光致載流子壽命測量裝置及光致載流子壽命測量方法
【專利摘要】包含：光源(20)、(22)，其對半導(dǎo)體襯底(S)照射用于產(chǎn)生光致載流子的、波長不同的光；微波產(chǎn)生部(10)，其產(chǎn)生對半導(dǎo)體襯底(S)照射的微波；檢測部(30)，其檢測穿透半導(dǎo)體襯底的微波的強(qiáng)度；以及運(yùn)算部(50)，根據(jù)在照射所述至少兩種光后檢測出的微波強(qiáng)度，計算光的波長各自對應(yīng)的有效載流子壽命，根據(jù)計算出的波長各自對應(yīng)的有效載流子壽命計算半導(dǎo)體襯底(S)的體內(nèi)載流子壽命和表面復(fù)合速度。
【專利說明】光致載流子壽命測量裝置及光致載流子壽命測量方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種光致載流子壽命測量裝置及光致載流子壽命測量方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 對于測量半導(dǎo)體襯底上產(chǎn)生的光致載流子（少數(shù)載流子）的有效載流子壽命 的方法，已知有一種 μ -PO)法（例如參照 J. M. Borrego, R. J. Gutmann, N. Jensen, and O.Paz:Solid-Sate Electron. 30(1987) 195.(非專利文獻(xiàn)1))。在該方法中，在向半導(dǎo)體襯 底照射微波的狀態(tài)下，照射極短時間的光脈沖。通過光脈沖產(chǎn)生的載流子反射微波，通過測 量反射強(qiáng)度的時間變化來測量光致載流子的有效載流子壽命。
[0003] 再有，對于測量半導(dǎo)體襯底的光致載流子的有效載流子壽命的方法，已 知一種 QSSPC 方法（例如參照6.3.1(〇118丨1^，2.6.1^1^，311(1?.1(.4加 6四:]\4卩卩1· Phys. 72 (1992) 141.(非專利文獻(xiàn)2))。在該方法中，面對半導(dǎo)體襯底配置電感線圈，施加 RF 頻率的電磁波。之后，向半導(dǎo)體襯底照射極短時間的光脈沖。通過光脈沖產(chǎn)生的載流子反 射RF頻率的電磁波，測量反射波的時間變化作為線圈中流通的電流的變化，由此來測量光 致載流子的有效載流子壽命。
[0004] 再有，對于測量半導(dǎo)體襯底的光致載流子的有效載流子壽命的方法，已知一 種微波光干涉吸收法（例如參照 T. SAMESHIMA，HAYASAKA，and ?\ HABA: Jpn. J. Appl. Phys. 48(2009)021204-1-6.(非專利文獻(xiàn)3))。在該方法中，在波導(dǎo)管所形成的微波干涉儀 中插入半導(dǎo)體襯底，在照射微波的狀態(tài)下照射連續(xù)光。通過連續(xù)光引起的載流子吸收微波， 測量此時微波的透光率減少情況，由此測量光致載流子的有效載流子壽命。
[0005] 進(jìn)而，在非專利文獻(xiàn)3中記載的方法中，已知一種向半導(dǎo)體襯底照射周期 性間歇脈沖光的方法（例如參照 Toshiyuki Sameshima. Tomokazu Nagao, Shinya Yoshidomi, Kazuya Kogure, and Masahiko Hasumi: "Minority Carrier Lifetime Measurements by Photo-Induced Carrier Microwave Absorption Method", Jpn. J. Appl. Phys. 50 (2011) 03CA02.(非專利文獻(xiàn)4)，國際公開第11/099191號小冊子（專利文獻(xiàn)1))。 在該方法中，通過改變脈沖光的照射時間和周期，無論照射光強(qiáng)度如何都可求出有效載流 子壽命。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 發(fā)明要解決的問題
