一種光催化型葡萄糖微電極傳感器及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及電化學(xué)檢測(cè)領(lǐng)域，特別是涉及一種光催化型葡萄糖微電極傳感器及其制備方法。本發(fā)明提供一種光催化型葡萄糖微電極傳感器，包括基材，所述基材上設(shè)有工作電極、對(duì)電極和參比電極，所述工作電極的工作區(qū)域上設(shè)有半導(dǎo)體量子點(diǎn)修飾層和葡萄糖氧化酶修飾層，所述基材中設(shè)有微光纖，所述微光纖所傳輸?shù)墓獯怪贝┻^(guò)所述工作電極，所述半導(dǎo)體量子點(diǎn)為CdSe@CdS半導(dǎo)體量子點(diǎn)。本發(fā)明所提供的光催化型葡萄糖微電極傳感器是一種不需要氧氣、能夠在較低電位檢測(cè)血糖的光催化型葡萄糖微電極傳感器。
【專利說(shuō)明】一種光催化型葡萄糖微電極傳感器及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電化學(xué)檢測(cè)領(lǐng)域，特別是涉及一種光催化型葡萄糖微電極傳感器及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]傳統(tǒng)的葡萄糖微電極傳感器通過(guò)葡萄糖氧化酶對(duì)電極進(jìn)行修飾，在葡萄糖微電極傳感器檢測(cè)血糖時(shí)對(duì)氧氣有一定依賴性，且檢測(cè)必須在較高電位才能夠進(jìn)行，從而共存的電活性物質(zhì)可能引起一系列的副作用。
[0003]近年來(lái)，納米科學(xué)領(lǐng)域已經(jīng)成為新世紀(jì)的科學(xué)前沿，它將改變?nèi)祟惖纳a(chǎn)和生活方式。同時(shí)，納米科技在基礎(chǔ)科學(xué)方面向人們提出許多新的挑戰(zhàn)，促進(jìn)基礎(chǔ)科學(xué)的發(fā)展。半導(dǎo)體量子點(diǎn)是半導(dǎo)體納米材料的典型結(jié)構(gòu)，它已經(jīng)在信息【技術(shù)領(lǐng)域】發(fā)揮重要作用。由于量子尺寸效應(yīng)和表面效應(yīng)，半導(dǎo)體量子點(diǎn)己成為人們研究的熱點(diǎn)。人們制備量子點(diǎn)和研究其性質(zhì)的努力已經(jīng)進(jìn)行了二十多年，取得了巨大進(jìn)展。量子點(diǎn)是一種由I1-VI族和III 一族元素組的納米顆粒，它具有尺寸依賴的電學(xué)和光學(xué)性能，在發(fā)光二極管，非性光學(xué)，太陽(yáng)能電池，生命科學(xué)等領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用。目前制得的半導(dǎo)體量子點(diǎn)材料，主要有以下幾大類:(I) IV族量子點(diǎn)材料，如:S1、Ge ; (2) II1-V族量子點(diǎn)材料，如:InAs、GaSb, GaN等量子點(diǎn)；
[3]I1-VI族量子點(diǎn)材料，如:CdSe、ZnSe、CdTe等量子點(diǎn)。
[0004]由于半導(dǎo)體納米量子點(diǎn)具有獨(dú)特的光電性質(zhì)，寬的光吸收光譜、窄且可調(diào)節(jié)發(fā)射光譜、高光電穩(wěn)定性等，以及高表面活性等優(yōu)點(diǎn)，使得他們易于分析物質(zhì)發(fā)生反應(yīng)并產(chǎn)生相應(yīng)的信號(hào)，因此，半導(dǎo)體納米量子點(diǎn)在生物傳感器領(lǐng)域應(yīng)用范圍越來(lái)越大。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本發(fā)明的目的在于提供一種光催化型葡萄糖微電極傳感器及其制備方法，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中問(wèn)題。
