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檢查壓縮質(zhì)量的電阻測量裝置及使用該裝置的測量方法

文檔序號:6176819閱讀:152來源:國知局
檢查壓縮質(zhì)量的電阻測量裝置及使用該裝置的測量方法
【專利摘要】用于檢查壓縮質(zhì)量的電阻測量裝置包括通過與顯示裝置的壓縮電阻測量標(biāo)記接觸以測量電阻的探測器,用于支承該探測器的探測器支承部,以及與探測器支承部耦合并且控制探測器位置的力矩電阻。
【專利說明】檢查壓縮質(zhì)量的電阻測量裝置及使用該裝置的測量方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明的實(shí)施方式涉及用于檢查壓縮質(zhì)量的電阻測量裝置以及使用該裝置的測
量方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在諸如有機(jī)發(fā)光(OLED)顯示器、液晶顯示器((IXD)等的平板顯示裝置的工藝中,是通過使用異方性導(dǎo)電膜(ACF)執(zhí)行壓縮工藝。這種壓縮工藝可以包括:F0G(電阻式(filmon glass))粘合工藝、COG (玻璃襯底芯片(chip on glass))粘合工藝等。
[0003]為了確保穩(wěn)定的壓縮質(zhì)量,通過光學(xué)視覺(optical vis1n)檢查壓縮部分的壓縮特性(例如,對齊或縮進(jìn))。然而,因?yàn)楣收喜荒鼙粩?shù)字化,且故障可導(dǎo)致漸進(jìn)的故障和可靠性故障,因此使用光學(xué)視覺的這種檢查工藝可能會增加最終產(chǎn)品中的不良率。
[0004]為了減小或最小化這種故障,可以使用能夠?qū)⒐收蠑?shù)字化并且將故障轉(zhuǎn)換為客觀故障數(shù)據(jù)的電動檢查方法。因此會使用探測器測量壓縮部分的電阻,但是因?yàn)橹T如與壓縮部分連接的探測器的深度、多個(gè)探針之間的平滑率等的因素可能導(dǎo)致在測量的電阻中產(chǎn)生偏差。
[0005]此外,當(dāng)通過探測器施加的源電流遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于壓縮部分可承受的電流時(shí),壓縮部分將被破壞。當(dāng)源電流遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于壓縮部分的電阻時(shí),因?yàn)樵肼?noise)導(dǎo)致無法準(zhǔn)確測量壓縮部分的電阻。
[0006]在【背景技術(shù)】部分公開的上述信息僅僅是為了增加對于所述【技術(shù)領(lǐng)域】的【背景技術(shù)】的理解,并因此,其可以包括本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員已知的、未形成現(xiàn)有技術(shù)的信息。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]所描述的技術(shù)提供了用于檢查壓縮質(zhì)量的電阻測量裝置以及使用其的測量方法,以減小或最小化因測量偏差或測量噪聲導(dǎo)致的、測量電阻中的誤差。
[0008]一種根據(jù)本公開的實(shí)施方式的用于檢查壓縮質(zhì)量的電阻測量裝置可以包括:通過與顯示裝置的壓縮電阻測量標(biāo)記接觸以測量電阻的探測器;用于支承所述探測器的探測器支承部;以及與探測器支承部耦合并且控制探測器的位置的力矩電機(jī)。
[0009]電阻測量裝置可以進(jìn)一步包括:位移傳感器,與探測器支承部耦合并且檢測探測器的位移。
[0010]探測器可以包括:多個(gè)探針,與壓縮電阻測量標(biāo)記直接接觸。
[0011]可以通過力矩電機(jī)控制探針的垂直位置。
[0012]電阻測量裝置可以進(jìn)一步包括:平臺,所述顯示裝置安裝在所述平臺上,所述平臺控制顯示裝置的垂直位置。
