一種半導體p、n類型非接觸測試傳感器的制造方法
【專利摘要】本實用新型涉及一種半導體P、N類型非接觸測試傳感器，包括殼體以及設(shè)置于殼體內(nèi)部的電荷感應電極，用于感應半導體表面產(chǎn)生的微弱光生電荷；紅外激發(fā)二極管，用于發(fā)光照射到半導體表面；絕緣定位件，電荷感應電極設(shè)置于絕緣定位件上；殼體內(nèi)還密封有絕緣填料。本實用新型利用紅外激發(fā)二極管激發(fā)半導體表面誘發(fā)產(chǎn)生微弱的光生電荷，電荷感應電極采集到光生電荷并生成相應的電壓信號，從而分別出半導體的P、N類型，采用紅外激發(fā)二極管在感應距離不超過0.15mm也可達到較高的準確度，不需要直接與半導體接觸。
【專利說明】一種半導體P、N類型非接觸測試傳感器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及半導體測試領(lǐng)域，尤其涉及一種半導體P、N類型非接觸測試傳感器。
【背景技術(shù)】
[0002]由于半導體具有摻雜性可控導電特性的物理效應，使其具有熱敏性、光敏性、磁敏性、及電子放大、突變能力等特點，因此在非電量電測信息電子技術(shù)、電子光學成像技術(shù)、通信、固體信息儲存器等具有很高的實用價值。
[0003]不同電學類型的半導體材料具有不同的載流子特性，在應用中也有不同需求?，F(xiàn)有檢測半導體材料的P、N類型大多使用接觸式冷熱探針法，極易損傷半導體材料以致造成隱性缺陷。
[0004]因此，亟需一種非接觸的測試半導體P、N類型的傳感器。
實用新型內(nèi)容
[0005]本實用新型的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷，提供一種半導體P、N類型非接觸測試傳感器。
[0006]實現(xiàn)本實用新型目的的技術(shù)方案是:一種半導體P、N類型非接觸測試傳感器，包括殼體以及設(shè)置于所述殼體內(nèi)部的以下機構(gòu):電荷感應電極，所述電荷感應電極上開設(shè)有透光孔并設(shè)置有一個電極引線，所述電極引線一端延伸出所述殼體外，用于采集下述光生電荷并生成相應的電壓信號；
[0007]紅外激發(fā)二極管，所述紅外激發(fā)二極管設(shè)置于所述透光孔中并設(shè)置有兩個紅外激發(fā)二極管引線，所述紅外激發(fā)二極管引線焊接端延伸出所述殼體外，用于激發(fā)半導體產(chǎn)生微弱的光生電荷；
[0008]絕緣定位件,所述電荷感應電極設(shè)置于所述絕緣定位件上；
[0009]所述殼體內(nèi)還密封有絕緣填料。
[0010]進一步的，所述殼體為中空圓柱體。
[0011]進一步的，所述殼體為不銹鋼中空圓柱體。
[0012]進一步的，所述電荷感應電極為圓環(huán)狀。
[0013]進一步的，所述電荷感應電極的透光孔直徑為4?6mm。
[0014]進一步的，所述絕緣定位件為聚四氟乙烯圓柱體。
[0015]進一步的，所述絕緣填料為環(huán)氧樹脂或硅膠。
[0016]進一步的,還包括與所述殼體連接的接地弓I線。
[0017]本實用新型具有積極的效果:本實用新型利用紅外激發(fā)二極管激發(fā)半導體表面誘發(fā)產(chǎn)生微弱的光生電荷，電荷感應電極米集到光生電荷并生成相應的電壓信號，根據(jù)N型半導體為電子型載流子，表面受光的誘激下產(chǎn)生相反電勢的表面本征態(tài)，因此電荷感應電極生成一個脈動正電壓信號，而P型半導體為空穴型載流子，表面受光的誘激下產(chǎn)生相反電勢的表面本征態(tài)，因此電荷感應電極生成一個脈動負電壓信號，從而分別出半導體的P、N類型，采用紅外激發(fā)二極管在感應距離不超過0.15mm也可達到較高的準確度，不需要直接與半導體接觸。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0018]為了使本實用新型的內(nèi)容更容易被清楚地理解，下面根據(jù)具體實施例并結(jié)合附圖，對本實用新型作進一步詳細的說明，其中:圖1為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0019]其中:1、殼體，2、絕緣定位件，3、電荷感應電極，4、紅外激發(fā)二極管，5、絕緣填料，
6、電極引線，7、紅外激發(fā)二極管引線，8、接地引線。
【具體實施方式】
[0020]實施例1
[0021]如圖1所示，本實用新型第一優(yōu)選實施例提供一種半導體P、N類型非接觸測試傳感器，包括殼體I以及設(shè)置于殼體I內(nèi)部的以下機構(gòu):
