專利名稱:新型反射式互易性光學電壓互感器及其光路設(shè)計方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明屬于光學電壓互感器技術(shù)領(lǐng)域,涉及新型基于Pockels效應的反射式互易性光學電壓互感器及反射式互易性光路設(shè)計方法。
背景技術(shù):
隨著電力系統(tǒng)向著高電壓、大電容、數(shù)字化等方向發(fā)展,對電力測量系統(tǒng)提出了更高的性能要求。作為電壓測量設(shè)備,傳統(tǒng)的電壓互感器因其固有的缺陷越來越不適應電力系統(tǒng)的發(fā)展,從而推動了光學電壓互感器的出現(xiàn)和發(fā)展。光學電壓互感器是以光信號的變化傳感待測電壓信息的電壓測量設(shè)備。光學電壓互感器以其體積小、絕緣性好、安全可靠、便于數(shù)字化集成等一系列優(yōu)點獲得了廣泛的研究和飛速發(fā)展。目前,國內(nèi)外各研究單位提出的光路結(jié)構(gòu)均不可避免的存在著光路誤差,暫時無公認的最佳光路設(shè)計方案出現(xiàn)。光學互感器產(chǎn)品在全溫環(huán)境下至今難以實現(xiàn)較好的穩(wěn)定性,測量精度難以滿足IEC0.2級要求。光學電壓互感器作為高電壓一次測量設(shè)備,工作環(huán)境難免惡劣,因而需要較強的抗干擾能力和環(huán)境適應能力。可靠、穩(wěn)定是對電力測量系統(tǒng)的基本要求,作為高電壓測量重要設(shè)備的光學電壓互感器理應具備較高的運行穩(wěn)定性。所以,對于提高光學電壓互感器測量精度、運行穩(wěn)定性、抗干擾能力及環(huán)境適應能力的研究是實現(xiàn)光學電壓互感器實用化進程的重要環(huán)節(jié)?;赑ockels效應的光學電壓互感器設(shè)計是目前光學電壓互感器設(shè)計的主流方案。專利號為ZL200810238946.6的一篇名為《光學電壓互感器》的專利中,介紹了一種較好的光路結(jié)構(gòu),如圖1所示。所述的光學電壓互感器光路結(jié)構(gòu)包括光源、耦合器、起偏器、相位調(diào)制器、準直透鏡、法拉第旋轉(zhuǎn)鏡和電光晶體,還包括回路上連接在耦合器和相位調(diào)制器之間的光電探測器和信號處理模塊,其中相位調(diào)制器與準直透鏡之間通過保偏延遲光纜連接,信號處理模塊用于光路信號處理、反饋及輸出。對于上述光學電壓互感器來說,整個光路屬于準互易結(jié)構(gòu)。作為信號傳感單元的傳感頭為光路中非互易部分,因而電光晶體制作過程產(chǎn)生的晶體自身缺陷以及溫度、應力變化等因素引入的附加雙折射誤差是導致互感器測量精度、穩(wěn)定性及環(huán)境適應能力差的重要因素。加之,上述附加雙折射誤差極難做到精確測量和準確量化,從而對其造成的影響很難通過理論分析獲得明確的數(shù)值表達式進行軟件補償。因此,優(yōu)化光學電壓互感器光路設(shè)計方案,實現(xiàn)光學電壓互感器測量精度、穩(wěn)定性、環(huán)境適應能力及抗干擾能力的提高,以推動光學電壓互感器的實用化進程,具有重大的研究價值和深遠的研究意義。
發(fā)明內(nèi)容
為消除準互易光路方案中因電光晶體本身缺陷以及溫度、應力變化等因素引入的附加雙折射誤差,提高光學電壓互感器的測量精度、穩(wěn)定性、環(huán)境適應能力及抗干擾能力,本發(fā)明提出了一種新型的基于Pockels效應的光學電壓互感器反射式互易性光路設(shè)計方法。所述方法如下:由偏振光產(chǎn)生模塊輸出的兩正交線偏振光經(jīng)過保偏延遲光纜傳送到旋光模塊,旋光模塊對所述兩正交線偏振光偏振面進行旋轉(zhuǎn)并將其傳送到傳感模塊,在傳感模塊中獲得待測電壓引入的線性電光延遲相位后的偏振光被反射,再依次通過傳感模塊、旋光模塊及偏振光產(chǎn)生模塊,最終發(fā)生干涉,得到待測電壓信息。