紅外焦平面探測(cè)器組件劑量率試驗(yàn)方法
【專利摘要】本發(fā)明屬于紅外探測(cè)器領(lǐng)域，具體涉及一種紅外焦平面探測(cè)器組件劑量率試驗(yàn)方法。目的是對(duì)組件進(jìn)行有效的劑量率輻射試驗(yàn)。該試驗(yàn)方法，包括如下步驟：組件敏感部位分析；預(yù)定劑量率并進(jìn)行累積總劑量評(píng)估；選擇合格的組件樣品，進(jìn)行光電性能測(cè)試；調(diào)試試驗(yàn)測(cè)試系統(tǒng)并粘貼劑量片；按預(yù)設(shè)劑量率對(duì)某個(gè)敏感部位進(jìn)行輻照，測(cè)試工作電流、溫度、輸出波形；保持組件偏置狀態(tài)，按先后順序記錄組件試驗(yàn)前、中、后三個(gè)時(shí)刻點(diǎn)的工作電流、工作溫度和輸出波形；獲得輻照后器件的恢復(fù)時(shí)間；判斷組件功能是否正常及是否為有效炮。該方法克服了劑量率輻射場(chǎng)有效區(qū)域的限制，避免了因輻照試驗(yàn)條件的不足，如輻射源有效輻射范圍小或輻射劑量率不足夠高等問(wèn)題。
【專利說(shuō)明】紅外焦平面探測(cè)器組件劑量率試驗(yàn)方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于紅外探測(cè)器領(lǐng)域，具體涉及一種紅外焦平面探測(cè)器組件劑量率試驗(yàn)方法，尤其涉及到探測(cè)器組件的可靠性保證、輻射效應(yīng)/加固/試驗(yàn)方法等，可用于一般組件或其它小型單機(jī)開(kāi)展劑量率效應(yīng)試驗(yàn)。
【背景技術(shù)】
[0002]紅外焦平面探測(cè)器組件(下文簡(jiǎn)稱組件)是紅外成像系統(tǒng)的核心單元，可以將場(chǎng)景中的紅外輻射通過(guò)光電轉(zhuǎn)換轉(zhuǎn)化為電信號(hào)。組件由于響應(yīng)波長(zhǎng)范圍寬、靈敏度高等特點(diǎn)，已經(jīng)成為國(guó)內(nèi)外空間飛行器紅外成像系統(tǒng)的選用重點(diǎn)之一。應(yīng)用于空間飛行器的組件將有可能暴露于各種等級(jí)的輻射環(huán)境中，因此，在設(shè)計(jì)、制備和選用這類組件的過(guò)程中，首先要確保有合適的試驗(yàn)方法和程序來(lái)確定這些組件的抗輻射性能。
[0003]劑量率效應(yīng)是輻射效應(yīng)的一種。國(guó)內(nèi)用于半導(dǎo)體器件(下文簡(jiǎn)稱器件)的劑量率效應(yīng)的試驗(yàn)技術(shù)大多采用的是陳裕焜等所著的《GJB548B-2005微電子器件試驗(yàn)方法和程序》中的方法1020.1 (劑量率感應(yīng)鎖定試驗(yàn)程序)、1012.1 (數(shù)字微電路的劑量率翻轉(zhuǎn)試驗(yàn))、1023.1 (線性微電路劑量率響應(yīng)和翻轉(zhuǎn)閾值)或核九院十所負(fù)責(zé)起草的《GJB762.3-1989半導(dǎo)體器件輻射加固試驗(yàn)方法Y瞬時(shí)輻照試驗(yàn)》。方法中明確采用的是閃光X射線機(jī)、直線加速器或其他滿足條件的電子加速器進(jìn)行試驗(yàn)。方法中的試驗(yàn)對(duì)象——器件相對(duì)較小，可作為一個(gè)整體置入靶的位子進(jìn)行一次劑量率輻照試驗(yàn)，并用通過(guò)和不通過(guò)的試驗(yàn)方式得到某一劑量率輻射等級(jí)。方法主要關(guān)注的是器件本身的初始光電流、閉鎖、數(shù)字電路的翻轉(zhuǎn)、線性微電路的劑量率響應(yīng)等。
