銷使封閉體的周邊部(外緣部)附近突出的結(jié)構(gòu)的痕跡殘留在作為最終產(chǎn)生的流量傳感器FS1上。具體地說(shuō)，如圖8(c)所示，在封閉體的厚度方向中，由突出銷產(chǎn)生的痕跡殘留在不與半導(dǎo)體芯片CHP1重合且為半導(dǎo)體芯片CHP1的外側(cè)區(qū)域的推起區(qū)域EJA。換言之，由突出銷產(chǎn)生的痕跡殘留在不與芯片搭載部TAB1重合且為芯片搭載部TAB1的外側(cè)區(qū)域的推起區(qū)域EJA。該痕跡的具體形狀將后述。
[0139]如上所述，本實(shí)施方式一的流量傳感器FS1為安裝結(jié)構(gòu)，但在實(shí)際的流量傳感器FS1中，在由樹(shù)脂MR封閉后，除去構(gòu)成引線架LF的外框體的擋板DM。在圖8(a)中，表示除去了擋板DM后的流量傳感器FS1的安裝結(jié)構(gòu)。如圖8(a)所示，通過(guò)切斷擋板DM，能夠?qū)⒍鄠€(gè)電信號(hào)從多個(gè)引線LD2獨(dú)立地取出。
[0140]圖9是從背面?zhèn)扔^察本實(shí)施方式一的流量傳感器FS1的俯視圖。如圖9所示，本實(shí)施方式一的流量傳感器FS1具有由樹(shù)脂MR構(gòu)成的矩形形狀的封閉體，多個(gè)引線LD2從該樹(shù)脂MR突出。并且，在由樹(shù)脂MR構(gòu)成的封閉體的內(nèi)部，如圖9的虛線所示，埋入半導(dǎo)體芯片CHP1，形成有與形成在該半導(dǎo)體芯片CHP1上的隔膜連通的開(kāi)口部0P1及開(kāi)口部0P2。開(kāi)口部0P1設(shè)在搭載了半導(dǎo)體芯片CHP1的芯片搭載部上，開(kāi)口部0P2設(shè)在構(gòu)成封閉體的樹(shù)脂MR上。從圖9可以看出，開(kāi)口部0P2的直徑比開(kāi)口部0P1的直徑大。
[0141]并且，如圖9所示，在構(gòu)成流量傳感器FSl的封閉體的背面殘存由突出銷產(chǎn)生的多個(gè)痕跡TC。具體地說(shuō)，如圖9所示，所示，沿構(gòu)成封閉體的外緣部的一部分的長(zhǎng)邊方向(X方向)以等間隔排列多個(gè)痕跡TC。另一方面，當(dāng)著眼于構(gòu)成封閉體的外緣部的一部分的短邊方向(Y方向)(與氣體流動(dòng)的方向并行的方向)時(shí)，在俯視中，在不與半導(dǎo)體芯片CHPl重合且半導(dǎo)體芯片CHPl的外側(cè)區(qū)域形成痕跡TC。換言之，在俯視中，在由半導(dǎo)體芯片CHPl與封閉體的外緣區(qū)域夾住的區(qū)域形成痕跡TC。因此，在本實(shí)施方式一的流量傳感器FSl上殘存樹(shù)脂封閉工序后由所實(shí)施的突出銷產(chǎn)生的脫模工序的痕跡TC，如果觀察作為最終產(chǎn)生的流量傳感器FSl的背面，則在樹(shù)脂封閉工序后的脫模工序中，能夠特定突出銷是否被按壓在封閉體的某位置。這表示，如果觀察作為最終產(chǎn)品的流量傳感器FS1，則能夠判斷是否是實(shí)施了作為本實(shí)施方式一的特征的脫模工序的產(chǎn)品。
[0142]<實(shí)施方式一的流量傳感器的制造方法>
[0143]以下，參照【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】本實(shí)施方式一的特征即流量傳感器FSl的制造方法。首先，使用以圖8 (a)的A-A線剖切的剖視圖，以明確化本實(shí)施方式的流量傳感器FSl是具有半導(dǎo)體芯片CHPl與半導(dǎo)體芯片CHP2的雙芯片結(jié)構(gòu)的觀點(diǎn)進(jìn)行說(shuō)明(圖10?圖13)。之后，通過(guò)使用以圖8(a)的B-B線剖切的剖視圖，以使本實(shí)施方式一的特征工序明確化的觀點(diǎn)進(jìn)行說(shuō)明(圖14?圖17)。
[0144]首先，如圖10所示，例如準(zhǔn)備由銅材構(gòu)成的引線架LF。在該引線架LF上一體地形成芯片搭載部TABl、芯片搭載部TAB2、弓丨線LDl及引線LD2，在芯片搭載部TABl的底部形成開(kāi)口部0P1。
[0145]接著，如圖11所示，在芯片搭載部TABl上形成半導(dǎo)體芯片CHP1，在芯片搭載部TAB2上搭載半導(dǎo)體芯片CHP2。具體地說(shuō)，利用粘接材料ADHl將半導(dǎo)體芯片CHPl連接在形成在引線架LF上的芯片搭載部TABl上。此時(shí)，以形成在半導(dǎo)體芯片CHPl上的隔膜DF與形成在芯片搭載部TABl的底部的開(kāi)口部OPl連通的方式將半導(dǎo)體芯片CHPl搭載在芯片搭載部TABl上。
[0146]另外，在半導(dǎo)體芯片CHPl上，由通常的半導(dǎo)體制造工序形成流量檢測(cè)部FDU、配線(未圖示)及焊墊roi。并且，例如通過(guò)各向異性蝕刻，在與形成在半導(dǎo)體芯片CHPi的表面的流量檢測(cè)部FDU相對(duì)的位置的背面位置形成隔膜DF。另外，還利用粘接材料ADH2在形成在引線架LF上的芯片搭載部TAB2上搭載半導(dǎo)體芯片CHP2。在該半導(dǎo)體芯片CHP2上，預(yù)先通過(guò)通常的半導(dǎo)體制造工序，形成MISFET等半導(dǎo)體元件(未圖示)、配線(未圖示)、焊墊PD2 焊墊 PD3。
[0147]接著，如圖12所示，利用金屬絲Wl連接(引線鍵合)形成在半導(dǎo)體芯片CHPl上的焊墊ro1、形成在引線架LF上的引線LD1。同樣地，利用引線LDl與金屬絲W2連接形成在半導(dǎo)體芯片CHP2上的焊墊Η)2，利用引線LD2與金屬絲W3連接形成在半導(dǎo)體芯片CHP2上的焊墊TO3。金屬絲Wl?W3例如由金屬線形成。
[0148]之后，如圖13所示，利用樹(shù)脂MR封閉(模制工序)除了流量檢測(cè)部FDU及其附近的半導(dǎo)體芯片CHPl的表面、金屬絲W1、引線LD1、金屬絲W2、半導(dǎo)體芯片CHP2的主面全面、金屬絲W3及引線LD2的一部分。具體地說(shuō)，如圖13所示，利用上金屬模具UM與下金屬模具BM并隔著第二空間(密封空間)夾入搭載了半導(dǎo)體芯片CHPl及半導(dǎo)體芯片CHP2的引線架LF。之后，在加熱下，通過(guò)使樹(shù)脂MR流入該第二空間(密封空間)，利用樹(shù)脂MR封閉除了流量檢測(cè)部FDU及其附近的半導(dǎo)體芯片CHP1的表面、金屬絲W1、引線LD1、金屬絲W2、半導(dǎo)體芯片CHP2的主面全面、金屬絲W3及引線LD2的一部分。
[0149]此時(shí)，如圖13所示，隔膜DF的內(nèi)部空間利用粘接材料ADH1與上述第一空間隔離，因此，在利用樹(shù)脂MR填充第一空間時(shí)，也能夠防止樹(shù)脂MR進(jìn)入隔膜DF的內(nèi)部空間。
[0150]另外，在本實(shí)施方式一中，由于在利用金屬模具固定形成有流量檢測(cè)部FDU的半導(dǎo)體芯片CHP1的狀態(tài)下進(jìn)行，因此，能在抑制半導(dǎo)體芯片CHP1的位置偏離的狀態(tài)下，利用樹(shù)脂MR封閉半導(dǎo)體芯片CHP1的一部分及半導(dǎo)體芯片CHP2。這意味著，根據(jù)本實(shí)施方式一的流量傳感器的制造方法，能在抑制各流量傳感器的位置偏離的狀態(tài)下，利用樹(shù)脂MR封閉半導(dǎo)體芯片CHP1的一部分及半導(dǎo)體芯片CHP2的全部區(qū)域，能夠抑制形成在半導(dǎo)體芯片CHP1上的流量檢測(cè)部FDU的位置偏離。其結(jié)果，根據(jù)本實(shí)施方式一，由于檢測(cè)氣體的流量的流量檢測(cè)部FDU的位置能夠在各流量傳感器中一致，因此，能夠得到能夠在各流量傳感器中抑制檢測(cè)氣體流量的性能偏差的顯著的效果。
[0151]在此，在本實(shí)施方式一的流量傳感器的制造方法中，以利用與第二空間隔離的第一空間SP1包圍形成在半導(dǎo)體芯片CHP1上的流量檢測(cè)部FDU的方式利用下金屬模具BM與上金屬模具UM夾入搭載了半導(dǎo)體芯片CHP1的引線架LF。由此，根據(jù)本實(shí)施方式一，能夠在使形成在半導(dǎo)體芯片CHP1上的流量檢測(cè)部FDU及其附近區(qū)域露出的狀態(tài)下封閉其以外的半導(dǎo)體芯片CHP1的表面區(qū)域。