[0007] 通過上述各種技術(shù)，可測量出半導(dǎo)體襯底的光致載流子的有效載流子壽命。光致 載流子的有效載流子壽命通常由半導(dǎo)體襯底固有的壽命（體內(nèi)載流子壽命））和半導(dǎo)體表 面存在的缺陷所引發(fā)的表面復(fù)合速度來決定。在有效利用太陽能電池、CCD等光致載流子 的器件制造中，增加體內(nèi)載流子壽命并使表面復(fù)合速度減小，而使有效載流子壽命增加是 非常重要的。之后，在效載流子壽命的測量裝置（分析儀）中，優(yōu)選體內(nèi)載流子壽命及表面 復(fù)合速度可通過實(shí)驗(yàn)得到。
[0008] 但是，在現(xiàn)有技術(shù)中，雖然可精確求出有效載流子壽命，但沒有確定體內(nèi)載流子壽 命及表面復(fù)合速度的裝置。即在現(xiàn)有技術(shù)中，通常方法是假設(shè)體內(nèi)載流子壽命及表面復(fù)合 速度中的一項而求另一項。是硅等間接能帶型結(jié)晶半導(dǎo)體的情況下，由于預(yù)想體內(nèi)載流子 壽命較長，所以通常假定體內(nèi)載流子壽命足夠長，由測量得到的有效載流子壽命來求出表 面復(fù)合測量。但是，假定的體內(nèi)載流子壽命存在不確定性，在進(jìn)行精密分析上存在問題。
[0009] 鑒于以上問題，本發(fā)明的目的是提供一種可精度良好地測量半導(dǎo)體襯底的體內(nèi)載 流子壽命及表面復(fù)合速度的光致載流子壽命測量裝置及光致載流子壽命測量方法。
[0010] 解決技術(shù)問題的手段
[0011] (1)本發(fā)明是一種測量半導(dǎo)體襯底上產(chǎn)生的光致載流子的有效載流子壽命的光致 載流子壽命測量裝置，其特征在于包含：
[0012] 光照射部，其對所述半導(dǎo)體襯底照射用于產(chǎn)生光致載流子的波長不同的至少兩種 光；
[0013] 微波產(chǎn)生部，其產(chǎn)生對所述半導(dǎo)體襯底照射的微波；
[0014] 檢測部，其檢測穿透所述半導(dǎo)體襯底的微波的強(qiáng)度；
[0015] 運(yùn)算部，其根據(jù)所述檢測部中檢測出的微波強(qiáng)度計算有效載流子壽命；
[0016] 所述運(yùn)算部
[0017] 根據(jù)在照射所述至少兩種光后檢測出的微波強(qiáng)度，計算所述至少兩種光的波長各 自對應(yīng)的有效載流子壽命，根據(jù)計算出的所述波長各自對應(yīng)的有效載流子壽命計算出所述 半導(dǎo)體襯底的體內(nèi)載流子壽命和表面復(fù)合速度。
[0018] 再有，本發(fā)明是一種測量半導(dǎo)體襯底上產(chǎn)生的光致載流子的有效載流子壽命的光 致載流子壽命測量方法，其特征在于：
[0019] 對所述半導(dǎo)體襯底照射用于產(chǎn)生光致載流子的波長不同的至少兩種光，并對所述 半導(dǎo)體襯底照射微波；
[0020] 檢測穿透所述半導(dǎo)體襯底的微波的強(qiáng)度；
[0021] 根據(jù)在照射所述至少兩種光后檢測出的微波強(qiáng)度，計算所述至少兩種光的波長各 自對應(yīng)的有效載流子壽命，根據(jù)計算出的所述波長各自對應(yīng)的有效載流子壽命計算出所述 半導(dǎo)體襯底的體內(nèi)載流子壽命和表面復(fù)合速度。
[0022] 采用本發(fā)明，根據(jù)在照射波長不同的至少兩種光后檢測出的微波強(qiáng)度計算至少兩 種光的波長對應(yīng)的有效載流子壽命，根據(jù)計算出的所述波長對應(yīng)的有效載流子壽命計算出 所述半導(dǎo)體襯底的體內(nèi)載流子壽命和表面復(fù)合速度，由此可精度良好地測量體內(nèi)載流子壽 命及表面復(fù)合速度。
[0023] (2)再有本發(fā)明涉及的光致載流子壽命測量裝置及光致載流子壽命測量方法，也 可為