[0006]為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本發(fā)明利用半導(dǎo)體量子點(diǎn)在特定波長(zhǎng)下具有最大光吸收，電子發(fā)生躍遷產(chǎn)生光電流，將量子點(diǎn)作為光敏元件固定到酶電極上，從而制備光催化型葡萄糖微電極傳感器。
[0007]本發(fā)明第一方面提供一種光催化型葡萄糖微電極傳感器，包括基材，所述基材上設(shè)有工作電極、對(duì)電極和參比電極，所述工作電極的工作區(qū)域上設(shè)有半導(dǎo)體量子點(diǎn)修飾層和葡萄糖氧化酶修飾層，所述基材中設(shè)有微光纖，所述微光纖所傳輸?shù)墓獯怪贝┻^(guò)工作電極，所述半導(dǎo)體量子點(diǎn)為CdSeOCdS半導(dǎo)體量子點(diǎn)。
[0008]優(yōu)選的，所述工作電極、對(duì)電極和參比電極各自設(shè)有一個(gè)與其對(duì)應(yīng)的針腳，所述各針腳均位于微電極傳感器的頂端。
[0009]優(yōu)選的，所述各電極(工作電極、對(duì)電極、參比電極)互相之間絕緣，并依照工作電極、對(duì)電極、參比電極的順序自微電極傳感器的末端至頂端依次排列。
[0010]優(yōu)選的，所述微電極傳感器表面設(shè)有一層生物相容性保護(hù)層。具體指整個(gè)微電極傳感器表面(包括各電極表面)，均設(shè)有一層生物相容性保護(hù)層。
[0011]更優(yōu)選的，所述生物相容性保護(hù)層的材質(zhì)為有機(jī)硅酮。
[0012]進(jìn)一步優(yōu)選的，所述生物相容性保護(hù)層為有機(jī)硅酮，例如二甲基硅氧烷及其親水改性物。
[0013]生物相容性保護(hù)層可以調(diào)節(jié)葡萄糖的透過(guò)；可以保護(hù)修飾層不脫落；可以使得該傳感器由好的生物相容性，減小人體的免疫排斥反應(yīng)。
[0014]優(yōu)選的,所述工作電極為銦錫氧化物(ITO, Indium tin oxide)導(dǎo)電玻璃電極。
[0015]本發(fā)明中對(duì)銦錫氧化物中SnO2:1n2O3比例并無(wú)特殊要求。
[0016]優(yōu)選的，銦錫氧化物中SnO2:1n2O3比例為通常質(zhì)量比，即SnO2:1n2O3的質(zhì)量比為1:9。
[0017]優(yōu)選的，所述對(duì)電極為鉬電極。
[0018]優(yōu)選的，所述參比電極為Ag/AgCl電極。
[0019]優(yōu)選的，所述微光纖所傳輸?shù)墓獾牟ㄩL(zhǎng)范圍為350_1250nm。優(yōu)選為580nm_680nm。
[0020]優(yōu)選的,所述半導(dǎo)體量子點(diǎn)的粒徑范圍為4-10nm。
[0021]優(yōu)選的，所述工作電極的工作區(qū)域上，還設(shè)有碳納米管修飾層。
[0022]更優(yōu)選的，所述工作電極的工作區(qū)域上，各修飾層的順序?yàn)椋刃揎椧粚犹技{米
管，再修飾一層半導(dǎo)體量子點(diǎn)，再修飾一層葡萄糖氧化酶。
[0023]優(yōu)選的，所述微電極傳感器的厚度為0.05-lmm，工作電極的工作區(qū)域面積為2-10mm2，對(duì)電極的工作區(qū)域面積為2-15mm2，參比電極的工作區(qū)域面積為l-10mm2。
