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適用于0-1KHz輸入信號(hào)測(cè)量的磁流體陀螺的制作方法

文檔序號(hào):6184113閱讀:310來源:國(guó)知局
適用于0-1KHz輸入信號(hào)測(cè)量的磁流體陀螺的制作方法
【專利摘要】一種適用于0-1KHz輸入信號(hào)測(cè)量的磁流體陀螺,包括有金屬殼體和用于封蓋金屬殼體上端口的端蓋,金屬殼體內(nèi)由下至上依次設(shè)置有下永磁體蓋、外圓套筒和上永磁體蓋,下永磁體蓋內(nèi)嵌入有下永磁體,外圓套筒內(nèi)側(cè)套有內(nèi)圓套筒,外圓套筒的下端設(shè)置有下墊圈和導(dǎo)電墊圈,外圓套筒的上端口設(shè)置有上墊圈,上永磁體蓋內(nèi)嵌入有上永磁體,外圓套筒的外側(cè)壁上對(duì)稱的嵌入有兩個(gè)永磁體,由各部件形成有相互連通的上環(huán)形通道、下環(huán)形通道、第一上升通道、第二上升通道和回流通道,外圓套筒的筒壁上分別插入有上端伸出端蓋的第一輸出電極、第二輸出電極、第一正電極、第二正電極、第一負(fù)電極和第二負(fù)電極。本發(fā)明能夠改善其低頻特性,使得磁流體陀螺應(yīng)用范圍更加廣泛。
【專利說明】適用于O-1KHz輸入信號(hào)測(cè)量的磁流體陀螺
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種磁流體陀螺。特別是涉及一種適用于O-1KHz輸入信號(hào)測(cè)量的磁流體陀螺。
【背景技術(shù)】
[0002]陀螺儀作為角速度的敏感元件,被廣泛應(yīng)用于航空、航天和航海領(lǐng)域,特別是在軍事領(lǐng)域發(fā)揮著極其重要的作用。傳統(tǒng)陀螺儀由于設(shè)計(jì)機(jī)理以及工作原理的限制,在高頻帶時(shí)特性不理想。而磁流體陀螺擁有優(yōu)良的高頻特性。但結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單的磁流體陀螺存在低頻特性不夠理想的問題,而這一弊端限制了它的應(yīng)用前景。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是,提供一種改善了磁流體陀螺低頻特性的適用于O-1KHz輸入信號(hào)測(cè)量的磁流體陀螺。
[0004]本發(fā)明所采用的技術(shù)方案是:一種適用于O-1KHz輸入信號(hào)測(cè)量的磁流體陀螺,包括有金屬殼體和用于封蓋所述金屬殼體上端口的端蓋,所述的金屬殼體內(nèi)由下至上依次設(shè)置有由絕緣材料構(gòu)成的下永磁體蓋、由絕緣材料構(gòu)成的外圓套筒和由絕緣材料構(gòu)成的上永磁體蓋,其中,所述的下永磁體蓋內(nèi)嵌入有下永磁體,外圓套筒內(nèi)側(cè)套有由導(dǎo)電導(dǎo)磁材料構(gòu)成的內(nèi)圓套筒,所述的外圓套筒的下端口形成有凹槽,所述的凹槽內(nèi)嵌入有卡在所述的內(nèi)圓套筒下端口外壁內(nèi)的下墊圈,所述的凹槽內(nèi)還嵌入有連接在下永磁體蓋和所述的下墊圈之間的導(dǎo)電墊圈,所述的外圓套筒的上端口形成有凹槽,所述的凹槽內(nèi)嵌入有與所述的上永磁體蓋相連的上墊圈,所述的上永磁體蓋內(nèi)嵌入有上永磁體,所述的外圓套筒的外側(cè)壁上對(duì)稱的嵌入有兩個(gè)永磁體,所述的上永磁體蓋、下永磁體蓋、導(dǎo)電墊圈、下墊圈、上墊圈、外圓套筒和內(nèi)圓套筒之間形成有相互連通的上環(huán)形通道、下環(huán)形通道、第一上升通道、第二上升通道和回流通道,所述的外圓套筒的筒壁上分別插入有上端伸出所述端蓋的第一輸出電極、第二輸出電極、第一正電極、第二正電極、第一負(fù)電極和第二負(fù)電極,所述的第一輸出電極的底端貫穿所述的導(dǎo)電墊圈與所述的下永磁體蓋接觸,所述第二輸出電極的底端連接徑向由外圓套筒中部插入到內(nèi)圓套筒筒壁中部?jī)?nèi)的內(nèi)電極銷,所述第二正電極的底端連接徑向插入外圓套筒筒壁中部的第二正電極銷,所述第一正電極的底端連接徑向插入外圓套筒筒壁中部的第一正電極銷,所述第一負(fù)電極的底端連接徑向插入外圓套筒筒壁中部的第一負(fù)電極銷,所述第二負(fù)電極的底端連接徑向插入外圓套筒筒壁中部的第二負(fù)電極銷。