[0024] 對以體內(nèi)載流子壽命及表面復(fù)合速度為參數(shù)求出的、所述波長各自對應(yīng)的有效載 流子壽命的計算值，以及根據(jù)檢測出的微波強(qiáng)度而計算出的、所述波長各自對應(yīng)的有效載 流子壽命的測量值改變所述參數(shù)的值并加以比較，求出所述波長各自對應(yīng)的有效載流子壽 命的計算值與所述波長各自對應(yīng)的有效載流子壽命的測量值最匹配時所述體內(nèi)載流子壽 命及表面復(fù)合速度的值。
[0025] 這樣，不假定半導(dǎo)體襯底的體內(nèi)載流子壽命及表面復(fù)合速度這兩項中的一項，就 可測量這兩項。
[0026] (3)再有本發(fā)明涉及的光致載流子壽命測量裝置及光致載流子壽命測量方法，也 可為
[0027] 對以體內(nèi)載流子壽命的深度分布及表面復(fù)合速度為參數(shù)求出的、所述波長各自對 應(yīng)的有效載流子壽命的計算值，以及根據(jù)檢測出的微波強(qiáng)度而計算出的、所述波長各自對 應(yīng)的有效載流子壽命的測量值，改變所述參數(shù)的值并加以比較，求出所述波長各自對應(yīng)的 有效載流子壽命的計算值與所述波長各自對應(yīng)的有效載流子壽命的測量值最匹配時所述 體內(nèi)載流子壽命的深度分布及表面復(fù)合速度的值。
[0028] 這樣，不假定半導(dǎo)體襯底的體內(nèi)載流子壽命的深度分布及表面復(fù)合速度這兩項中 的一項，就可測量這兩項。
[0029] (4)再有本發(fā)明涉及的光致載流子壽命測量裝置及光致載流子壽命測量方法，對 半導(dǎo)體襯底表面上形成有鈍化膜的基準(zhǔn)試樣照射周期性脈沖光后，根據(jù)檢測出的微波強(qiáng)度 求出所述基準(zhǔn)試樣的有效載流子壽命，對所述基準(zhǔn)試樣照射連續(xù)光后根據(jù)檢測出的微波強(qiáng) 度求出所述基準(zhǔn)試樣的載流子面密度，根據(jù)所述有效載流子壽命以及載流子面密度，求出 載流子產(chǎn)生率，根據(jù)向作為受測試樣的半導(dǎo)體襯底照射連續(xù)光后檢測出的微波強(qiáng)度求出的 所述受測試樣的載流子面密度，以及所述載流子產(chǎn)生率，計算出所述有效載流子壽命的測 量值。
[0030] 這樣，可精度良好地求出有效載流子壽命的測量值。
[0031] (5)再有本發(fā)明涉及的光致載流子壽命測量裝置及光致載流子壽命測量方法，
[0032] 所述至少兩種不同的光也可以是對所述半導(dǎo)體襯底吸收系數(shù)不同的兩種光。
[0033] (6)再有本發(fā)明涉及的光致載流子壽命測量裝置及光致載流子壽命測量方法，所 述至少兩種不同的光，也可以是對所述半導(dǎo)體襯底吸收系數(shù)至少在兩倍以上的不同的兩種 光。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0034] 圖1是本實(shí)施方式的測量裝置（光致載流子壽命測量裝置）的一個例子的結(jié)構(gòu)示 意圖。
[0035] 圖2是結(jié)晶硅的光吸收系數(shù)的波長引起的變化的圖。
[0036] 圖3用于說明采用本實(shí)施方式的測量裝置進(jìn)行測量后的半導(dǎo)體襯底。
[0037] 圖4是采用本實(shí)施方式的測量裝置的有效載流子壽命的測量結(jié)果圖。
[0038] 圖5A是采用本實(shí)施方式的測量裝置的載流子體積濃度的測量結(jié)果圖。
[0039] 圖5B是采用本實(shí)施方式的測量裝置的載流子體積濃度的測量結(jié)果圖。

【具體實(shí)施方式】
[0040] 以下對本實(shí)施方式進(jìn)行說明。以下說明的本實(shí)施方式并不對權(quán)利要求書中記載的 本
【發(fā)明內(nèi)容】
進(jìn)行不當(dāng)限定。另外，本實(shí)施方式中說明的全部結(jié)構(gòu)并不都是本發(fā)明必須的構(gòu) 成要件。
[0041] 1.測量原理
