一種傳感器件、傳感器及濕度傳感器件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種傳感器件，所述傳感器件包括設(shè)置在半導(dǎo)體襯底上的至少一個傳感器區(qū)域，所述傳感器區(qū)域包括設(shè)置在所述半導(dǎo)體襯底上的多晶硅垂直電極，所述多晶硅垂直電極形成傳感電容，每個垂直電極作為所述傳感電容的一個極板，所述垂直電極的極板之間有敏感膜片，所述敏感膜片與環(huán)境具有第一接觸面，透過所述第一接觸面吸收環(huán)境中待檢測物質(zhì)后，改變所述傳感電容的電容值，所述傳感電容根據(jù)所述介電常數(shù)變化生成變化的電容信號；至少一個傳導(dǎo)器件，從所述第二表面朝向所述第一表面貫穿所述半導(dǎo)體襯底，并且與所述敏感器件具有至少一個第二接觸面，所述第二接觸面將傳感電容生成的所述電容信號傳導(dǎo)給設(shè)置在所述第二表面的金屬焊盤。本發(fā)明具有性能穩(wěn)定的優(yōu)點(diǎn)。
【專利說明】一種傳感器件、傳感器及濕度傳感器件
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，具體涉及到一種傳感器件、采用所述傳感器件的傳感器以及濕度傳感器。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有技術(shù)中，可以通過環(huán)境中待測標(biāo)的物對電容電極板的介電常數(shù)的影響，來測量環(huán)境中待測標(biāo)的物的含量，例如通過濕度對電容電極電荷量的影響，通過電容變化測量空氣中的濕度。但是現(xiàn)有技術(shù)中通常將傳導(dǎo)信號的信號線或信號線與電極間的連接部分都設(shè)置在芯片或電路板的上表面，由于電極板的吸收待測標(biāo)的物的敏感材料需要與環(huán)境接觸，因此，環(huán)境會對連接線或連接部分，例如金屬焊盤造成腐蝕，影響傳感器件的工作穩(wěn)定性，此外暴露在環(huán)境中的信號線，也容易被環(huán)境中的噪聲干擾，影響測量標(biāo)的物的精確度。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的是提供一種傳感器件，以實現(xiàn)通過傳感器件檢測環(huán)境中待測物時，用于傳導(dǎo)信號的焊盤等連接線可以不被暴露在環(huán)境中。
[0004]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了述傳感器件包括設(shè)置在半導(dǎo)體襯底上的至少一個傳感器區(qū)域；其中，所述傳感器區(qū)域包括設(shè)置在所述半導(dǎo)體襯底上的多個多晶硅垂直電極，相鄰的所述多晶硅垂直電極形成傳感電容，每個垂直電極作為所述傳感電容的一個極板，每個傳感電容的兩個極板之間設(shè)置有敏感膜片，所述敏感膜片與環(huán)境具有第一接觸面，透過所述第一接觸面吸收環(huán)境中待檢測物質(zhì)后，改變所述傳感電容的電容值，所述傳感電容根據(jù)所述介電常數(shù)變化生成變化的電容信號；
[0005]至少一個傳導(dǎo)元件，貫穿所述半導(dǎo)體襯底，并且與所述垂直電極具有至少一個第二接觸面，所述第二接觸面將所述傳感電容生成的所述電容信號傳導(dǎo)給設(shè)置在所述第二表面的金屬焊盤。
[0006]依照本發(fā)明較佳實施例所述的傳感器件，所述垂直電極的上方設(shè)置有第一保護(hù)板，所述第一保護(hù)板與所述垂直電極之間被絕緣介質(zhì)隔離；
[0007]依照本發(fā)明較佳實施例所述的傳感器件，所述垂直電極的下方設(shè)置有第二保護(hù)板，所述第二保護(hù)板與所述垂直電極之間被絕緣介質(zhì)隔離；