[0024]本發(fā)明所提供的光催化型葡萄糖微電極傳感器，其制備工藝除工作電極外，均與常規(guī)光催化型微電極傳感器相同。連接導(dǎo)線、對(duì)電極及參比電極的制備是使用超聲噴涂的方法，在電極基材上直接噴涂出相應(yīng)的對(duì)電極圖形、參比電極圖形及連接導(dǎo)線，噴涂的材料可使用納米鉬金或納米銀；也可使用噴墨微打印的方法，在電極基材上直接打印出相應(yīng)的對(duì)電極圖形、參比電極圖形及連接導(dǎo)線，打印的材料可使用納米鉬金或納米銀；還可以采用光刻技術(shù)在基材上制備好相應(yīng)的圖形及掩膜，然后通過(guò)濺射技術(shù)濺射貴金屬金，形成連接導(dǎo)線，然后分別在對(duì)電極位置濺射上鉬形成對(duì)電極，在參比電極位置濺射銀/氯化銀形成參比電極。工作電極的制備是使用光刻、電鑄和注塑技術(shù)制作MEMS (微機(jī)電系統(tǒng)，Micro-Electro-Mechanic System)模具，利用熱模壓成型技術(shù)進(jìn)行微塑鑄微光纖陣列，然后在工作電極上噴涂銦錫氧化物。
[0025]本發(fā)明第二方面提供所述光催化型葡萄糖微電極傳感器的工作電極的制備方法，采用層層自組裝的方法，包括如下步驟:
[0026]a)將作為工作電極的銦錫氧化物導(dǎo)電玻璃電極進(jìn)行預(yù)處理，使其表面帶負(fù)電荷；將所得工作電極浸入聚丙烯胺鹽酸鹽(PAH)和鄰菲羅啉鈷([Co (Phen)3]2+/3+)的混合水溶液，取出后，用去離子水沖洗干凈并用氮?dú)獯蹈桑?br> [0027]b)將所得工作電極浸入碳納米管水溶液中，取出后，用去離子水沖洗干凈并用氮?dú)獯蹈桑?br> [0028]c)將所得工作電極浸入聚丙烯胺鹽酸鹽(PAH)和鄰菲羅啉鈷([Co(Phen) 3]2+/3+)的混合水溶液，取出后，用去離子水沖洗干凈并用氮?dú)獯蹈桑?br> [0029]d)將所得工作電極浸入半導(dǎo)體量子點(diǎn)水溶液中，取出后，用去離子水沖洗干凈并用氮?dú)獯蹈桑?br> [0030]e)將所得工作電極浸入聚丙烯胺鹽酸鹽(PAH)和鄰菲羅啉鈷([Co (Phen) 3]2+/3+)的混合水溶液，取出后，用去離子水沖洗干凈并用氮?dú)獯蹈桑?br> [0031]f)最后將所得工作電極浸入制備好的葡萄糖氧化酶水溶液中，取出后，用去離子水沖洗干凈并用氮?dú)獯蹈伞?br> [0032]優(yōu)選的，所述步驟a)中，將作為工作電極的銦錫氧化物導(dǎo)電玻璃電極進(jìn)行預(yù)處理，使其表面帶負(fù)電荷的具體步驟為:制備濃硫酸/過(guò)氧化氫處理液，然后將微電極的工作電極區(qū)域放入濃硫酸/過(guò)氧化氫處理液中，70-80°C恒溫水浴處理1-2小時(shí)，從處理液中取出并用去離子水充分清洗。再將微電極的工作電極區(qū)域放入過(guò)氧化氫/氨水處理液中，60-70°C恒溫水浴處理1-2小時(shí)，最后用去離子水沖洗干凈。
[0033]更優(yōu)選的，所述濃硫酸/過(guò)氧化氫處理液，由濃硫酸水溶液和過(guò)氧化氫水溶液按配比7:3配置而成(體積比)。
[0034]進(jìn)一步優(yōu)選的，所述濃硫酸水溶液的濃度為95-98wt%。
[0035]進(jìn)一步優(yōu)選的，所述過(guò)氧化氫水溶液為市售，濃度約為30wt%。
[0036]更優(yōu)選的，所述過(guò)氧化氫/氨水處理液，由過(guò)氧化氫水溶液和氨水按配比1:1配置而成(體積比)。
[0037]進(jìn)一步優(yōu)選的，所述氨水的濃度為25-28wt%。
[0038]進(jìn)一步優(yōu)選的，所述過(guò)氧化氫水溶液為市售，濃度約為30wt%。
[0039]優(yōu)選的，所述步驟a)、C)、e)中，浸入聚丙烯胺鹽酸鹽(PAH)和鄰菲羅啉鈷([Co (Phen) 3]2+/3+)的混合水溶液的時(shí)間為5-lOmin。