[0004]由于輻射源的劑量率存在上限，不能無(wú)限提高；而受試樣品與輻射源的距離越遠(yuǎn)，劑量率也越低，甚至僅5cm的直線距離，劑量率就可能降低一半。這兩個(gè)因素使劑量率試驗(yàn)存在輻射場(chǎng)有效區(qū)域的問(wèn)題，即受試樣品所有敏感部位不能超出輻射場(chǎng)的有效區(qū)域(見(jiàn)圖1)。因此，現(xiàn)有方法對(duì)確定單個(gè)微電子器件(體積小)是否達(dá)到某個(gè)劑量率輻射等級(jí)是可行的，但對(duì)紅外焦平面等組件，因其體積過(guò)大(遠(yuǎn)大于一般器件)，超出了輻射場(chǎng)的有效區(qū)域，無(wú)法視同器件直接參照上述方法開(kāi)展劑量率輻射試驗(yàn)。
[0005]目前，國(guó)內(nèi)沒(méi)有針對(duì)比器件體積大很多倍的組件的劑量率試驗(yàn)方法，上述器件的劑量率效應(yīng)的試驗(yàn)方法對(duì)組件考核有一定的參考價(jià)值。但因輻射場(chǎng)的限制，組件無(wú)法一次放置于輻照?qǐng)龅挠行^(qū)域中進(jìn)行有效的考核，需要建立適合組件這種特殊類型產(chǎn)品的劑量率試驗(yàn)方法。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的目的是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種紅外焦平面探測(cè)器組件劑量率試驗(yàn)方法。
[0007]本發(fā)明所采用的技術(shù)方案是:
[0008]一種紅外焦平面探測(cè)器組件劑量率試驗(yàn)方法，包括如下步驟:[0009]步驟1:組件敏感部位分析；將組件內(nèi)部的物理結(jié)構(gòu)按照其在組件中的位置劃分為若干個(gè)敏感部位，再根據(jù)劑量率輻射源的輻射場(chǎng)有效區(qū)域的大小，合并敏感部位，將敏感部位減少到η個(gè)；
[0010]步驟2:預(yù)定劑量率并進(jìn)行累積總劑量評(píng)估；
[0011]步驟3:選擇合格的組件樣品，進(jìn)行光電性能測(cè)試；
[0012]步驟4:調(diào)試試驗(yàn)測(cè)試系統(tǒng)并粘貼劑量片；
[0013]步驟5:按預(yù)設(shè)劑量率對(duì)某個(gè)敏感部位進(jìn)行輻照，測(cè)試工作電流、溫度、輸出波形；
[0014]步驟6:保持組件偏置狀態(tài)，按先后順序記錄組件試驗(yàn)前、中、后三個(gè)時(shí)刻點(diǎn)的工作電流、工作溫度和輸出波形；觀察和記錄試驗(yàn)后一定時(shí)間內(nèi)制冷機(jī)電源電流的變化情況，記錄試驗(yàn)輻照脈沖后組件工作電流恢復(fù)到規(guī)定范圍的時(shí)間，獲得輻照后器件的恢復(fù)時(shí)間；
[0015]步驟7:判斷組件功能是否正常，并進(jìn)行如下判斷:
[0016](7.1)若劑量率不在要求的范圍內(nèi)，且組件功能正常，則對(duì)該敏感部位重新進(jìn)行步驟5?7 ;