[0013]本公開的另實(shí)施方式提供一種用于檢查壓縮質(zhì)量的電阻測量方法。該方法可以包括:通過探測器支承部中的位移傳感器來檢測探測器的位移;根據(jù)檢測到的探測器的位移,通過探測器支承部中的力矩電機(jī)來控制探測器的位置;以及通過使探測器的多個(gè)探針接觸顯示裝置的壓縮電阻測量標(biāo)記來測量顯示裝置的壓縮部分的電阻。
[0014]測量電阻的步驟可以包括:將相對最小的檢查電流至相對最大的檢查電流依次施加于壓縮電阻測量標(biāo)記。
[0015]測量電阻的步驟可以進(jìn)一步包括:向壓縮電阻測量標(biāo)記施加第一檢查電流,并且在第一測量電阻大于第一參考電阻時(shí)輸出第一測量電阻。
[0016]該方法可以進(jìn)一步包括:當(dāng)?shù)谝粶y量電阻小于第一參考電阻時(shí)向壓縮電阻測量標(biāo)記施加大于第一檢查電流的第二檢查電流,并且在根據(jù)第二檢查電流測量的第二測量電阻大于第二參考電阻時(shí)輸出第二測量電阻。
[0017]該方法可以進(jìn)一步包括:當(dāng)?shù)诙y量電阻小于第二參考電阻時(shí)向壓縮電阻測量標(biāo)記施加大于第二檢查電流的第三檢查電流,并且輸出根據(jù)第三檢查電流測量的第三測量電阻。
[0018]根據(jù)本公開的實(shí)施方式,用于檢查壓縮質(zhì)量的電阻測量裝置在探針與壓縮電阻測量標(biāo)記接觸時(shí)可以使用位移傳感器和力矩電機(jī)來控制垂直壓力,并且通過精確控制探針的平滑度可以減小或最小化測量中的偏差,進(jìn)而準(zhǔn)確地測量壓縮部分的電阻。
[0019]壓縮質(zhì)量可以被量化為客觀的數(shù)據(jù),并且可以防止因個(gè)人的主觀判斷而導(dǎo)致的流出錯(cuò)誤。
[0020]此外,不僅可以提前檢測到初始工藝故障,而且還可以提前檢測到通過簡單的視覺檢查無法檢測到的潛在的工藝故障。
[0021]當(dāng)施加檢查電流時(shí),根據(jù)壓縮部分的電阻范圍可以改變檢查電流從而減小或最小化因測量噪聲導(dǎo)致的測量電阻中的錯(cuò)誤,進(jìn)而準(zhǔn)確地測量壓縮部分的電阻,并且根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方式的用于檢查壓縮質(zhì)量的電阻測量裝置可以被應(yīng)用到包括壓縮部分的顯示裝置,其中壓縮部分具有多種電阻范圍。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0022]圖1為根據(jù)本公開的實(shí)施方式的、用于檢查壓縮質(zhì)量的電阻測量裝置的框圖;
[0023]圖2為顯示裝置的側(cè)視圖,其中使用根據(jù)本公開的實(shí)施方式的、用于檢查壓縮質(zhì)量的電阻測量裝置執(zhí)行檢查;
[0024]圖3為顯示裝置的COF (覆晶薄膜(chip on film))的俯視圖,其中使用根據(jù)本公開的實(shí)施方式的、用于檢查壓縮質(zhì)量的電阻測量裝置執(zhí)行檢查;
[0025]圖4為顯示裝置的柔性印刷電路板(FPCB)的俯視圖,其中使用根據(jù)本公開的實(shí)施方式的、用于檢查壓縮質(zhì)量的電阻測量裝置執(zhí)行檢查;
[0026]圖5為使用根據(jù)本公開的實(shí)施方式的、用于檢查壓縮質(zhì)量的電阻測量方法的流程圖。
[0027]附圖標(biāo)記說明
[0028]10:探測器 20:探測器支承部
[0029]30:力矩電機(jī)40:位移傳感器
[0030]50:平臺
【具體實(shí)施方式】[0031]下文中,將參照示出本發(fā)明的多種實(shí)施方式的附圖更加全面地描述本發(fā)明的實(shí)施方式。本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解,在不脫離本發(fā)明的多種實(shí)施方式的精神或范圍的情況下,可以以不同方式變更所描述的實(shí)施方式。
[0032]附圖和描述應(yīng)當(dāng)被視為本質(zhì)上的說明性而非限制性。貫穿說明書全文,相同的附圖標(biāo)記表示相同的構(gòu)件。此外,為了便于理解和說明方便,可以以任意的尺寸和厚度示出附圖中所示的各個(gè)組件的尺寸和厚度,但本發(fā)明的實(shí)施方式并不限定于此。
