通過帶為2000-2400nm的紅外成像濾光片的制作方法
【專利摘要】本實用新型所設計的一種峰值透過率高，能極大的提高信噪比的通過帶為2000-2400nm的紅外成像濾光片，包括以BK7為原材料的基板，以Ge、SiO為第一鍍膜層和以Ge、SiO為第二鍍膜層，且所述基板位于第一鍍膜層和第二鍍膜層之間，該通過帶為2000-2400nm的紅外成像濾光片，其BK7材質的基板配合表面SiO、Ge材質的鍍膜層，大大提高了信噪比，配合紅外熱成像儀使用，提升紅外熱成像儀的成像結果。該濾光片50%Cut?on＝2000±60nm、50%Cut?off＝2400±60nm；2000～2400nm、Tavg≥70%；400～6500nm（除通帶外）、Tavg≤0.1%。
【專利說明】通過帶為2000-2400nm的紅外成像濾光片
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及紅外濾光片領域，尤其是一種通過帶為2000-2400nm的紅外成像濾光片。
【背景技術】
[0002]紅外熱成像儀(熱成像儀或紅外熱成像儀)是通過非接觸探測紅外能量(熱量)，并將其轉換為電信號，進而在顯示器上生成熱圖像和溫度值，并可以對溫度值進行計算的一種檢測設備。紅外熱成像儀(熱成像儀或紅外熱成像儀)能夠將探測到的熱量精確量化，或測量，使您不僅能夠觀察熱圖像，還能夠對發(fā)熱的故障區(qū)域進行準確識別和嚴格分析。
[0003]紅外熱成像儀的探測器是實現(xiàn)紅外能量(熱能)轉換電信號的關鍵，由于各種生物所發(fā)出來的紅外能量(熱量)是不同的，所以在日常使用中為了觀察某種特定生物的熱圖像，人們往往會在探測器中添加紅外濾光片，通過紅外濾光片可以使探測器只接受特定波段的紅外能量(熱能)，保證紅外熱成像儀的成像結果。
[0004]但是，目前用于紅外熱成像的2000到2400納米帶通紅外濾光片，其信噪比低，精度差，不能滿足市場發(fā)展的需要。
實用新型內(nèi)容
[0005]本實用新型的目的是為了解決上述技術的不足而提供一種峰值透過率高，能極大的提高信噪比的通過帶為2000-2400nm的紅外成像濾光片。
[0006]為了達到上述目的，本實用新型所設計的通過帶為2000_2400nm的紅外成像濾光片，包括以BK7為原材料的基板，以Ge、SiO為第一鍍膜層和以Ge、SiO為第二鍍膜層，且所述基板位于第一鍍膜層和第二鍍膜層之間，所述第一鍍膜層由內(nèi)向外依次排列包含有:58nm厚度的Ge層、157nm厚度的SiO層、52nm厚度的Ge層、121nm厚度的SiO層、50nm厚度的Ge層、129nm厚度的SiO層、90nm厚度的Ge層、149nm厚度的SiO層、50nm厚度的Ge層、184nm厚度的SiO層、252nm厚度的Ge層、573nm厚度的SiO層、257nm厚度的Ge層、569nm厚度的SiO層、245nm厚度的Ge層、575nm厚度的SiO層、228nm厚度的Ge層、514nm厚度的SiO層、209nm厚度的Ge層和249nm厚度的SiO層；所述第二鍍膜層由內(nèi)向外依次排列包含有:55nm厚度的Ge層、137nm厚度的SiO層、50nm厚度的Ge層、258nm厚度的SiO層、137nm厚度的Ge層、288nm厚度的SiO層、58nm厚度的Ge層、93nm厚度的SiO層、129nm厚度的Ge層、303nm厚度的SiO層、106nm厚度的Ge層、620nm厚度的SiO層、128nm厚度的Ge層、299nm厚度的SiO層、227nm厚度的Ge層、441nm厚度的SiO層、132nm厚度的Ge層、604nm厚度的SiO層、81nm厚度的Ge層和308nm厚度的SiO層。
[0007]上述各材料對應的厚度，其允許在公差范圍內(nèi)變化，其變化的范圍屬于本專利保護的范圍，為等同關系。通常厚度的公差在IOnm左右。