[0017](7.2)若劑量率在要求的范圍內(nèi)，且組件功能正常，則結(jié)束對(duì)組件該敏感部位的輻照試驗(yàn)；更換組件其它敏感部位進(jìn)行輻照，依次重復(fù)進(jìn)行步驟5?7，直至所有敏感部位輻照完成，結(jié)束對(duì)組件的所有輻照試驗(yàn)，進(jìn)行步驟8 ；
[0018](7.3)若組件功能異常，無(wú)論是否是“有效炮”，結(jié)束對(duì)組件的所有輻照試驗(yàn)，進(jìn)行步驟8 ;
[0019]步驟8:對(duì)組件進(jìn)行移位終點(diǎn)光電性能、功能測(cè)試。
[0020]如上所述的一種紅外焦平面探測(cè)器組件劑量率試驗(yàn)方法，其中:所述步驟2具體分為如下步驟:首先，計(jì)算η次劑量率輻照條件下的組件各敏感部位承受的總劑量，并考慮輻射源產(chǎn)生“無(wú)效炮”的次數(shù)；其次，計(jì)算試驗(yàn)引入的總劑量，評(píng)估總劑量帶來(lái)的附加影響；若存在總劑量效應(yīng)的影響，增加組件樣品開(kāi)展試驗(yàn)；若組件能夠承受總劑量的影響，則進(jìn)行步驟3。
[0021]如上所述的一種紅外焦平面探測(cè)器組件劑量率試驗(yàn)方法，其中:所述劑量片貼在靠近芯片、器件或電路的組件外部結(jié)構(gòu)上。
[0022]如上所述的一種紅外焦平面探測(cè)器組件劑量率試驗(yàn)方法，其中:所述劑量片與射束垂直位于敏感部位正對(duì)射束的正面或/和背面或/和側(cè)面。
[0023]如上所述的一種紅外焦平面探測(cè)器組件劑量率試驗(yàn)方法，其中:所述步驟7中，若存在以下情況，則判定組件功能異常:
[0024](a)福照結(jié)束600ms后無(wú)信號(hào)輸出或輸出信號(hào)異常；(b)福照結(jié)束600ms后無(wú)工作電流或制冷機(jī)功耗明顯升高，如高于額定值若干倍；(c)福照后20min內(nèi)，組件信號(hào)輸出異常；(d)輻照后器件的恢復(fù)時(shí)間T3>lmin。
[0025]本發(fā)明的有益效果是:
[0026]通過(guò)采用組件敏感單元(部位/區(qū)域)分析和劃分的方法，克服了劑量率輻射場(chǎng)有效區(qū)域的限制，避免了因輻照試驗(yàn)條件的不足，如輻射源有效輻射范圍小或輻射劑量率不足夠高等問(wèn)題，出現(xiàn)了只部分到達(dá)考核劑量率、局部考核過(guò)松的現(xiàn)象，提高了試驗(yàn)的可操作性和試驗(yàn)結(jié)果的準(zhǔn)確性。
[0027]本發(fā)明提供的方法可以對(duì)組件進(jìn)行劑量率輻照試驗(yàn)，獲得組件的抗劑量率性能，也可以研究組件中輻照敏感單元(部位)的抗劑量率輻照能力，有利于針對(duì)組件局部進(jìn)行抗劑量率輻照加固設(shè)計(jì)。
[0028]通過(guò)采用的敏感單元(部位/區(qū)域)分析和總劑量分析相結(jié)合的方法，能夠有效地降低試驗(yàn)樣品的數(shù)量。
[0029]若采用對(duì)組件內(nèi)各功能部位選用的敏感單元在未裝配到組件前進(jìn)行獨(dú)立的考核評(píng)價(jià)方法，來(lái)獲取劑量率效應(yīng)對(duì)組件帶來(lái)的瞬時(shí)響應(yīng)是不可行的，主要是由于各敏感單元對(duì)組件的劑量率效應(yīng)的影響可能涉及其在組件其他部位的傳播等，無(wú)法脫離組件進(jìn)行考核。