一種產(chǎn)生太赫茲脈沖和實(shí)時(shí)檢測(cè)的方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種產(chǎn)生太赫茲脈沖和實(shí)時(shí)檢測(cè)的方法。其技術(shù)方案是：將通過(guò)晶體提拉法生長(zhǎng)的鈮酸鋰單晶采用金屬蒸汽真空弧方法制得注銅的鈮酸鋰單晶薄片作為太赫茲輻射源(5)；再將鈦藍(lán)寶石激光器(3)產(chǎn)生的激光脈沖入射到太赫茲輻射源(5)，采用光整流方法產(chǎn)生太赫茲脈沖；然后利用電光采樣方法得到太赫茲時(shí)域脈沖譜，最后通過(guò)計(jì)算機(jī)內(nèi)裝有的MatLab軟件對(duì)太赫茲時(shí)域脈沖譜進(jìn)行快速傅里葉變換，得到太赫茲頻域脈沖譜。本發(fā)明具有裝置簡(jiǎn)單、成本低、太赫茲輻射源的原料豐富易得、太赫茲脈沖產(chǎn)生效率高的特點(diǎn)。
【專利說(shuō)明】一種產(chǎn)生太赫茲脈沖和實(shí)時(shí)檢測(cè)的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于太赫茲輻射源【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種產(chǎn)生太赫茲脈沖和實(shí)時(shí)檢測(cè)的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]太赫茲(THz)是介于宏觀電子學(xué)向微觀光子學(xué)過(guò)渡的頻段，頻率為0.1THz到IOTHz之間。太赫茲脈沖所處的特殊頻段決定了其特殊的性質(zhì)，它不僅適合于生物醫(yī)學(xué)成像和探測(cè)成像，而且是空間運(yùn)動(dòng)目標(biāo)的偵察、識(shí)別、致盲、對(duì)抗無(wú)線通信和反恐輯毒的有力工具。在過(guò)去幾年里，太赫茲應(yīng)用已經(jīng)滲透到物理、傳感、通訊、生命科學(xué)等領(lǐng)域。國(guó)際上已有一百多個(gè)研究小組從事有關(guān)太赫茲相關(guān)領(lǐng)域的研究。太赫茲脈沖輻射源技術(shù)的發(fā)展是推動(dòng)太赫茲應(yīng)用技術(shù)及其相關(guān)交叉學(xué)科迅速發(fā)展的關(guān)鍵所在。
[0003]目前，采用傳統(tǒng)的太赫茲脈沖產(chǎn)生技術(shù)產(chǎn)生的太赫茲脈沖電場(chǎng)強(qiáng)度低，太赫茲脈沖的能量也較低，能量轉(zhuǎn)換效率不高，要同時(shí)檢測(cè)所產(chǎn)生的太赫茲脈沖還需額外增加一臺(tái)激光器用來(lái)產(chǎn)生探測(cè)光，因此實(shí)驗(yàn)裝置復(fù)雜，成本高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明旨在克服現(xiàn)有技術(shù)缺陷，目的是提供一種裝置簡(jiǎn)單、成本低、太赫茲輻射源的原料豐富易得、太赫茲脈沖廣生效率聞的廣生太赫茲脈沖和實(shí)時(shí)檢測(cè)的方法。
[0005]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案的具體步驟是:
[0006]步驟1、先通過(guò)晶體提拉法生長(zhǎng)鈮酸鋰單晶，然后對(duì)所述鈮酸鋰單晶切割拋光，制得鈮酸鋰單晶薄片。再采用金屬蒸汽真空弧方法，將銅離子注入所述鈮酸鋰單晶薄片，制得注銅的鈮酸鋰單晶薄片；注銅的鈮酸鋰單晶薄片為太赫茲輻射源。