[0008]依照本發(fā)明較佳實施例所述的傳感器件，所述垂直電極的兩側(cè)在所述半導(dǎo)體襯底上設(shè)置有溝槽，所述敏感膜片由填充在所述溝槽內(nèi)的環(huán)境敏感材料制成。
[0009]依照本發(fā)明較佳實施例所述的傳感器件，所述第一保護(hù)板上表面涂覆有絕緣介質(zhì)。
[0010]依照本發(fā)明較佳實施例所述的傳感器件，所述傳導(dǎo)器件為垂直電饋通，所述垂直電饋通包括引線傳導(dǎo)層、絕緣層和支撐介質(zhì)，述絕緣層位于所述引線傳導(dǎo)層和所述支撐介質(zhì)之間，所述引線傳導(dǎo)層由磷摻雜多晶硅制成，所述絕緣層由氧化硅制成，所述支撐介質(zhì)為
多晶娃。[0011]依照本發(fā)明較佳實施例所述的傳感器件，所述傳感器件為濕度傳感器件，所述敏感膜片為可以吸收濕氣的多孔電介質(zhì)、多孔陶瓷、多孔金屬、聚酰亞胺其中之一制成。
[0012]本發(fā)明實施例還提供了 一種傳感器，所述傳感器包括至少一傳感器件和處理器:
[0013]所述傳感器件包括設(shè)置在半導(dǎo)體襯底上的至少一個傳感器區(qū)域，其中，所述傳感器區(qū)域包括設(shè)置在所述半導(dǎo)體襯底上的多個多晶硅垂直電極，相鄰的所述多晶硅垂直電極形成傳感電容，每個垂直電極作為所述傳感電容的一個極板，每個傳感電容的兩個極板之間設(shè)置有敏感膜片，所述敏感膜片與環(huán)境具有第一接觸面，透過所述第一接觸面吸收環(huán)境中待檢測物質(zhì)后，改變所述傳感電容的電容值，所述傳感電容根據(jù)所述介電常數(shù)變化生成變化的電容信號；以及至少一個傳導(dǎo)元件，貫穿所述半導(dǎo)體襯底，并且與所述垂直電極具有至少一個第二接觸面，所述第二接觸面將所述傳感電容生成的所述電容信號傳導(dǎo)給設(shè)置在所述第二表面的金屬焊盤；
[0014]所述金屬焊盤通過外接線路將所電容信號傳輸給所述處理器，所述處理器根據(jù)所述電容信號變化，獲得所述待檢測物質(zhì)的參數(shù)。
[0015]依照本發(fā)明較佳實施例所述的傳感器，所述傳導(dǎo)器件為垂直電饋通，所述垂直電饋通包括引線傳導(dǎo)層、絕緣層和支撐介質(zhì)，所述絕緣層位于所述引線傳導(dǎo)層和所述支撐介質(zhì)之間，所述引線傳導(dǎo)層與所述金屬焊盤接觸，所述引線傳導(dǎo)層由磷摻雜多晶硅制成，所述絕緣層由氧化硅制成，所述支撐介質(zhì)為多晶硅，。
[0016]本發(fā)明實施例還提供了一種濕度傳感器件，所述濕度傳感器件包括設(shè)置在半導(dǎo)體襯底上的至少一個傳感器區(qū)域，所述傳感器區(qū)域包括設(shè)置在所述半導(dǎo)體襯底上的多個多晶硅垂直電極，其中，相鄰的所述多晶硅垂直電極形成傳感電容，每個垂直電極作為所述傳感電容的一個極板，每個傳感電容的兩個極板之間設(shè)置有濕度敏感膜片，所述敏感膜片與環(huán)境具有第一接觸面，透過所述第一接觸面吸收環(huán)境中濕氣后，改變所述傳感電容的電容值，所述傳感電容根據(jù)所述介電常數(shù)變化生成變化的電容信號；
[0017]至少一個傳導(dǎo)元件，貫穿所述半導(dǎo)體襯底，并且與所述垂直電極具有至少一個第二接觸面，所述第二接觸面將所述傳感電容生成的所述電容信號傳導(dǎo)給設(shè)置在所述第二表面的金屬焊盤。
[0018]本發(fā)明能夠允許在設(shè)計電路信號的輸出焊盤時，將其設(shè)置在傳感區(qū)域的背面，這樣有效避免了金屬打線所引起的寄生電筒，以及避免了金屬焊盤直接接觸外界探測環(huán)境所引起的金屬腐蝕，有效提高了傳感器件的穩(wěn)定性。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]圖1為本發(fā)明實施例提供的傳感器件的一種結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖2為本發(fā)明實施例提供的傳感器件的詳細(xì)結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖3為本發(fā)明實施例提供的傳感器的一種結(jié)構(gòu)框圖圖。
