專利名稱：各向異性磁阻結(jié)構(gòu)磁場(chǎng)強(qiáng)度檢測(cè)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體設(shè)計(jì)及制造領(lǐng)域，更具體地說，本發(fā)明涉及一種各向異性磁阻結(jié)構(gòu)磁場(chǎng)強(qiáng)度檢測(cè)裝置。
背景技術(shù)：
AMR (Anisotropic Magneto Resistance,各向異性磁阻)磁傳感器提供了一種測(cè)量地磁場(chǎng)內(nèi)的線位置和/或線位移以及角位置和/或角位移的解決方案，其能夠提供高空間分辨率和高精度，而且功耗很低。AMR磁傳感器的工作原理是通過測(cè)量電阻變化來確定磁場(chǎng)強(qiáng)度。AMR磁傳感器是將AMR元件和將信號(hào)轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號(hào)的IC集合成為一體封裝的產(chǎn)品。AMR元件的材料是由鎳(Ni)、鐵(Fe)所組成的強(qiáng)磁性金屬。其中，鐵鎳合金薄膜沉積在硅片基底上，可組成各種阻值的電橋，在遇到磁場(chǎng)時(shí)，可提供具有高預(yù)見性的輸出；具體地說，當(dāng)鐵鎳薄膜暴露在變化的磁場(chǎng)中時(shí)，其電阻有所改變，從而引起相應(yīng)的輸出電壓的變化。但是,在現(xiàn)有技術(shù)中，還沒有開發(fā)出用于在最終的WAT(wafer acceptance test,晶片可接受性測(cè)試)期間對(duì)磁場(chǎng)強(qiáng)度進(jìn)行測(cè)試的測(cè)試設(shè)備，這對(duì)于磁材料的監(jiān)控是不利的。因此，希望能夠提供一種能夠檢測(cè)各向異性磁阻AMR結(jié)構(gòu)磁場(chǎng)強(qiáng)度的裝置或結(jié)構(gòu)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在上述缺陷，提供一種能夠檢測(cè)各向異性磁阻AMR結(jié)構(gòu)磁場(chǎng)強(qiáng)度的各向異性磁阻結(jié)構(gòu)磁場(chǎng)強(qiáng)度檢測(cè)裝置。為了實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的，根據(jù)本發(fā)明，提供了 一種各向異性磁阻結(jié)構(gòu)磁場(chǎng)強(qiáng)度檢測(cè)裝置，其包括矩形片電阻區(qū)域、第一連線、第二連線、第三連線、第四連線、第一測(cè)試探針接口、第二測(cè)試探針接口、第三測(cè)試探針接口、以及第四測(cè)試探針接口；其中，第一測(cè)試探針接口通過第一連線連接至矩形片電阻區(qū)域；第二測(cè)試探針接口通過第二連線連接至矩形片電阻區(qū)域；第三測(cè)試探針接口通過第三連線連接至矩形片電阻區(qū)域；第四測(cè)試探針接口通過第四連線連接至矩形片電阻區(qū)域；其中，第一測(cè)試探針接口位于矩形片電阻區(qū)域的一端，第四測(cè)試探針接口位于矩形片電阻區(qū)域的另一端，第二測(cè)試探針接口和第三測(cè)試探針接口位于矩形片電阻區(qū)域的同一側(cè)；并且，針對(duì)第二測(cè)試探針接口和第三測(cè)試探針接口兩者而言，第二測(cè)試探針接口更靠近第一測(cè)試探針接口，第三測(cè)試探針接口更靠近第四測(cè)試探針接口。優(yōu)選地，第一連線和第四連線相對(duì)于矩形片電阻區(qū)域?qū)ΨQ布置，并且第一測(cè)試探針接口和第四測(cè)試探針接口相對(duì)于矩形片電阻區(qū)域?qū)ΨQ布置。優(yōu)選地，第二連線和第三連線相對(duì)于矩形片電阻區(qū)域?qū)ΨQ布置，并且第二測(cè)試探針接口、第三測(cè)試探針接口相對(duì)于矩形片電阻區(qū)域?qū)ΨQ布置。優(yōu)選地，四根測(cè)試探針分別接觸到第一測(cè)試探針接口、第二測(cè)試探針接口、第三測(cè)試探針接口、以及第四測(cè)試探針接口，此后，在第二測(cè)試探針接口與第三測(cè)試探針接口之間施加測(cè)試電流，并且使得第一測(cè)試探針接口和第四測(cè)試探針接口通過的電流為0，在此情況下量測(cè)第一測(cè)試探針接口和第四測(cè)試探針接口之間的電壓差，由此將電壓差除以測(cè)試電流得到的計(jì)算電阻確定為矩形片電阻區(qū)域的電阻值。優(yōu)選地，在使用所述各向異性磁阻結(jié)構(gòu)磁場(chǎng)強(qiáng)度檢測(cè)裝置時(shí)，將待測(cè)的各向異性磁阻結(jié)構(gòu)在所述各向異性磁阻結(jié)構(gòu)磁場(chǎng)強(qiáng)度檢測(cè)裝置附近。