[0005]所述的上環(huán)形通道形成在所述外圓套筒和內(nèi)圓套筒的頂端,所述的下環(huán)形通道形成在所述外圓套筒和內(nèi)圓套筒的底端,所述的第一上升通道和第二上升通道形狀相同均為弧片形結(jié)構(gòu)相對(duì)稱的軸向形成在外圓套筒筒壁內(nèi)且上端與所述的上環(huán)形通道連通,下端與所述的下環(huán)形通道連通,所述的回流通道形成在所述的內(nèi)圓套筒的中心軸處,且上端與所述的上環(huán)形通道連通,下端與所述的下環(huán)形通道連通。
[0006]所述的第一上升通道的兩個(gè)側(cè)邊分別對(duì)應(yīng)連接第一正電極銷和第一負(fù)電極銷,所述的第二上升通道兩個(gè)側(cè)邊分別對(duì)應(yīng)連接第二正電極銷和第二負(fù)電極銷。
[0007]所述的下墊圈上在與所述的第一上升通道和第二上升通道相對(duì)應(yīng)處形成有對(duì)應(yīng)的弧形開口,在與所述的第一輸出電極相對(duì)應(yīng)處形成有能夠貫通第一輸出電極的通孔。
[0008]所述的上墊圈上形成有能夠分別貫穿第一輸出電極、第二輸出電極、第一正電極、第二正電極、第一負(fù)電極和第二負(fù)電極的通孔。
[0009]所述的下永磁體蓋形成有下部開口的凹槽,所述的下永磁體嵌入在所述的該凹槽內(nèi)。
[0010]所述的上永磁體蓋形成有上部開口的凹槽,所述的上永磁體嵌入在所述的該凹槽內(nèi)。
[0011]所述的端蓋通過螺釘固定在所述金屬殼體上端口上。
[0012]本發(fā)明的適用于O-1KHZ輸入信號(hào)測(cè)量的磁流體陀螺,沒有固體移動(dòng)部件,不存在機(jī)械磨損,因此具有高可靠性、高強(qiáng)度、長(zhǎng)壽命的特點(diǎn);采用的磁流體泵和回流管將上下層環(huán)形通道相連的結(jié)構(gòu),有效改善了結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單的磁流體陀螺的低頻特性,使得帶寬進(jìn)一步擴(kuò)大,拓展了磁流體陀螺的應(yīng)用范圍。本發(fā)明不僅能夠保持結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單磁流體陀螺優(yōu)良的高頻特性,而且能夠改善其低頻特性,使得磁流體陀螺應(yīng)用范圍更加廣泛。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0013]圖1是本發(fā)明的磁流體陀螺主要部件的位置示意圖;
[0014]圖2是本發(fā)明的磁流體陀螺俯視圖;
[0015]圖3是圖2的A-A剖 視圖;
[0016]圖4是圖2的B-B剖視圖;
[0017]圖5是本發(fā)明的磁流體陀螺中部徑向斷面的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0018]圖6是本發(fā)明中下墊圈的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0019]圖7a是本發(fā)明的幅頻曲線圖;
[0020]圖7b是本發(fā)明的相頻曲線圖。
[0021]圖中
[0022]1:上環(huán)形通道2:下環(huán)形通道
[0023]3:第一上升通道4:第二上升通道
[0024]5:回流通道6:上永磁體
[0025]7:下永磁體8、9:永磁體
[0026]10:第二正電極11:第一輸出電極
[0027]12:第一正電極13:第一負(fù)電極
[0028]14:第二輸出電極15:第二負(fù)電極
[0029]16:金屬殼體17:端蓋
[0030]18:通孔19:敏感軸
[0031]20:上永磁體蓋21:下永磁體蓋
[0032]22:導(dǎo)電墊圈23:下墊圈
[0033]24、、30、31、32:螺釘25:上墊圈