[0007]步驟2、將太赫茲輻射源垂直地安裝在太赫茲脈沖裝置的會(huì)聚透鏡的右邊，開(kāi)啟太赫茲脈沖系統(tǒng)的鈦藍(lán)寶石激光器，鈦藍(lán)寶石激光器產(chǎn)生激光脈沖，激光脈沖通過(guò)分束器產(chǎn)生泵浦光脈沖和探測(cè)光脈沖，泵浦光脈沖與探測(cè)光脈沖具有相同的中心波長(zhǎng)、重復(fù)頻率和初始相位值。
[0008]步驟3、將泵浦光脈沖垂直入射到太赫茲輻射源，采用光整流方法產(chǎn)生太赫茲脈沖。
[0009]步驟4、將探測(cè)光脈沖和太赫茲脈沖共同入射到太赫茲?rùn)z測(cè)器件，調(diào)節(jié)可移動(dòng)反射鏡調(diào)整太赫茲?rùn)z測(cè)器件接收到的探測(cè)光和太赫茲脈沖之間的光程差，利用電光采樣方法得到太赫茲時(shí)域脈沖譜，將太赫茲時(shí)域脈沖譜傳給計(jì)算機(jī)，利用計(jì)算機(jī)內(nèi)裝有的MatLab軟件對(duì)太赫茲時(shí)域脈沖譜進(jìn)行快速傅里葉變換，得到太赫茲頻域脈沖譜。
[0010]所述鈮酸鋰單晶薄片的尺寸為20 X 20 X 1mm3。
[0011]所述泵浦光脈沖極化方向垂直于鈮酸鋰單晶的C軸。
[0012]所述金屬蒸汽真空弧方法的工藝參數(shù)是:銅離子注入劑量為1.2X1017ions/cm2,加速電壓為35KV，粒子流密度為25 μ A/cm2。[0013]所述太赫茲脈沖裝置是:在機(jī)架上固定裝有鈦藍(lán)寶石激光器，在鈦藍(lán)寶石激光器的正下方從上到下依次裝有分束器和第一反射鏡，第一反射鏡與水平面的夾角為45°，第一反射鏡的鏡面朝向左上方；分束器的右邊裝有第二反射鏡，分束器的左邊裝有可移動(dòng)反射鏡，分束器、第二反射鏡和可移動(dòng)反射鏡位于同一水平線上；第二反射鏡的正下方平行地裝有第三反射鏡，第一反射鏡的左邊裝有第四反射鏡，第四反射鏡的正上方裝有第五反射鏡。
[0014]第一反射鏡、第三反射鏡和第四反射鏡位于同一水平線上，第一反射鏡的延長(zhǎng)線分別與第三反射鏡和第四反射鏡的延長(zhǎng)線的夾角為90° ,第五反射鏡和分束器分別與第一反射鏡平行。
[0015]第五反射鏡的右邊從左到右依次裝有會(huì)聚透鏡、太赫茲輻射源和第一離軸拋物面鏡，第一離軸拋物面鏡的正下方從上到下依次裝有硅濾波片和第二離軸拋物面鏡，第二離軸拋物面鏡的右邊從左到右依次裝有碲化鋅晶片、四分之一波片、沃拉斯頓透鏡、平衡光電探測(cè)器、鎖相放大器和計(jì)算機(jī)。
[0016]第一離軸拋物面鏡的拋物面朝向左下方，硅濾波片水平安裝，第二離軸拋物面鏡的拋物面朝向右上方；第二離軸拋物面鏡、碲化鋅晶片、四分之一波片、沃拉斯頓透鏡、平衡光電探測(cè)器、鎖相放大器位于同一水平線上。
[0017]所述鈦藍(lán)寶石激光器的重復(fù)頻率為ΙΚΗζ，脈沖寬度為35fs，中心波長(zhǎng)為800nm。
[0018]本發(fā)明中的鈦藍(lán)寶石激光源產(chǎn)生重復(fù)頻率ΙΚΗζ、脈沖寬度35fs和中心脈沖長(zhǎng)SOOnm的脈沖激光，所述脈沖激光垂直地入射到分束器上，一部分激光被分束器反射作為探測(cè)光，另一部分穿過(guò)分束器作為泵浦光；泵浦光被第一反射鏡反射后水平向左傳播，然后再被第四反射鏡反射后豎直向上傳播，接著被第五反射鏡反射后水平向右傳播，再被會(huì)聚透鏡聚焦，聚焦的光束通過(guò)太赫茲輻射源，通過(guò)光整流效應(yīng)產(chǎn)生太赫茲脈沖，剩余的泵浦光和太赫茲脈沖被右邊的第一離軸拋物面鏡準(zhǔn)直后向下傳播，然后通過(guò)正下方的硅濾波片，使得剩余的泵浦光不能通過(guò)。
