電流互感器電容錐匝間短路試驗(yàn)裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種電流互感器電容錐匝間短路試驗(yàn)裝置，包括高電位外殼、絕緣支撐套筒和底座，所述高電位外殼通過(guò)所述絕緣支撐套筒支承于所述底座之上；所述絕緣支撐套筒內(nèi)設(shè)置有電容錐，該電容錐包括環(huán)形側(cè)壁，所述環(huán)形側(cè)壁內(nèi)設(shè)有金屬件。本實(shí)用新型電流互感器電容錐匝間短路試驗(yàn)裝置能夠真實(shí)、有效模擬電流互感器存在缺陷時(shí)電容錐匝間短路情況。
【專利說(shuō)明】電流互感器電容錐匝間短路試驗(yàn)裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及高壓電器輸電設(shè)備領(lǐng)域，特別是涉及一種電流互感器電容錐匝間短路試驗(yàn)裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]電流互感器內(nèi)一般封裝有六氟化硫氣體以作絕緣之用。電流互感器局部放電產(chǎn)生的六氟化硫分解氣體會(huì)腐蝕金屬表面、加速絕緣的老化，最終發(fā)展為擊穿放電事故，造成很大的經(jīng)濟(jì)損失。
[0003]近年來(lái)，國(guó)內(nèi)外對(duì)六氟化硫分解氣體組分檢測(cè)進(jìn)行了大量研究，取得了一些初步成果，但對(duì)各種絕緣缺陷下的局部放電引起六氟化硫氣體的分解過(guò)程、分解速率、分解產(chǎn)物相對(duì)含量以及影響因素等不同，特別是氣體分解產(chǎn)物相對(duì)含量與局部放電類型的關(guān)聯(lián)比對(duì)關(guān)系還不清楚，需要進(jìn)行更加深入的基礎(chǔ)研究。在深入的研究中，如何有效布置缺陷，使缺陷布置更接近實(shí)際運(yùn)行設(shè)備中可能出現(xiàn)的缺陷，是模擬實(shí)驗(yàn)中最為關(guān)鍵的因素之一。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0004]基于此，有必要針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)缺陷，提供一種能夠真實(shí)、有效模擬電流互感器存在缺陷時(shí)電容錐匝間短路情況的電流互感器電容錐匝間短路試驗(yàn)裝置。
[0005]其技術(shù)方案如下。
[0006]一種電流互感器電容錐匝間短路試驗(yàn)裝置，包括高電位外殼、絕緣支撐套筒和底座，所述高電位外殼通過(guò)所述絕緣支撐套筒支承于所述底座之上；所述絕緣支撐套筒內(nèi)設(shè)置有電容錐，該電容錐包括環(huán)形側(cè)壁，所述環(huán)形側(cè)壁內(nèi)設(shè)有金屬件。
[0007]在電容錐的環(huán)形側(cè)壁內(nèi)設(shè)置金屬件，能夠有效地模擬電容錐發(fā)生匝間短路時(shí)的放電情況，從而有利于缺陷模擬試驗(yàn)的研究。
[0008]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述環(huán)形側(cè)壁包括多層嵌套的環(huán)狀電容屏，所述環(huán)狀電容屏相互層疊呈錐狀結(jié)構(gòu)，所述環(huán)狀電容屏之間設(shè)置絕緣層，所述金屬件貫穿所述環(huán)狀電容屏。金屬件刺穿環(huán)狀電容屏，使得電容屏之間發(fā)生短路從而進(jìn)行缺陷模擬。
[0009]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述絕緣支撐筒還包括二次引線管，所述二次引線管一端與高電位外殼相連，另一端與底座相連，所述二次引線管貫穿所述電容錐。
[0010]在其中一個(gè)實(shí)施例中，高電位外殼還包括一次導(dǎo)桿和二次繞組，所述二次繞組設(shè)置在所述高電位外殼內(nèi)，所述一次導(dǎo)桿貫穿二次繞組和高電位外殼。
[0011]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述絕緣支撐套筒包括第一端和第二端，所述第一端與高電位外殼相連接，第二端與底座相連接。
[0012]下面對(duì)本技術(shù)方案的優(yōu)點(diǎn)或原理進(jìn)行說(shuō)明。
[0013]在電容錐的環(huán)形側(cè)壁內(nèi)設(shè)置金屬件，能夠有效地模擬電容錐發(fā)生匝間短路時(shí)的放電情況，從而有利于缺陷模擬試驗(yàn)的研究?！緦＠綀D】

【附圖說(shuō)明】
[0014]圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例所述電流互感器電容錐匝間短路試驗(yàn)裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0015]圖2為圖1中A處的局部放大視圖；
[0016]附圖標(biāo)記說(shuō)明:
[0017]10、高電位外殼，20、絕緣支撐套筒，210、二次引線管30、底座，40、一次導(dǎo)桿，50、二次繞組，60、絕緣子，70、電容錐，710、環(huán)形電容屏，80、金屬件。
【具體實(shí)施方式】
[0018]下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明。
[0019]如圖1-2所示電流互感器絕緣子放電試驗(yàn)裝置,包括高電位外殼10、絕緣支撐套筒和底座30，高電位外殼10通過(guò)絕緣支撐套筒支承于底座30上。絕緣支撐套筒為絕緣支撐套筒，其內(nèi)部設(shè)置有內(nèi)腔。絕緣支撐套筒包括第一端和第二端，其第一端與高電位外殼10相連接，第二端與底座30相連接。在本實(shí)施例中，絕緣支撐套筒采用硅橡膠復(fù)合絕緣套筒或者高強(qiáng)瓷套筒，當(dāng)然在其他實(shí)施例中亦可采用其他材料作為絕緣支撐套筒。高電位外殼10和絕緣支撐套筒內(nèi)封裝有六氟化硫氣體，以作絕緣之用。