優(yōu)選地，在使用所述各向異性磁阻結(jié)構(gòu)磁場(chǎng)強(qiáng)度檢測(cè)裝置時(shí)，使得矩形片電阻區(qū)域的長(zhǎng)度方向與待測(cè)的各向異性磁阻結(jié)構(gòu)的長(zhǎng)度方向平行。優(yōu)選地，矩形片電阻區(qū)域的長(zhǎng)度與待測(cè)的各向異性磁阻結(jié)構(gòu)的長(zhǎng)度相等。由此，本發(fā)明提供了一種能夠檢測(cè)各向異性磁阻AMR結(jié)構(gòu)磁場(chǎng)強(qiáng)度的各向異性磁阻結(jié)構(gòu)磁場(chǎng)強(qiáng)度檢測(cè)結(jié)構(gòu)。


結(jié)合附圖，并通過參考下面的詳細(xì)描述，將會(huì)更容易地對(duì)本發(fā)明有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優(yōu)點(diǎn)和特征，其中圖1示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的各向異性磁阻結(jié)構(gòu)磁場(chǎng)強(qiáng)度檢測(cè)裝置。圖2示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的各向異性磁阻結(jié)構(gòu)磁場(chǎng)強(qiáng)度檢測(cè)裝置的使用示意圖。需要說明的是，附圖用于說明本發(fā)明，而非限制本發(fā)明。注意，表示結(jié)構(gòu)的附圖可能并非按比例繪制。并且，附圖中，相同或者類似的元件標(biāo)有相同或者類似的標(biāo)號(hào)。
具體實(shí)施例方式為了使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚和易懂，下面結(jié)合具體實(shí)施例和附圖對(duì)本發(fā)明的內(nèi)容進(jìn)行詳細(xì)描述。圖1示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的各向異性磁阻結(jié)構(gòu)磁場(chǎng)強(qiáng)度檢測(cè)裝置。例如，圖1所示的根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的各向異性磁阻結(jié)構(gòu)磁場(chǎng)強(qiáng)度檢測(cè)裝置可用于測(cè)試MEMS (微機(jī)電系統(tǒng)，Micro-Electro-Mechanical Systems) AMR磁傳感器的各向異性磁阻結(jié)構(gòu)。具體地說，如圖1所示，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的各向異性磁阻結(jié)構(gòu)磁場(chǎng)強(qiáng)度檢測(cè)裝置包括矩形片電阻區(qū)域10、第一連線11、第二連線12、第三連線13、第四連線14、第一測(cè)試探針接口 PU第二測(cè)試探針接口 P2、第三測(cè)試探針接口 P3、以及第四測(cè)試探針接口 P4。其中，第一測(cè)試探針接口 Pl通過第一連線11連接至矩形片電阻區(qū)域10 ;第二測(cè)試探針接口 P2通過第二連線12連接至矩形片電阻區(qū)域10 ;第三測(cè)試探針接口 P3通過第三連線13連接至矩形片電阻區(qū)域10 ;第四測(cè)試探針接口 P4通過第四連線14連接至矩形片電阻區(qū)域10。其中，第一測(cè)試探針接口 Pl位于矩形片電阻區(qū)域10的一端，以及第四測(cè)試探針接口 P4位于矩形片電阻區(qū)域10的另一端，第二測(cè)試探針接口 P2和第三測(cè)試探針接口 P3位于矩形片電阻區(qū)域10的同一側(cè)；并且針對(duì)第二測(cè)試探針接口 P2和第三測(cè)試探針接口 P3兩者而言，第二測(cè)試探針接口 P2更靠近第一測(cè)試探針接口 Pl，第三測(cè)試探針接口 P3更靠近第四測(cè)試探針接口 P4。優(yōu)選地，第一連線11和第四連線14相對(duì)于矩形片電阻區(qū)域10對(duì)稱布置，并且第一測(cè)試探針接口 Pl和第四測(cè)試探針接口 P4相對(duì)于矩形片電阻區(qū)域10對(duì)稱布置。優(yōu)選地，第二連線12和第三連線13相對(duì)于矩形片電阻區(qū)域10對(duì)稱布置，并且第二測(cè)試探針接口P2、第三測(cè)試探針接口 P3相對(duì)于矩形片電阻區(qū)域10對(duì)稱布置。其中，第一測(cè)試探針接口 P1、第二測(cè)試探針接口 P2、第三測(cè)試探針接口 P3、以及第四測(cè)試探針接口 P4是用來測(cè)量電阻的接口，4根測(cè)試探針分別接觸到第一測(cè)試探針接口P1、第二測(cè)試探針接口 P2、第三測(cè)試探針接口 P3、以及第四測(cè)試探針接口 P4。