[0034]26:第二正電極銷 27:內(nèi)圓套筒[0035]28:外圓套筒29:內(nèi)電極銷
[0036]33:第一正電極銷 34:第一負(fù)電極銷
[0037]35:第二負(fù)電極銷 36、37:弧形開口
【具體實(shí)施方式】
[0038]下面結(jié)合實(shí)施例和附圖對(duì)本發(fā)明的適用于O-1KHz輸入信號(hào)測(cè)量的磁流體陀螺做出詳細(xì)說明。
[0039]圖1是本發(fā)明的磁流體陀螺主要部件的位置示意圖,也是本發(fā)明的工作原理圖。圖中描述了磁流體傳感器的上環(huán)形通道I和下環(huán)形通道2被兩個(gè)相對(duì)于環(huán)形軌道軸線對(duì)稱分布且互相平行的第一上升通道3和第二上升通道4以及一個(gè)與敏感軸19同軸的回流通道5連接起來。上永磁體6控制上環(huán)形通道1,提供垂直于上環(huán)形通道的磁場(chǎng)。下永磁體7控制下環(huán)形通道2,提供垂直于下環(huán)形通道的磁場(chǎng)。上永磁體6和下永磁體7的放置極性相反。永磁體8控制第一上升通道3,提供磁場(chǎng)使得磁流體在給定電壓時(shí)通過第一上升通道3從下環(huán)形軌道上升到上環(huán)形軌道。永磁體9控制第二上升通道4,提供磁場(chǎng)使得磁流體在給定電壓時(shí)通過第二上升通道4從下環(huán)形軌道上升到上環(huán)形軌道。磁流體通過回流通道5從上環(huán)形通道流入下環(huán)形通道。
[0040]如圖2、圖3、圖4、圖5所不,本發(fā)明的適用于O-1KHz輸入信號(hào)測(cè)量的磁流體陀螺,包括有金屬殼體16和用于封蓋所述金屬殼體16上端口的端蓋17,所述金屬殼體16為導(dǎo)磁材料,其作用是隔離外界磁場(chǎng),傳導(dǎo)內(nèi)部磁場(chǎng)。所述的端蓋17通過螺釘24、30、31、32固定在所述金屬殼體16上端口上。金屬殼體16外形為圓柱體,其材料應(yīng)選用具有高飽和磁通密度的軟磁材料,可選擇鐵鈷合金(尤其釩鐵鈷合金)或鐵鎳合金,這樣可以避免殼體內(nèi)部傳感部分受到外界電磁干擾影響,同時(shí)又可以配合內(nèi)部永磁體構(gòu)成閉合磁路。端蓋17和金屬殼體16是同種材料。
[0041]所述的金屬殼體16內(nèi)由下至上依次設(shè)置有由絕緣材料構(gòu)成的下永磁體蓋21、由絕緣材料構(gòu)成的外圓套筒28和由絕緣材料構(gòu)成的上永磁體蓋20,其中,所述的下永磁體蓋21內(nèi)嵌入有下永磁體7,外圓套筒28內(nèi)側(cè)套有由導(dǎo)電導(dǎo)磁材料構(gòu)成的內(nèi)圓套筒27,所述的上永磁體蓋20內(nèi)嵌入有上永磁體6,所述的下永磁體蓋21形成有下部開口的凹槽,所述的下永磁體7嵌入在所述的該凹槽內(nèi)。所述的上永磁體蓋20形成有上部開口的凹槽,所述的上永磁體6嵌入在所述的該凹槽內(nèi)。所述的外圓套筒28的外側(cè)壁上對(duì)稱的嵌入有兩個(gè)永磁體8、9。所述的內(nèi)內(nèi)圓套筒為導(dǎo)電導(dǎo)磁材料,其作用是傳導(dǎo)內(nèi)部磁場(chǎng),作為內(nèi)電極的一部分。上永磁體6和下永磁體7與內(nèi)圓套筒27同軸。上永磁體6、下永磁體7和兩個(gè)永磁體
8、9的材料選用可以提供強(qiáng)磁場(chǎng)的永磁鐵,可選擇釹鐵硼。
[0042]所述的外圓套筒28的下端口形成有凹槽,所述的凹槽內(nèi)嵌入有卡在所述的內(nèi)圓套筒27下端口外壁內(nèi)的下墊圈23,所述的凹槽內(nèi)還嵌入有連接在下永磁體蓋21和所述的下墊圈23之間的導(dǎo)電墊圈22 ,所述的導(dǎo)電墊圈22,作為下環(huán)形通道的外電極的一部分,如圖6所示,所述下墊圈23上在與所述的第一上升通道3和第二上升通道4相對(duì)應(yīng)處形成有對(duì)應(yīng)的弧形開口 36、37,在與所述的第一輸出電極11相對(duì)應(yīng)處形成有能夠貫通第一輸出電極11的通孔18。