[0033]應(yīng)當(dāng)理解,當(dāng)如層、膜、區(qū)域或基板的構(gòu)件被表示為在其他構(gòu)件“上”時(shí),可以表示直接在其他構(gòu)件上或者在存在有一個(gè)或多個(gè)中間構(gòu)件的構(gòu)件上。
[0034]圖1為根據(jù)本公開的一實(shí)施方式的用于檢查壓縮質(zhì)量的電阻測量裝置的框圖。圖2為使用根據(jù)本公開的實(shí)施方式的用于檢查壓縮質(zhì)量的電阻測量裝置執(zhí)行檢查的顯示裝置的側(cè)視圖。圖3為使用根據(jù)本公開的實(shí)施方式的用于檢查壓縮質(zhì)量的電阻測量裝置執(zhí)行檢查的顯示裝置的COF (chipon film)的俯視圖。圖4為使用根據(jù)本公開的實(shí)施方式的用于檢查壓縮質(zhì)量的電阻測量裝置執(zhí)行檢查的顯示裝置的柔性印刷電路板(FPCB)的俯視圖。
[0035]如圖1所示,根據(jù)實(shí)施方式的用于檢查壓縮質(zhì)量的電阻測量裝置可以包括:用于測量壓縮部分的電阻的探測器10、用于支承探測器10的探測器支承部20、附接于探測器支承部20以控制探測器10位置的力矩電機(jī)30、附接于探測器支承部20以檢測探測器10位移的位移傳感器40,以及安裝有顯示裝置100并用于控制顯示裝置100垂直位置的平臺50。
[0036]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式,探測器10通過與用于測量顯示裝置100的壓縮電阻的壓縮電阻測量標(biāo)記121、131 (參照圖2)接觸而測量電阻。如圖2所示,顯示裝置100使用包括驅(qū)動芯片122的C0F120與柔性印刷電路板(FPCB) 130耦合。顯示裝置100通過異方性導(dǎo)電膜123與C0F120的壓縮部分126耦合,并且C0F120通過異方性導(dǎo)電膜124與柔性印刷電路板130的壓縮部分136耦合。
[0037]如圖3所示,根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式,壓縮電阻測量標(biāo)記121形成在C0F120中。因?yàn)閴嚎s電阻測量標(biāo)記121與穿過C0F120的壓縮部分126的連接線125耦合,所以這種壓縮電阻測量標(biāo)記121可以測量壓縮部分126的電阻。雖然圖示了二端子的壓縮電阻測量標(biāo)記,但是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方式,還可以適用多端子(例如,4端子)的壓縮電阻測量標(biāo)記。
[0038]如圖4所示,根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式,壓縮電阻測量標(biāo)記131形成在柔性印刷電路板130中。因?yàn)閴嚎s電阻測量標(biāo)記131與穿過柔性印刷電路板130的壓縮部分136的連接線135耦合,所以這種壓縮電阻測量標(biāo)記131可以測量壓縮部分136的電阻。
[0039]在一些實(shí)施方式中,探測器10包括:分別與壓縮電阻測量標(biāo)記121和131直接接觸的多個(gè)探針11??梢酝ㄟ^力矩電機(jī)30控制探針11的垂直位置。
[0040]在一些實(shí)施方式中,位移傳感器40被提供在探測器支承部20的下部,并且被配置為測量與壓縮電阻測量標(biāo)記121和131接觸的探針11的平滑度。
[0041]力矩電機(jī)30使用通過位移傳感器40測量的探針11的平滑度控制探針11的垂直位置,從而使得探針11與壓縮電阻測量標(biāo)記121和131均勻地接觸。
[0042]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式,當(dāng)探針11的垂直位置(使用位移傳感器40和力矩電機(jī)30控制)與壓縮電阻測量標(biāo)記121和131接觸時(shí),通過精確控制探針11的平滑度可以減小或最小化測量中的偏差。