[0042] 本實(shí)施方式的測量方法及測量裝置中，對作為受測試樣的半導(dǎo)體襯底照射吸收系 數(shù)不同的至少兩種光。
[0043] 例如，對半導(dǎo)體襯底照射了具有較大吸收系數(shù)的短波長光后，光被半導(dǎo)體襯底的 極表面（極表面）區(qū)域吸收。由于半導(dǎo)體襯底的表面復(fù)合速度大時，半導(dǎo)體襯底的表面區(qū) 域上產(chǎn)生的光致載流子迅速復(fù)合并消失，所以存在于襯底內(nèi)的載流子的濃度變小。從而，對 半導(dǎo)體襯底照射了微波后，微波的吸收度變?。ㄍ腹饴首兇螅?，有效載流子壽命變小。
[0044] 另一方面，對半導(dǎo)體襯底照射了具有較小吸收系數(shù)的長波長光后，光深度進(jìn)入到 半導(dǎo)體襯底內(nèi)部。因此，表面復(fù)合速度的影響變小，半導(dǎo)體襯底的體內(nèi)載流子壽命足夠大 時，與短波長光照射時相比載流子濃度變大，有效載流子壽命變長。
[0045] 即在有效載流子壽命受表面復(fù)合速度限制的情況下（表面復(fù)合速度大的情況 下），測量的有效載流子壽命具有波長依賴性，由照射了短波長光后檢測出的微波透光率測 量得到的有效載流子壽命，以及由照射了長波長光后檢測出的微波透光率測量得到的有效 載流子壽命，變?yōu)椴煌闹怠?br> [0046] 另外，在半導(dǎo)體襯底表面進(jìn)行了鈍化處理，有效載流子壽命受體內(nèi)載流子壽命限 制的情況下（表面復(fù)合速度足夠小的情況下），由于光致載流子在半導(dǎo)體襯底中隨處以相 同比例消失，所以測量的有效載流子壽命不具有波長依賴性。
[0047] 這樣，對半導(dǎo)體襯底照射了波長不同的至少兩種光后分別測量有效載流子壽命， 通過將測量出的至少兩種有效載流子壽命加以分析，可對半導(dǎo)體襯底的表面復(fù)合速度及體 內(nèi)載流子壽命做出評價。
[0048] 2.結(jié)構(gòu)
[0049] 圖1是本實(shí)施方式的測量裝置（光致載流子壽命測量裝置）的一個例子結(jié)構(gòu)示意 圖。本實(shí)施方式的測量裝置1構(gòu)成為一種測量受測試樣半導(dǎo)體襯底S的有效載流子壽命， 以及對測量出的有效載流子壽命加以分析并測量半導(dǎo)體襯底S的體內(nèi)載流子壽命和表面 復(fù)合速度的裝置。
[0050] 測量裝置1包含：微波產(chǎn)生部10,其產(chǎn)生入射到半導(dǎo)體襯底S的微波；光源20、 22 (光照射部），其照射光（誘導(dǎo)光），所述光用于在半導(dǎo)體襯底S上產(chǎn)生光致載流子；檢測 部30,其檢測從半導(dǎo)體襯底S透過的微波的強(qiáng)度；波導(dǎo)管40,其將微波產(chǎn)生部10產(chǎn)生的微 波傳送到檢測部30 ;以及運(yùn)算部50。
[0051] 波導(dǎo)管40上設(shè)有插縫42,所述插縫42中插入半導(dǎo)體襯底S。再有，在相比波導(dǎo)管 40內(nèi)部的插縫42更靠近微波產(chǎn)生部10側(cè)安裝有反射板24,所述反射板24用于使光源20、 22發(fā)出的光入射到半導(dǎo)體襯底S。光源20、22發(fā)出的光通過光纖26由反射板24擴(kuò)散反射 并入射到半導(dǎo)體襯底S。反射板24例如由特氟龍（注冊商標(biāo)）板構(gòu)成。另外，也可設(shè)置導(dǎo) 光板來替代反射板24,使光源20、22發(fā)出的光入射到半導(dǎo)體襯底S。
[0052] 光源20、22分別例如由激光光源構(gòu)成，產(chǎn)生波長各不相同的光（對半導(dǎo)體襯底S 的吸收系數(shù)不同的光）。光源20是用于對導(dǎo)體襯底S照射短波長光（例如使半導(dǎo)體襯底S 的表面區(qū)域產(chǎn)生載流子的光）的光源，光源22是用于對半導(dǎo)體襯底S照射長波長光（例如 使半導(dǎo)體襯底S的內(nèi)部區(qū)域產(chǎn)生載流子的光）的光源。