[0043]所述的外圓套筒28的上端口形成有凹槽,所述的凹槽內(nèi)嵌入有與所述的上永磁體蓋20相連的上墊圈25,所述的上墊圈25上形成有能夠分別貫穿第一輸出電極11、第二輸出電極14、第一正電極12、第二正電極15、第一負(fù)電極13和第二負(fù)電極10的通孔。
[0044]上墊圈25和下墊圈23為絕緣材料,其作用是防止各個(gè)電極間相互接觸或干擾。
[0045]所述的上永磁體蓋20、下永磁體蓋21、外圓套筒28、導(dǎo)電墊圈22、下墊圈23、上墊圈25和內(nèi)圓套筒27之間形成有相互連通的由上環(huán)形通道1、下環(huán)形通道2、第一上升通道
3、第二上升通道4和回流通道5構(gòu)成的磁流體通道。所述的上環(huán)形通道I形成在所述外圓套筒28和內(nèi)圓套筒27的頂端,所述的下環(huán)形通道2形成在所述外圓套筒28和內(nèi)圓套筒27的底端,所述的第一上升通道3和第二上升通道4形狀相同均為弧片形結(jié)構(gòu)相對(duì)稱的軸向形成在外圓套筒28筒壁內(nèi)且上端與所述的上環(huán)形通道I連通,下端與所述的下環(huán)形通道2連通,所述的回流通道5形成在所述的內(nèi)圓套筒27的中心軸處,且上端與所述的上環(huán)形通道I連通,下端與所述的下環(huán)形通道2連通。
[0046]所述的外圓套筒28的筒壁上分別插入有上端伸出所述端蓋17的第一輸出電極
11、第二輸出電極14、第一正電極12、第二正電極15、第一負(fù)電極13和第二負(fù)電極10,所述的第一輸出電極11的底端貫穿所述的導(dǎo)電墊圈22與所述的下永磁體蓋21接觸,所述第二輸出電極14的底端連接徑向由外圓套筒28中部插入到內(nèi)圓套筒27筒壁中部?jī)?nèi)的內(nèi)電極銷29,所述第二正電極15的底端連接徑向插入外圓套筒28筒壁中部的第二正電極銷35,所述第一正電極12的底端連接徑向插入外圓套筒28筒壁中部的第一正電極銷33,所述第一負(fù)電極13的底端連接徑向插入外圓套筒28筒壁中部的第一負(fù)電極銷34,所述第二負(fù)電極10的底端連接徑向插入外圓套筒28筒壁中部的第二負(fù)電極銷26。所述的第一上升通道3的兩個(gè)側(cè)邊分別對(duì)應(yīng)連接第一正電極銷33和第一負(fù)電極銷34,所述的第二上升通道4兩個(gè)側(cè)邊分別對(duì)應(yīng)連接第二正電極銷35和第二負(fù)電極銷26。
[0047]第一負(fù)電極13和第二負(fù)電極10接負(fù)電源,第一正電極12和第二正電極15接正電源。第一正電極12和第一負(fù)電極13給第一上升通道3提供電壓,第二正電極15和第二負(fù)電極10給第二上升通道4提供電壓。第一輸出電極11是測(cè)得環(huán)形通道外壁電壓的外電極,第二輸出電極14是測(cè)得環(huán)形通道內(nèi)壁電壓的內(nèi)電極。
[0048]本發(fā)明的適用于O-1KHz輸入信號(hào)測(cè)量的磁流體陀螺的工作原理是基于磁流體動(dòng)力學(xué)效應(yīng)(MHD)具體如下:
[0049]當(dāng)磁流體陀螺圍繞敏感軸19旋轉(zhuǎn)時(shí),上環(huán)形通道I和下環(huán)形通道2內(nèi)的環(huán)形導(dǎo)電流體由于慣性作用趨于保持靜止,所以上下層導(dǎo)電流體與轉(zhuǎn)動(dòng)的磁流體環(huán)形軌道有相對(duì)角位移,這樣在上永磁體6和下永磁體7的磁場(chǎng)作用下,下環(huán)形通道中的導(dǎo)電流體中心與圓環(huán)壁之間會(huì)產(chǎn)生電勢(shì)差。上環(huán)形通道I和下環(huán)形通道2這兩層環(huán)形通道通過第一上升通道3、第二上升通道4和回流通道5連接,在第一上升通道3、第二上升通道4給定電壓以及永磁體8和永磁體9的磁場(chǎng)作用下,導(dǎo)電流體在下環(huán)形通道2上升到上環(huán)形通道I中。而上環(huán)形通道I中的導(dǎo)電流體可以通過回流通道5流入下環(huán)形通道2。這樣導(dǎo)電流體可以持續(xù)不斷地循環(huán)流通。