[0043]將參照圖1至圖5詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的、使用用于檢查壓縮質(zhì)量的電阻測量裝置的電阻測量方法。
[0044]如圖1所示,根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式,使用用于檢查壓縮質(zhì)量的電阻測量裝置的測量方法使用設(shè)置在探測器支承部20的位移傳感器40來檢測探測器10的位移。
[0045]參照檢測到的探測器10的位移,使用設(shè)置在探測器支承部20的力矩電機(jī)30來控制探測器10的位置。
[0046]可以通過使探測器10的多個(gè)探針11接觸壓縮電阻測量標(biāo)記121和131來測量壓縮部分126和136的電阻。
[0047]如圖5所示,根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式,相對最小的檢查電流Il至相對最大的檢查電流13依次被施加于壓縮電阻測量標(biāo)記121和131,以測量壓縮部分126和136的電阻。通過施加這些檢查電流Il至13,可以向探測器10應(yīng)用自動偏移量(off set)以減小或消除探測器10的電阻。
[0048]下文中,將參照圖5對此進(jìn)行更加詳細(xì)地描述。
[0049]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式,向壓縮電阻測量標(biāo)記121和131施加第一檢查電流II。當(dāng)通過第一檢查電流Il測量的第一測量電阻大于第一參考電阻時(shí),輸出第一測量電阻。當(dāng)?shù)谝粶y量電阻小于(例如,小于或等于)第一參考電阻時(shí),向壓縮電阻測量標(biāo)記施加大于第一檢查電流Il的第二檢查電流12。
[0050]當(dāng)通過第二檢查電流12測量的第二測量電阻大于第二參考電阻時(shí),輸出第二測量電阻。當(dāng)?shù)诙y量電阻小于(例如,小于或等于)第二參考電阻時(shí),向壓縮電阻測量標(biāo)記施加大于第二檢查電流12的第三檢查電流。然后,輸出通過第三檢查電流13測量的第三測量電阻。
[0051]相應(yīng)地,在本實(shí)施方式中,第二參考電阻小于第一參考電阻,第三檢查電流小于破壞電流(例如,能夠破壞壓縮部分的電阻的電流)。
[0052]例如,當(dāng)施加100 μ A的第一檢查電流Il時(shí),并且當(dāng)?shù)谝粶y量電阻大于100 Ω的第一參考電阻時(shí),輸出第一測量電阻。當(dāng)?shù)谝粶y量電阻小于100 Ω的第一參考電阻時(shí),向壓縮電阻測量標(biāo)記121和131施加500 μ A的第二檢查電流12。進(jìn)一步,當(dāng)?shù)诙y量電阻大于第二參考電阻時(shí),輸出第二測量電阻。當(dāng)?shù)诙y量電阻小于50Ω的第二參考電阻時(shí),向壓縮電阻測量標(biāo)記121和131施加ImA的第三檢查電流13以輸出第三測量電阻。
[0053]根據(jù)一些實(shí)施方式,根據(jù)壓縮部分126和136的電阻范圍輸出第一測量電阻、第二測量電阻或第三測量電阻,施加到壓縮電阻測量標(biāo)記121和131的第一檢查電流I1、第二檢查電流12和/或第三檢查電流13分別具有不同大小的電流。因此,逐步增加檢查電流(例如,I1、12和13),以防止因施加的檢查電流遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于壓縮部分126和136可承受的檢查電流而導(dǎo)致壓縮部分126和136被破壞。此外,還可以防止當(dāng)施加的檢查電流遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于壓縮部分126和136能夠承受的檢測電流時(shí)產(chǎn)生的測量噪聲。
[0054]也就是說,當(dāng)檢查電流被施加到壓縮部分126和136時(shí),可以根據(jù)壓縮部分126和136的電阻范圍來改變檢查電流的強(qiáng)度,從而準(zhǔn)確地測量壓縮部分126和136的電阻。