[0020]在絕緣支撐套筒內(nèi)設(shè)置有電容錐70，該電容錐70包括環(huán)形側(cè)壁，在環(huán)形側(cè)壁內(nèi)設(shè)置有金屬件80。電容錐70有一組直徑由大到小的環(huán)形電容屏710組成，直徑較小的環(huán)形電容屏710套設(shè)在直徑較大的環(huán)形電容屏710的內(nèi)部，環(huán)形電容屏710相互層疊整體呈錐狀結(jié)構(gòu)，在層疊的環(huán)形電容屏710與環(huán)形電容屏710之間設(shè)有絕緣層，在本實(shí)施例中，該絕緣層為環(huán)氧樹(shù)脂層。金屬件80設(shè)在環(huán)形側(cè)壁中，使得環(huán)形電容屏710之間短路導(dǎo)通。在本實(shí)施例中，金屬件80為金屬釘，有兩枚金屬釘，金屬釘貫穿環(huán)形電容屏710使得電容錐70匝短路進(jìn)行缺陷模擬。當(dāng)然，在其它實(shí)施例中也可以采用其它的金屬件80來(lái)進(jìn)行缺陷模擬。電容錐70為兩端設(shè)有開(kāi)口，而且兩端的開(kāi)口在電容錐70的內(nèi)部直通。絕緣支撐筒還包括二次引線管210，二次引線管210 —端與高電位外殼相連，另一端與底座相連，二次引線管210貫穿電容錐70。
[0021]其中，高電位外殼10內(nèi)設(shè)置有二次繞組50和絕緣子60。絕緣子60為盆狀體，包括第一端和第二端。第一端為收縮端，為直徑小的一端。而第二端為外擴(kuò)端，為直徑大的一端。二次繞組50通過(guò)絕緣子60支承于高電位外殼10內(nèi)，絕緣子60的第一端與二次繞組50相連接，第二端與絕緣支撐套筒與高電位外殼10的連接處相連接。電流互感器絕緣子放電試驗(yàn)裝置還包括有一次導(dǎo)桿40。高電位外殼10上設(shè)置有相對(duì)的第一安裝孔和第二安裝孔，高電位外殼10內(nèi)部設(shè)置有二次繞組50，一次導(dǎo)桿40穿過(guò)第一安裝孔、二次繞組50和第二安裝孔，從而貫穿高電位外殼10和二次繞組50，一次導(dǎo)桿40水平穿過(guò)二次繞組50的中心。
[0022]在生產(chǎn)或安裝的過(guò)程中，電容錐70的環(huán)形電容屏710之間可能會(huì)有金屬碎屑的存在。在運(yùn)行時(shí)，這些金屬碎屑會(huì)使得電容錐70匝間短路，造成事故的發(fā)生。經(jīng)電場(chǎng)計(jì)算，在電容錐70匝間電場(chǎng)畸變較為厲害，而且此處為事故高發(fā)處，在此處設(shè)置金屬件80，能夠較為準(zhǔn)確、有效的模擬典型電流互感器結(jié)構(gòu)中電容錐70匝間短路缺陷。
[0023]下面對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例的優(yōu)點(diǎn)或原理進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明。[0024]在電容錐70的環(huán)形側(cè)壁內(nèi)設(shè)置金屬件80，能夠有效地模擬電容錐70發(fā)生匝間短路時(shí)的放電情況，從而有利于缺陷模擬試驗(yàn)的研究。
[0025]以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本實(shí)用新型的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)本實(shí)用新型專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種電流互感器電容錐匝間短路試驗(yàn)裝置，其特征在于，包括高電位外殼、絕緣支撐套筒和底座，所述高電位外殼通過(guò)所述絕緣支撐套筒支承于所述底座之上；所述絕緣支撐套筒內(nèi)設(shè)置有電容錐，該電容錐包括環(huán)形側(cè)壁，所述環(huán)形側(cè)壁內(nèi)設(shè)有金屬件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電流互感器電容錐匝間短路試驗(yàn)裝置，其特征在于，所述環(huán)形側(cè)壁包括多層嵌套的環(huán)狀電容屏，所述環(huán)狀電容屏相互層疊呈錐狀結(jié)構(gòu)，所述環(huán)狀電容屏之間設(shè)置絕緣層，所述金屬件貫穿所述環(huán)狀電容屏。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電流互感器電容錐匝間短路試驗(yàn)裝置，其特征在于，所述絕緣支撐筒還包括二次引線管，所述二次引線管一端與高電位外殼相連，另一端與底座相連，所述二次引線管貫穿所述電容錐。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的電流互感器電容錐匝間短路試驗(yàn)裝置，其特征在于，還包括一次導(dǎo)桿和二次繞組，所述二次繞組設(shè)置在所述高電位外殼內(nèi)，所述一次導(dǎo)桿貫穿二次繞組和高電位外殼。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的電流互感器電容錐匝間短路試驗(yàn)裝置，其特征在于，所述絕緣支撐套筒包括第一端和第二端，所述第一端與高電位外殼相連接，第二端與底座相連接。
【文檔編號(hào)】G01R31/20GK203535183SQ201320602546
【公開(kāi)日】2014年4月9日 申請(qǐng)日期:2013年9月27日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月27日
【發(fā)明者】王宇, 李麗, 周永言 申請(qǐng)人:廣東電網(wǎng)公司電力科學(xué)研究院