此后，在第二測(cè)試探針接口 P2與第三測(cè)試探針接口 P3之間施加測(cè)試電流Is，并且使得第一測(cè)試探針接口 Pl和第四測(cè)試探針接口 P4通過的電流為0，在此情況下量測(cè)第一測(cè)試探針接口 Pl和第四測(cè)試探針接口 P4之間的電壓差Vd，那么Vd/Is(電壓差除以測(cè)試電流得到的計(jì)算電阻)就可以確定為矩形片電阻區(qū)域10的準(zhǔn)確電阻值，這個(gè)電阻值濾除了探針接觸電流，以及各個(gè)測(cè)試探針接口的連線電阻。實(shí)際上，對(duì)于矩形區(qū)域電阻，通常來說電阻是兩端的，如圖所示的4端電阻測(cè)量使用的是kelven結(jié)構(gòu)，kelven結(jié)構(gòu)可以更準(zhǔn)確的測(cè)量電阻，將連線及探針接觸電阻都濾除。圖2示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的各向異性磁阻結(jié)構(gòu)磁場(chǎng)強(qiáng)度檢測(cè)裝置的使用示意圖。其中，在使用根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的各向異性磁阻結(jié)構(gòu)磁場(chǎng)強(qiáng)度檢測(cè)裝置時(shí)，將待測(cè)的各向異性磁阻結(jié)構(gòu)2布置在圖1所示的根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的各向異性磁阻結(jié)構(gòu)磁場(chǎng)強(qiáng)度檢測(cè)裝置附近，例如下側(cè)。優(yōu)選地，在使用根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的各向異性磁阻結(jié)構(gòu)磁場(chǎng)強(qiáng)度檢測(cè)裝置時(shí)，使得矩形片電阻區(qū)域10的長(zhǎng)度方向與待測(cè)的各向異性磁阻結(jié)構(gòu)2的長(zhǎng)度方向平行。優(yōu)選地，矩形片電阻區(qū)域10的長(zhǎng)度與待測(cè)的各向異性磁阻結(jié)構(gòu)2的長(zhǎng)度相等。由于待測(cè)的各向異性磁阻結(jié)構(gòu)2的磁場(chǎng)會(huì)影響各向異性磁阻結(jié)構(gòu)磁場(chǎng)強(qiáng)度檢測(cè)裝置的矩形片電阻區(qū)域10的電阻，所以通過測(cè)量存在和不存在待測(cè)的各向異性磁阻結(jié)構(gòu)2這兩種情況下的各向異性磁阻結(jié)構(gòu)磁場(chǎng)強(qiáng)度檢測(cè)裝置的矩形片電阻區(qū)域10的電阻，就可以推導(dǎo)出待測(cè)的各向異性磁阻結(jié)構(gòu)2的磁場(chǎng)強(qiáng)度。此外，需要說明的是，除非特別說明或者指出，否則說明書中的術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”、“第三”等描述僅僅用于區(qū)分說明書中的各個(gè)組件、元素、步驟等，而不是用于表示各個(gè)組件、元素、步驟之間的邏輯關(guān)系或者順序關(guān)系等?？梢岳斫獾氖牵m然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例披露如上，然而上述實(shí)施例并非用以限定本發(fā)明。對(duì)于任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案作出許多可能的變動(dòng)和修飾，或修改為等同變化的等效實(shí)施例。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所做的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種各向異性磁阻結(jié)構(gòu)磁場(chǎng)強(qiáng)度檢測(cè)裝置，其特征在于包括:矩形片電阻區(qū)域、第一連線、第二連線、第三連線、第四連線、第一測(cè)試探針接口、第二測(cè)試探針接口、第三測(cè)試探針接口、以及第四測(cè)試探針接口 ； 其中，第一測(cè)試探針接口通過第一連線連接至矩形片電阻區(qū)域；第二測(cè)試探針接口通過第二連線連接至矩形片電阻區(qū)域；第三測(cè)試探針接口通過第三連線連接至矩形片電阻區(qū)域；第四測(cè)試探針接口通過第四連線連接至矩形片電阻區(qū)域； 其中，第一測(cè)試探針接口位于矩形片電阻區(qū)域的一端，第四測(cè)試探針接口位于矩形片電阻區(qū)域的另一端，第二測(cè)試探針接口和第三測(cè)試探針接口位于矩形片電阻區(qū)域的同一側(cè)；并且，針對(duì)第二測(cè)試探針接口和第三測(cè)試探針接口兩者而言，第二測(cè)試探針接口更靠近第一測(cè)試探針接口，第三測(cè)試探針接口更靠近第四測(cè)試探針接口。