[0040]優(yōu)選的，所述步驟a)、C)、e)中，聚丙烯胺鹽酸鹽(PAH)和鄰菲羅啉鈷([Co (Phen) 3]2+/3+)的混合水溶液中，聚丙烯胺鹽酸鹽(PAH)的濃度為l_2mg/mL，鄰菲羅啉鈷([Co (Phen) 3]2+/3+)的濃度為 l_2mg/mL。
[0041]所述的鄰菲羅啉鈷通過(guò)固相化學(xué)反應(yīng)法將水合氯化鈷(CoCl2.2H20)與鄰菲啰啉(C12H8N2.H2O)按一定的比例研磨制備。
[0042]優(yōu)選的，所述步驟b)中，工作電極浸入碳納米管溶液的時(shí)間為5-10min。
[0043]優(yōu)選的，所述步驟b)中，碳納米管水溶液的濃度為10_20mg/mL。
[0044]所述的碳納米管進(jìn)行酸化處理的具體方法為:將碳納米管加到過(guò)量的濃硫酸和濃硝酸的混酸中，超聲處理4_6h，離心，將所得碳納米管洗滌到中性；再離心、干燥后，在所得碳納米管中加入適當(dāng)去離子水，超聲l_2h(超聲的目的為再分散，即將碳納米管在水中分散開)。
[0045] 將碳納米管進(jìn)行酸化處理，處理后的碳納米管在表面形成帶負(fù)電荷的羧基基團(tuán)。
[0046]優(yōu)選的，所述步驟d)中，工作電極浸入半導(dǎo)體量子點(diǎn)水溶液的時(shí)間為5-10min。
[0047]優(yōu)選的，所述步驟d)中，半導(dǎo)體量子點(diǎn)水溶液為CdSeOCdS半導(dǎo)體量子點(diǎn)水溶液，濃度為 I X 10-6-5 X I (T6HiO I/L。
[0048]所述半導(dǎo)體量子點(diǎn)水溶液的制備方法為:將六水合高氯酸鎘(Cd(ClO4)2.6Η20)和
二水合檸檬酸鈉(Na3C6H5O7.2Η20)溶解于去離子水中，通氮?dú)膺M(jìn)行除氧,用氫氧化鈉將混合溶液的酸堿度調(diào)到9.0。緊接著加入硒脲(C3H8N2Se),并再通氮?dú)膺M(jìn)行除氧，最后微波加熱，反應(yīng)條件為高火，0.5-2分鐘,加熱后取出混合溶液,室溫靜置冷卻。在上述混合液中加入硫代乙酰胺(CH3CSNH2),搖晃混合均勻后,將反應(yīng)體系加熱進(jìn)行回流反應(yīng),反應(yīng)條件為60-70°C，反應(yīng)過(guò)程中一直通氮?dú)膺M(jìn)行保護(hù)，即可得到實(shí)驗(yàn)所需的量子點(diǎn)。
[0049]本領(lǐng)域技術(shù)人員可根據(jù)經(jīng)驗(yàn)，通過(guò)調(diào)整反應(yīng)時(shí)間，以得到不同粒徑的CdSeOCdS半導(dǎo)體量子。
[0050]六水合高氯酸鎘、二水合檸檬酸鈉、硒脲、硫代乙酰胺的摩爾投料比為:8:17-25:2_3:2_3。
[0051]優(yōu)選的，所述步驟f)中，工作電極浸入葡萄糖氧化酶水溶液的時(shí)間為5-10min。
[0052]優(yōu)選的，所述步驟f)中，葡萄糖氧化酶水溶液的濃度為20_100mg/mL。
[0053]優(yōu)選的，還在所得微電極表面制備一層生物相容性保護(hù)層。
[0054]所述生物相容性保護(hù)層的制備方法為:通過(guò)浸涂、噴涂或旋涂的方法將有機(jī)硅酮修飾到電極表面。
[0055]本發(fā)明第三方面提供所述光催化型葡萄糖微電極傳感器在葡萄糖檢測(cè)領(lǐng)域的應(yīng)用。
[0056]如上所述，本發(fā)明所提供的光催化型葡萄糖微電極傳感器是一種不需要氧氣、能夠在較低電位檢測(cè)血糖的光催化型葡萄糖微電極傳感器。
