電流互感器二次繞組尖端放電試驗(yàn)裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種電流互感器二次繞組尖端放電試驗(yàn)裝置，包括高電位外殼和一次導(dǎo)桿，所述高電位外殼內(nèi)設(shè)置有二次繞組，所述一次導(dǎo)桿貫穿二次繞組和高電位外殼，所述二次繞組上設(shè)置有金屬突出物。本實(shí)用新型電流互感器二次繞組尖端放電試驗(yàn)裝置能夠真實(shí)、有效模擬電流互感器存在缺陷時尖端放電情況。
【專利說明】電流互感器二次繞組尖端放電試驗(yàn)裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及高壓電器輸電設(shè)備領(lǐng)域，特別是涉及一種電流互感器二次繞組尖端放電試驗(yàn)裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]電流互感器內(nèi)一般封裝有六氟化硫氣體以作絕緣之用。電流互感器局部放電產(chǎn)生的六氟化硫分解氣體會腐蝕金屬表面、加速絕緣的老化，最終發(fā)展為擊穿放電事故，造成很大的經(jīng)濟(jì)損失。
[0003]近年來，國內(nèi)外對六氟化硫分解氣體組分檢測進(jìn)行了大量研究，取得了一些初步成果，但對各種絕緣缺陷下的局部放電引起六氟化硫氣體的分解過程、分解速率、分解產(chǎn)物相對含量以及影響因素等不同，特別是氣體分解產(chǎn)物相對含量與局部放電類型的關(guān)聯(lián)比對關(guān)系還不清楚，需要進(jìn)行更加深入的基礎(chǔ)研究。在深入的研究中，如何有效布置缺陷，使缺陷布置更接近實(shí)際運(yùn)行設(shè)備中可能出現(xiàn)的缺陷，是模擬實(shí)驗(yàn)中最為關(guān)鍵的因素之一。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0004]基于此，有必要針對現(xiàn)有技術(shù)缺陷，提供一種能夠真實(shí)、有效模擬電流互感器存在缺陷時尖端放電情況的電流互感器二次繞組尖端放電試驗(yàn)裝置。
[0005]其技術(shù)方案如下。
[0006]一種電流互感器二次繞組尖端放電試驗(yàn)裝置，包括高電位外殼和一次導(dǎo)桿，所述高電位外殼內(nèi)設(shè)置有二次繞組，所述一次導(dǎo)桿貫穿二次繞組和高電位外殼，所述二次繞組上設(shè)置有金屬突出物。
[0007]在二次繞組的表面上設(shè)置金屬突出物，能夠有效地模擬金屬碎屑等金屬脫落物在二次繞組表面時二次繞組表面發(fā)生的尖端放電的情況，從而有利于缺陷模擬試驗(yàn)的研究。
[0008]在其中一個實(shí)施例中，所述二次繞組包括二次線圈和二次線圈外屏蔽罩，所述二次線圈設(shè)置于所述二次線圈外屏蔽罩內(nèi)，所述金屬突出物設(shè)置于所述二次線圈外屏蔽罩上。金屬突出物設(shè)置在二次線圈外屏蔽罩上，在電流互感器實(shí)際運(yùn)行中，二次線圈外屏蔽罩被放電擊穿事故時常發(fā)生，故在二次線圈屏蔽罩上設(shè)置金屬突出物，可真實(shí)、有效地模擬二次繞組尖端放電的情況。
[0009]在其中一個實(shí)施例中，所述金屬突出物為“L”型金屬桿，“L”型金屬桿包括相互連接的水平部和垂直部，該水平部貼合于所述的二次線圈外屏蔽罩的表面?！癓”型金屬桿的水平部貼合二次線圈外屏蔽罩的表面，經(jīng)電場計(jì)算，二次繞組上二次線圈外屏蔽罩的表面電場畸變最為厲害，能夠較為準(zhǔn)確、有效的模擬典型電流互感器結(jié)構(gòu)中二次繞組尖端放電缺陷。
[0010]在其中一個實(shí)施例中，電流互感器二次繞組尖端放電試驗(yàn)裝置還包括絕緣支撐件和底座，所述高電位外殼通過絕緣支撐件支承于所述底座之上。
[0011]在其中一個實(shí)施例中，所述絕緣支撐件為絕緣筒體,絕緣筒體內(nèi)設(shè)置有內(nèi)腔，所述絕緣筒體的一端與高電位外殼相連接，另一端與底座相連接。
[0012]下面對本技術(shù)方案的優(yōu)點(diǎn)或原理進(jìn)行說明。
[0013]在二次繞組的表面上設(shè)置金屬突出物，能夠有效地模擬金屬碎屑等金屬脫落物在二次繞組表面時二次繞組表面發(fā)生的尖端放電的情況，從而有利于缺陷模擬試驗(yàn)的研究。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0014]圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例所述電流互感器二次繞組尖端放電試驗(yàn)裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0015]圖2為圖1中A處的局部放大視圖；
[0016]附圖標(biāo)記說明:
[0017]10、高電位外殼，20、絕緣支撐件，30、底座，40、一次導(dǎo)桿，50、二次繞組，510、二次線圈外屏蔽罩，520、二次線圈，60、“L”型金屬桿。
【具體實(shí)施方式】
[0018]下面結(jié)合附圖對本實(shí)用新型實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)的說明。