本發(fā)明采用的方法能對(duì)組件各區(qū)域進(jìn)行考核，利用綜合各次試驗(yàn)結(jié)果的方式對(duì)組件進(jìn)行考核評(píng)價(jià)，既能夠觀測(cè)出組件局部敏感單元的缺陷，也能夠掌握組件局部敏感單元在組件工作時(shí)的瞬時(shí)效應(yīng)響應(yīng)情況，有利于組件的總體評(píng)價(jià)和局部加固工作的開(kāi)展。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0030]圖1為劑量率福射場(chǎng)簡(jiǎn)圖；
[0031]圖2為本發(fā)明提供的一種紅外焦平面探測(cè)器組件劑量率試驗(yàn)方法的流程圖；
[0032]圖3為HgCdTe紅外焦平面探測(cè)器組件外觀簡(jiǎn)圖；
[0033]圖4為劑量片的粘貼方式示意(第一炮)；
[0034]其中:1.頭部；2.尾部。
【具體實(shí)施方式】
[0035]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明提供的一種紅外焦平面探測(cè)器組件劑量率試驗(yàn)方法進(jìn)行介紹:
[0036]如圖2所示，一種紅外焦平面探測(cè)器組件劑量率試驗(yàn)方法，包括如下步驟:
[0037]步驟1:組件敏感部位(區(qū)域)分析。對(duì)組件內(nèi)部選用的元件、器件、電路進(jìn)行分析，確定組件中的輻照敏感單元；分析組件劑量率輻射敏感單元，根據(jù)結(jié)果，將組件內(nèi)部分散的敏感芯片、器件、電路等按照其在組件中的位置劃分為若干個(gè)敏感部位(假設(shè)為m個(gè))。再根據(jù)劑量率輻射源的輻射場(chǎng)有效區(qū)域的大小，合理優(yōu)化設(shè)計(jì)組件在試驗(yàn)場(chǎng)中的擺放位置。當(dāng)出現(xiàn)多個(gè)敏感部位可一次性放置于輻射場(chǎng)有效區(qū)域中時(shí)，可考慮合并敏感部位，構(gòu)成新的敏感部位(區(qū)域)，此時(shí)敏感部位(區(qū)域)減少到η個(gè)。
[0038]以圖3中的HgCdTe紅外焦平面探測(cè)器組件為例，其結(jié)構(gòu)包括紅外窗口、杜瓦、光學(xué)焦平面芯片、讀出電路、制冷機(jī)、制冷機(jī)驅(qū)動(dòng)電路、冷屏、冷頭等部分，該組件內(nèi)部選用的元件、器件、電路主要為探測(cè)器組件的HgCdTe光學(xué)焦平面芯片、信號(hào)讀出電路和制冷機(jī)驅(qū)動(dòng)電路，且HgCdTe光學(xué)焦平面芯片與信號(hào)讀出電路鄰近。經(jīng)分析，HgCdTe芯片的半導(dǎo)體材料、信號(hào)讀出電路、制冷機(jī)驅(qū)動(dòng)電路均對(duì)劑量率輻照敏感，HgCdTe光學(xué)焦平面芯片和信號(hào)讀出電路在組件的窗口附近(即組件頭部)，制冷機(jī)驅(qū)動(dòng)電路位于制冷機(jī)附近(即組件尾部)。
[0039]步驟2:預(yù)定劑量率并進(jìn)行累積總劑量評(píng)估。首先，計(jì)算η次劑量率輻照條件下的組件各敏感部位(區(qū)域)承受的總劑量，并考慮輻射源產(chǎn)生“無(wú)效炮”(即劑量率未在要求的范圍內(nèi)，一般認(rèn)為“無(wú)效炮”的劑量率低于考核指標(biāo))的次數(shù)(例如η為2，在某劑量率下出現(xiàn)“無(wú)效炮”概率為10%，則“無(wú)效炮”為0.2次，向上取整為I次)。其次，計(jì)算試驗(yàn)引入的總劑量，評(píng)估總劑量帶來(lái)的附加影響；若存在總劑量效應(yīng)的影響，增加樣品開(kāi)展試驗(yàn)，考慮用2個(gè)或多個(gè)組件樣品，分別對(duì)不同敏感部位進(jìn)行劑量率試驗(yàn)；若組件能夠承受總劑量的影響，則進(jìn)行步驟3。