[0055]在本發(fā)明的一些實(shí)施方式中,固定電流測量方法可用于使用檢查電流的測量電阻中。本發(fā)明的實(shí)施方式的測量方法通過在電壓對比電流的曲線(圖表)中生成最低檢測電流與最高檢測電流之間的斜度以測量電阻。相應(yīng)地,因?yàn)楦俚碾娮铚y量點(diǎn),使得穩(wěn)定化測量的時(shí)間相對較短,進(jìn)而縮短用于測量電阻的時(shí)間。另外,因?yàn)闇p少了因數(shù)量較少的電阻測量點(diǎn)而發(fā)生的測量誤差,所以可以使得根據(jù)固定電流測量方法獲得的電阻測量準(zhǔn)確。
[0056]在一些實(shí)施方式中,源自探測器或周邊環(huán)境的非常小量的噪聲可能包含在測量的電阻內(nèi),其可以通過平均噪聲被過濾。
[0057]雖然通過目前被認(rèn)為是實(shí)用的示例性實(shí)施方式描述了本公開,但應(yīng)當(dāng)理解,本發(fā)明并不限定于所公開的實(shí)施方式,而是旨在覆蓋包含在所附權(quán)利要求書的精神和范圍內(nèi)的多種變形和等同設(shè)置以及其等同物。
【權(quán)利要求】
1.一種用于檢查壓縮質(zhì)量的電阻測量裝置,包括: 探測器,通過與顯示裝置的壓縮電阻測量標(biāo)記接觸以測量所述顯示裝置的壓縮部分的電阻; 探測器支承部,支承所述探測器;以及 力矩電機(jī),與所述探測器支承部連接,并且控制所述探測器的位置。
2.如權(quán)利要求1所述的電阻測量裝置,進(jìn)一步包括: 位移傳感器,與所述探測器支承部耦合,并且檢測所述探測器的位移。
3.如權(quán)利要求2所述的電阻測量裝置,其中,所述探測器包括: 多個(gè)探針,與所述壓縮電阻測量標(biāo)記直接接觸。
4.如權(quán)利要求3所述的電阻測量裝置,其中,通過所述力矩電機(jī)控制所述探針的垂直位置。
5.如權(quán)利要求1所述的電阻測量裝置,進(jìn)一步包括: 平臺,所述顯示裝置安裝在所述平臺上,所述平臺控制所述顯示裝置的垂直位置。
6.一種用于檢查壓縮質(zhì)量的電阻測量方法,所述方法包括: 通過探測器支承部中的位移傳感器來檢測探測器的位移; 根據(jù)檢測到的所述探測器的所述位移,通過所述探測器支承部中的力矩電機(jī)來控制所述探測器的位置;以及 通過使所述探測器的多個(gè)探針接觸顯示裝置的壓縮電阻測量標(biāo)記來測量所述顯示裝置的壓縮部分的電阻。
7.如權(quán)利要求6所述的方法,其中,所述測量所述電阻的步驟包括: 將相對最小的檢查電流至相對最大的檢查電流依次施加于所述壓縮電阻測量標(biāo)記。
8.如權(quán)利要求7所述的方法,其中,所述測量所述電阻的步驟進(jìn)一步包括: 向所述壓縮電阻測量標(biāo)記施加第一檢查電流;以及 在根據(jù)所述第一檢查電流測量的第一測量電阻大于第一參考電阻時(shí)輸出所述第一測量電阻。
9.如權(quán)利要求8所述的方法,進(jìn)一步包括: 當(dāng)所述第一測量電阻小于所述第一參考電阻時(shí)向所述壓縮電阻測量標(biāo)記施加大于所述第一檢查電流的第二檢查電流;以及 在根據(jù)所述第二檢查電流測量的第二測量電阻大于第二參考電阻時(shí)輸出所述第二測量電阻。
10.如權(quán)利要求9所述的方法,進(jìn)一步包括: 當(dāng)所述第二測量電阻小于所述第二參考電阻時(shí)向所述壓縮電阻測量標(biāo)記施加大于所述第二檢查電流的第三檢查電流;以及 輸出根據(jù)所述第三檢查電流測量的第三測量電阻。
【文檔編號】G01R27/02GK104034964SQ201310430509
【公開日】2014年9月10日 申請日期:2013年9月18日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月7日
【發(fā)明者】高潤德, 李容熙 申請人:三星顯示有限公司
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