[0053] 運(yùn)算部50 (計算機(jī)）根據(jù)檢測部30檢測出的微波的強(qiáng)度信息，計算半導(dǎo)體襯底S 的光致載流子的有效載流子壽命，根據(jù)計算出的有效載流子壽命進(jìn)行運(yùn)算處理來計算出半 導(dǎo)體襯底S的體內(nèi)載流子壽命和表面復(fù)合速度。
[0054] 運(yùn)算部50通過在光源20發(fā)出的短波長光照射半導(dǎo)體襯底S后檢測出的微波的強(qiáng) 度信息求出微波的透光率變化，根據(jù)求出的透光率的變化，計算出光源20發(fā)出的光照射半 導(dǎo)體襯底S后（與光源20發(fā)出的光的波長對應(yīng)）的有效載流子壽命。再有，運(yùn)算部50通 過在光源22發(fā)出的長波長光照射半導(dǎo)體襯底S后檢測出的微波的強(qiáng)度信息求出微波的透 光率變化，根據(jù)求出的透光率的變化，計算出光源22發(fā)出的光照射半導(dǎo)體襯底S后（與光 源22發(fā)出的光的波長對應(yīng)）的有效載流子壽命。
[0055] 之后，運(yùn)算部50分析并求出與測量出的兩個有效載流子壽命τ eff (光源20發(fā)出的 光照射半導(dǎo)體襯底S后有效載流子壽命的測量值，以及光源22發(fā)出的光照射半導(dǎo)體襯底S 后有效載流子壽命的測量值）最匹配的體內(nèi)載流子壽命Tb，以及表面復(fù)合速度（照射誘導(dǎo) 光的面（照射面）偵彳的表面復(fù)合速度s t()P及照射面的相反側(cè)的表面復(fù)合速度U。另外， 體內(nèi)載流子壽命τ b和表面復(fù)合速度St()p、的分析考慮生光載流子的穿透深度來進(jìn)行。
[0056] 以下，對本實(shí)施方式的測量裝置及測量方法中采用的體內(nèi)載流子壽命和表面 復(fù)合速度St()p、的分析方法進(jìn)行說明。
[0057] 對半導(dǎo)體襯底的表面照射連續(xù)光后，在距離表面（照射面）深度X處的穩(wěn)定的光 致少數(shù)載流子體積濃度η(X)按照下面的微分方程，其中半導(dǎo)體襯底中的少數(shù)載流子的擴(kuò) 散系數(shù)設(shè)為D。
[0058]【式1】
[0059]

【權(quán)利要求】
1. 一種測量半導(dǎo)體襯底上產(chǎn)生的光致載流子的有效載流子壽命的光致載流子壽命測 量裝置，其特征在于，包含： 光照射部，其對所述半導(dǎo)體襯底照射用于產(chǎn)生光致載流子的、波長不同的至少兩種 光； 微波產(chǎn)生部，其產(chǎn)生對所述半導(dǎo)體襯底照射的微波； 檢測部，其檢測穿透所述半導(dǎo)體襯底的微波的強(qiáng)度； 運(yùn)算部，其根據(jù)所述檢測部中檢測出的微波強(qiáng)度計算有效載流子壽命， 所述運(yùn)算部 根據(jù)在照射所述至少兩種光后檢測出的微波強(qiáng)度，計算所述至少兩種光的波長各自對 應(yīng)的有效載流子壽命，根據(jù)計算出的所述波長各自對應(yīng)的有效載流子壽命計算所述半導(dǎo)體 襯底的體內(nèi)載流子壽命和表面復(fù)合速度。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光致載流子壽命測量裝置，其特征在于： 所述運(yùn)算部， 對以體內(nèi)載流子壽命及表面復(fù)合速度為參數(shù)求出的、所述波長各自對應(yīng)的有效載流子 壽命的計算值，以及根據(jù)檢測出的微波強(qiáng)度而計算出的、所述波長各自對應(yīng)的有效載流子 壽命的測量值，改變所述參數(shù)的值，并加以比較，求出所述波長各自對應(yīng)的有效載流子壽命 的計算值與所述波長各自對應(yīng)的有效載流子壽命的測量值最匹配時所述體內(nèi)載流子壽命 及表面復(fù)合速度的值。