[0019]如圖1一2所示電流互感器二次繞組尖端放電試驗(yàn)裝置，包括高電位外殼10、絕緣支撐件20和底座30，高電位外殼10通過絕緣支撐件20支承于底座30上。絕緣支撐件20為絕緣筒體，其內(nèi)部設(shè)置有用于安放導(dǎo)線的內(nèi)腔。絕緣筒體為一內(nèi)部中空的筒體，其一端與高電位外殼10相連接，另一端與底座30相連接。在本實(shí)施例中，絕緣筒體采用硅橡膠復(fù)合絕緣套筒或者高強(qiáng)瓷套筒，當(dāng)然在其他實(shí)施例中亦可采用其他材料作為絕緣筒體。高電位外殼10內(nèi)封裝有六氟化硫氣體，以作絕緣之用。
[0020]其中，電流互感器二次繞組尖端放電試驗(yàn)裝置還包括有一次導(dǎo)桿40。高電位外殼10上設(shè)置有相對的第一安裝孔和第二安裝孔，高電位外殼10內(nèi)部設(shè)置有二次繞組50，一次導(dǎo)桿40穿過第一安裝孔、二次繞組50和第二安裝孔，從而貫穿高電位外殼10和二次繞組50，一次導(dǎo)桿40水平穿過二次繞組50的中心。二次繞組50包括二次線圈520和二次線圈520外屏蔽罩510，二次線圈520設(shè)置在二次線圈520外屏蔽罩510內(nèi)。金屬突出物設(shè)置在二次線圈520外屏蔽罩510的表面上。二次線圈520外屏蔽罩510中部設(shè)置通孔，一次導(dǎo)桿40穿過通孔從而貫穿二次繞組50。
[0021]在本實(shí)施例中，金屬突出物為“L”型金屬桿60，其包括水平部和垂直部，水平部的一端和垂直部的一端相連接使得金屬突出物整體呈“L”型。在本實(shí)施例中，“L”型金屬桿60的水平部貼合于二次線圈520外屏蔽罩510的表面上，并用鋁箔將其黏貼在二次線圈520外屏蔽罩510的表面，當(dāng)然，在其它實(shí)施中，“L”型金屬桿60也可以采用焊接等方式使其與二次線圈520外屏蔽罩510的表面相固定。在其它實(shí)施例中，也可布置不同的金屬突出物來進(jìn)行缺陷模擬。
[0022]在生產(chǎn)或安裝的過程中，一次導(dǎo)桿40與高電位外殼10的第一安裝孔或第二安裝孔之間的摩擦?xí)a(chǎn)生金屬碎屑。在運(yùn)行時，這些金屬碎屑容易在二次繞組50表面積聚形成金屬尖端，容易出現(xiàn)電暈放電缺陷。經(jīng)電場計(jì)算，在二次線圈520外屏蔽罩510表面的電場畸變最為厲害，在此處設(shè)置金屬突出物缺陷，能夠較為準(zhǔn)確、有效的模擬典型電流互感器結(jié)構(gòu)中二次繞組50尖端放電缺陷。[0023]下面對本實(shí)用新型實(shí)施例的優(yōu)點(diǎn)或原理進(jìn)行說明。
[0024]在二次繞組50的表面上設(shè)置金屬突出物，能夠有效地模擬金屬碎屑等金屬脫落物在二次繞組50表面時二次繞組50表面發(fā)生的尖端放電的情況,從而有利于缺陷模擬試驗(yàn)的研究。
[0025]以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本實(shí)用新型的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對本實(shí)用新型專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種電流互感器二次繞組尖端放電試驗(yàn)裝置，其特征在于，包括高電位外殼和一次導(dǎo)桿，所述高電位外殼內(nèi)設(shè)置有二次繞組，所述一次導(dǎo)桿貫穿二次繞組和高電位外殼，所述二次繞組上設(shè)置有金屬突出物；所述金屬突出物為“L”型金屬桿，“L”型金屬桿包括相互連接的水平部和垂直部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電流互感器二次繞組尖端放電試驗(yàn)裝置，其特征在于，所述二次繞組包括二次線圈和二次線圈外屏蔽罩，所述二次線圈設(shè)置于所述二次線圈外屏蔽罩內(nèi)，所述金屬突出物設(shè)置于所述二次線圈外屏蔽罩上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電流互感器二次繞組尖端放電試驗(yàn)裝置，其特征在于，該水平部貼合于所述的二次線圈外屏蔽罩的表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電流互感器二次繞組尖端放電試驗(yàn)裝置，其特征在于，還包括絕緣支撐件和底座，所述高電位外殼通過絕緣支撐件支承于所述底座之上。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電流互感器二次繞組尖端放電試驗(yàn)裝置，其特征在于，所述絕緣支撐件為絕緣筒體，所述絕緣筒體的一端與高電位外殼相連接，另一端與底座相連接。
【文檔編號】G01R31/12GK203535175SQ201320602695
【公開日】2014年4月9日 申請日期:2013年9月27日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月27日
【發(fā)明者】王宇, 李麗 申請人:廣東電網(wǎng)公司電力科學(xué)研究院