[0152]另外，在本實(shí)施方式一的流量傳感器的制造方法中，在利用上金屬模具UM與下金屬模具BM夾入搭載了半導(dǎo)體芯片CHP1的引線架LF時(shí)，使彈性體薄膜LAF介于搭載了半導(dǎo)體芯片CHP1的引線架LF與上金屬模具UM之間。例如，由于在各個(gè)半導(dǎo)體芯片CHP1的厚度方面存在尺寸不均，因此，在半導(dǎo)體芯片CHP1的厚度比平均厚度薄的場(chǎng)合，在利用上金屬模具UM與下金屬模具BM夾入搭載了半導(dǎo)體芯片CHP1的引線架LF時(shí)，產(chǎn)生間隙，樹(shù)脂MR從該間隙流到半導(dǎo)體芯片CHP1上。另一方面，在半導(dǎo)體芯片CHP1的厚度比平均厚度厚的場(chǎng)合，在利用上金屬模具UM與下金屬模具BM夾入搭載了半導(dǎo)體芯片CHP1的引線架LF時(shí)，施加在半導(dǎo)體芯片CHP1上的力變大，半導(dǎo)體芯片CHP1有可能斷裂。
[0153]因此，在本實(shí)施方式一中，為了防止由上述半導(dǎo)體芯片CHP1的厚度不均引起的向半導(dǎo)體芯片CHP1上的樹(shù)脂泄漏，或者半導(dǎo)體芯片CHP1斷裂，使彈性體薄膜LAF介于搭載了半導(dǎo)體芯片CHP1的引線架LF與上金屬模具UM之間。由此，例如，在半導(dǎo)體芯片CHP1的厚度比平均厚度薄的場(chǎng)合，在利用上金屬模具UM與下金屬模具BM夾入搭載了半導(dǎo)體芯片CHP1的引線架LF時(shí)，產(chǎn)生間隙，但由于能夠利用彈性體薄膜LAF填充該間隙，因此，能夠防止樹(shù)脂泄漏到半導(dǎo)體芯片CHP1上。另一方面，在半導(dǎo)體芯片CHP1的厚度比平均厚度厚的場(chǎng)合，在利用上金屬模具UM與下金屬模具BM夾入搭載了半導(dǎo)體芯片CHP1的引線架LF時(shí)，彈性體薄膜LAF柔軟，因此，為了吸收半導(dǎo)體芯片CHP1的厚度，彈性體薄膜LAF的厚度方向的尺寸變化。由此，即使半導(dǎo)體芯片CHP1的厚度比平均厚度厚，也能防止過(guò)度的力施加在半導(dǎo)體芯片CHP1上，其結(jié)果，能夠防止半導(dǎo)體芯片CHP1斷裂。
[0154]另外，作為上述彈性體薄膜LAF，例如能夠使用特氟綸(注冊(cè)商標(biāo))、或氟素樹(shù)脂等高分子材料。
[0155]接著，如圖13所示，在本實(shí)施方式一中，樹(shù)脂MR還流入引線架LF的背面?zhèn)?。因此，由于在芯片搭載部TAB1的底部形成有開(kāi)口部0P1，因此，樹(shù)脂MR有可能從該開(kāi)口部0P1流入隔膜DF的內(nèi)部空間。因此，在本實(shí)施方式一中，在夾入引線架LF的下金屬模具BM的形狀上下功夫。具體地說(shuō)，如圖13所示，在下金屬模具BM上形成突起狀的凸模IP1，在利用上金屬模具UM與下金屬模具BM夾入引線架LF時(shí)，形成在下金屬模具BM上的突起狀的凸模IP1插入形成在芯片搭載部TAB1的底部的開(kāi)口部0P1中。由此，由于凸模IP1沒(méi)有間隙地插入開(kāi)口部0P1，因此，能夠防止樹(shù)脂MR從開(kāi)口部OP 1進(jìn)入隔膜DF的內(nèi)部空間。即，在本實(shí)施方式一中，在下金屬模具BM上形成突起狀的凸模IP1，在樹(shù)脂封閉時(shí)，將該凸模IP1插入形成在芯片搭載部TAB1的底部的開(kāi)口部0P1。
[0156]另外，在本實(shí)施方式一中，在凸模IP1的形狀上下工夫。具體地說(shuō)，在本實(shí)施方式一中，凸模IP1包括插入開(kāi)口部0P1的插入部、支撐該插入部的底座部，底座部的截面積比插入部的截面積大。由此，凸模IP1為在插入部與底座部之間設(shè)有臺(tái)階部的結(jié)構(gòu)，該臺(tái)階部與芯片搭載部TAB1的底面密合。
[0157]通過(guò)這樣構(gòu)成凸模IP1，得到以下所示的效果。例如，在只由上述插入部構(gòu)成凸模IP1的形狀的場(chǎng)合，插入部被插入開(kāi)口部0P1，因此，凸模IP1的插入部的直徑比開(kāi)口部0P1的直徑稍小。因此，在只由插入部構(gòu)成凸模IP1的場(chǎng)合，即使將凸模IP1的插入部插入開(kāi)口部0P1的場(chǎng)合，也認(rèn)為在插入部的插入部與開(kāi)口部0P1之間存在些許的間隙。在該場(chǎng)合，樹(shù)脂MR有可能從間隙進(jìn)入隔膜DF的內(nèi)部空間。
[0158]因此，在本實(shí)施方式一中，使凸模IP1為在截面積比插入部大的底座部上形成插入部的結(jié)構(gòu)。在該場(chǎng)合，如圖13所示，在開(kāi)口部0P1的內(nèi)部插入凸模IP1的插入部，并且，凸模IP1的底座部與芯片搭載部TAB1的底面密合。其結(jié)果，即使在凸模IP1的插入部與開(kāi)口部0P1之間產(chǎn)生些許的間隙，由于底座部被緊緊地按壓在芯片搭載部TAB1的背面，因此，能防止樹(shù)脂MR進(jìn)入開(kāi)口部0P1內(nèi)。即，在本實(shí)施方式一中，使凸模IP1構(gòu)成為在截面積比插入部大的底座部上設(shè)置插入部，因此，通過(guò)利用底座部而不會(huì)使樹(shù)脂MR到達(dá)開(kāi)口部0P1這點(diǎn)、形成在底座部與插入部之間的臺(tái)階部被按壓在芯片搭載部TAB1上這點(diǎn)的組合，能夠有效地防止樹(shù)脂MR通過(guò)開(kāi)口部0P1進(jìn)入隔膜DF的內(nèi)部空間。
[0159]之后，在樹(shù)脂MR固化的階段，從上金屬模具UM與下金屬模具BM卸下搭載了半導(dǎo)體芯片CHP1及半導(dǎo)體芯片CHP2的引線架LF。由此，能夠制造本實(shí)施方式一的流量傳感器FS1。在此時(shí)制造的流量傳感器FS1中，在樹(shù)脂封閉工序中使用形成凸模IP1的下金屬模具BM的結(jié)果，例如如圖8(b)所示，在芯片搭載部TAB1的底面形成開(kāi)口部0P1，在樹(shù)脂MR上形成與該開(kāi)口部0P1連通的開(kāi)口部0P2。該開(kāi)口部0P2作為在凸模IP1上形成底座部的結(jié)果而產(chǎn)生，該開(kāi)口部0P2的截面積比開(kāi)口部0P1的截面積大。由此，根據(jù)本實(shí)施方式一的流量傳感器FS1，隔膜DF的內(nèi)部空間通過(guò)形成在芯片搭載部TAB1的底部的開(kāi)口部0P1及形成在樹(shù)脂MR上的開(kāi)口部0P2與流量傳感器FS1的外部空間連通。其結(jié)果，能夠使隔膜DF的內(nèi)部空間的壓力與流量傳感器FS1的外部空間的壓力相等，能夠抑制應(yīng)力施加在隔膜DF上。
[0160]接著，以使本實(shí)施方式一的特征工序明確化的觀點(diǎn)，說(shuō)明流量傳感器FS1的制造工序(圖14?圖17)。
[0161]首先，如圖14所示，準(zhǔn)備例如由銅材構(gòu)成的引線架LF。在該引線架LF上形成芯片搭載部TAB1，在芯片搭載部TAB1的底部形成開(kāi)口部0P1。另外在引線架LF上形成擋板DM,在該擋板DM上形成定位孔AHL。
[0162]接著，如圖15所示，在芯片搭載部TAB1上搭載半導(dǎo)體芯片CHP1。具體地說(shuō)，利用粘接材料ADHl將半導(dǎo)體芯片CHPl連接在形成在引線架LF上的芯片搭載部TABl上。此時(shí)，以形成在半導(dǎo)體芯片CHPl上的隔膜DF與形成在芯片搭載部TABl的底部的開(kāi)口部OPl連通的方式將半導(dǎo)體芯片CHPl搭載在芯片搭載部TABl上。