[0057]此葡萄糖微電極傳感器在葡萄糖氧化酶層中，有鄰菲羅啉鈷([Co(Phen)3]2+/3+)與葡萄糖氧化酶相互混合在一起，鄰菲羅啉鈷作為電子媒介體可以在氧化態(tài)([Co(Phen)3]3+)和還原態(tài)([Co(Phen)3]2+)之間相互轉(zhuǎn)變而傳導(dǎo)電子。當(dāng)葡萄糖氧化酶催化葡萄糖成為葡萄糖酸時(shí)，葡萄糖氧化酶得到電子由氧化態(tài)轉(zhuǎn)變稱為還原態(tài)，而氧化態(tài)的鄰菲羅啉鈷([Co(Phen)3]3+)可以氧化還原態(tài)的葡萄糖氧化酶得到電子而轉(zhuǎn)變?yōu)檫€原態(tài)的鄰菲羅啉鈷([Co(Phen)3]2+),這個(gè)反應(yīng)不需要氧氣的參與。同時(shí)在光照條件下，半導(dǎo)體量子點(diǎn)受光激發(fā)，其價(jià)帶電子躍遷到導(dǎo)帶進(jìn)而轉(zhuǎn)移到工作電極表面上；半導(dǎo)體量子點(diǎn)價(jià)帶因失去電子而產(chǎn)生具有氧化性的空穴，空穴又可以氧化還原態(tài)的([Co (Phen) 3]2+)，從而形成源源不斷的電子回路，產(chǎn)生穩(wěn)定的光電流。(其具體機(jī)理如圖4A和4B所示)
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0058]圖1是本發(fā)明光催化型葡萄糖微電極傳感器的俯視圖。
[0059]圖2是光催化型葡萄糖微電極傳感器的縱剖面圖。
[0060]圖3是層層自組裝方法修飾工作電極的流程圖。
[0061]圖4A和圖4B是本發(fā)明光催化型葡萄糖微電極傳感器的檢測(cè)原理圖。
[0062]圖5是CdSeOCdS量子點(diǎn)稀釋20倍后其紫外可見吸收光譜和熒光光譜。
[0063]圖6在1800-400CHT1范圍內(nèi)測(cè)定了鄰菲羅啉鈷化合物(Co (Phen) 3C12)的紅外光P曰。
[0064]元件標(biāo)號(hào)說(shuō)明
[0065]I基材
[0066]2針腳
[0067]3導(dǎo)體
[0068]4參比電極
[0069]5對(duì)電極[0070]6工作電極
[0071]7微光纖
【具體實(shí)施方式】
[0072]以下通過(guò)特定的具體實(shí)例說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說(shuō)明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)與功效。本發(fā)明還可以通過(guò)另外不同的【具體實(shí)施方式】加以實(shí)施或應(yīng)用，本說(shuō)明書中的各項(xiàng)細(xì)節(jié)也可以基于不同觀點(diǎn)與應(yīng)用，在沒(méi)有背離本發(fā)明的精神下進(jìn)行各種修飾或改變。
[0073]須知，下列實(shí)施例中未具體注明的工藝設(shè)備或裝置均采用本領(lǐng)域內(nèi)的常規(guī)設(shè)備或裝置；所有壓力值和范圍都是指絕對(duì)壓力。
[0074]此外應(yīng)理解，本發(fā)明中提到的一個(gè)或多個(gè)方法步驟并不排斥在所述組合步驟前后還可以存在其他方法步驟或在這些明確提到的步驟之間還可以插入其他方法步驟，除非另有說(shuō)明；還應(yīng)理解，本發(fā)明中提到的一個(gè)或多個(gè)設(shè)備/裝置之間的組合連接關(guān)系并不排斥在所述組合設(shè)備/裝置前后還可以存在其他設(shè)備/裝置或在這些明確提到的兩個(gè)設(shè)備/裝置之間還可以插入其他設(shè)備/裝置，除非另有說(shuō)明。而且，除非另有說(shuō)明，各方法步驟的編號(hào)僅為鑒別各方法步驟的便利工具，而非為限制各方法步驟的排列次序或限定本發(fā)明可實(shí)施的范圍，其相對(duì)關(guān)系的改變或調(diào)整，在無(wú)實(shí)質(zhì)變更技術(shù)內(nèi)容的情況下，當(dāng)亦視為本發(fā)明可實(shí)施的范疇。