所述偏振光產(chǎn)生模塊的作用是產(chǎn)生兩等能量的正交線偏振光Ex和Ey。所述旋光模塊的作用是通過對偏振光偏振面的旋轉(zhuǎn),使得兩正交線偏振光正反兩次通過保偏延遲光纜時偏振模式互換,即假設(shè)偏振光正向通過保偏延遲光纜時Ex沿快軸方向振動,Ey沿慢軸方向振動,反向通過時變?yōu)镋x沿慢軸方向振動,Ey沿快軸方向振動。從而令偏振光在保偏延遲光纜中傳播時對環(huán)境中的干擾具有免疫力。所述傳感模塊由相同的電光晶體A和電光晶體B以及半波片組成,半波片位于電光晶體A和電光晶體B中間且與兩電光晶體垂直于偏振光傳播方向平面內(nèi)的感生折射率主軸成45°對軸,其作用是令通過其中的兩正交線偏振光模式互換,即電光晶體A中沿X (Y)軸振動的光在電光晶體B中沿Y (X)軸振動,從而實現(xiàn)傳感模塊中光路互易性,消除電光晶體中附加雙折射誤差,提高系統(tǒng)測量精度及環(huán)境適應能力。所述電光晶體B上下端加待測電壓且末端加反射鏡,而電光晶體A不加電,因而電光晶體B可在線偏振光中產(chǎn)生攜帶待測電壓信息的線性電光延遲相位并令其加倍,提高系統(tǒng)測量精度。綜上所述,本發(fā)明提出的基于Pockels效應的光學電壓互感器反射式互易性光路設(shè)計方法,可實現(xiàn)整個光路的互易性,提高光學電壓互感器測量精度、抗干擾能力及環(huán)境適應能力?;谏鲜龅墓饴吩O(shè)計方法,本發(fā)明還提供了一種基于Pockels效應的反射式互易性光學電壓互感器的具體光路結(jié)構(gòu),所述光學電壓互感器的光路結(jié)構(gòu)包括偏振光產(chǎn)生模塊、保偏延遲光纜、旋光模塊和傳感模塊,所述偏振光產(chǎn)生模塊包括順次連接的光源、環(huán)形器、起偏器、相位調(diào)制器以及另一支路上連接在環(huán)形器與相位調(diào)制器之間的光電探測器和數(shù)字信號處理系統(tǒng),起偏器尾纖與相位調(diào)制器入纖以45°對軸熔接;偏振光產(chǎn)生模塊末端的相位調(diào)制器與旋光模塊間由保偏延遲光纜連接;旋光模塊為由法拉第旋光器和保偏準直器封裝而成的法拉第準直旋光器,法拉第旋光器靠近傳感模塊輸入側(cè);傳感模塊包括相同的電光晶體A和電光晶體B以及半波片,兩電光晶體感生折射率主軸的方向一致,半波片位于兩電光晶體中間,其快慢軸與兩電光晶體垂直于偏振光傳播方向平面內(nèi)感生折射率主軸成45°對軸,且法拉第準直旋光器保偏尾纖快慢軸與電光晶體A垂直于偏振光傳播方向平面內(nèi)的感生折射率主軸成45°對軸,電光晶體B末端為反射鏡,上下端加電壓U。本發(fā)明的優(yōu)點在于:1、本發(fā)明提出的基于Pockels效應的反射式互易性光路設(shè)計方法及其互易性光路結(jié)構(gòu),通過由偏振光產(chǎn)生模塊輸出到旋光模塊輸入之間光路部分的互易性,增強對保偏延遲光纜周圍環(huán)境干擾的免疫力,通過半波片對兩正交線偏振光的模式互換的作用,實現(xiàn)傳感模塊的光路互易性,消除因電光晶體自身缺陷及溫度、應力變化等因素引入的附加雙折射誤差。2、整個光學電壓互感器光路結(jié)構(gòu)的完全互易性提高了光學電壓互感器的抗環(huán)境干擾能力以及對環(huán)境的適應能力,進而提高了光學電壓互感器系統(tǒng)的測量精度及穩(wěn)定性。
3、本發(fā)明提出的基于Pockels效應的反射式互易性光學電壓互感器光路設(shè)計方法中的反射式結(jié)構(gòu),配合電光晶體A不加電而電光晶體B加待測電壓的設(shè)計,實現(xiàn)線偏振光兩次經(jīng)過電光晶體,使得由待測電壓引入的線性電光延遲相位加倍,提高了系統(tǒng)的測量精度。
圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的光學電壓互感器光路結(jié)構(gòu)示意圖;圖2為在整個反射式互易性光學電壓互感器光路系統(tǒng)中系統(tǒng)坐標變換及偏振光振動方向變化過程示意圖;圖3為反射鏡對電光晶體B坐標軸的變換作用;圖4為反射鏡對兩正交線偏振光振動方向的變換作用不意圖;圖5為本發(fā)明提供的基于Pockels效應的反射式互易性光學電壓互感器的光路結(jié)構(gòu)示意圖;圖6為電光晶體A和電光晶體B的切割、通光、通電方向示意圖;圖7為電光晶體A和電光晶體B的加工結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明進行詳細說明。本發(fā)明提出一種基于Pockels效應的反射式互易性光學電壓互感器及其設(shè)計方法,通過所述設(shè)計方法得到的光學電壓互感器光路,不僅能夠消除電光晶體因自身缺陷及環(huán)境溫度、應力變化等因素引入的附加雙折射誤差,而且使整個光學電壓互感器光路對周圍環(huán)境干擾具有免疫能力,同時由待測電壓引入的線性電光延遲相位加倍,從而提高系統(tǒng)測量精度、穩(wěn)定性、抗干擾能力及環(huán)境適應能力。所述光路設(shè)計方法為:如圖5,偏振光產(chǎn)生模塊I產(chǎn)生兩等能量的正交線偏振光Ex和Ey,正向傳播過程中,兩正交線偏振光經(jīng)過保偏延遲光纜2進入到旋光模塊3,其中,Ex沿保偏延遲光纜2快軸振動,Ey沿慢軸振動。兩正交線偏振光經(jīng)過旋光模塊3進入傳感模塊4,傳感模塊4由相同的電光晶體A401和電光晶體B402以及半波片403組成,半波片403位于兩電光晶體中間且與兩電光晶體垂直于偏振光傳播方向平面內(nèi)的感生折射率主軸成45°對軸,達到使兩正交線偏振光模式互換的作用,即電光晶體A401中沿X (Y)軸振動的線偏振光在電光晶體B402中沿Y (X)軸方向振動,從而實現(xiàn)傳感模塊4中光路互易性,消除電光晶體B402中附加雙折射誤差,提高光學電壓互感器系統(tǒng)測量精度及環(huán)境適應能力。電光晶體B402處于待測電壓產(chǎn)生的均勻電場中,因而可令線偏振光產(chǎn)生攜帶待測電壓信息的線性電光延遲相位,且因反射式結(jié)構(gòu)及電光晶體A401不受電場影響的設(shè)計,最終獲得的線性電光延遲相位加倍,提高系統(tǒng)測量精度。兩正交線偏振光在傳感模塊4末端被反射后再次通過傳感模塊4進入旋光模塊3,旋光模塊3通過前后兩次對兩正交線偏振光的作用,使偏振光反向傳播于保偏延遲光纜2中時,Ex沿慢軸方向振動,Ey沿快軸方向振動,從而形成兩正交線偏振光在保偏延遲光纜2中的模式互換,提高抗環(huán)境干擾能力。兩正交線偏振光返回偏振光產(chǎn)生模塊1,然后發(fā)生干涉并接受一定的處理得到待測電壓信息?;谏鲜龅墓饴吩O(shè)計方法,本發(fā)明提供一種基于Pockels效應的反射式互易性光學電壓互感器,其光路結(jié)構(gòu)如圖5所示,包括順次連接的偏振光產(chǎn)生模塊1、保偏延遲光纜
2、旋光模塊3以及傳感模塊4。其中,偏振光產(chǎn)生模塊I由順次連接的光源101 (超發(fā)光二極管SLD,提供的光信號波長為1310nm)、環(huán)形器102 (單模光學環(huán)形器)、起偏器103 (光纖起偏器,其作用為將輸入非偏振光轉(zhuǎn)換為所需線偏振光)、相位調(diào)制器104 (集成光學相位調(diào)制器,以鈮酸鋰線性電光效應為原理制成,完成對輸入光的相位調(diào)制)以及連接環(huán)形器102與相位調(diào)制器104的另一支路上的光電探測器105 (PIN-FET探測器)和數(shù)字信號處理系統(tǒng)106。