[0163]另外，在半導(dǎo)體芯片CHPl上，利用通常的半導(dǎo)體制造工序形成流量檢測(cè)部FDU、配線(未圖示)以及焊墊(未圖示)。并且，例如通過(guò)各向異性蝕刻，在與形成在半導(dǎo)體芯片CHPl的表面的流量檢測(cè)部FDU相對(duì)的背面位置形成隔膜DF。
[0164]之后，雖然未圖示，但利用金屬絲連接(引線鍵合)形成在半導(dǎo)體芯片CHPl上的焊墊與形成在引線架LF上的引線。該金屬絲例如由金屬線形成。
[0165]接著，如圖16所示，利用樹(shù)脂MR封閉(模制工序)半導(dǎo)體芯片CHPl的側(cè)面。SP，在使形成在半導(dǎo)體芯片CHPl上的流量檢測(cè)部FDU露出的狀態(tài)下，利用樹(shù)脂MR(封閉體)封閉半導(dǎo)體芯片CHPl的一部分。
[0166]具體地說(shuō)，首先，準(zhǔn)備粘貼了彈性體薄膜LAF的上金屬模具UM、插入了突出銷EJPN的下金屬模具BM。
[0167]接著，隔著彈性體薄膜LAF使上金屬模具UM的一部分與半導(dǎo)體芯片CHPl的上表面密合，并且，在上金屬模具UM與半導(dǎo)體芯片CHPl之間形成包圍流量檢測(cè)部FDU的第一空間SP1，利用上金屬模具UM與下金屬模具BM，隔著第二空間夾入搭載了半導(dǎo)體芯片CHPl的引線架LF。此時(shí)，在構(gòu)成引線架LF的一部分的擋板DM上設(shè)有定位孔AHL，另一方面，在下金屬模具BM上形成定位銷APN。并且，在形成在擋板DM上的定位孔AHL中插入定位銷APN，引線架LF緊緊地被固定在下金屬模具BM上。因此，根據(jù)本實(shí)施方式一，能夠提高將引線架LF配置在下金屬模具BM上時(shí)的定位精度。
[0168]之后，在加熱下，利用柱塞PJ使樹(shù)脂MR流入第二空間。此時(shí)，如圖16所示，在下金屬模具BM上插入突出銷EJPN。該突出銷EJPN能夠利用突出銷板EPLT上下移動(dòng)，突出銷板EPLT能夠利用成形裝置的加壓機(jī)構(gòu)與彈簧SPR沿上下方向移動(dòng)。
[0169]接著，如圖17所示，在樹(shù)脂MR固化的階段，從上金屬模具UM與下金屬模具BM卸下搭載了半導(dǎo)體芯片CHPl的引線架LF。具體地說(shuō)，首先，在從包括樹(shù)脂MR的封閉體卸下上金屬模具UM后，利用成形裝置的加壓機(jī)構(gòu)與彈簧SPR，使突出銷板EPLT向上方移動(dòng)。由此，連接在突出銷板EPLT上的突出銷EJPN也向上方移動(dòng)。其結(jié)果，利用由向上方移動(dòng)的突出銷EJPN產(chǎn)生的突出，封閉了半導(dǎo)體芯片CHPl的一部分的封閉體從下金屬模具BM脫模。
[0170]在此，本實(shí)施方式一的特征在于，在與流經(jīng)形成在半導(dǎo)體芯片CHPl上的流量檢測(cè)部FDU上的氣體的前進(jìn)方向并行的流量傳感器FSl的任意剖面中，通過(guò)使不與配置在中央部附近的半導(dǎo)體芯片CHPl重合地配置在半導(dǎo)體芯片CHPl的外側(cè)區(qū)域的突出銷EJPN從下金屬模具BM突出，使封閉體從下金屬模具BM脫模。換言之，突出銷EJPN在與流經(jīng)露出的流量檢測(cè)部FDU上的氣體的前進(jìn)方向并行的任意剖面中，配置在半導(dǎo)體芯片CHPl的外側(cè)區(qū)域且擋板DM的內(nèi)側(cè)區(qū)域。另外，換言之，突出銷EJPN能夠設(shè)在半導(dǎo)體芯片CHPl的一部分與封閉體(樹(shù)脂MR)的外壁之間。
[0171]由此，與在與半導(dǎo)體芯片CHPl重合的區(qū)域配置突出銷EJPN地進(jìn)行封閉體從下金屬模具BM的脫模的場(chǎng)合相比，能夠減小脫模時(shí)施加在封閉體上的變形。即，與利用突出銷EJPN使封閉體的中央部附近突出的結(jié)構(gòu)相比，通過(guò)采用利用突出銷EJPN使封閉體的周邊部(外緣部)附近突出的結(jié)構(gòu)，能減小封閉體的變形。其結(jié)果，能夠防止由于施加在封閉體上的變形，形成在半導(dǎo)體芯片上的隔膜被破壞，由此，能夠?qū)崿F(xiàn)流量傳感器的成品率提高、或流量傳感器的制造成本的降低。特別地，根據(jù)本實(shí)施方式一，由于將突出銷EJPN的位置配置在不與半導(dǎo)體芯片CHP1重合的位置，因此，能夠抑制過(guò)度的負(fù)荷施加在形成在半導(dǎo)體芯片CHP1上的隔膜DF上。
[0172]另外，在封閉體的外側(cè)配置擋板DM，向設(shè)在該擋板DM上的定位孔AHL插入形成在下金屬模具BM上的定位銷PN，并形成連接部。由于該連接部被緊緊地固定，定位銷APN難以從定位孔AHL拔出，另外，樹(shù)脂MR覆蓋該連接部的上部，連接部難以脫模。關(guān)于這一點(diǎn)，在本實(shí)施方式一中，采用利用突出銷EJPN使封閉體的周邊部(外緣部)附近突出的結(jié)構(gòu)。即，在本實(shí)施方式一中，突出銷EJPN的位置配置在靠近將定位銷APN插入定位孔AHL的連接部的位置，因此，能夠容易地進(jìn)行從該連接部的定位孔AHL的定位銷APN的脫離。即，在本實(shí)施方式一中，利用突出銷EJPN的突出位置與連接部的位置接近，由此，連接部容易脫模，并且，也能抑制難以脫模的連接部成為支點(diǎn)的封閉體的變形。因此，根據(jù)本實(shí)施方式一，能夠防止由于施加在封閉體上的較大的變形，形成在半導(dǎo)體芯片上的隔膜被破壞，由此，能得到流量傳感器的成品率提高，或者實(shí)現(xiàn)流量傳感器的制造成本降低的顯著的效果。
[0173]根據(jù)以上所述，根據(jù)本實(shí)施方式一，采用通過(guò)使不與配置在中央部附近的半導(dǎo)體芯片CHP1重合地配置在半導(dǎo)體芯片CHP1的外側(cè)區(qū)域的突出銷EJPN從下金屬模具BM突出，使封閉體從下金屬模具BM脫模的結(jié)構(gòu)。其結(jié)果，(1)通過(guò)突出銷EJPN的位置不與半導(dǎo)體芯片CHP1及隔膜DF重合，過(guò)度的負(fù)荷不會(huì)施加在半導(dǎo)體芯片CHP1及隔膜DF上，變形變??；
(2)通過(guò)突出銷EJPN的位置接近在定位孔AHL插入定位銷APN的連接部，根據(jù)連接部中的脫模容易這點(diǎn)的相乘效果，根據(jù)本實(shí)施方式一，能夠有效地防止脫模時(shí)的流量傳感器的破壞。
[0174]另外，在本實(shí)施方式一的樹(shù)脂封閉工序(模制工序)中，使用80°C以上的高溫度的上金屬模具UM與下金屬模具BM，熱在短時(shí)間內(nèi)傳遞到從被加熱的上金屬模具UM與下金屬模具BM注入第二空間的樹(shù)脂MR。其結(jié)果，根據(jù)本實(shí)施方式一的流量傳感器FS1的制造方法，能夠縮短樹(shù)脂MR的加熱、固化時(shí)間。
[0175]例如，如在發(fā)明所要解決的課題一欄中說(shuō)明的那樣，在只進(jìn)行利用澆注樹(shù)脂的金屬線(金屬絲)的固定的場(chǎng)合，澆注樹(shù)脂未進(jìn)行利用加熱的固化的促進(jìn)，因此，直到澆注樹(shù)脂固化的時(shí)間變長(zhǎng)，流量傳感器的制造工序的吞吐量下降之類的問(wèn)題點(diǎn)顯著化。
[0176]相對(duì)于此,在本實(shí)施方式一的樹(shù)脂封閉工序中，如上所述,使用被加熱的上金屬模具UM與下金屬模具BM，因此，能進(jìn)行從被加熱的上金屬模具UM與下金屬模具BM向樹(shù)脂MR的短時(shí)間的熱傳導(dǎo)，能縮短樹(shù)脂MR的加熱、固化時(shí)間。其結(jié)果，根據(jù)本實(shí)施方式一，能夠提高流量傳感器FS1的制造工序的吞吐量。如上所述，能夠制造本實(shí)施方式一的流量傳感器FS1。