[0075]如圖1和圖2所示一種光催化型葡萄糖微電極傳感器，包括基材1，所述基材I上設(shè)有工作電極6、對(duì)電極和參比電極，所述工作電極6的工作區(qū)域上由內(nèi)而外依次修飾有碳納米管層、CdSeOCdS半導(dǎo)體量子點(diǎn)層、葡萄糖氧化酶層、生物相容性保護(hù)層，所述基材I中設(shè)有微光纖7，所述微光纖7所傳輸?shù)墓獯怪贝┻^(guò)工作電極6。所述工作電極6、對(duì)電極5和參比電極4各自設(shè)有一個(gè)與其對(duì)應(yīng)的針腳2，所述各針腳2均位于微電極傳感器的頂端，且與各自對(duì)應(yīng)的電極通過(guò)導(dǎo)體3連接。工作電極6、對(duì)電極5、參比電極4互相之間絕緣，并依照工作電極6、對(duì)電極5、參比電極4的順序自微電極傳感器的末端至頂端依次排列。
[0076]實(shí)施例1
[0077]制備CdSeOCdS半導(dǎo)體量子點(diǎn)
[0078]稱取0.0336g六水合高氯酸鎘(Cd(ClO4)2.6H20)和0.05g 二水合檸檬酸鈉(Na3C6H5O7.H2O) 一起溶解到45ml去離子水中，通氮?dú)膺M(jìn)行除氧lOmin，用2摩爾氫氧化鈉(NaOH)將混合溶液的pH值調(diào)到9.0。緊接著加入0.003g硒脲(C3H8N2Se),并再通氮?dú)膺M(jìn)行除氧lmin，最后放入微波爐中微波中加熱lmin，使混合溶液的顏色從無(wú)色變成紅色，取出混合溶液，室溫靜置冷卻。
[0079]最后，在上述混合液中加入0.0015g硫代乙酰胺(CH3CSNH2),搖晃混合均勻，將該混合液注入到洗凈的三頸瓶中，反應(yīng)體系通過(guò)油浴加熱進(jìn)行回流反應(yīng)，油浴溫度為70°C，反應(yīng)時(shí)間為24h，反應(yīng)中一直通氮?dú)膺M(jìn)行保護(hù)。即可得到實(shí)驗(yàn)所需的CdSeOCdS量子點(diǎn)。
[0080]圖5為CdSeOCdS量子點(diǎn)稀釋20倍后，其紫外可見吸收光譜和熒光光譜，其紫外吸收光譜的第一吸收峰位置為560nm，熒光光譜發(fā)射峰位置為586nm。經(jīng)計(jì)算，CdSe量子點(diǎn)粒徑為3.3nm, CdSeiCdS量子點(diǎn)溶液的濃度為1.59X l(T6molL'
[0081]實(shí)施例2[0082]固相化學(xué)反應(yīng)法制備鄰菲羅啉鈷([Co (Phen) 3]2+/3+)
[0083]按摩爾比1:3的比例，稱取水合氯化鈷(CoCl2 ? 2H20)與鄰菲羅啉(Phen，C12H8N2 ? H2O)放到研磨中，在室溫下進(jìn)行混合、研磨，混合物的顏色首先變?yōu)榈奂t色，繼續(xù)研磨，混合物的顏色逐漸變?yōu)榫G色，研磨直至混合物的顏色從綠色逐漸變成橘黃色。
[0084]CoCl2 ? 6H20與鄰菲羅啉的固相反應(yīng)是經(jīng)過(guò)一個(gè)綠色中間體分兩步進(jìn)行的反應(yīng)過(guò)
程用方程式表示為:
[0085]
【權(quán)利要求】
1.一種光催化型葡萄糖微電極傳感器，包括基材，所述基材上設(shè)有工作電極、對(duì)電極和參比電極，所述工作電極的工作區(qū)域上設(shè)有半導(dǎo)體量子點(diǎn)修飾層和葡萄糖氧化酶修飾層，所述基材中設(shè)有微光纖，所述微光纖所傳輸?shù)墓獯怪贝┻^(guò)所述工作電極，所述半導(dǎo)體量子點(diǎn)為CdSeOCdS半導(dǎo)體量子點(diǎn)。