[0019]探測(cè)光被可移動(dòng)反射鏡反射后水平向左傳播，再經(jīng)過(guò)第二反射鏡和第三反射鏡的反射后水平向右傳播，然后穿過(guò)第二離軸拋面鏡后與被第二離軸拋面鏡準(zhǔn)直的太赫茲脈沖一起垂直入射到碲化鋅晶片和四分之一波片上，接著被右邊的沃拉斯頓透鏡分成兩束光，分別入射到平衡光電探測(cè)器的兩個(gè)探頭上，最后被鎖相放大器放大后將信號(hào)傳給計(jì)算機(jī)，得到太赫茲時(shí)域脈沖譜，然后利用MatLab軟件進(jìn)行快速傅里葉變換得到太赫茲頻域脈沖
-1'TfeP曰。
[0020]由于采用上述技術(shù)方案，本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有以下有益效果:
[0021]I)在太赫茲脈沖的產(chǎn)生和檢測(cè)過(guò)程中只運(yùn)用到了一臺(tái)鈦藍(lán)寶石激光器，簡(jiǎn)化了太赫茲脈沖裝置的配置，降低了該裝置成本。
[0022]2)鈮酸鋰晶體是一種具有較大的二階非線性折射系數(shù)的電光晶體。本發(fā)明通過(guò)離子注入法改變鈮酸鋰晶體的晶格結(jié)構(gòu)，從而通過(guò)光整流技術(shù)獲取寬頻帶的太赫茲脈沖。鈮酸鋰晶體是負(fù)單軸晶體，透光區(qū)域約在0.33-5.50 μ m范圍，具有較大的非線性系數(shù)。因此，鈮酸鋰電光晶體是一種應(yīng)用很廣泛的太赫茲脈沖輻射源材料。通過(guò)向鈮酸鋰晶體中進(jìn)行金屬離子注入，可以產(chǎn)生大量的納米顆粒，提高材料的非線性系數(shù)，同時(shí)也能提高材料的抗光損傷能力，因此，鈮酸鋰晶體能作為光整流產(chǎn)生太赫茲脈沖的理想材料。[0023]3 )基底材料鈮酸鋰的應(yīng)用已經(jīng)十分成熟，原料易得，價(jià)格便宜；同時(shí)它又具有很好的光電性能，通過(guò)金屬離子注入，提高其非線性系數(shù)和抗光損傷能力，進(jìn)而能夠提升太赫茲輻射產(chǎn)生效率。
[0024]因此，本發(fā)明具有裝置簡(jiǎn)單、成本低、太赫茲輻射源的原料豐富易得、太赫茲脈沖產(chǎn)生效率高的特點(diǎn)。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0025]圖1為本發(fā)明的一種示意圖；
[0026]圖2為本發(fā)明得到的一種太赫茲時(shí)域脈沖譜；
[0027]圖3為本發(fā)明得到的一種太赫茲頻域脈沖譜。
【具體實(shí)施方式】
[0028]下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述，并非對(duì)其保護(hù)范圍的限制。
[0029]實(shí)施例1
[0030]一種產(chǎn)生太赫茲脈沖和實(shí)時(shí)檢測(cè)的方法。該方法的具體步驟是:
[0031]步驟1、先通過(guò)晶體提拉法生長(zhǎng)鈮酸鋰單晶，然后對(duì)所述鈮酸鋰單晶切割拋光，制得鈮酸鋰單晶薄片。再采用金屬蒸汽真空弧方法，將銅離子注入所述鈮酸鋰單晶薄片，制得注銅的鈮酸鋰單晶薄片；注銅的鈮酸鋰單晶薄片為太赫茲輻射源5。
[0032]步驟2、如圖1所示，將太赫茲輻射源5垂直地安裝在太赫茲脈沖裝置的會(huì)聚透鏡4的右邊,開(kāi)啟太赫茲脈沖系統(tǒng)的鈦藍(lán)寶石激光器3,鈦藍(lán)寶石激光器3產(chǎn)生激光脈沖,激光脈沖通過(guò)分束器19產(chǎn)生泵浦光脈沖和探測(cè)光脈沖，泵浦光脈沖與探測(cè)光脈沖具有相同的中心波長(zhǎng)、重復(fù)頻率和初始相位值。