[0177]在此，圖18是表示圖16中的區(qū)域AR的放大圖的一例的圖。如圖18所示，突出銷EJPN被插入設(shè)在下金屬模具BM內(nèi)的插入孔，但以突出銷EJPN能夠在該插入孔的內(nèi)部上下移動(dòng)的方式，在插入孔與突出銷EJPN之間存在間隙。因此，在使樹(shù)脂MR流入密封空間時(shí)，樹(shù)脂MR也進(jìn)入該間隙。其結(jié)果，由于進(jìn)入間隙的樹(shù)脂MR復(fù)印在成形品(流量傳感器FS1)，在完成的流量傳感器FS1的樹(shù)脂(封閉體)MR的下表面BS (MR)上形成凸形狀部CVX1。BP,在結(jié)束的封閉體的下表面BS(MR)中、推壓突出銷EJPN的區(qū)域形成由凸形狀部CVX1構(gòu)成的痕跡。
[0178]另外，如圖18所示，突出銷EJPN的上表面SUR(EJ)的位置未必?zé)o法加工為與下金屬模具BM的上表面SUR(BM)的位置相同高度。因此，例如如圖18所示，在突出銷EJPN的上表面SUR(EJ)的位置比下金屬模具BM的上表面SUR(BM)的位置低尺寸Hl的場(chǎng)合，在突出銷EJPN與插入孔之間的間隙的部分形成凸形狀部CVXl，并且，在封閉體與突出銷EJPN接觸的部分，相對(duì)于樹(shù)脂MR與下金屬模具BM的上表面SUR(BM)接觸的下表面BS (MR)，形成凸形狀部CVX2。
[0179]另一方面，如圖19所示，在突出銷EJPN的上表面SUR(EJ)的位置比下金屬模具BM的上表面SUR(BM)的位置高尺寸H2的場(chǎng)合，在突出銷EJPN與插入孔之間的間隙的部分形成凸形狀部CVXl，并且，在封閉體與突出銷EJPN接觸的部分，相對(duì)于樹(shù)脂MR與下金屬模具BM的上表面SUR(BM)接觸的下表面BS(MR)形成凹形狀部CNV。
[0180]圖20是表示由本實(shí)施方式一的流量傳感器的制造方法制造的流量傳感器FSl的剖面結(jié)構(gòu)的圖。如上所述，在本實(shí)施方式一中，特征在于利用突出銷使封閉體的周邊部(外緣部)突起的結(jié)構(gòu)這一點(diǎn)。因此，在作為最終產(chǎn)品的流量傳感器FSl上存留利用突出銷使封閉體的周邊部(外緣部)附近突起的結(jié)構(gòu)的痕跡。具體地說(shuō)，如圖20所示，在封閉體的厚度方向，由突出銷產(chǎn)生的痕跡殘留在不與半導(dǎo)體芯片CHPl重合且為半導(dǎo)體芯片CHPl的外側(cè)區(qū)域的推起區(qū)域EJA。換言之，由突出銷產(chǎn)生的痕跡殘留在不與芯片搭載部TABl重合且為芯片搭載部TABl的外側(cè)區(qū)域的推起區(qū)域EJA上。
[0181]<痕跡的多種變化>
[0182]該痕跡根據(jù)形成在突出銷EJPN與設(shè)于下金屬模具BM的插入孔之間的間隙的大小、突出銷EJPN的上表面SUR(EJ)與下金屬模具BM的上表面SUR(BM)的位置關(guān)系，為多種形狀。以下，列舉圖21(a)?圖21(e)說(shuō)明該多種痕跡的形狀。
[0183]圖21(a)是表示痕跡的一例的圖。如圖21(a)所示，在樹(shù)脂MR的下表面BS(MR)上形成凸形狀部CVXl及凸形狀部CVX2。該痕跡是在突出銷EJPN的上表面SUR(EJ)比下金屬模具BM的上表面SUR(BM)低的狀態(tài)下進(jìn)行樹(shù)脂封閉時(shí)形成的痕跡。由此，在樹(shù)脂MR的下表面BS(MR)形成凸形狀部CVX2。另外，例如在設(shè)在下金屬模具BM的插入孔的直徑比突出銷EJPN的直徑大且在設(shè)在下金屬模具BM上的插入孔與突出銷EJPN之間具有充分的間隙的場(chǎng)合，樹(shù)脂MR流入該間隙，其結(jié)果，在凸形狀部CVX2的周圍形成凸形狀部CVXl。
[0184]接著，圖21(b)是表示痕跡的其他一例的圖。如圖21(b)所示，在樹(shù)脂MR的下表面BS(MR)形成凸形狀部CVXl及凹形狀部CNV。該痕跡是在突出銷EJPN的上表面SUR(EJ)比下金屬模具BM的上表面SUR(BM)高的狀態(tài)下進(jìn)行樹(shù)脂封閉時(shí)形成的痕跡。由此，在樹(shù)脂MR的下表面BS(MR)形成凹形狀部CNV。另外，例如在設(shè)在下金屬模具BM的插入孔的直徑比突出銷EJPN的直徑大，且在設(shè)在下金屬模具BM上的插入孔與突出銷EJPN之間具有充分的間隙的情況下，樹(shù)脂MR流入該間隙，其結(jié)果，在凹形狀部CNV的周圍形成凸形狀部CVX1。
[0185]接著，圖21 (C)是表示痕跡的又一例子的圖。如圖21 (C)所示,在樹(shù)脂MR的下表面BS(MR)上形成凸形狀部CVX2。該痕跡是在突出銷EJPN的上表面SUR(EJ)比下金屬模具BM的上表面SUR(BM)低的狀態(tài)下進(jìn)行樹(shù)脂封閉時(shí)形成的痕跡。由此，在樹(shù)脂MR的下表面BS(MR)形成凸形狀部CVX2。在此，形成在設(shè)于下金屬模具BS(MR)上的插入孔與突出銷EJPN之間的間隙的尺寸小，或樹(shù)脂粘度高而使樹(shù)脂對(duì)金屬模具形狀的復(fù)制性差的場(chǎng)合，如圖21(c)所示，也具有在凸形狀部CVX2的周圍未形成凸形狀部CVX1的場(chǎng)合。
[0186]另外，圖21(d)是表不痕跡的又一例子的圖。如圖21(d)所不，在樹(shù)脂MR的下表面BS(MR)形成凹形狀部CNV。該痕跡是在突出銷EJPN的上表面SUR(EJ)比下金屬模具BM的上表面SUR(BM)高的狀態(tài)下進(jìn)行樹(shù)脂封閉時(shí)形成的痕跡。由此，在樹(shù)脂MR的下表面BS (MR)上形成凹形狀部CNV。在此，在形成在設(shè)在下金屬模具BM上的插入孔與突出銷EJPN之間的間隙的尺寸小或樹(shù)脂粘度高而使樹(shù)脂對(duì)金屬模具形狀的復(fù)制性差的場(chǎng)合，如圖21(d)所示，也具有在凹形狀部CNV的周圍未形成凸形狀部CVX1的場(chǎng)合。
[0187]最后，圖21 (e)是表不痕跡的其他一例的圖。如圖21 (e)所不,在樹(shù)脂MR的下表面BS(MR)形成凸形狀部CVX1。該痕跡是在當(dāng)在設(shè)在下金屬模具BM的插入孔與突出銷EJPN之間具有充分的間隙的場(chǎng)合，樹(shù)脂MR流入該間隙，其結(jié)果而形成的痕跡。另外，在圖21(e)中，例如假想下金屬模具BM的上表面SUR(BM)的高度與突出銷EJPN的上表面SUR(EJ)的高度相等的場(chǎng)合，因此，未形成凸形狀部CVX2或凹形狀部CNV。
[0188]從以上可以看出，由突出銷EJPN產(chǎn)生的痕跡形狀至少由一處凸部或凹部構(gòu)成。另夕卜，在本實(shí)施方式一中，例如如圖9的痕跡TC所示，對(duì)使痕跡TC的形狀為圓形狀的例子進(jìn)行說(shuō)明，但本實(shí)施方式一的技術(shù)思想未限定于此，通過(guò)使突出銷EJPN的剖面形狀為橢圓形狀或四方形狀，形成具有橢圓形狀或四方形狀等任意形狀的痕跡TC。
[0189]<本實(shí)施方式一的代表性的效果>
[0190]根據(jù)本實(shí)施方式一的流量傳感器FS1，得到以下所示的效果。
[0191](1)根據(jù)本實(shí)施方式一，例如如圖17所示，在與沿形成在半導(dǎo)體芯片CHP1上的露出的流量檢測(cè)部FDU上流動(dòng)的氣體的前進(jìn)方向并行的任意剖面中，通過(guò)使不與配置在中央部附近的半導(dǎo)體芯片CHP1重合地配置在半導(dǎo)體芯片CHP1的外側(cè)區(qū)域的突出銷EJPN從下金屬模具BM突出，使封閉體從下金屬模具BM脫模。由此，根據(jù)本實(shí)施方式一，與在與半導(dǎo)體芯片CHP1重合的區(qū)域配置突出銷EJPN地進(jìn)行封閉體從下金屬模具的脫模的場(chǎng)合相比，能夠減小脫模時(shí)施加在封閉體上的變形。其結(jié)果，能夠防止由于施加在封閉體上的變形，導(dǎo)致形成在半導(dǎo)體芯片CHP1上的隔膜DF被破壞，由此，能夠?qū)崿F(xiàn)流量傳感器FS1的成品率提高或流量傳感器FS1的制造成本的下降。其結(jié)果，在所形成的流量傳感器FS1中，由突出銷產(chǎn)生的痕跡殘留在封閉體的背面區(qū)域中、不與半導(dǎo)體芯片CHP1重合且為半導(dǎo)體芯片CHP1的外側(cè)區(qū)域的區(qū)域。