2.如權(quán)利要求1所述的一種光催化型葡萄糖微電極傳感器，其特征在于，所述微電極傳感器表面還設(shè)有一層生物相容性保護(hù)層。
3.如權(quán)利要求1所述的一種光催化型葡萄糖微電極傳感器，其特征在于，所述工作電極為銦錫氧化物導(dǎo)電玻璃電極。
4.如權(quán)利要求1所述的一種光催化型葡萄糖微電極傳感器，其特征在于，所述對(duì)電極為鉬電極。
5.如權(quán)利要求1所述的一種光催化型葡萄糖微電極傳感器，其特征在于，所述參比電極為Ag/AgCl電極。
6.如權(quán)利要求1-5任一權(quán)利要求所述的光催化型葡萄糖微電極傳感器的工作電極的制備方法，采用層層自組裝的方法，包括如下步驟: a)將作為工作電極的銦錫氧化物導(dǎo)電玻璃電極進(jìn)行預(yù)處理，使其表面帶負(fù)電荷；將所得工作電極浸入聚丙烯胺鹽酸鹽和鄰菲羅啉鈷的混合水溶液，取出后，用去離子水沖洗干凈并用氮?dú)獯蹈桑? b)將所得工作電極浸入碳納米管水溶液中，取出后，用去離子水沖洗干凈并用氮?dú)獯蹈?` c)將所得工作電極浸入聚丙烯胺鹽酸鹽和鄰菲羅啉鈷的混合水溶液，取出后，用去離子水沖洗干凈并用氮?dú)獯蹈桑? d)將所得工作電極浸入半導(dǎo)體量子點(diǎn)水溶液中，取出后，用去離子水沖洗干凈并用氮?dú)獯蹈桑? e)將所得工作電極浸入聚丙烯胺鹽酸鹽和鄰菲羅啉鈷的混合水溶液，取出后，用去離子水沖洗干凈并用氮?dú)獯蹈桑? f)最后將所得工作電極浸入制備好的葡萄糖氧化酶水溶液中，取出后，用去離子水沖洗干凈并用氮?dú)獯蹈伞?br> 7.如權(quán)利要求6所述的光催化型葡萄糖微電極傳感器的工作電極的制備方法，其特征在于，所述步驟a)中，將作為工作電極的銦錫氧化物導(dǎo)電玻璃電極進(jìn)行預(yù)處理，使其表面帶負(fù)電荷的具體步驟為:制備濃硫酸/過(guò)氧化氫處理液，然后將微電極的工作電極區(qū)域放入濃硫酸/過(guò)氧化氫處理液中，70-80°C恒溫水浴處理1-2小時(shí)，從處理液中取出并用去離子水充分清洗；再將微電極的工作電極區(qū)域放入過(guò)氧化氫/氨水處理液中，60-70°C恒溫水浴處理1-2小時(shí)，最后用去離子水沖洗干凈。
8.如權(quán)利要求6所述的光催化型葡萄糖微電極傳感器的工作電極的制備方法，其特征在于，所述步驟a)、c)、e)中，聚丙烯胺鹽酸鹽和鄰菲羅啉鈷的混合水溶液中，聚丙烯胺鹽酸鹽的濃度為l_2mg/mL，鄰菲羅啉鈷的濃度為l_2mg/mL。
9.如權(quán)利要求6所述的光催化型葡萄糖微電極傳感器的工作電極的制備方法，其特征在于，所述步驟b)中，碳納米管水溶液的濃度為10-20mg/mL。
10.如權(quán)利要求6所述的光催化型葡萄糖微電極傳感器的工作電極的制備方法，其特征在于，所述步驟d)中，半導(dǎo)體量子點(diǎn)水溶液的濃度為lX10_6-5X10_6mol/L。
11.如權(quán)利要求6所述的光催化型葡萄糖微電極傳感器的工作電極的制備方法，其特征在于，所述步驟f)中，葡萄糖氧化酶水溶液的濃度為10-20mg/mL。
12.如權(quán)利要求6所述的光催化型葡萄糖微電極傳感器的工作電極的制備方法，其特征在于，在所述步驟f)后，還在所得工作電極表面制備一層生物相容性保護(hù)層。
13.如權(quán)利要求1-5任一權(quán)利要求所述的光催化型葡萄糖微電極傳感器在葡萄糖檢測(cè)領(lǐng)域 的應(yīng)用。
【文檔編號(hào)】G01N27/26GK103454325SQ201310398529
【公開日】2013年12月18日 申請(qǐng)日期:2013年9月4日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月4日
【發(fā)明者】不公告發(fā)明人 申請(qǐng)人:上海移宇科技有限公司