【具體實施方式】
[0022]以下結(jié)合具體實施例，對本發(fā)明實施例提供的一種具有垂直電饋通的電容式傳感器進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0023]本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將意識到，下述的實施例的詳細(xì)說明僅僅是說明性的，并且不是意在以任何方式加以限制。其他實施例將容易地呈現(xiàn)給受益于本公開的這類技術(shù)人員?，F(xiàn)在，將詳細(xì)地參考如若干附圖中所示的(一個或多個)示例性實施例的實施。遍及附圖并且在后面的詳細(xì)說明中將使用相同的附圖標(biāo)記來指出相同或類似的部分。
[0024]為清楚起見，沒有示出并描述此處所述的實施的全部常規(guī)特征。當(dāng)然，應(yīng)當(dāng)理解，在任何這樣的實際實施的發(fā)展過程中，必須做出大量具體到實施的決定以便實現(xiàn)研發(fā)人員的具體目標(biāo)，比如符合應(yīng)用和行業(yè)相關(guān)的限制，并且這些具體目標(biāo)因?qū)嵤┑牟煌煌蜷_發(fā)商的不同而不同。而且，應(yīng)當(dāng)理解這樣的發(fā)展計劃可能復(fù)雜且耗時，但是對于從本公開受益的本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說，其仍然會是一個常規(guī)的工程保證。
[0025]應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明的(一個或多個)實施例可以包括MEMS設(shè)備和/或電路，其可以容易地使用諸如CMOS (“互補(bǔ)性氧化金屬半導(dǎo)體”)加工技術(shù)或其他半導(dǎo)體制造工藝之類的眾所周知的技術(shù)來制造。另外，可以用制造半導(dǎo)體或基于硅的電和/或MEMS設(shè)備的其他制造工藝來實現(xiàn)本發(fā)明的(一個或多個)實施例。
[0026]本發(fā)明的(一個或多個)實施例公開了一種固態(tài)MEMS電容式傳感器，其能夠測量濕度、氣體、液體、液體等等。
[0027]圖1是說明了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的具有一個或多個垂直電饋通的傳感器件的結(jié)構(gòu)圖。在一個實施例中，框圖100包括一種傳感器件，所述傳感器件包括設(shè)置在半導(dǎo)體襯底202上的至少一個傳感器區(qū)域201以及將傳感器區(qū)域201產(chǎn)生的電容信號傳導(dǎo)給外部的傳導(dǎo)元件區(qū)203.，傳導(dǎo)元件區(qū)203中包含至少一個傳導(dǎo)元件，應(yīng)當(dāng)指出，本發(fā)明的(一個或多個)示例性實施例的基礎(chǔ)構(gòu)思不會因向框圖100中添加或者從中移除一個或多個塊或?qū)佣淖儭?br> [0028]進(jìn)一步參見圖2，其為傳感器件的詳細(xì)結(jié)構(gòu)圖，所述傳感器區(qū)域201包括設(shè)置在所述半導(dǎo)體襯底202上的多晶硅垂直電極104，相鄰的所述多晶硅垂直電極104形成傳感電容，每個垂直電極104作為所述傳感電容的一個極板，所述垂直電極104的之間設(shè)置有敏感膜片103，所述敏感膜片103與環(huán)境具有第一接觸面，透過所述第一接觸面吸收環(huán)境中待檢測物質(zhì)后，改變所述傳感電容的電容值，所述傳感電容根據(jù)所述介電常數(shù)變化生成變化的電容信號；
