專利名稱：光刻膠折射率的測定方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光刻膠折射率的測定方法。
背景技術(shù)：
光刻膠是一類具有光敏化學(xué)作用(或?qū)﹄娮幽芰棵舾?的高分子聚合物材料，由于具備比較小的表面張力的特性，使得光刻膠具有良好的流動性和均勻性。光刻膠又稱光致抗蝕劑，是由感光樹脂、增感劑和溶劑三種主要成分組成的對光敏感的混合液體。感光樹脂經(jīng)光照后，在曝光區(qū)域能很快地發(fā)生光固化反應(yīng)，使得這種材料的物理性能，特別是溶解性、親合性等發(fā)生明顯變化，是轉(zhuǎn)移紫外曝光或電子束曝光圖案的媒介，因此在集成電路，封裝，微機(jī)電系統(tǒng)，光電子器件光子器件，平板顯示器，太陽能光伏等領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。如何精確獲得光刻膠的折射率，對于器件的設(shè)計(jì)，結(jié)構(gòu)優(yōu)化等有著十分重要的參考意義。最常見的測量光刻膠折射率的儀器是使用阿貝折射儀。但是阿貝折射儀的測量折射率的波段較短，例如DR-M2多波長阿貝折射儀，測量波段為450nm-1100nm。因?yàn)樵摪⒇愓凵鋬x的測量波段有限，所以不能測量太赫茲頻段內(nèi)光刻膠折射率的問題。另外，阿貝折射儀對太赫茲電磁波比較敏感，在測量過程中容易發(fā)生光敏反映而產(chǎn)生誤差。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為了解決上述問題而進(jìn)行的，目的在于提供一種能夠準(zhǔn)確測量光刻膠在太赫茲頻段內(nèi)的折射率的光刻膠折射率的測定方法。本發(fā)明為了實(shí)現(xiàn) 上述目的，采用了以下步驟:本發(fā)明提供一種光刻膠折射率的測定方法，其特征在于，包括以下步驟:(I).將光刻膠液體滴在水面上，凝固后得到光刻膠薄膜，測量光刻膠薄膜的厚度；(2).將光刻膠薄膜置于回形支架的中空部并加熱得到樣品支架；(3).使用太赫茲時域光譜系統(tǒng)僅測定太赫茲電磁波通過空白的回形支架后的脈沖電場的時間波形，通過傅立葉轉(zhuǎn)換后得到相位并作為參照相位；(4).使用太赫茲時域光譜系統(tǒng)測定太赫茲電磁波通過樣品支架后的脈沖電場的時間波形，通過傅立葉轉(zhuǎn)換后得到相位并作為樣品相位；(5).根據(jù)參照相位和樣品相位得到相位差；(6).根據(jù)預(yù)設(shè)計(jì)算公式得到光刻膠在太赫茲頻段內(nèi)的折射率；其中，計(jì)算公式為:
CCri, = nr + ~；&φ = n,- + -—ΔΦ
"ωα2nfa '
在計(jì)算公式中，ns為光刻膠在太赫茲頻段內(nèi)的折射率，nr為空白的回形支架中參照物的折射率，參照物為空氣，K的值設(shè)為l，c為太赫茲電磁波在真空中的傳播速度，具體值為3X IO8 m/s。f為太赫茲電磁波的頻率，具體值為0.1 10 THz, d為光刻膠薄膜的厚度，△ Φ為參照相位和樣品相位在太赫茲頻段內(nèi)的相位差。另外，在本發(fā)明光刻膠折射率的測定方法中，還可以有這樣的特征:在步驟(I)中，水為去離子水，光刻膠薄膜的厚度為92 μ m和146 μ m，光刻膠的類型為AZ 1500，使用精度為0.001 mm的電子千分尺來測量光刻膠薄膜的厚度。另外，在本發(fā)明光刻膠折射率的測定方法中，還可以有這樣的特征:在步驟(2)中，回形支架為鋁制品。另外，在本發(fā)明光刻膠折射率的測定方法中，還可以有這樣的特征:在步驟(3)和步驟(4)中，太赫茲時域光譜系統(tǒng)的飛秒脈沖的波長為800 nm，脈寬為100 fs，重復(fù)頻率為80 MHz。進(jìn)一步，在本發(fā)明光刻膠折射率的測定方法中，還可以有這樣的特征:在步驟(5)中，相位差為參照相位和樣品相位的差的絕對值。進(jìn)一步，在本發(fā)明光刻膠折射率的測定方法中，還可以有這樣的特征:在步驟(6)中，太赫茲電磁波的頻率的具體值為0.2 2THz。發(fā)明的作用與效果根據(jù)本發(fā)明光刻膠折射率的測定方法，本發(fā)明測定的是光刻膠在太赫茲電磁波的折射率，因?yàn)楣饪棠z對太赫茲電磁波不敏感，所以不會發(fā)生光敏反應(yīng)，可以實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確測量曝光前后光刻膠在太赫茲頻段內(nèi)的 折射率。本發(fā)明實(shí)施方便快捷，測試結(jié)果精確，拓展了光刻膠折射率的測量范圍。


圖1為本發(fā)明實(shí)施例的光刻膠薄膜的制備示意圖。圖2為本發(fā)明實(shí)施例的樣品支架的結(jié)構(gòu)示意圖。圖3為本發(fā)明實(shí)施例的太赫茲時域光譜系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖。圖4為本發(fā)明實(shí)施例的光刻膠在0.2 2THz頻率范圍內(nèi)的折射率圖。