偏振光產(chǎn)生模塊I與旋光模塊3之間通過保偏延遲光纜2連接,旋光模塊3為法拉第旋光器與保偏準直器封裝而成的法拉第準直旋光器,且法拉第旋光器靠傳感模塊4輸入偵1K傳感模塊4由兩個相同的電光晶體A401和電光晶體B402以及位于兩者之間的半波片403組成,所述的電光晶體B402末端為高反射率的反射鏡404,電光晶體B402上下端加待測電壓U。所述的環(huán)形器102為三端口單模光纖環(huán)形器,其作用是令SLD發(fā)出的光信號低損耗率禹合進入光路系統(tǒng),其中,第一端口作為偏振光正向傳播過程中輸入端與光源101相連,第二端口作為偏振光正向傳播過程中輸出端以及反向傳播過程中輸入端與起偏器103相連,第三端口作為偏振光反向傳播過程中輸出端連接光電探測器105。所述的光電探測器105的作用是將攜帶待測電壓信息的干涉光強信號轉(zhuǎn)換為電信號,該電信號被數(shù)字信號處理系統(tǒng)106接收,并在其中被解調(diào)、輸出同時形成反饋信號傳遞給相位調(diào)制器104。起偏器103尾纖與相位調(diào)制器104入纖以45°對軸熔接,作用是令通過45°對軸熔接點的線偏振光分解為等能量的兩正交線偏振光進入相位調(diào)制器104,且振動方向分別沿相位調(diào)制器104快軸和慢軸。所述的相位調(diào)制器104對光信號進行相位調(diào)制的驅(qū)動電壓來自于數(shù)字信號處理系統(tǒng)106,相位調(diào)制器104對正反兩次通過的光信號產(chǎn)生的調(diào)制相位不同,且調(diào)制相位作用于不同的線偏振光上,因而最終相位調(diào)制器104對光信號的調(diào)制
結(jié)果為前后兩次產(chǎn)生的調(diào)制相位差值,該差值包含兩個相位量,一是固有延遲相:tf,作用是使最終被光電探測器105探測到的光強信號為正弦函數(shù),二是與線性電光延遲相位大小相等、符號相反的相位量,作用是使最終光強信號中正弦函數(shù)的相位值保持在零點附近,二者共同作用提高了光學電壓互感器輸出信號的線性。保偏延遲光纜2有200m以上,作為光信號傳播媒介的同時起到時間延遲作用,連接在相位調(diào)制器104和旋光模塊3之間。所述旋光模塊3中的法拉第旋光器由磁光晶體釔鐵石榴石(YIG)和永磁體磁環(huán)組成,作用是對進入其中的偏振光沿一定的方向進行偏振面的旋轉(zhuǎn)。令永磁體磁環(huán)的磁通量值稍高于HG晶體的飽和磁通量值,同時設(shè)計HG晶體長度,使其在飽和磁通量下產(chǎn)生的偏振面旋轉(zhuǎn)角度為45°,且磁通量的微小波動不會對偏振面的旋轉(zhuǎn)角度造成影響,提高法拉第旋光器抗電磁干擾能力。旋光模塊3中法拉第準直旋光器的保偏尾纖快慢軸與電光晶體A401、電光晶體B402的感生折射率主軸成45°對軸,即與圖5中X、Y軸方向夾角為45°,目的是使由法拉第準直旋光器出射的偏振面已旋轉(zhuǎn)45°的兩正交線偏振光進入電光晶體A401后振動方向分別沿電光晶體A401的感生折射率主軸X軸和Y軸方向。電光晶體A401和電光晶體B402的感生折射率主軸方向一致,半波片403的快慢軸與電光晶體A401和電光晶體B402的感生折射率主軸X、Y軸成45°對軸,作用是將通過半波片403的兩正交線偏振光偏振模式互換,從而使同一線偏振光在電光晶體A401和電光晶體B402中振動方向正交。
所述的電光晶體A401和電光晶體B402光入射與光出射端面均涂覆增透膜,該增透膜的作用是令波長范圍在1310nm附近的光低損耗通過。如圖7所示,電光晶體B402末端加高反射率反射鏡404,反射率為99.5%以上。電光晶體A401和電光晶體B402上、下側(cè)均設(shè)有相同的金屬電極,但在實際電壓測量過程中,電光晶體A401作為補償晶體,用于消除電光晶體B402中因自身缺陷以及環(huán)境溫度、應力變化等因素引入的附加雙折射誤差,因此不加電,且電光晶體A401應盡量不受電場影響,電光晶體B402作為傳感晶體,用于敏感待測電壓信號,上下電極加待測電壓U,因而,電光晶體B402工作于均勻電場環(huán)境中,兩電光晶體所處其他工作環(huán)境相同。