[0029]所述至少一個傳導(dǎo)元件區(qū)203包含多個垂直電饋通106，從底部向上方貫穿所述半導(dǎo)體襯底202，并且具有與所述傳感區(qū)域201的垂直電極具有至少一個第二接觸面，所述第二接觸面將所述傳感電容生成的所述電容信號傳導(dǎo)給設(shè)置在半導(dǎo)體襯底202底部的金屬焊盤107。
[0030]半導(dǎo)體襯底202由半導(dǎo)體構(gòu)成，所述物質(zhì)可以包括任何類型的半導(dǎo)體材料，比如硅、低摻雜硅、鍺、砷化鎵等等。垂直電極104可以經(jīng)由傳統(tǒng)的半導(dǎo)體摻雜公寓工藝在半導(dǎo)體襯底202上制成，在垂直電極的兩側(cè)根據(jù)可選的制造工藝，形成深度與垂直電極104的高度大致相當(dāng)?shù)臏喜郏瑴喜塾靡匀葜妹舾心て?03。相鄰的垂直電極104形成平行板電容，在本實施例中稱之為傳感電容，本發(fā)明實施例根據(jù)傳感電容的電容值變化，測量待測物體。
[0031]敏感膜片103由敏感材料制成，可以通過涂覆、噴射、沉積或其他的方式將敏感材料填充到垂直電極102側(cè)邊的溝槽中，與垂直電極接觸。根據(jù)需要測量的物體不同，敏感材料的選擇也有所不同，例如，以一種用來測量濕度的傳感器為例，敏感材料可以選擇具備吸收濕氣作用的多孔介質(zhì)，例如聚酰亞胺、多孔電介質(zhì)、多孔金屬、多孔陶瓷等。當(dāng)被涂覆在所述垂直電極104表面之后，敏感膜片103吸收空氣中的濕氣，最終達(dá)到飽和狀態(tài)，敏感膜片103中含有的濕氣量，在一定程度上影響垂直電極的電介質(zhì)常數(shù)，進(jìn)一步影響傳感電容的電容值，因此，根據(jù)測量到的電容值的不同，即可推斷環(huán)境中濕度的大小。
[0032]類似的，所述領(lǐng)域的技術(shù)人員經(jīng)過合理的推斷，能夠確定當(dāng)需要測量的物體有所不同時，可以選擇不同的敏感材料來制成敏感膜片，例如，當(dāng)需要檢測酒精濃度時，可以選擇可以吸收酒精的材料，不多贅述。
[0033]如圖2所示，框圖100還可以包括由摻雜多晶硅制成在半導(dǎo)體襯底202上形成的第一保護(hù)板102,第一保護(hù)板102由于位于垂直電極104上方,也可以稱之為上保護(hù)板。第一保護(hù)板102和垂直電極104上表面之間被絕緣層隔開，所述的絕緣層例如可以是，但不限定于氧化娃。藉由第一保護(hù)板102,可以在一定程度上防止寄生信號、例如寄生電容的產(chǎn)生，影響傳感電容信號，造成測量誤差。
[0034]如圖2所示，框圖100還可以包括由摻雜多晶硅制成在半導(dǎo)體襯底202上形成的第二保護(hù)板105，第二保護(hù)板105由于位于垂直電極104下方，也可以稱之為下保護(hù)板。第二保護(hù)板105與垂直電極104的下表面之間均被絕緣層隔開，所述的絕緣層例如可以是，但不限定于氧化硅。藉由第二保護(hù)板105，可以防止寄生信號、例如寄生電容的產(chǎn)生，影響傳感電容信號，造成測量誤差。
[0035]再參考圖2，可見在第一保護(hù)板102的上表面還涂覆有一層絕緣隔離層101，同樣的，隔絕緣隔離層102也可以是氧化硅制成，可以將其與外部環(huán)境，之后可以再通過蝕刻等工藝，將敏感膜片103暴露在環(huán)境中，使之與環(huán)境具有第一接觸面，以吸收環(huán)境中的待檢測物體。
[0036]在傳導(dǎo)器件區(qū)域203包含多個垂直電饋通(Vertical electric feed-trough),用于將傳感器件區(qū)201部分的電容信號傳導(dǎo)到外部的控制器件，例如通過設(shè)置在半導(dǎo)體芯片背面的焊盤107。