永磁體8、第一上升通道3和第一上升通道3的正負(fù)電極構(gòu)成一個(gè)磁流體泵,而永磁體9、第二上升通道4和第二上升通道4的正負(fù)電極構(gòu)成另一個(gè)磁流體泵。當(dāng)導(dǎo)電流體通過第一上升通道3和第一上升通道3上升到上環(huán)形通道I時(shí),它相對(duì)于旋轉(zhuǎn)的環(huán)形通道徑向流入上環(huán)形通道1,會(huì)產(chǎn)生科里奧利加速度分量,進(jìn)而產(chǎn)生圓周方向的速度分量即線速度分量。同理,當(dāng)導(dǎo)電流體通過回流管道5流入下環(huán)形通道2中時(shí),由于磁流體泵的作用,導(dǎo)電流體也產(chǎn)生相對(duì)旋轉(zhuǎn)的環(huán)形通道徑向流動(dòng),故也會(huì)產(chǎn)生科里奧利加速度分量并產(chǎn)生圓周方向的速度分量即線速度分量。在低頻轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí),科里奧利加速度分量會(huì)使產(chǎn)生圓周方向的速度即線速度從而可以通過下層環(huán)形通道的內(nèi)外電極檢測(cè)到電勢(shì)差。而高頻轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí),科里奧利加速度分量產(chǎn)生的圓周方向的速度分量相對(duì)于實(shí)際陀螺轉(zhuǎn)動(dòng)的圓周速度分量很小,即實(shí)際陀螺轉(zhuǎn)動(dòng)的圓周速度分量占主要地位。所以,本發(fā)明改善了結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單的磁流體陀螺的低頻特性。
[0050]在理想狀態(tài)下,磁流體陀螺前級(jí)傳感器傳遞函數(shù)為:
[0051]
【權(quán)利要求】
1.一種適用于O-1KHz輸入信號(hào)測(cè)量的磁流體陀螺,包括有金屬殼體(16)和用于封蓋所述金屬殼體(16)上端口的端蓋(17),其特征在于,所述的金屬殼體(16)內(nèi)由下至上依次設(shè)置有由絕緣材料構(gòu)成的下永磁體蓋(21)、由絕緣材料構(gòu)成的外圓套筒(28)和由絕緣材料構(gòu)成的上永磁體蓋(20),其中,所述的下永磁體蓋(21)內(nèi)嵌入有下永磁體(7),外圓套筒(28)內(nèi)側(cè)套有由導(dǎo)電導(dǎo)磁材料構(gòu)成的內(nèi)圓套筒(27),所述的外圓套筒(28)的下端口形成有凹槽,所述的凹槽內(nèi)嵌入有卡在所述的內(nèi)圓套筒(27)下端口外壁內(nèi)的下墊圈(23),所述的凹槽內(nèi)還嵌入有連接在下永磁體蓋(21)和所述的下墊圈(23)之間的導(dǎo)電墊圈(22),所述的外圓套筒(28)的上端口形成有凹槽,所述的凹槽內(nèi)嵌入有與所述的上永磁體蓋(20)相連的上墊圈(25),所述的上永磁體蓋(20)內(nèi)嵌入有上永磁體(6),所述的外圓套筒(28)的外側(cè)壁上對(duì)稱的嵌入有兩個(gè)永磁體(8、9 ),所述的上永磁體蓋(20 )、下永磁體蓋(21)、導(dǎo)電墊圈(22)、下墊圈(23)、上墊圈(25)、外圓套筒(28)和內(nèi)圓套筒(27)之間形成有相互連通的上環(huán)形通道(I)、下環(huán)形通道(2)、第一上升通道(3)、第二上升通道(4)和回流通道(5),所述的外圓套筒(28)的筒壁上分別插入有上端伸出所述端蓋(17)的第一輸出電極(11)、第二輸出電極(14)、第一正電極(12)、第二正電極(15)、第一負(fù)電極(13)和第二負(fù)電極(10),所述的第一輸出電極(11)的底端貫穿所述的導(dǎo)電墊圈(22)與所述的下永磁體蓋(21)接觸,所述第二輸出電極(14)的底端連接徑向由外圓套筒(28)中部插入到內(nèi)圓套筒(27)筒壁中部?jī)?nèi)的內(nèi)電極銷(29),所述第二正電極(15)的底端連接徑向插入外圓套筒(28)筒壁中部的第二正電極銷(35),所述第一正電極(12)的底端連接徑向插入外圓套筒(28)筒壁中部的第一正電極銷(33),所述第一負(fù)電極(13)的底端連接徑向插入外圓套筒(28)筒壁中部的第一負(fù)電極銷(34),所述第二負(fù)電極(10)的底端連接徑向插入外圓套筒(28 )筒壁中部的第二負(fù)電極銷(26 )。