[0192](2)特別地，在本實(shí)施方式一中，如圖17所示，在封閉體的外側(cè)配置擋板DM，將形成在下金屬模具BM上的定位銷APN向設(shè)在該擋板DM上的定位孔AHL插入，形成連接部。由于該連接部緊緊地被固定，定位銷難以從定位孔拔出，另外，樹(shù)脂覆蓋該連接部的上部，連接部難以脫模。關(guān)于這一點(diǎn)，在本實(shí)施方式一中，采用利用突出銷EJPN使封閉體的周邊部(外緣部)附近突起的結(jié)構(gòu)。因此，利用突出銷EJPN的突起位置與連接部的位置靠近，由此，連接部容易脫模，并且，也能抑制難以脫模的連接部成為支點(diǎn)的封閉體的變形。根據(jù)以上，根據(jù)本實(shí)施方式一，能夠防止由于施加在封閉體上的較大的變形，形成在半導(dǎo)體芯片CHP1上的隔膜DF被破壞。
[0193](3)根據(jù)本實(shí)施方式一，例如如圖16所示，利用樹(shù)脂MR的封閉能夠在利用金屬模具固定了形成有流量檢測(cè)部FDU的半導(dǎo)體芯片CHP1的狀態(tài)下進(jìn)行，因此，能抑制半導(dǎo)體芯片CHP1的位置偏離，并且利用樹(shù)脂MR封閉半導(dǎo)體芯片CHP1的一部分。這意味著，根據(jù)本實(shí)施方式一的流量傳感器FS1，能夠抑制各流量傳感器FSl的位置偏離，并且利用樹(shù)脂MR封閉半導(dǎo)體芯片CHPl的一部分，能抑制形成在半導(dǎo)體芯片CHPl上的流量檢測(cè)部FDU的位置偏離。其結(jié)果，根據(jù)本實(shí)施方式一，因?yàn)槟軌蚴箼z測(cè)氣體的流量的流量檢測(cè)部FDU的位置在各流量傳感器FSl中一致，因此，能夠得到在各流量傳感器FSl中抑制檢測(cè)氣體流量的性能偏差的效果。
[0194](4)根據(jù)本實(shí)施方式一，例如如圖16所示，隔著彈性體薄膜LAF利用上金屬模具UM按壓半導(dǎo)體芯片CHP1。因此，能夠利用彈性體薄膜LAF的厚度變化吸收由半導(dǎo)體芯片CHPl、粘接材料ADHl、引線架LF的厚度不均引起的部件的安裝偏離。這樣根據(jù)本實(shí)施方式一，能夠緩和施加在半導(dǎo)體芯片CHPl上的夾緊力。其結(jié)果，能夠防止以半導(dǎo)體芯片CHPl的切割、缺口、以及龜裂等為代表的破損。
[0195]<變形例一>
[0196]接著，對(duì)上述實(shí)施方式一的流量傳感器FSl的變形例一進(jìn)行說(shuō)明。在上述實(shí)施方式一中，例如如圖9所示，沿構(gòu)成封閉體的外緣部的一部分的長(zhǎng)邊方向(X方向)以等間隔排列的方式形成多個(gè)痕跡TC。并且，當(dāng)著眼于構(gòu)成封閉體的外緣部的一部分的短邊方向(Y方向)(與氣體流動(dòng)的方向并行的方向)時(shí)，在俯視中不與半導(dǎo)體芯片CHPl重合地，在半導(dǎo)體芯片CHPl的外側(cè)區(qū)域形成痕跡TC。相對(duì)于此，在本變形例一中，對(duì)除了上述多個(gè)痕跡TC夕卜，還在與半導(dǎo)體芯片CHPl在平面上重合的封閉體的背面形成痕跡TC2的例子進(jìn)行說(shuō)明。
[0197]圖22是從背面?zhèn)扔^察本變形例一的流量傳感器FSl的俯視圖。如圖22所示，本變形例一的流量傳感器FSI在由樹(shù)脂MR構(gòu)成的封閉體的背面形成多個(gè)痕跡TC及痕跡TC2。這些痕跡TC及痕跡TC2是在樹(shù)脂封閉工序后，通過(guò)利用突出銷EJPN使封閉體突起，使封閉體從下金屬模具脫模時(shí)形成的痕跡。
[0198]在該場(chǎng)合，即使在本變形例一中，也在俯視中，不與半導(dǎo)體芯片CHPl重合地在半導(dǎo)體芯片CHPl的外側(cè)區(qū)域的封閉體(樹(shù)脂MR)的背面形成按壓突出銷EJPN的痕跡TC。因此，即使在本變形例一中，也與上述實(shí)施方式一相同，能夠減小在脫模時(shí)施加在封閉體上的變形，結(jié)果，能夠防止由于施加在封閉體上的變形，形成在半導(dǎo)體芯片CHPl上的隔膜DF被破壞。
[0199]但是，在本變形例一中，如圖22所示，在與半導(dǎo)體芯片CHPl在平面上重合的樹(shù)脂MR(封閉體)的背面也形成由突出銷EJPN形成的痕跡TC2。這意味著，在脫模時(shí)，在與半導(dǎo)體芯片CHPl在平面上重合的樹(shù)脂MR(封閉體)的背面也按壓突出銷EJPN。在該場(chǎng)合，形成在半導(dǎo)體芯片CHPl上的隔膜DF有可能被由突出銷EJPN產(chǎn)生的負(fù)荷而被破壞，但通過(guò)實(shí)施以下所示的方法進(jìn)行封閉體從下金屬模具BM的脫模，提高脫模性，因此，對(duì)這一點(diǎn)進(jìn)行說(shuō)明。
[0200]例如，在本變形例一中，在使封閉體從下金屬模具BM脫模時(shí)，首先，通過(guò)不與半導(dǎo)體芯片CHPl重合地在半導(dǎo)體芯片CHPl的外側(cè)區(qū)域的封閉體(樹(shù)脂MR)的背面按壓突出銷EJPN，使封閉體(樹(shù)脂MR)稍微從下金屬模具BM脫模(第一階段)。并且，在封閉體(樹(shù)脂MR)從下金屬模具BM離開(kāi)后，除了利用上述突出銷EJPN的突出外，還在與半導(dǎo)體芯片CHPl在平面上重合的樹(shù)脂MR(封閉體)的背面施加由突出銷EJPN產(chǎn)生的突出(第二階段)。這樣，能夠?qū)嵤┍咀冃卫坏姆忾]體從下金屬模具BM的脫模。
[0201]在該場(chǎng)合，首先，因?yàn)橥ㄟ^(guò)第一階段的脫模，利用突出銷EJPN使封閉體(樹(shù)脂MR)的周邊部(外緣部)附近突起，因此，由突出銷EJPN產(chǎn)生的突起位置與連接部的位置靠近，由此，連接部容易脫模，并且，能抑制難以脫模的連接部成為支點(diǎn)的封閉體的變形。并且，當(dāng)一端、第一階段的脫模結(jié)束時(shí)，連接部的脫模結(jié)束，因此，難以產(chǎn)生連接部成為支點(diǎn)的封閉體的變形。因此，這一次還通過(guò)第二階段的脫模，在與半導(dǎo)體芯片CHP1在平面上重合的樹(shù)脂MR(封閉體)的背面施加由突出銷EJPN產(chǎn)生的突出。其結(jié)果，根據(jù)本變形例一，使封閉體突出的突出銷EJPN的數(shù)量變多，結(jié)果，能夠使施加在封閉體的背面的負(fù)荷均勻化，能夠使封閉體(樹(shù)脂MR)順暢地脫模。即，在本變形例一中，通過(guò)利用第一階段與第二階段的組合進(jìn)行封閉體(樹(shù)脂MR)從下金屬模具BM的脫模，能夠防止形成在半導(dǎo)體芯片CHP1上的隔膜DF脫模時(shí)的破壞，并且，能進(jìn)一步提高封閉體(樹(shù)脂MR)從下金屬模具BM的脫模性。
[0202]<變形例二>
[0203]接著，對(duì)上述實(shí)施方式一的流量傳感器FS1的變形例2進(jìn)行說(shuō)明。在上述實(shí)施方式一中，例如如圖8(b)或圖8(c)所示，對(duì)通過(guò)粘接材料ADH1將半導(dǎo)體芯片CHP1配置在芯片搭載部TAB1上的例子進(jìn)行說(shuō)明。在本變形例二中，對(duì)在半導(dǎo)體芯片CHP1與芯片搭載部TAB1之間插入板狀結(jié)構(gòu)體PLT的例子進(jìn)行說(shuō)明。
[0204]圖23是表示本實(shí)施例二中樹(shù)脂封閉后的流量傳感器FS1的結(jié)構(gòu)的圖。在圖23中，圖23(a)是表示樹(shù)脂封閉后的流量傳感器FS1的結(jié)構(gòu)的俯視圖，圖23(b)是由圖23(a)的A-A線剖切的剖視圖，圖23(c)是由圖23(a)的B-B線剖切的剖視圖。
[0205]如圖23(b)、圖23(c)所示，本變形例二的流量傳感器FS1在整個(gè)半導(dǎo)體芯片CHP1的下層及半導(dǎo)體芯片CHP2的下層形成板狀結(jié)構(gòu)體PLT。該板狀結(jié)構(gòu)體PLT例如呈矩形形狀，在俯視中，具有內(nèi)置半導(dǎo)體芯片CHP1及半導(dǎo)體芯片CHP2的外形尺寸。