[0040]例如，假設(shè)劑量率下限選取5 X IO5Gy (Si) /s(即預(yù)設(shè)劑量率)，該劑量率下輻照?qǐng)龅挠行^(qū)域的最大直徑(近似圓型)小于組件的兩個(gè)敏感部位中心點(diǎn)間距，無(wú)法同時(shí)覆蓋兩個(gè)敏感部位。因此，需要對(duì)組件頭部、尾部?jī)蓚€(gè)部位(區(qū)域)分別進(jìn)行輻照試驗(yàn)。該劑量率條件下出現(xiàn)“無(wú)效炮”的概率約為10%，“無(wú)效炮”為I次(向上取整)。組件總計(jì)可能要承受3次以上的劑量率效應(yīng)帶來(lái)的總劑量效應(yīng)的影響。經(jīng)計(jì)算，組件內(nèi)各敏感部位能夠承受6次(大于需要試驗(yàn)的次數(shù))以上劑量率試驗(yàn)引起的總劑量效應(yīng)的影響，因此，只需用一只組件完成試驗(yàn)。
[0041]步驟3:選擇合格的組件樣品，進(jìn)行光電性能測(cè)試。對(duì)受試組件加偏置，根據(jù)組件光電特性要求和制冷機(jī)的工作特點(diǎn)，驗(yàn)證組件工作是否正常。
[0042]例如:在制冷機(jī)正常工作的條件下，重點(diǎn)監(jiān)測(cè)平均峰值探測(cè)率Da'平均黑體響應(yīng)率、響應(yīng)率不均勻性σ R、有效像元率及降溫時(shí)間、功耗等。
[0043]步驟4:調(diào)試試驗(yàn)測(cè)試系統(tǒng)并粘貼劑量片。
[0044]將組件安裝在工位上，調(diào)試試驗(yàn)測(cè)試系統(tǒng)，驗(yàn)證所有的記錄、監(jiān)測(cè)、定時(shí)控制設(shè)備等工作是否正常；調(diào)試前，組件連接同軸電纜及轉(zhuǎn)接線，并利用銅網(wǎng)將其包裹做好電磁屏蔽。
[0045]將劑量片放于接受輻射脈沖作用的合適位置。由于探測(cè)器芯片及其它芯片、器件、電路都封在組件的杜瓦等腔體結(jié)構(gòu)內(nèi)，不能直接將劑量片貼在考核芯片、器件、電路上，可選擇將劑量片貼在靠近芯片、器件或電路的組件外部結(jié)構(gòu)上。可選擇組件中某一敏感部位(區(qū)域)正對(duì)射束的正面及背面兩點(diǎn)，一般劑量片要與射束垂直(如果不能安放在這兩個(gè)點(diǎn)時(shí),可以在敏感部位(區(qū)域)側(cè)面增設(shè)劑量率監(jiān)測(cè)點(diǎn))。
[0046]在第一發(fā)炮前，將束流頭部對(duì)準(zhǔn)射束得出束方向，例如圖4所示，在組件各主要部位粘貼劑量片，即在正面及側(cè)面貼有劑量片。
[0047]步驟5:按預(yù)設(shè)劑量率對(duì)某個(gè)敏感部位進(jìn)行輻照，測(cè)試工作電流、溫度、輸出波形；即將受試組件某一個(gè)輻射敏感部位(區(qū)域)置于輻射場(chǎng)中，使組件達(dá)到試驗(yàn)溫度，根據(jù)試驗(yàn)計(jì)劃或程序的要求對(duì)組件施加偏置，驗(yàn)證器件工作是否正常、輸出條件是否正確。