[0037]在一個實施例中，垂直電饋通106包含引線傳導(dǎo)層1061、絕緣層1062和支撐介質(zhì)1063，具有導(dǎo)電作用，具有與垂直電極104接觸的第二接觸面，并且與焊盤107在芯片底部接觸，因此可以向外部傳輸信號，傳導(dǎo)傳感電容產(chǎn)生的電容信號，所述絕緣層1062位于所述引線傳導(dǎo)層1061和所述支撐介質(zhì)1063之間。所述引線傳導(dǎo)層1061例如可以由磷摻雜多晶硅制成，引線傳導(dǎo)層1061可以經(jīng)由半導(dǎo)體摻雜工藝通過摻雜η+制造在硅層或柱的側(cè)壁上，所述絕緣層1062由氧化硅制成，所述支撐介質(zhì)1063為多晶硅。
[0038]由于垂直電饋通106的存在，可以允許在設(shè)計電路信號的輸出焊盤時，將其設(shè)置在傳感區(qū)域的背面，這樣有效避免了金屬打線所引起的寄生電筒，以及避免了金屬焊盤直接接觸外界探測環(huán)境所引起的金屬腐蝕，有效提高了傳感器件的穩(wěn)定性。
[0039]如圖3所示，基于圖1和圖2提供的傳感器件實施例，可以被應(yīng)用在傳感器中，該種傳感器例如可以被應(yīng)用在空調(diào)等需要測試環(huán)境中濕度等標(biāo)的設(shè)備中，由此，本發(fā)明在一種示例性的實施例中提供了一種傳感器，圖3是該實施例的框圖300，該實施例300包括至少一傳感器件100和處理器200，其中的至少一個傳感器件100可參考圖1和圖2所示的實施例，傳感器件100中的所述金屬焊盤通過外接線路將所電容信號傳輸給所述處理器200，所述處理器根據(jù)所述電容信號變化，獲得所述待檢測物質(zhì)的參數(shù)，例如測得電容變化值后，與預(yù)配置的查詢表中所列的濕度值與電容值的匹配關(guān)系，確定環(huán)境中的濕度，不多贅述。[0040]相應(yīng)的，再返回圖2，作為圖2的一種常見的應(yīng)用，可以作為一種濕度傳感器件，所述濕度傳感器件的物理結(jié)構(gòu)與圖1和圖2所示的實施例相同，特別的是，敏感膜片103的制造材料需要選擇具備濕氣吸收功能的材料，例如聚酰亞胺、多孔電介質(zhì)、多孔金屬或者多孔陶瓷，不多贅述。
[0041]通過本發(fā)明實施例提供的傳感器件，不僅能夠允許在設(shè)計電路信號的輸出焊盤時，將其設(shè)置在傳感區(qū)域的背面，這樣有效避免了金屬打線所引起的寄生電筒，以及避免了金屬焊盤直接接觸外界探測環(huán)境所引起的金屬腐蝕，有效提高了傳感器件的穩(wěn)定性。
[0042]盡管已經(jīng)示出并描述了本發(fā)明的特殊實施例，然而在不背離本發(fā)明的(一個或多個)示例性實施例及其更寬廣方面的前提下，本領(lǐng)域技術(shù)人員顯然可以基于此處的教導(dǎo)做出變化和修改。因此，所附的權(quán)利要求意在將所有這類不背離本發(fā)明的(一個或多個)示例性實施例的真實精神和范圍的變化和更改包含在其范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種傳感器件，其特征在于，所述傳感器件包括設(shè)置在半導(dǎo)體襯底上的至少一個傳感器區(qū)域；其中，所述傳感器區(qū)域包括設(shè)置在所述半導(dǎo)體襯底上的多個多晶硅垂直電極，相鄰的所述多晶硅垂直電極形成傳感電容，每個垂直電極作為所述傳感電容的一個極板，每個傳感電容的兩個極板之間設(shè)置有敏感膜片，所述敏感膜片與環(huán)境具有第一接觸面，透過所述第一接觸面吸收環(huán)境中待檢測物質(zhì)后，改變所述傳感電容的電容值，所述傳感電容根據(jù)所述介電常數(shù)變化生成變化的電容信號； 至少一個傳導(dǎo)元件，貫穿所述半導(dǎo)體襯底，并且與所述垂直電極具有至少一個第二接觸面，所述第二接觸面將所述傳感電容生成的所述電容信號傳導(dǎo)給設(shè)置在半導(dǎo)體襯底底部的金屬焊盤。
2.如權(quán)利要求1或2所述的傳感器件，其特征在于，所述垂直電極的上方設(shè)置有第一保護(hù)板，所述第一保護(hù)板與所述垂直電極之間被絕緣介質(zhì)隔離。