[0206]具體地說(shuō)，如圖23(b)所示，在芯片搭載部TAB1及芯片搭載部TAB2上配置板狀結(jié)構(gòu)體PLT。該板狀結(jié)構(gòu)體PLT例如使用粘接材料ADH3粘接在芯片搭載部TAB1或芯片搭載部TAB2上，但也能使用漿糊材料進(jìn)行接合。并且，在該板狀結(jié)構(gòu)體PLT上通過(guò)粘接材料ADH1搭載半導(dǎo)體芯片CHP1，并且，通過(guò)粘接材料ADH2搭載半導(dǎo)體芯片CHP2。此時(shí)，在板狀結(jié)構(gòu)體PLT由金屬材料形成的場(chǎng)合，能利用金屬絲與半導(dǎo)體芯片CHP1連接，并且，也能利用金屬絲半與導(dǎo)體芯片CHP2連接。另外，也能在芯片搭載部TAB1及芯片搭載部TAB2上搭載除了上述板狀結(jié)構(gòu)體PLT以外的電容器、熱敏電阻等部件。
[0207]上述板狀結(jié)構(gòu)體PLT主要作為流量傳感器FS1的剛性提高、對(duì)來(lái)自外部的沖擊的緩沖材料起作用。另外，在板狀結(jié)構(gòu)體PLT由導(dǎo)電材料構(gòu)成的場(chǎng)合，與半導(dǎo)體芯片CHP1 (焊墊roi)、半導(dǎo)體芯片CHP2(焊墊TO2)電連接，也能用于接地電位(基準(zhǔn)電位)的供給，并且，也能實(shí)現(xiàn)接地電位的穩(wěn)定化。例如，在板狀結(jié)構(gòu)體PLT使用金屬材料等剛性高的材料的場(chǎng)合，能實(shí)現(xiàn)流量傳感器FS1的剛性提高。另一方面，在使用樹(shù)脂材料等剛性低的材料的場(chǎng)合，在樹(shù)脂封閉工序中，利用板狀結(jié)構(gòu)體PLT的變形吸收在上金屬模具UM與下金屬模具BM之間夾緊的部件的安裝偏差。
[0208]板狀結(jié)構(gòu)體PLT例如能夠由PBT樹(shù)脂、ABS樹(shù)脂、PC樹(shù)脂、尼龍樹(shù)脂、PS樹(shù)脂、PP樹(shù)脂、氟類樹(shù)脂等熱可塑性樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂、苯酚樹(shù)脂、聚氨酯樹(shù)脂等熱固化性樹(shù)脂構(gòu)成。在該場(chǎng)合，板狀結(jié)構(gòu)體PLT主要作為保護(hù)半導(dǎo)體芯片CHP1、半導(dǎo)體芯片CHP2免受來(lái)自外部的沖擊破壞的緩沖材料起作用。
[0209]另一方面，板狀結(jié)構(gòu)體PLT也能夠通過(guò)對(duì)鐵合金、鋁合金或銅合金等金屬材料進(jìn)行沖壓加工來(lái)形成，并且，也能夠由玻璃材料形成。特別地，在由金屬材料形成板狀結(jié)構(gòu)體PLT的場(chǎng)合，能夠提高流量傳感器FSl的剛性。另外，使板狀結(jié)構(gòu)體PLT與半導(dǎo)體芯片CHPl、半導(dǎo)體芯片CHP2電連接，也能夠?qū)鍫罱Y(jié)構(gòu)體PLT用于接地電位的供給或接地電位的穩(wěn)定化。
[0210]另外，在由熱可塑性樹(shù)脂或熱固化性樹(shù)脂構(gòu)成板狀結(jié)構(gòu)體PLT的場(chǎng)合，能夠在熱可塑性樹(shù)脂或熱固化性樹(shù)脂中填充玻璃、滑石、硅石、云母等無(wú)機(jī)填充物、碳等有機(jī)填充物。并且，板狀結(jié)構(gòu)體PLT也能利用轉(zhuǎn)移成形法向金屬模具內(nèi)填充樹(shù)脂而進(jìn)行模制成形，也能利用輥加工對(duì)薄板形狀品任意地進(jìn)行層疊而形成。
[0211]即使在這樣構(gòu)成的本變形例二的流量傳感器FSl中，也能夠?qū)崿F(xiàn)與上述實(shí)施方式一相同的脫模工序。例如，如圖17所示，在與流經(jīng)形成在半導(dǎo)體芯片CHPl上的露出的流量檢測(cè)部FDU的氣體的前進(jìn)方向并行的任意剖面中，通過(guò)使不與配置在中央部附近的半導(dǎo)體芯片CHPl重合地配置在半導(dǎo)體芯片CHPl的外側(cè)區(qū)域的突出銷EJPN從下金屬模具BM突起，能夠使封閉體從下金屬模具BM脫模。由此，即使在本變形例二中，與將突出銷EJPN配置在與半導(dǎo)體芯片CHPl重合的區(qū)域來(lái)進(jìn)行封閉體從下金屬模具BM的脫模的場(chǎng)合相比，能夠減小脫模時(shí)施加在封閉體上的變形。其結(jié)果，能夠防止由于施加在封閉體上的變形，形成在半導(dǎo)體芯片CHPl上的隔膜DF被破壞，由此，能實(shí)現(xiàn)流量傳感器FSl的成品率提高，或?qū)崿F(xiàn)流量傳感器FSl的制造成本的降低。其結(jié)果，在本變形例二的流量傳感器FSl中，由突出銷EJPN產(chǎn)生的痕跡殘留在封閉體的背面區(qū)域中、不與半導(dǎo)體芯片CHPl重合且為半導(dǎo)體芯片CHPl的外側(cè)區(qū)域的區(qū)域。
[0212](實(shí)施方式二)
[0213]在上述實(shí)施方式一中，例如如圖8(b)所示，以具備半導(dǎo)體芯片CHPl與半導(dǎo)體芯片CHP2的雙芯片結(jié)構(gòu)的流量傳感器FSl為例進(jìn)行說(shuō)明。本發(fā)明的技術(shù)思想并未局限于此，例如也能應(yīng)用于具備一體地形成流量檢測(cè)部與控制部(控制電路)的一個(gè)半導(dǎo)體芯片的單芯片結(jié)構(gòu)的流量傳感器。在本實(shí)施方式二中，列舉將本發(fā)明的技術(shù)思想應(yīng)用于單芯片結(jié)構(gòu)的流量傳感器的場(chǎng)合進(jìn)行說(shuō)明。
[0214]<實(shí)施方式二的流量傳感器的安裝結(jié)構(gòu)>
[0215]圖24是表示本實(shí)施方式二的流量傳感器FS2的安裝結(jié)構(gòu)的圖，是表示由樹(shù)脂封閉后的結(jié)構(gòu)的圖。特別地，圖24(a)是表示本實(shí)施方式二的流量傳感器FS2的安裝結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖24(b)是由圖24(a)的A-A線剖切的剖視圖，圖24(c)是由圖24(a)的B-B線剖切的剖視圖。特別地，圖24(b)表示與在露出的流量檢測(cè)部FDU上流動(dòng)的氣體的前進(jìn)方向并行的一剖面，在圖24(b)中，氣體例如沿X軸從左側(cè)向右側(cè)流動(dòng)。
[0216]首先，如圖24 (a)所示，本實(shí)施方式二的流量傳感器FS2具有包括呈矩形形狀的樹(shù)脂MR的封閉體，引線LD2從樹(shù)脂MR突出。并且，半導(dǎo)體芯片CHPl的一部分從樹(shù)脂MR的上表面(表面)露出。特別地，在半導(dǎo)體芯片CHPl上形成流量檢測(cè)部FDU、控制該流量檢測(cè)部FDU的控制部。具體地說(shuō)，形成在半導(dǎo)體芯片CHPl上的流量檢測(cè)部FDU利用配線WLl與控制部電連接。該控制部在圖24(a)中被樹(shù)脂MR覆蓋，因此，雖然未圖示，但配置在樹(shù)脂MR的內(nèi)部。即，在本實(shí)施方式二的流量傳感器FS2中，具有一體地形成流量檢測(cè)部FDU與控制部的半導(dǎo)體芯片CHPl，呈流量檢測(cè)部FDU從樹(shù)脂MR露出的結(jié)構(gòu)。
[0217]接著，如圖24(b)所示，本實(shí)施方式二的流量傳感器FS2通過(guò)粘接材料ADHl將半導(dǎo)體芯片CHPl搭載在芯片搭載部TABl上。此時(shí)，在半導(dǎo)體芯片CHPl的上表面(表面、主面)上形成流量檢測(cè)部FDU，在與該流量檢測(cè)部FDU相對(duì)的半導(dǎo)體芯片CHPl的背面形成隔膜DF (薄板部)。另一方面，在位于隔膜DF的下方的芯片搭載部TABl的底部形成開(kāi)口部OPl。