下面以瓊斯矩陣建模為工具并結(jié)合附圖證明本發(fā)明提供的基于Pockels效應的反射式互易性光學電壓互感器光路結(jié)構(gòu)的互易性及其對電光晶體中附加雙折射誤差的消除作用,具體如下:I)光源發(fā)出的光經(jīng)過環(huán)形器102,進入起偏器103,假設(shè)起偏器103的透光方向與Y軸平行,得到的線偏振光的振動方向如圖2 (A)中粗體箭頭所示。光的傳播方向垂直紙面向外。起偏器103的瓊斯矩陣表不為:
權(quán)利要求
1.一種反射式互易性光學電壓互感器的光路設(shè)計方法,所述光路設(shè)計方法利用光路的互易性結(jié)構(gòu)消除電光晶體中附加雙折射誤差以及周圍環(huán)境中的干擾,且在互易性的基礎(chǔ)上通過反射結(jié)構(gòu)使待測電壓引入的線性電光延遲相位加倍,從而提高系統(tǒng)精度、穩(wěn)定性、環(huán)境適應能力及抗干擾能力;所述設(shè)計方法如下: 由偏振光產(chǎn)生模塊產(chǎn)生兩等能量正交線偏振光Ey和Ey ;保偏延遲光纜將所述兩正交線偏振光傳送到旋光模塊,此時假設(shè)Ey振動方向沿保偏延遲光纜快軸方向,Ey沿慢軸方向;旋光模塊對兩正交線偏振光正向傳播過程中的偏振面進行旋轉(zhuǎn)并將兩正交線偏振光傳輸?shù)絺鞲心K;兩正交線偏振光在傳感模塊中依次經(jīng)過電光晶體A、半波片和電光晶體B,獲得待測電壓引入的線性電光延遲相位并于傳感模塊末端被反射,進入反向傳播過程,兩正交線偏振光再次經(jīng)過電光晶體B、半波片和電光晶體A ;兩正交線偏振光反向傳播再次經(jīng)過旋光模塊,偏振面再次獲得旋轉(zhuǎn),兩次旋轉(zhuǎn)使得旋光模塊中出射的兩正交線偏振光在保偏延遲光纜中振動方向變?yōu)镋x沿慢軸,Ey沿快軸,與正向傳播時相比偏振模式互換;兩正交線偏振光返回偏振光產(chǎn)生模塊,并發(fā)生干涉,得到待測電壓值。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述光路設(shè)計方法,其特征在于:所述的傳感模塊包括電光晶體A、半波片和電光晶體B,所述的半波片設(shè)置在電光晶體A和電光晶體B之間,并且半波片的快慢軸與電光晶體A垂直于偏振光傳播方向平面內(nèi)的感生折射率主軸呈45 °對軸,電光晶體A和電光晶體B的感生折射率主軸方向一致,電光晶體A不加電,電光晶體B加待測電壓,處于待測電場中,產(chǎn)生攜帶待測電壓信息的線性電光延遲相位;兩正交線偏振光在傳感模塊中首先沿電光晶體A的感生折射率主軸的X軸和Y軸方向振動,假設(shè)Ex沿X軸,Ey沿Y軸,電光晶體A出射的兩正交線偏振光經(jīng)過半波片的作用,振動模式互換,即進入電光晶體B后Ex沿Y軸,Ey沿X軸,然后所述兩正交線偏振光被電光晶體B末端的反射鏡反射,兩正交線偏振光傳播方向反轉(zhuǎn),振動方向不變,進入光反向傳播過程,兩正交線偏振光再次經(jīng)過電光晶體B、半波片和電光晶體A,振動方向在電光晶體B中仍為Ex沿Y軸,Ey沿X軸,在電光晶體A中仍為Ex沿X軸,Ey沿Y軸。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述光路設(shè)計方法,其特征在于:所述的旋光模塊采用由法拉第旋光器與準直器封裝而成的法拉 第準直旋光器。