[0033]步驟3、如圖1所示，將泵浦光脈沖垂直入射到太赫茲輻射源5，采用光整流方法產(chǎn)生太赫茲脈沖。
[0034]步驟4、如圖1所示，將探測(cè)光脈沖和太赫茲脈沖共同入射到太赫茲?rùn)z測(cè)器件，調(diào)節(jié)可移動(dòng)反射鏡I調(diào)整太赫茲?rùn)z測(cè)器件接收到的探測(cè)光和太赫茲脈沖之間的光程差，利用電光采樣方法得到太赫茲時(shí)域脈沖譜，將太赫茲時(shí)域脈沖譜傳給計(jì)算機(jī)，利用計(jì)算機(jī)內(nèi)裝有的MatLab軟件對(duì)太赫茲時(shí)域脈沖譜進(jìn)行快速傅里葉變換，得到太赫茲頻域脈沖譜。
[0035]所述鈮酸鋰單晶薄片的尺寸為20X20Xlmm3。
[0036]所述泵浦光脈沖極化方向垂直于鈮酸鋰單晶的C軸。
[0037]所述金屬蒸汽真空弧方法的工藝參數(shù)是:銅離子注入劑量為1.2X1017ions/cm2,加速電壓為35KV，粒子流密度為25 μ A/cm2。
[0038]所述太赫茲脈沖裝置的結(jié)構(gòu)如圖1所示:在機(jī)架上固定裝有鈦藍(lán)寶石激光器3，在鈦藍(lán)寶石激光器3的正下方從上到下依次裝有分束器19和第一反射鏡17,第一反射鏡17與水平面的夾角為45°，第一反射鏡17的鏡面朝向左上方；分束器19的右邊裝有第二反射鏡15，分束器19的左邊裝有可移動(dòng)反射鏡1，分束器19、第二反射鏡15和可移動(dòng)反射鏡I位于同一水平線上；第二反射鏡15的正下方平行地裝有第三反射鏡16，第一反射鏡17的左邊裝有第四反射鏡18，第四反射鏡18的正上方裝有第五反射鏡2。[0039]第一反射鏡17、第三反射鏡16和第四反射鏡18位于同一水平線上，第一反射鏡17的延長(zhǎng)線分別與第三反射鏡16和第四反射鏡18的延長(zhǎng)線的夾角為90°，第五反射鏡2和分束器19分別與第一反射鏡17平行。
[0040]第五反射鏡2的右邊從左到右依次裝有會(huì)聚透鏡4、太赫茲輻射源5和第一離軸拋物面鏡6，第一離軸拋物面鏡6的正下方從上到下依次裝有硅濾波片7和第二離軸拋物面鏡14，第二離軸拋物面鏡14的右邊從左到右依次裝有碲化鋅晶片13、四分之一波片12、沃拉斯頓透鏡8、平衡光電探測(cè)器9、鎖相放大器10和計(jì)算機(jī)11。
[0041]第一離軸拋物面鏡6的拋物面朝向左下方，硅濾波片7水平安裝，第二離軸拋物面鏡14的拋物面朝向右上方；第二離軸拋物面鏡14、碲化鋅晶片13、四分之一波片12、沃拉斯頓透鏡8、平衡光電探測(cè)器9、鎖相放大器10位于同一水平線上。
[0042]所述鈦藍(lán)寶石激光器3的重復(fù)頻率為IKHz，脈沖寬度為35fs，中心波長(zhǎng)為800nm。
[0043]本發(fā)明中的鈦藍(lán)寶石激光源3產(chǎn)生重復(fù)頻率ΙΚΗζ、脈沖寬度35fs和中心脈沖長(zhǎng)SOOnm的脈沖激光，所述脈沖激光垂直地入射到分束器19上，一部分激光被分束器19反射作為探測(cè)光，另一部分穿過(guò)分束器19作為泵浦光；泵浦光被第一反射鏡17反射后水平向左傳播，然后再被第四反射鏡18反射后豎直向上傳播，接著被第五反射鏡2反射后水平向右傳播，再被會(huì)聚透鏡4聚焦，聚焦的光束通過(guò)太赫茲輻射源5，通過(guò)光整流效應(yīng)產(chǎn)生太赫茲脈沖，剩余的泵浦光和太赫茲脈沖被右邊的第一離軸拋物面鏡6準(zhǔn)直后向下傳播，然后通過(guò)正下方的硅濾波片7，使得剩余的泵浦光不能通過(guò)。