[0218]另外，粘接半導(dǎo)體芯片CHPl與芯片搭載部TABl的粘接材料ADHl例如能夠使用環(huán)氧樹(shù)脂、聚氨酯樹(shù)脂等熱固化性樹(shù)脂、聚酰胺樹(shù)脂或丙烯樹(shù)脂等熱可塑性樹(shù)脂。
[0219]其中，如圖24(b)所示，在本實(shí)施方式二的流量傳感器FS2中，以覆蓋半導(dǎo)體芯片CHPl的側(cè)面及上表面的一部分及芯片搭載部TABl的一部分的方式形成樹(shù)脂MR。
[0220]此時(shí)，在本實(shí)施方式二中，在位于形成在半導(dǎo)體芯片CHPl的背面的隔膜DF的下方的芯片搭載部TABl的底部形成開(kāi)口部OPl，另外，在覆蓋芯片搭載部TABl的背面的樹(shù)脂MR上設(shè)置開(kāi)口部0P2。
[0221]由此，根據(jù)本實(shí)施方式二的流量傳感器FS2，隔膜DF的內(nèi)部空間通過(guò)形成在芯片搭載部TABl的底部的開(kāi)口部OPl及形成在樹(shù)脂MR上的開(kāi)口部0P2與流量傳感器FS2的外部空間連通。其結(jié)果，能夠使隔膜DF的內(nèi)部空間的壓力與流量傳感器FS2的外部空間的壓力相等，能夠抑制應(yīng)力施加在隔膜DF上。另外，即使在本實(shí)施方式中，也如圖24(b)所示，樹(shù)脂MR的上表面SUR(MR)形成得比半導(dǎo)體芯片CHPl的上表面SUR(CHP)高。
[0222]另外，如圖24(c)所示，通過(guò)粘接材料ADHl將半導(dǎo)體芯片CHPl搭載在芯片搭載部TABl上，在該半導(dǎo)體芯片CHPl的上表面形成流量檢測(cè)部FDU及控制部⑶。S卩，在本實(shí)施方式二中，在半導(dǎo)體芯片CHPl上一體地形成流量檢測(cè)部FDU與控制部CU。另外，在半導(dǎo)體芯片CHPl的上表面形成焊墊H)，該焊墊H)與引線LD2通過(guò)金屬絲W電連接。并且，形成在半導(dǎo)體芯片CHPl的上表面的控制部⑶及焊墊PD、金屬絲W利用樹(shù)脂MR封閉。
[0223]即使在這樣構(gòu)成的本實(shí)施方式二的流量傳感器FS2中，也能夠?qū)崿F(xiàn)與上述實(shí)施方式一相同思想的脫模工序。例如，在與流經(jīng)形成在半導(dǎo)體芯片CHPl上的露出的流量檢測(cè)部FDU的氣體的前進(jìn)方向并行的任意剖面中，通過(guò)使不與配置在中央部附近的半導(dǎo)體芯片CHPl重合地配置在半導(dǎo)體芯片CHPl的外側(cè)區(qū)域的突出銷從下金屬模具突起，能夠使封閉體從下金屬模具脫模。由此，即使在本實(shí)施方式二中，與在與半導(dǎo)體芯片CHPl重合的區(qū)域配置突出銷來(lái)進(jìn)行封閉體從下金屬模具的脫模的場(chǎng)合相比，也能夠減小脫模時(shí)施加在封閉體上的變形。其結(jié)果，能夠防止由于施加在封閉體上的變形，致使形成在半導(dǎo)體芯片CHPl上的隔膜DF被破壞。由此，能夠?qū)崿F(xiàn)流量傳感器FS2的成品率提高或流量傳感器FS2的制造成本的降低。其結(jié)果，即使在本實(shí)施方式二的流量傳感器FS2中，由突出銷產(chǎn)生的痕跡也殘留在封閉體的背面區(qū)域中、不與半導(dǎo)體芯片CHPl重合且為半導(dǎo)體芯片CHPl的外側(cè)區(qū)域的區(qū)域。
[0224]圖25是從背面?zhèn)扔^察本實(shí)施方式二的流量傳感器FS2的俯視圖。如圖25所示，本實(shí)施方式二的流量傳感器FS2具有由樹(shù)脂MR構(gòu)成的矩形形狀的封閉體，多個(gè)引線LD2從該樹(shù)脂MR突出。并且，在由樹(shù)脂MR構(gòu)成的封閉體的內(nèi)部，如圖25的虛線所示，埋入半導(dǎo)體芯片CHPl，形成與形成在該半導(dǎo)體芯片CHPl上的隔膜連通的開(kāi)口部OPl及開(kāi)口部0P2。開(kāi)口部OPl設(shè)在搭載有半導(dǎo)體芯片CHPl的芯片搭載部上，開(kāi)口部0P2設(shè)在構(gòu)成封閉體的樹(shù)脂MR上。從圖25可以看出，開(kāi)口部0P2的直徑比開(kāi)口部OPl的直徑大。
[0225]并且，如圖25所示，由突出銷產(chǎn)生的多個(gè)痕跡TC殘留在構(gòu)成流量傳感器FS2的封閉體的背面。具體地說(shuō)，如圖25所示，以包圍封閉體的外緣部的周圍的方式等間隔地排列多個(gè)痕跡TC。并且，即使本實(shí)施方式二中，在俯視中，也不與半導(dǎo)體芯片CHP1重合地在半導(dǎo)體芯片CHP1的外側(cè)區(qū)域形成痕跡TC。換言之，在俯視中，在由半導(dǎo)體芯片CHP1與封閉體的外緣區(qū)域夾持的區(qū)域形成痕跡TC。因此，樹(shù)脂封閉工序后所實(shí)施的由突出銷產(chǎn)生的脫模工序的痕跡TC殘留在本實(shí)施方式二的流量傳感器FS2上，如果觀察作為最終產(chǎn)品的流量傳感器FS2的背面，則在樹(shù)脂封閉工序后的脫模工序中，能夠特定將突出銷按壓在封閉體的某位置。
[0226]以上，根據(jù)實(shí)施方式具體地說(shuō)明了由本發(fā)明人進(jìn)行的發(fā)明，但本發(fā)明未限定于上述實(shí)施方式，當(dāng)然能在不脫離其主旨的范圍進(jìn)行多種改變。
[0227]在上述實(shí)施方式中說(shuō)明的流量傳感器是測(cè)定氣體流量的裝置，但具體的氣體種類未限定，能廣泛地應(yīng)用于空氣、LP氣體、碳酸氣體(C02氣體)、氟利昂氣體等任意的氣體的流量的裝置。
[0228]另外，在上述實(shí)施方式中，對(duì)測(cè)定氣體流量的流量傳感器進(jìn)行了說(shuō)明，但本發(fā)明的技術(shù)思想未限定于此，也能廣泛地應(yīng)用于在使溫度傳感器等半導(dǎo)體元件的一部分露出的狀態(tài)下進(jìn)行樹(shù)脂封閉的半導(dǎo)體裝置。
[0229]產(chǎn)業(yè)上的可利用性
[0230]本發(fā)明能夠廣泛地應(yīng)用于例如制造流量傳感器等半導(dǎo)體裝置的制造業(yè)。
[0231]符號(hào)說(shuō)明
[0232]1 一CPU，2—輸入電路，3—輸出電路，4一存儲(chǔ)器，ADH1—粘接材料，ADH2—粘接材料，ADH3一粘接材料，AHL一定位孔，APN一定位銷，AR一區(qū)域，BM一下金屬|(zhì)吳具，BR1 一下游測(cè)溫電阻，BR2—下游測(cè)溫電阻，BS (MR)—下表面，CHP1—半導(dǎo)體芯片，CHP2—半導(dǎo)體芯片，CNV—凹形狀部，CVX1—凸形狀部，CVX2—凸形狀部，DF —隔膜，DM—擋板，EJA—推起區(qū)域，EJPN—突出銷，EPLT—突出銷板，F(xiàn)DU—流量檢測(cè)部，F(xiàn)S1—流量傳感器，F(xiàn)S2—流量傳感器，F(xiàn)SP—流量傳感器，HCB—加熱器控制電橋，HR—發(fā)熱電阻，IP1—凸模，LAF—彈性體薄膜，LD1—引線，LD2—引線，LF—弓丨線架，MR—樹(shù)脂，OP 1—開(kāi)口部，0P2—開(kāi)口部，PD—焊墊，PD1—焊墊，PD2—焊墊，PD3—焊墊，PJ—柱塞，PLT—板狀結(jié)構(gòu)體，PS —電源，Q—?dú)怏w流量，R1一電阻，R2—電阻，R3—電阻，R4—電阻，SP1—第一空間，SPR一彈黃，SUR(BM)—上表面，SUR(CHP)—上表面，SUR(EJ)—上表面，SUR(MR)—上表面，TAB1—芯片搭載部，TAB2—芯片搭載部，TC一痕跡，TC2—痕跡，Tr一晶體管，TSB—溫度傳感器電橋，UM—上金屬模具，UR1—上游測(cè)溫電阻，UR2—上游測(cè)溫電阻，Vref 1—參照電壓，Vref2—參照電壓，W—金屬絲，W1—金屬絲，W2—金屬絲，W3—金屬絲，WL1—配線。
【權(quán)利要求】