4.一種基于Pockels效應的反射式互易性光學電壓互感器,包括順次連接偏振光產(chǎn)生模塊、保偏延遲光纜、旋光模塊和傳感模塊,其中,偏振光產(chǎn)生模塊包括順次連接的的光源、環(huán)形器、起偏器、相位調(diào)制器以及連接環(huán)形器與相位調(diào)制器的另一支路上的光電探測器和數(shù)字信號處理系統(tǒng),起偏器尾纖與相位調(diào)制器入纖以45°對軸熔接;保偏延遲光纜連接在相位調(diào)制器和旋光模塊之間;旋光模塊為由法拉第旋光器與保偏準直器封裝而成的法拉第準直旋光器,且法拉第旋光器靠近傳感模塊輸入側(cè);所述的傳感模塊由兩個相同的電光晶體A和電光晶體B以及半波片組成,法拉第準直旋光器的保偏尾纖快慢軸與電光晶體A感生折射率主軸X、Y軸成45°對軸,電光晶體A和電光晶體B的感生折射率主軸方向一致;所述的半波片位于電光晶體A和電光晶體B中間,半波片的快慢軸與電光晶體A和電光晶體B的感生折射率主軸X、Y軸成45°對軸;電光晶體B末端為反射鏡,電光晶體B上下端加待測電壓U。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基于Pockels效應的反射式互易性光學電壓互感器,其特征在于:整個基于Pockels效應的反射式互易性光學電壓互感器光路系統(tǒng)的輸出干涉光強10表達式如下:
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述基于Pockels效應的反射式互易性光學電壓互感器,,其特征在于:所述的線性電光延遲相位為:
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基于Pockels效應的反射式互易性光學電壓互感器,其特征在于:所述的電光晶體A和電光晶體B的光入射與光出射端面均涂覆增透膜。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基于Pockels效應的反射式互易性光學電壓互感器,其特征在于:所述的電光晶體A和電光晶體B為BGO晶體沿感生折射率主軸方向進行定向切割而成的長方體結(jié)構(gòu),兩電光晶體的性能參數(shù)相同,所處的工作環(huán)境相同,切割方式為:通光方向垂直于BGO晶體的(110)面,電場方向垂直于BGO晶體的(001)面,從而產(chǎn)生的感生折射率主軸Z軸平行于通光方向,感生折射率主軸X軸平行于電場方向,感生折射率主軸Y軸垂直于(TlO)面,BGO晶體沿感生折射率主軸方向進行定向切割,得到電光晶體A與電光晶體B,二者切割方向及尺寸相同。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基于Pockels效應的反射式互易性光學電壓互感器,其特征在于:所述的環(huán)形器為三端口單模光纖環(huán)形器,其中,第一端口作為光正向傳播過程中輸入端與光源相連,第二端口作為光正向傳播過程中輸出端以及反向傳播過程中輸入端與起偏器相連,第三端口作為光反向傳播過程中輸出端連接光電探測器。
全文摘要
本發(fā)明公開一種新型基于Pockels效應的反射式互易性光學電壓互感器及其光路設(shè)計方法,屬于光學電壓互感器技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明通過旋光模塊對正反兩次通過其中的兩正交線偏振光的旋光作用,形成由偏振光產(chǎn)生模塊到旋光模塊之間光路互易性,增強對保偏延遲光纜周圍環(huán)境干擾的免疫力;通過半波片使兩正交線偏振光模式互換,實現(xiàn)傳感模塊的光路互易性,消除因電光晶體自身缺陷及溫度、應力變化等因素引入的附加雙折射誤差;傳感模塊光路的互易性配合反射鏡,使得待測電壓引入的線性電光延遲相位加倍。本發(fā)明提高了光學電壓互感器的抗環(huán)境干擾能力和對環(huán)境的適應能力,提高了系統(tǒng)的測量精度及穩(wěn)定性。
文檔編號G01R15/24GK103197114SQ201310111598
公開日2013年7月10日 申請日期2013年4月1日 優(yōu)先權(quán)日2013年1月10日
發(fā)明者李慧, 李立京, 張文慧, 潘銳, 許文淵 申請人:北京航空航天大學