[0048]步驟6:保持組件偏置狀態(tài),按先后順序記錄組件試驗(yàn)前(Tl)、中(Τ0)、后(Τ2)三個(gè)時(shí)刻點(diǎn)的工作電流、工作溫度和輸出波形；觀察和記錄試驗(yàn)后t分鐘內(nèi)制冷機(jī)電源電流的變化情況(t 一般選擇制冷機(jī)的降溫時(shí)間)。記錄試驗(yàn)輻照脈沖后組件工作電流恢復(fù)到規(guī)定范圍的時(shí)間，獲得輻照后器件的恢復(fù)時(shí)間(T3)。
[0049]例如，在組件正常工作狀態(tài)下，用示波器監(jiān)測(cè)組件輸入脈沖和輸出電壓波形，記錄福照前(Tl=-5min?-1ms之間)、福照時(shí)(TO=Os)、福照后(T2=lms?IOmin之間)的輸出電壓波形。同時(shí)，實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)制冷機(jī)電源電流，獲取工作電流恢復(fù)到規(guī)定范圍的時(shí)間T3。(輻照前時(shí)間記為負(fù)，輻照中記為0，輻照后記為正)。
[0050]步驟7:判斷組件功能是否正常，并進(jìn)行如下判斷:
[0051](7.1)若劑量率不在要求的范圍內(nèi)(即“無(wú)效炮”)，且組件功能正常，則對(duì)該敏感部位(區(qū)域)重新進(jìn)行步驟5?7;
[0052](7.2)若劑量率在要求的范圍內(nèi)(B卩“有效炮”)，且組件功能正常，則結(jié)束對(duì)組件該敏感部位(區(qū)域)的輻照試驗(yàn)；更換組件其它敏感部位(區(qū)域)進(jìn)行輻照(η-1次)，依次重復(fù)進(jìn)行步驟5?7，直至所有敏感部位(區(qū)域)輻照完成，結(jié)束對(duì)組件的所有輻照試驗(yàn)，進(jìn)行步驟8 ;
[0053](7.3)若組件功能不正常，無(wú)論是否是“有效炮”，結(jié)束對(duì)組件的所有輻照試驗(yàn)，進(jìn)行步驟8。
[0054]例如，輻照后，保持組件試驗(yàn)時(shí)的偏置狀態(tài)20min。若存在以下情況，則判定組件功能不正常:
[0055](a)輻照結(jié)束600ms (—般是幀周期的若干倍以上)后無(wú)信號(hào)輸出或輸出信號(hào)異常；
(b)輻照結(jié)束600ms后無(wú)工作電流或制冷機(jī)功耗明顯升高，如高于額定值若干倍；(c)輻照后20min內(nèi)，組件信號(hào)輸出異常；(d)T3>lmin。
[0056]步驟8:對(duì)組件進(jìn)行移位終點(diǎn)光電性能、功能測(cè)試，可包括平均峰值探測(cè)率D λ *，平均黑體響應(yīng)率，響應(yīng)率不均勻性σ R，有效像元率，降溫時(shí)間，功耗。
【權(quán)利要求】
1.一種紅外焦平面探測(cè)器組件劑量率試驗(yàn)方法，包括如下步驟: 步驟1:組件敏感部位分析；將組件內(nèi)部的物理結(jié)構(gòu)按照其在組件中的位置劃分為若干個(gè)敏感部位，再根據(jù)劑量率輻射源的輻射場(chǎng)有效區(qū)域的大小，合并敏感部位，將敏感部位減少到η個(gè)； 步驟2:預(yù)定劑量率并進(jìn)行累積總劑量評(píng)估； 步驟3:選擇合格的組件樣品，進(jìn)行光電性能測(cè)試； 步驟4:調(diào)試試驗(yàn)測(cè)試系統(tǒng)并粘貼劑量片； 