專利名稱：一種限壓型電涌保護器靜態(tài)參數(shù)測試儀的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
—種限壓型電涌保護器靜態(tài)參數(shù)測試儀技術(shù)領(lǐng)域:本實用新型涉及一種限壓型電涌保護器靜態(tài)參數(shù)測試儀，屬雷電科學(xué)與技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
:限壓型電涌保護器的內(nèi)部元件主要是氧化鋅壓敏電阻ZnO，壓敏電阻的主要性能參數(shù)直接影響電涌保護器的性能。氧化鋅壓敏電阻具有以下特點:1非線性指數(shù)高(α>50)。2吸收的能量大(能量容量可達240J/cm3)。3壓敏電壓和能量吸收的能力可以在限度范圍內(nèi)加以控制。4原料比較低廉、性能容易控制、便于大批生產(chǎn)。因此，氧化鋅壓敏電阻在各個領(lǐng)域迅速得到應(yīng)用，特別在最近幾十年里，在電涌保護器中得到了廣泛的應(yīng)用。限壓型電涌保護器的主要靜態(tài)參數(shù):壓敏電壓、漏電流、及壓敏電阻的非線性系數(shù)α的值。壓敏電壓的定義是電流為0.1-幾毫安時對應(yīng)的壓敏元件兩段的電壓特征值，該特征值稱為壓敏電壓，一般電流取值為1mA，壓敏電壓記為UlmA。漏電流定義為0.75%1^時壓敏電阻中的電流值，一般為μ A數(shù)量級，氧化鋅壓敏電阻的電阻值具有對電壓變化具有很敏感的非線性電阻特性即壓敏性，其電壓-電流對應(yīng)特性是一條曲線，當(dāng)外施電壓低于某一臨界值時，其電阻值很高，通過電阻的電流很小，當(dāng)外施電壓達到或超過次臨界值時，其電阻值急劇下降，電流驟然上升。壓敏電阻的電壓-電流特性可近似用下式表示
權(quán)利要求1.一種限壓型電涌保護器靜態(tài)參數(shù)測試儀，其特征是:該測試儀主要由高壓形成電路、被測試品取樣電路以及MSP430單片機組成，其中高壓形成電路和MSP430單片機分別與被測試品取樣電路相連，高壓形成電路還連接MSP430單片機。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的限壓型電涌保護器靜態(tài)參數(shù)測試儀，其特征是:該測試儀還設(shè)有顯示單元和存儲器，它們分別與MSP430單片機相連。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的限壓型電涌保護器靜態(tài)參數(shù)測試儀，其特征是:所述高壓形成電路主要由TL494芯片構(gòu)成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的限壓型電涌保護器靜態(tài)參數(shù)測試儀，其特征是:被測試品取樣電路由電阻R1、R2、 R3組成。
專利摘要本實用新型提供一種限壓型電涌保護器靜態(tài)參數(shù)測試儀，限壓型電涌保護器的靜態(tài)參數(shù)檢驗中用參考電壓、漏電流、及非線性三個基本參數(shù)來判斷電涌保護器的性能指標(biāo)。本實用新型可用于測量和檢驗電涌保護器的靜態(tài)參數(shù)，用于測量參數(shù)判斷電涌保護器的性能以及在線使用中的電涌保護器的劣化程度。該測試儀由高壓形成電路、被測試品取樣電路以及MSP430單片機組成，其中高壓形成電路和MSP430單片機分別與被測試品取樣電路相連，高壓形成電路還連接MSP430單片機。
文檔編號G01R19/00GK203084120SQ20132001259
公開日2013年7月24日 申請日期2013年1月10日 優(yōu)先權(quán)日2013年1月10日
發(fā)明者李祥超, 侯一陽, 徐佳陽, 王金虎 申請人:南京信息工程大學(xué)