1.一種流量傳感器的制造方法，該流量傳感器具有第一芯片搭載部以及配置在上述第一芯片搭載部上的第一半導(dǎo)體芯片， 上述第一半導(dǎo)體芯片具有形成在第一半導(dǎo)體基板的主面上的流量檢測(cè)部、以及形成在上述第一半導(dǎo)體基板的與上述主面相反側(cè)的背面中、與上述流量檢測(cè)部相對(duì)的區(qū)域的隔膜， 在使形成在上述第一半導(dǎo)體芯片上的上述流量檢測(cè)部露出的狀態(tài)下，由包括樹(shù)脂的封閉體密封上述第一半導(dǎo)體芯片的一部分， 該流量傳感器的制造方法的特征在于，具備: (a)準(zhǔn)備具有上述第一芯片搭載部的基材的工序； (b)準(zhǔn)備上述第一半導(dǎo)體芯片的工序； (C)在上述第一芯片搭載部上搭載上述第一半導(dǎo)體芯片的工序； (d)上述(C)工序后，在使形成在上述第一半導(dǎo)體芯片上的上述流量檢測(cè)部露出的狀態(tài)下，利用上述封閉體封閉上述第一半導(dǎo)體芯片的一部分的工序， 上述(d)工序具有: (dl)準(zhǔn)備上金屬模具與供突出銷插入的下金屬模具的工序； (d2)上述(dl)工序后，一邊將上述上金屬模具的一部分按壓在上述第一半導(dǎo)體芯片的上表面，并且，在上述上金屬模具與上述第一半導(dǎo)體芯片之間形成包圍上述流量檢測(cè)部的第一空間，一邊利用上述上金屬模具與上述下金屬模具隔著第二空間夾入搭載了上述第一半導(dǎo)體芯片的上述基材的工序； (d3)上述(d2)工序后，使樹(shù)脂流入上述第二空間的工序； (d4)上述(d3)工序后，使上述樹(shù)脂固化并形成上述封閉體的工序；以及 (d5)上述(d4)工序后，使上述封閉體從上述下金屬模具脫模的工序， 上述(d5)工序在與在露出的上述流量檢測(cè)部上流動(dòng)的氣體的前進(jìn)方向并行的任意剖面中，通過(guò)使不與上述第一半導(dǎo)體芯片重合地配置在上述第一半導(dǎo)體芯片的外側(cè)區(qū)域的上述突出銷從上述下金屬模具突起，使上述封閉體從上述下金屬模具脫模。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的流量傳感器的制造方法，其特征在于， 在上述基材上，在上述第一芯片搭載部的周圍配置擋板， 在與在露出的上述流量檢測(cè)部上流動(dòng)的氣體的前進(jìn)方向并行的任意剖面中，上述突出銷配置在上述第一半導(dǎo)體芯片的外側(cè)區(qū)域且上述擋板的內(nèi)側(cè)區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的流量傳感器的制造方法，其特征在于， 在上述擋板上設(shè)有定位孔， 在上述下金屬模具上，在與上述定位孔對(duì)應(yīng)的位置設(shè)有定位銷， 上述(d2)工序通過(guò)將設(shè)在上述下金屬模具上的定位銷插入設(shè)在上述擋板上的上述定位孔中，將上述基材固定在上述下金屬模具上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的流量傳感器的制造方法，其特征在于， 供上述突出銷插入的設(shè)在上述下金屬模具上的插入孔的直徑比上述突出銷的直徑大，在上述(d3)工序中，上述樹(shù)脂進(jìn)入上述插入孔與上述突出銷之間的間隙的一部分，由此，在上述(d4)工序中，在上述封閉體的下表面形成第一凸形狀部。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的流量傳感器的制造方法，其特征在于， 在上述(d3)工序中，上述突出銷的前端部的高度比上述下金屬模具的上表面的高度高，由此，在上述(d4)工序中，在上述封閉體的下表面形成底面比上述封閉體的下表面向內(nèi)部進(jìn)入的凹部。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的流量傳感器的制造方法，其特征在于， 在上述(d3)工序中，上述突出銷的前端部的高度比上述下金屬模具的上表面的高度低，由此，在上述(d4)工序中，在上述封閉體的下表面形成第二凸形狀部。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的流量傳感器的制造方法，其特征在于， 在與在露出的上述流量檢測(cè)部上流動(dòng)的氣體的前進(jìn)方向并行的任意剖面中，上述突出銷設(shè)在上述第一半導(dǎo)體芯片的一端部與上述封閉體的外壁之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的流量傳感器的制造方法，其特征在于， 在與在露出的上述流量檢測(cè)部上的氣體的前進(jìn)方向并行的任意剖面中，上述突出銷不與上述第一芯片搭載部重合地設(shè)在上述第一芯片搭載部的外側(cè)區(qū)域。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的流量傳感器的制造方法，其特征在于， 上述第一半導(dǎo)體芯片還具有控制上述流量檢測(cè)部的控制電路部。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的流量傳感器的制造方法，其特征在于， 還具備(e)工序，在上述(C)工序前，準(zhǔn)備具有控制上述流量檢測(cè)部的控制電路部的第二半導(dǎo)體芯片， 在上述(a)工序中準(zhǔn)備的上述基材具有第二芯片搭載部， 上述(C)工序在上述第二芯片搭載部上搭載上述第二半導(dǎo)體芯片， 上述(d)工序由上述封閉體封閉上述第二半導(dǎo)體芯片， 上述(d2)工序一邊通過(guò)將上述上金屬模具的底面按壓在上述第一半導(dǎo)體芯片上，形成包圍上述流量檢測(cè)部的上述第一空間，一邊利用上述上金屬模具與上述下金屬模具隔著上述第二空間夾入搭載了上述第一半導(dǎo)體芯片及上述第二半導(dǎo)體芯片的上述基材。
11.一種流量傳感器，其特征在于，具有: (a)第一芯片搭載部；以及 (b)配置在上述第一芯片搭載部上的第一半導(dǎo)體芯片， 上述第一半導(dǎo)體芯片具有: (bl)形成在上述第一半導(dǎo)體基板的主面上的流量檢測(cè)部；以及(b2)形成在上述第一半導(dǎo)體基板的與上述主面相反側(cè)的背面中、與上述流量檢測(cè)部相對(duì)的區(qū)域的隔膜， 在使形成在上述第一半導(dǎo)體芯片上的上述流量檢測(cè)部露出的狀態(tài)下，由包括樹(shù)脂的封閉體封閉上述第一半導(dǎo)體芯片的一部分， 在與在露出的上述流量檢測(cè)部上流動(dòng)的氣體的前進(jìn)方向并行的任意剖面中，在上述封閉體的下表面中、不與上述第一半導(dǎo)體芯片重合地在與上述第一半導(dǎo)體芯片的外側(cè)區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域形成凹部或凸部。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的流量傳感器，其特征在于， 上述第一半導(dǎo)體芯片還具有控制上述流量檢測(cè)部的控制部。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的流量傳感器，其特征在于， 還具備: (c)第二芯片搭載部；以及 (d)配置在上述第二芯片搭載部上的第二半導(dǎo)體芯片， 上述第二半導(dǎo)體芯片具有上述控制部，該控制部形成在第二半導(dǎo)體基板的主面上，且控制上述流量檢測(cè)部， 上述第二半導(dǎo)體芯片由上述封閉體封閉。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的流量傳感器，其特征在于， 在上述第一芯片搭載部與上述第一半導(dǎo)體芯片之間插入有板狀結(jié)構(gòu)體。
【文檔編號(hào)】G01F1/68GK104364614SQ201380030748
【公開(kāi)日】2015年2月18日 申請(qǐng)日期:2013年4月11日 優(yōu)先權(quán)日:2012年4月12日
【發(fā)明者】河野務(wù), 半澤惠二, 德安升, 田代忍 申請(qǐng)人:日立汽車系統(tǒng)株式會(huì)社