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的各向異性磁阻結(jié)構(gòu)磁場(chǎng)強(qiáng)度檢測(cè)裝置，其特征在于，第一連線和第四連線相對(duì)于矩形片電阻區(qū)域?qū)ΨQ布置，并且第一測(cè)試探針接口和第四測(cè)試探針接口相對(duì)于矩形片電阻區(qū)域?qū)ΨQ布置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的各向異性磁阻結(jié)構(gòu)磁場(chǎng)強(qiáng)度檢測(cè)裝置，其特征在于，第二連線和第三連線相對(duì)于矩形片電阻區(qū)域?qū)ΨQ布置，并且第二測(cè)試探針接口、第三測(cè)試探針接口相對(duì)于矩形片電阻區(qū)域?qū)ΨQ布置。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的各向異性磁阻結(jié)構(gòu)磁場(chǎng)強(qiáng)度檢測(cè)裝置，其特征在于，四根測(cè)試探針分別接觸到第一測(cè)試探針接口、第二測(cè)試探針接口、第三測(cè)試探針接口、以及第四測(cè)試探針接口，此后，在第二測(cè)試探針接口與第三測(cè)試探針接口之間施加測(cè)試電流，并且使得第一測(cè)試探針接口和第四測(cè)試探針接口通過的電流為O，在此情況下量測(cè)第一測(cè)試探針接口和第四測(cè)試探針接口之間的電壓差，由此將電壓差除以測(cè)試電流得到的計(jì)算電阻確定為矩形片電阻區(qū)域的電阻值。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的各向`異性磁阻結(jié)構(gòu)磁場(chǎng)強(qiáng)度檢測(cè)裝置，其特征在于，在使用所述各向異性磁阻結(jié)構(gòu)磁場(chǎng)強(qiáng)度檢測(cè)裝置時(shí)，將待測(cè)的各向異性磁阻結(jié)構(gòu)在所述各向異性磁阻結(jié)構(gòu)磁場(chǎng)強(qiáng)度檢測(cè)裝置附近。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的各向異性磁阻結(jié)構(gòu)磁場(chǎng)強(qiáng)度檢測(cè)裝置，其特征在于，在使用所述各向異性磁阻結(jié)構(gòu)磁場(chǎng)強(qiáng)度檢測(cè)裝置時(shí)，使得矩形片電阻區(qū)域的長(zhǎng)度方向與待測(cè)的各向異性磁阻結(jié)構(gòu)的長(zhǎng)度方向平行。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的各向異性磁阻結(jié)構(gòu)磁場(chǎng)強(qiáng)度檢測(cè)裝置，其特征在于，矩形片電阻區(qū)域的長(zhǎng)度與待測(cè)的各向異性磁阻結(jié)構(gòu)的長(zhǎng)度相等。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種各向異性磁阻結(jié)構(gòu)磁場(chǎng)強(qiáng)度檢測(cè)裝置，其包括矩形片電阻區(qū)域、第一連線、第二連線、第三連線、第四連線、第一測(cè)試探針接口、第二測(cè)試探針接口、第三測(cè)試探針接口、第四測(cè)試探針接口；第一測(cè)試探針接口通過第一連線連接至矩形片電阻區(qū)域；第二測(cè)試探針接口通過第二連線連接至矩形片電阻區(qū)域；第三測(cè)試探針接口通過第三連線連接至矩形片電阻區(qū)域；第四測(cè)試探針接口通過第四連線連接至矩形片電阻區(qū)域；第一測(cè)試探針接口位于矩形片電阻區(qū)域的一端，第四測(cè)試探針接口位于矩形片電阻區(qū)域的另一端，第二測(cè)試探針接口和第三測(cè)試探針接口位于同一側(cè)；第二測(cè)試探針接口更靠近第一測(cè)試探針接口，第三測(cè)試探針接口更靠近第四測(cè)試探針接口。
文檔編號(hào)G01R33/09GK103076578SQ20131004189
公開日2013年5月1日 申請(qǐng)日期2013年2月1日 優(yōu)先權(quán)日2013年2月1日
發(fā)明者時(shí)廷 申請(qǐng)人:上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司