步驟5:按預(yù)設(shè)劑量率對(duì)某個(gè)敏感部位進(jìn)行輻照，測(cè)試工作電流、溫度、輸出波形； 步驟6:保持組件偏置狀態(tài)，按先后順序記錄組件試驗(yàn)前、中、后三個(gè)時(shí)刻點(diǎn)的工作電流、工作溫度和輸出波形；觀察和記錄試驗(yàn)后一定時(shí)間內(nèi)制冷機(jī)電源電流的變化情況，記錄試驗(yàn)輻照脈沖后組件工作電流恢復(fù)到規(guī)定范圍的時(shí)間，獲得輻照后器件的恢復(fù)時(shí)間； 步驟7:判斷組件功能是否正常，并進(jìn)行如下判斷: (7.1)若劑量率不在要求的范圍內(nèi)，且組件功能正常，則對(duì)該敏感部位重新進(jìn)行步驟5?7 ; (7.2)若劑量率在要求的范圍內(nèi)，且組件功能正常，則結(jié)束對(duì)組件該敏感部位的輻照試驗(yàn)；更換組件其它敏感部位進(jìn)行輻照，依次重復(fù)進(jìn)行步驟5?7，直至所有敏感部位輻照完成，結(jié)束對(duì)組件的所有輻照試驗(yàn)，進(jìn)行步驟8 ； (7.3)若組件功能異常，無(wú)論是否是“有效炮”，結(jié)束對(duì)組件的所有輻照試驗(yàn)，進(jìn)行步驟8 ； 步驟8:對(duì)組件進(jìn)行移位終點(diǎn)光電性能、功能測(cè)試。
2.如權(quán)利要求1所述的一種紅外焦平面探測(cè)器組件劑量率試驗(yàn)方法，其特征在于:所述步驟2具體分為如下步驟:首先，計(jì)算η次劑量率輻照條件下的組件各敏感部位承受的總劑量，并考慮輻射源產(chǎn)生“無(wú)效炮”的次數(shù)；其次，計(jì)算試驗(yàn)引入的總劑量，評(píng)估總劑量帶來(lái)的附加影響；若存在總劑量效應(yīng)的影響，增加組件樣品開(kāi)展試驗(yàn)；若組件能夠承受總劑量的影響，則進(jìn)行步驟3。
3.如權(quán)利要求2所述的一種紅外焦平面探測(cè)器組件劑量率試驗(yàn)方法，其特征在于:所述劑量片貼在靠近芯片、器件或電路的組件外部結(jié)構(gòu)上。
4.如權(quán)利要求3所述的一種紅外焦平面探測(cè)器組件劑量率試驗(yàn)方法，其特征在于:所述劑量片與射束垂直位于敏感部位正對(duì)射束的正面或/和背面或/和側(cè)面。
5.如權(quán)利要求1或4所述的一種紅外焦平面探測(cè)器組件劑量率試驗(yàn)方法，其特征在于:所述步驟7中，若存在以下情況，則判定組件功能異常: (a)福照結(jié)束600ms后無(wú)信號(hào)輸出或輸出信號(hào)異常；(b)福照結(jié)束600ms后無(wú)工作電流或制冷機(jī)功耗明顯升高，如高于額定值若干倍；(c)輻照后20min內(nèi)，組件信號(hào)輸出異常；Cd)輻照后器件的恢復(fù)時(shí)間T3>lmin。
【文檔編號(hào)】G01T1/12GK103592035SQ201310553201
【公開(kāi)日】2014年2月19日 申請(qǐng)日期:2013年11月8日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月8日
【發(fā)明者】武斌, 李志峰, 張力, 秦強(qiáng), 林德健, 陳灝, 加春雷 申請(qǐng)人:中國(guó)運(yùn)載火箭技術(shù)研究院, 中國(guó)兵器工業(yè)集團(tuán)第二一一研究所