[0044]探測(cè)光被可移動(dòng)反射鏡I反射后水平向左傳播，再經(jīng)過(guò)第二反射鏡15和第三反射鏡16的反射后水平向右傳播，然后穿過(guò)第二離軸拋面鏡14后與被第二離軸拋面鏡14準(zhǔn)直的太赫茲脈沖一起垂直入射到碲化鋅晶片13和四分之一波片12上，接著被右邊的沃拉斯頓透鏡8分成兩束光，分別入射到平衡光電探測(cè)器9的兩個(gè)探頭上，最后被鎖相放大器10放大后將信號(hào)傳給計(jì)算機(jī)11，得到太赫茲時(shí)域脈沖譜，然后利用MatLab軟件進(jìn)行快速傅里葉變換得到太赫茲頻域脈沖譜。
[0045]因此，本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有以下有益效果:
[0046]I)在太赫茲脈沖的產(chǎn)生和檢測(cè)過(guò)程中只運(yùn)用到了一臺(tái)鈦藍(lán)寶石激光器3，簡(jiǎn)化了太赫茲脈沖裝置的配置，降低了該裝置成本。
[0047]2)鈮酸鋰晶體是一種具有較大的二階非線性折射系數(shù)的電光晶體。本發(fā)明通過(guò)離子注入法改變鈮酸鋰晶體的晶格結(jié)構(gòu)，從而通過(guò)光整流技術(shù)獲取寬頻帶的太赫茲脈沖。鈮酸鋰晶體是負(fù)單軸晶體，透光區(qū)域約在0.33-5.50 μ m范圍，具有較大的非線性系數(shù)。因此，鈮酸鋰電光晶體是一種應(yīng)用很廣泛的太赫茲脈沖輻射源材料。通過(guò)向鈮酸鋰晶體中進(jìn)行金屬離子注入，可以產(chǎn)生大量的納米顆粒，提高材料的非線性系數(shù)，同時(shí)也能提高材料的抗光損傷能力，因此，鈮酸鋰晶體能作為光整流產(chǎn)生太赫茲脈沖的理想材料。如圖2所示，所產(chǎn)生的太赫茲脈沖信號(hào)穩(wěn)定。
[0048]3 )基底材料鈮酸鋰的應(yīng)用已經(jīng)十分成熟，原料易得，價(jià)格便宜；同時(shí)它又具有很好的光電性能，通過(guò)金屬離子注入，提高其非線性系數(shù)和抗光損傷能力，進(jìn)而能夠提升太赫茲輻射產(chǎn)生效率。如圖3所示，所產(chǎn)生的太赫茲脈沖的中心頻率在0.37THz附近，同時(shí)脈沖具有脈沖展寬小強(qiáng)度高的特點(diǎn)。
[0049]因此，本【具體實(shí)施方式】具有裝置簡(jiǎn)單、成本低、太赫茲輻射源的原料豐富易得、太赫茲脈沖產(chǎn)生效率高的特點(diǎn)。
【權(quán)利要求】
1.一種產(chǎn)生太赫茲脈沖和實(shí)時(shí)檢測(cè)的方法，其特征在于所述方法的具體步驟是: 步驟1、先通過(guò)晶體提拉法生長(zhǎng)鈮酸鋰單晶，然后對(duì)所述鈮酸鋰單晶切割拋光，制得鈮酸鋰單晶薄片；再采用金屬蒸汽真空弧方法，將銅離子注入所述鈮酸鋰單晶薄片，制得注銅的鈮酸鋰單晶薄片，注銅的鈮酸鋰單晶薄片為太赫茲輻射源(5)； 步驟2、將太赫茲輻射源(5)垂直地安裝在太赫茲脈沖裝置的會(huì)聚透鏡(4)的右邊，開(kāi)啟太赫茲脈沖系統(tǒng)的鈦藍(lán)寶石激光器(3)，鈦藍(lán)寶石激光器(3)產(chǎn)生激光脈沖，激光脈沖通過(guò)分束器(19)產(chǎn)生泵浦光脈沖和探測(cè)光脈沖，泵浦光脈沖與探測(cè)光脈沖具有相同的中心波長(zhǎng)、重復(fù)頻率和初始相位值； 步驟3、將泵浦光脈沖垂直入射到太赫茲輻射源(5)，采用光整流方法產(chǎn)生太赫茲脈沖； 步驟4、將探測(cè)光脈沖和太赫茲脈沖共同入射到太赫茲?rùn)z測(cè)器件，調(diào)節(jié)可移動(dòng)反射鏡(I)調(diào)整太赫茲?rùn)z測(cè)器件接收到的探測(cè)光和太赫茲脈沖之間的光程差，利用電光采樣方法得到太赫茲時(shí)域脈沖譜，將太赫茲時(shí)域脈沖譜傳給計(jì)算機(jī)，利用計(jì)算機(jī)內(nèi)裝有的MatLab軟件對(duì)太赫茲時(shí)域脈沖譜進(jìn)行快速傅里葉變換，得到太赫茲頻域脈沖譜。