具體實(shí)施例方式以下結(jié)合附圖對本發(fā)明涉及的光刻膠折射率的測定方法進(jìn)行詳細(xì)地說明。本實(shí)施例在以本發(fā)明技術(shù)方案為前提下進(jìn)行實(shí)施，所給出的詳細(xì)實(shí)施方式和過程，是對本發(fā)明的進(jìn)一步說明，而不是限制本發(fā)明的范圍。實(shí)施例一在實(shí)施例一中，本發(fā)明光刻膠折射率的測定方法包括以下步驟:圖1為本發(fā)明實(shí)施例一的光刻膠薄膜的制備示意圖。(I).如圖1所示，使用膠頭滴管3將光刻膠液體滴在去離子水I的水面上，光刻膠液體會在水面上擴(kuò)散呈膜狀，凝固后得到光刻膠薄膜2，測量光刻膠薄膜的厚度d。圖2為本發(fā)明實(shí)施例一的樣品支架的結(jié)構(gòu)示意圖。(2).如圖2所示，將光刻膠薄膜固定在回形支架4的中空部，于烤箱中烘烤加熱，得到樣品支架。(3).使用太赫茲時域光譜系統(tǒng)僅測定太赫茲電磁波通過空白的回形支架4后的脈沖電場的時間波形，通過傅立葉轉(zhuǎn)換后得到相位并作為參照相位；圖3為本發(fā)明實(shí)施例一的太赫茲時域光譜系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖。(4).如圖3所示，使用太赫茲時域光譜系統(tǒng)測定太赫茲電磁波通過樣品支架5后的脈沖電場的時間波形，通過傅立葉轉(zhuǎn)換后得到相位并作為樣品相位；(5).根據(jù)參照相位和樣品相位得到相位差；(6).根據(jù)計(jì)算公式得到光刻膠在太赫茲頻段內(nèi)的折射率；其中，計(jì)算公式為:
權(quán)利要求
1.一種光刻膠折射率的測定方法，其特征在于，包括以下步驟: (1).將光刻膠液體滴在水面上，凝固后得到光刻膠薄膜，測量所述光刻膠薄膜的厚度； (2).將所述光刻膠薄膜置于回形支架的中空部并加熱得到樣品支架； (3).使用太赫茲時域光譜系統(tǒng)僅測定太赫茲電磁波通過空白的所述回形支架后的脈沖電場的時間波形，通過傅立葉轉(zhuǎn)換后得到相位并作為參照相位； (4).使用太赫茲時域光譜系統(tǒng)測定所述太赫茲電磁波通過所述樣品支架后的脈沖電場的時間波形，通過傅立葉轉(zhuǎn)換后得到相位并作為樣品相位； (5).根據(jù)所述參照相位和所述樣品相位得到相位差； (6).根據(jù)預(yù)設(shè)計(jì)算公式得到所述光刻膠 在太赫茲頻段內(nèi)的折射率； 其中，所述計(jì)算公式為:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻膠折射率的測定方法，其特征在于:其中，所述步驟(I)中，所述水為去離子水。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻膠折射率的測定方法，其特征在于:其中，所述步驟(I)中，所述光刻膠薄膜的厚度為92 μ m和146 μ m。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻膠折射率的測定方法，其特征在于:其中，所述步驟(I)中，所述光刻膠的類型為AZ 1500。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻膠折射率的測定方法，其特征在于:其中，所述步驟(I)中，使用精度為0.001 mm的電子千分尺來測量所述光刻膠薄膜的厚度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻膠折射率的測定方法，其特征在于:其中，所述步驟(2)中，所述回形支架為鋁制品。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻膠折射率的測定方法，其特征在于:其中，所述步驟(3)和所述步驟(4)中，所述太赫茲時域光譜系統(tǒng)的飛秒脈沖的波長為800 nm，脈寬為100 fs，重復(fù)頻率為80 MHz。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻膠折射率的測定方法，其特征在于:其中，所述步驟(5)中，所述相位差為所述參照相位和所述樣品相位的差的絕對值。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻膠折射率的測定方法，其特征在于:其中，所述步驟(6)中，所述太赫茲電磁波的頻率的具體值為0.2 2THz。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種光刻膠折射率的測定方法，包括以下步驟使光刻膠液體在水面上凝固得到光刻膠薄膜；將光刻膠薄膜置于回形支架中并加熱得到樣品支架；使用太赫茲時域光譜系統(tǒng)僅測定太赫茲電磁波通過空白回形支架后脈沖電場的時間波形，傅立葉轉(zhuǎn)換后得到參照相位；使用太赫茲時域光譜系統(tǒng)測定太赫茲電磁波通過樣品支架后脈沖電場的時間波形，通過傅立葉轉(zhuǎn)換后得到樣品相位；根據(jù)參照相位和樣品相位得到相位差；根據(jù)計(jì)算公式得到光刻膠在太赫茲頻段內(nèi)的折射率。因?yàn)楣饪棠z對太赫茲電磁波不敏感，所以不會發(fā)生光敏反應(yīng)，可以實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確測量曝光前后光刻膠在太赫茲頻段內(nèi)的折射率。本發(fā)明方便快捷，測試結(jié)果精確，拓展了光刻膠折射率的測量范圍。
文檔編號G01N21/41GK103196868SQ201310122640
公開日2013年7月10日 申請日期2013年4月10日 優(yōu)先權(quán)日2013年4月10日
發(fā)明者王銀萍, 張大偉, 李媛, 洪瑞金, 盛斌, 黃元申, 倪爭技, 王 琦 申請人:上海理工大學(xué)