[0008]本實用新型所得到的通過帶為2000-2400nm的紅外成像濾光片，其BK7材質的基板配合表面SiO、Ge材質的鍍膜層，大大提高了信噪比，配合紅外熱成像儀使用，提升紅外熱成像儀的成像結果。該濾光片 50%Cut on = 2000±60nm、50%Cut off = 2400±60nm ；2000 ~2400nm、Tavg ≥70% ；400 ~6500nm (除通帶外)、Tavg ( 0.1%。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0009]圖1是實施例整體結構示意圖；
[0010]圖2是實施例提供的紅外光譜透過率實測曲線圖。
【具體實施方式】
[0011]下面通過實施例結合附圖對本實用新型作進一步的描述。
[0012]實施例1:
[0013]如圖1、圖2所示，本實施例描述的通過帶為2000-2400nm的紅外成像濾光片，包括以BK7為原材料的基板2，以Ge、SiO為第一鍍膜層I和以Ge、SiO為第二鍍膜層3，且所述基板2位于第一鍍膜層I和第二鍍膜層3之間，所述第一鍍膜層I由內(nèi)向外依次排列包含有:58nm厚度的Ge層、157nm厚度的SiO層、52nm厚度的Ge層、121nm厚度的SiO層、50nm厚度的Ge層、129nm厚度的SiO層、90nm厚度的Ge層、149nm厚度的SiO層、50nm厚度的Ge層、184nm厚度的SiO層、252nm厚度的Ge層、573nm厚度的SiO層、257nm厚度的Ge層、569nm厚度的SiO層、245nm厚度的Ge層、575nm厚度的SiO層、228nm厚度的Ge層、514nm厚度的SiO層、209nm厚度的Ge層和249nm厚度的SiO層；所述第二鍍膜層3由內(nèi)向外依次排列包含有:55nm厚度的Ge層、137nm厚度的SiO層、50nm厚度的Ge層、258nm厚度的SiO層、137nm厚度的Ge層、288nm厚度的Si0層、58nm厚度的Ge層、93nm厚度的SiO層、129nm厚度的Ge層、303nm厚度的SiO層、106nm厚度的Ge層、620nm厚度的SiO層、128nm厚度的Ge層、299nm厚度的SiO層、227nm厚度的Ge層、441nm厚度的SiO層、132nm厚度的Ge層、604nm厚度的SiO層、81nm厚度的Ge層和308nm厚度的SiO層。
【權利要求】
1.一種通過帶為2000-2400nm的紅外成像濾光片，包括以BK7為原材料的基板，以Ge、SiO為第一鍍膜層和以Ge、SiO為第二鍍膜層，且所述基板位于第一鍍膜層和第二鍍膜層之間，其特征是:所述第一鍍膜層由內(nèi)向外依次排列包含有:58nm厚度的Ge層、157nm厚度的SiO層、52nm厚度的Ge層、121nm厚度的SiO層、50nm厚度的Ge層、129nm厚度的SiO層、90nm厚度的Ge層、149nm厚度的SiO層、50nm厚度的Ge層、184nm厚度的SiO層、252nm厚度的Ge層、573nm厚度的SiO層、257nm厚度的Ge層、569nm厚度的SiO層、245nm厚度的Ge層、575nm厚度的SiO層、228nm厚度的Ge層、514nm厚度的SiO層、209nm厚度的Ge層和249nm厚度的SiO層；所述第二鍍膜層由內(nèi)向外依次排列包含有:55nm厚度的Ge層、137nm厚度的SiO層、50nm厚度的Ge層、258nm厚度的SiO層、137nm厚度的Ge層、288nm厚度的SiO層、58nm厚度的Ge層、93nm厚度的SiO層、129nm厚度的Ge層、303nm厚度的SiO層、106nm厚度的Ge層、620nm厚度的SiO層、128nm厚度的Ge層、299nm厚度的SiO層、227nm厚度的Ge層、441nm厚度的SiO層、132nm厚度的Ge層、604nm厚度的SiO層、81nm厚度的Ge層和308nm厚度的SiO層。
【文檔編號】G01J5/08GK203551816SQ201320777657
【公開日】2014年4月16日 申請日期:2013年11月29日 優(yōu)先權日:2013年11月29日
【發(fā)明者】王繼平, 呂晶, 劉晶 申請人:杭州麥樂克電子科技有限公司