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的適用于O-1KHz輸入信號(hào)測(cè)量的磁流體陀螺,其特征在于,所述的上環(huán)形通道(I)形成在·所述外圓套筒(28)和內(nèi)圓套筒(27)的頂端,所述的下環(huán)形通道(2)形成在所述外圓套筒(28)和內(nèi)圓套筒(27)的底端,所述的第一上升通道(3)和第二上升通道(4)形狀相同均為弧片形結(jié)構(gòu)相對(duì)稱的軸向形成在外圓套筒(28)筒壁內(nèi)且上端與所述的上環(huán)形通道(I)連通,下端與所述的下環(huán)形通道(2)連通,所述的回流通道(5)形成在所述的內(nèi)圓套筒(27)的中心軸處,且上端與所述的上環(huán)形通道(I)連通,下端與所述的下環(huán)形通道(2)連通。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的適用于O-1KHz輸入信號(hào)測(cè)量的磁流體陀螺,其特征在于,所述的第一上升通道(3)的兩個(gè)側(cè)邊分別對(duì)應(yīng)連接第一正電極銷(33)和第一負(fù)電極銷(34),所述的第二上升通道(4)兩個(gè)側(cè)邊分別對(duì)應(yīng)連接第二正電極銷(35)和第二負(fù)電極銷(26)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的適用于O-1KHz輸入信號(hào)測(cè)量的磁流體陀螺,其特征在于,所述的下墊圈(23)上在與所述的第一上升通道(3)和第二上升通道(4)相對(duì)應(yīng)處形成有對(duì)應(yīng)的弧形開口(36、37),在與所述的第一輸出電極(11)相對(duì)應(yīng)處形成有能夠貫通第一輸出電極(11)的通孔(18)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的適用于O-1KHz輸入信號(hào)測(cè)量的磁流體陀螺,其特征在于,所述的上墊圈(25)上形成有能夠分別貫穿第一輸出電極(11)、第二輸出電極(14)、第一正電極(12)、第二正電極(15)、第一負(fù)電極(13)和第二負(fù)電極(10)的通孔。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的適用于O-1KHz輸入信號(hào)測(cè)量的磁流體陀螺,其特征在于,所述的下永磁體蓋(21)形成有下部開口的凹槽,所述的下永磁體(7)嵌入在所述的該凹槽內(nèi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的適用于O-1KHz輸入信號(hào)測(cè)量的磁流體陀螺,其特征在于,所述的上永磁體蓋(20)形成有上部開口的凹槽,所述的上永磁體(6)嵌入在所述的該凹槽內(nèi)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的適用于O-1KHz輸入信號(hào)測(cè)量的磁流體陀螺,其特征在于,所述的端蓋(17 )通 過螺釘(24、30、31、32 )固定在所述金屬殼體(16 )上端口上。
【文檔編號(hào)】G01C19/56GK103591945SQ201310583441
【公開日】2014年2月19日 申請(qǐng)日期:2013年11月19日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月19日
【發(fā)明者】李醒飛, 徐夢(mèng)潔, 于翔, 梁思夏, 王麗萍 申請(qǐng)人:天津大學(xué)
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