2.如權(quán)利要求1所述產(chǎn)生太赫茲脈沖和實(shí)時(shí)檢測(cè)的方法，其特征在于所述鈮酸鋰單晶薄片的尺寸為20X20Xlmm3。
3.如權(quán)利要求1所述產(chǎn)生太赫茲脈沖和實(shí)時(shí)檢測(cè)的方法，其特征在于所述泵浦光脈沖極化方向垂直于鈮酸鋰單晶的C軸。
4.如權(quán)利要求1所述產(chǎn)生太赫茲脈沖和實(shí)時(shí)檢測(cè)的方法，其特征在于所述金屬蒸汽真空弧方法的工藝參數(shù)是:銅離子注入劑量為1.2X1017ions/cm2,加速電壓為35KV，粒子流密度為25 μ A/cm2。
5.如權(quán)利要求1所述產(chǎn)生太赫茲脈沖和實(shí)時(shí)檢測(cè)的方法，其特征在于所述太赫茲脈沖裝置的結(jié)構(gòu)是:在機(jī)架上固定裝有鈦藍(lán)寶石激光器(3)，在鈦藍(lán)寶石激光器(3)的正下方從上到下依次裝有分束器(19)和第一反射鏡(17)，第一反射鏡(17)與水平面的夾角為45°，第一反射鏡(17)的鏡面朝向左上方；分束器(19)的右邊裝有第二反射鏡(15)，分束器(19)的左邊裝有可移動(dòng)反射鏡(1)，分束器(19)、第二反射鏡(15)和可移動(dòng)反射鏡(I)位于同一水平線上；第二反射鏡(15)的正下方平行地裝有第三反射鏡(16)，第一反射鏡(17)的左邊裝有第四反射鏡(18)，第四反射鏡(18)的正上方裝有第五反射鏡(2); 第一反射鏡(17)、第三反射鏡(16)和第四反射鏡(18)位于同一水平線上，第一反射鏡(17)的延長(zhǎng)線分別與第三反射鏡(16)和第四反射鏡(18)的延長(zhǎng)線的夾角為90°，第五反射鏡(2)和分束器(19)分別與第一反射鏡(17)平行； 第五反射鏡(2)的右邊從左到右依次裝有會(huì)聚透鏡(4)、太赫茲輻射源(5)和第一離軸拋物面鏡出)，第一離軸拋物面鏡(6)的正下方從上到下依次裝有硅濾波片(7)和第二離軸拋物面鏡(14)，第二離軸拋物面鏡(14)的右邊從左到右依次裝有碲化鋅晶片(13)、四分之一波片(12)、沃拉斯頓透鏡(8)、平衡光電探測(cè)器(9)、鎖相放大器(10)和計(jì)算機(jī)(11)； 第一離軸拋物面鏡出)的拋物面朝向左下方，硅濾波片(X)水平安裝，第二離軸拋物面鏡(14)的拋物面朝向右上方；第二離軸拋物面鏡(14)、碲化鋅晶片(13)、四分之一波片(12)、沃拉斯頓透鏡(8)、平衡光電探測(cè)器(9)、鎖相放大器(10)位于同一水平線上。
6.如權(quán)利要 求1或5所述產(chǎn)生太赫茲脈沖和實(shí)時(shí)檢測(cè)的方法，其特征在于所述鈦藍(lán)寶石激光器(3)的重復(fù)頻率為1KHz，脈沖寬度為35fs,中心波長(zhǎng)為800nm
【文檔編號(hào)】G01J11/00GK103557949SQ201310533473
【公開(kāi)日】2014年2月5日 申請(qǐng)日期:2013年10月31日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月31日
【發(fā)明者】王玉華, 余翔翔, 趙存玲, 謝亞峰, 唐翰玉 申請(qǐng)人:武漢科技大學(xué)