3.如權(quán)利要求1或2所述的傳感器件，其特征在于，所述垂直電極的下方設(shè)置有第二保護(hù)板，所述第二保護(hù)板與所述垂直電極之間被絕緣介質(zhì)隔離。
4.如權(quán)利要求1至2任一項所述的傳感器件，其特征在于，所述垂直電極的兩側(cè)在所述半導(dǎo)體襯底上設(shè)置有溝槽，所述敏感膜片由填充在所述溝槽內(nèi)的環(huán)境敏感材料制成。
5.如權(quán)利要求2所述的傳感器件，其特征在于，所述第一保護(hù)板上表面涂覆有絕緣介質(zhì)。
6.如權(quán)利要求1至5任一項所述的傳感器件，其特征在于，所述傳導(dǎo)器件為垂直電饋通，所述垂直電饋通包括引線傳導(dǎo)層、絕緣層和支撐介質(zhì)，述絕緣層位于所述引線傳導(dǎo)層和所述支撐介質(zhì)之間，所述引線傳導(dǎo)層由磷摻雜多晶硅制成，所述絕緣層由氧化硅制成，所述支撐介質(zhì)為多晶娃。
7.如權(quán)利要求1所述的傳感器件，其特征在于，所述傳感器件為濕度傳感器件，所述敏感膜片為可以吸收濕氣的多孔電介質(zhì)、多孔陶瓷、多孔金屬、聚酰亞胺其中之一制成。
8.一種傳感器，其特征在于，包括至少一傳感器件和處理器: 所述傳感器件包括設(shè)置在半導(dǎo)體襯底上的至少一個傳感器區(qū)域，其中，所述傳感器區(qū)域包括設(shè)置在所述半導(dǎo)體襯底上的多個多晶硅垂直電極，相鄰的所述多晶硅垂直電極形成傳感電容，每個垂直電極作為所述傳感電容的一個極板，每個傳感電容的兩個極板之間設(shè)置有敏感膜片，所述敏感膜片與環(huán)境具有第一接觸面，透過所述第一接觸面吸收環(huán)境中待檢測物質(zhì)后，改變所述傳感電容的電容值，所述傳感電容根據(jù)所述介電常數(shù)變化生成變化的電容信號；以及至少一個傳導(dǎo)元件，貫穿所述半導(dǎo)體襯底，并且與所述垂直電極具有至少一個第二接觸面，所述第二接觸面將所述傳感電容生成的所述電容信號傳導(dǎo)給設(shè)置在半導(dǎo)體襯底底部的金屬焊盤； 所述金屬焊盤通過外接線路將所電容信號傳輸給所述處理器，所述處理器根據(jù)所述電容信號變化，獲得所述待檢測物質(zhì)的參數(shù)。
9.如權(quán)利要求7至8任一項所述的傳感器件，其特征在于，所述傳導(dǎo)器件為垂直電饋通，所述垂直電饋通包括引線傳導(dǎo)層、絕緣層和支撐介質(zhì)，所述絕緣層位于所述引線傳導(dǎo)層和所述支撐介質(zhì)之間，所述引線傳導(dǎo)層與所述金屬焊盤接觸，所述引線傳導(dǎo)層由磷摻雜多晶硅制成，所述絕緣層由氧化硅制成，所述支撐介質(zhì)為多晶硅。
10.一種濕度傳感器件，其特征在于，所述濕度傳感器件包括設(shè)置在半導(dǎo)體襯底上的至少一個傳感器區(qū)域，所述傳感器區(qū)域包括設(shè)置在所述半導(dǎo)體襯底上的多個多晶硅垂直電極，其中，相鄰的所述多晶硅垂直電極形成傳感電容，每個垂直電極作為所述傳感電容的一個極板，每個傳感電容的兩個極板之間設(shè)置有濕度敏感膜片，所述敏感膜片與環(huán)境具有第一接觸面，透過所述第一接觸面吸收環(huán)境中濕氣后，改變所述傳感電容的電容值，所述傳感電容根據(jù)所述介電常數(shù)變化生成變化的電容信號； 至少一個傳導(dǎo)元件，貫穿所述半導(dǎo)體襯底，并且與所述垂直電極具有至少一個第二接觸面，所述第二接觸面將所述傳感電容生成的所述電容信號傳導(dǎo)給設(shè)置在所述半導(dǎo)體襯底底部的金屬焊盤。`
【文檔編號】G01N27/22GK103698368SQ201310705023
【公開日】2014年4月2日 申請日期:2013年12月19日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月19日
【發(fā)明者】史蒂芬·李 申請人:無錫康森斯克電子科技有限公司