[0022]電荷感應電極3,電荷感應電極3上開設(shè)有透光孔(圖中未出)并設(shè)置有一個電極引線6,電極引線6 —端延伸出殼體I外，用于米集光生電荷并生成相應的電壓信號；
[0023]紅外激發(fā)二極管4，紅外激發(fā)二極管4設(shè)置于透光孔中并設(shè)置有兩個紅外激發(fā)二極管引線7，紅外激發(fā)二極管引線7焊接端延伸出殼體I外，用于激發(fā)半導體產(chǎn)生微弱的光生電荷；
[0024]絕緣定位件2,電荷感應電極3設(shè)置于所述絕緣定位件2上；
[0025]殼體I內(nèi)還密封有絕緣填料5。
[0026]本實施例利用紅外激發(fā)二極管4脈動激發(fā)半導體表面誘發(fā)產(chǎn)生微弱的光生電荷，電荷感應電極3采集到光生電荷并生成相應的電壓信號，根據(jù)N型半導體為電子型載流子，表面受光的誘激下產(chǎn)生相反電勢的表面本征態(tài)，因此電荷感應電極3生成一個脈動正電壓信號，而P型半導體為空穴型載流子，表面受光的誘激下產(chǎn)生相反電勢的表面本征態(tài)，因此電荷感應電極3生成一個脈動負電壓信號，從而分別出半導體的P、N類型，采用紅外激發(fā)二極管4在感應距離不超過0.15mm也可達到較高的準確度，不需要直接與半導體接觸。
[0027]實施例2
[0028]作為第二優(yōu)選實施例，其余與實施例1相同，不同之處在于，本實施例提供的殼體I為不銹鋼中空圓柱體，結(jié)構(gòu)剛度好，電荷感應電極3為圓環(huán)狀，電荷感應電極3的透光孔直徑為4?6mm，本實施例優(yōu)選5mm，絕緣定位件2為聚四氟乙烯圓柱體，溫度系數(shù)小，適應各種溫度環(huán)境，絕緣填料5為環(huán)氧樹脂或硅膠，具體不作限定，本實施例還包括與殼體I連接的接地引線8。
[0029]以上所述的具體實施例，對本實用新型的目的、技術(shù)方案和有益效果進行了進一步詳細說明，所應理解的是，以上所述僅為本實用新型的具體實施例而已，并不用于限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種半導體P、N類型非接觸測試傳感器，其特征在于，包括殼體以及設(shè)置于所述殼體內(nèi)部的以下機構(gòu):電荷感應電極，所述電荷感應電極上開設(shè)有透光孔并設(shè)置有一個電極引線，所述電極引線一端延伸出所述殼體外，用于采集下述光生電荷并生成相應的電壓信號; 紅外激發(fā)二極管，所述紅外激發(fā)二極管設(shè)置于所述透光孔中并設(shè)置有兩個紅外激發(fā)二極管引線，所述紅外激發(fā)二極管引線焊接端延伸出所述殼體外，用于通電發(fā)光激發(fā)半導體產(chǎn)生微弱的光生電荷； 絕緣定位件，所述電荷感應電極設(shè)置于所述絕緣定位件上； 所述殼體內(nèi)還密封有絕緣填料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體P、N類型非接觸測試傳感器，其特征在于，所述殼體為中空圓柱體。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導體P、N類型非接觸測試傳感器，其特征在于,所述殼體為不銹鋼中空圓柱體。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體P、N類型非接觸測試傳感器，其特征在于，所述電荷感應電極為圓環(huán)狀。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導體P、N類型非接觸測試傳感器，其特征在于，所述電荷感應電極的透光孔直徑為4?6mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體P、N類型非接觸測試傳感器，其特征在于，所述絕緣定位件為聚四氟乙烯圓柱體。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體P、N類型非接觸測試傳感器，其特征在于，所述絕緣填料為環(huán)氧樹脂或硅膠。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體P、N類型非接觸測試傳感器，其特征在于，還包括與所述殼體連接的接地引線。
【文檔編號】G01R31/26GK203688742SQ201320837941
【公開日】2014年7月2日 申請日期:2013年12月19日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月19日
【發(fā)明者】趙丹, 顏友鈞, 鄭鈺 申請人:江蘇瑞新科技股份有限公司