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光致載流子壽命測量裝置，其特征在于： 所述運(yùn)算部， 對以體內(nèi)載流子壽命的深度分布及表面復(fù)合速度為參數(shù)求出的、所述波長各自對應(yīng)的 有效載流子壽命的計算值，以及根據(jù)檢測出的微波強(qiáng)度而計算出的、所述波長各自對應(yīng)的 有效載流子壽命的測量值，改變所述參數(shù)的值，并加以比較，求出所述波長各自對應(yīng)的有效 載流子壽命的計算值與所述波長各自對應(yīng)的有效載流子壽命的測量值最匹配時所述體內(nèi) 載流子壽命的深度分布及表面復(fù)合速度的值。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的光致載流子壽命測量裝置，其特征在于： 所述運(yùn)算部 對半導(dǎo)體襯底表面上形成有鈍化膜的基準(zhǔn)試樣照射周期性脈沖光后，根據(jù)檢測出的 微波強(qiáng)度求出所述基準(zhǔn)試樣的有效載流子壽命，對所述基準(zhǔn)試樣照射連續(xù)光后根據(jù)檢測出 的微波強(qiáng)度求出所述基準(zhǔn)試樣的載流子面密度，根據(jù)所述有效載流子壽命以及載流子面密 度，求出載流子產(chǎn)生率，根據(jù)對作為受測試樣的半導(dǎo)體襯底照射連續(xù)光后檢測出的微波強(qiáng) 度求出的所述受測試樣的載流子面密度，以及所述載流子產(chǎn)生率，計算所述有效載流子壽 命的測量值。
5. 根據(jù)權(quán)利要1?4中任意一項所述的光致載流子壽命測量裝置，其特征在于： 所述至少兩種不同的光是對所述半導(dǎo)體襯底吸收系數(shù)不同的兩種光。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的光致載流子壽命測量裝置，其特征在于： 所述至少兩種不同的光，是對所述半導(dǎo)體襯底吸收系數(shù)至少在兩倍以上的不同的兩種 光。
7. -種測量半導(dǎo)體襯底上產(chǎn)生的光致載流子的有效載流子壽命的光致載流子壽命測 量方法，其特征在于： 對所述半導(dǎo)體襯底照射用于產(chǎn)生光致載流子的波長不同的至少兩種光，并對所述半導(dǎo) 體襯底照射微波； 檢測穿透所述半導(dǎo)體襯底的微波的強(qiáng)度； 根據(jù)在照射所述至少兩種光后檢測出的微波強(qiáng)度，計算所述至少兩種光的波長各自對 應(yīng)的有效載流子壽命，根據(jù)計算出的所述波長各自對應(yīng)的有效載流子壽命計算出所述半導(dǎo) 體襯底的體內(nèi)載流子壽命和表面復(fù)合速度。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的光致載流子壽命測量方法，其特征在于： 對以體內(nèi)載流子壽命及表面復(fù)合速度為參數(shù)求出的、所述波長各自對應(yīng)的有效載流子 壽命的計算值，以及根據(jù)檢測出的微波強(qiáng)度而計算出的、所述波長各自對應(yīng)的有效載流子 壽命的測量值，改變所述參數(shù)的值，并加以比較，求出所述波長各自對應(yīng)的有效載流子壽命 的計算值與所述波長各自對應(yīng)的有效載流子壽命的測量值最匹配時的所述體內(nèi)載流子壽 命及表面復(fù)合速度的值。
9. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的光致載流子壽命測量方法，其特征在于： 對以體內(nèi)載流子壽命的深度分布及表面復(fù)合速度為參數(shù)求出的、所述波長各自對應(yīng)的 有效載流子壽命的計算值，以及根據(jù)檢測出的微波強(qiáng)度而計算出的、所述波長各自對應(yīng)的 有效載流子壽命的測量值，改變所述參數(shù)的值，并加以比較，求出所述波長各自對應(yīng)的有效 載流子壽命的計算值與所述波長各自對應(yīng)的有效載流子壽命的測量值最匹配時的所述體 內(nèi)載流子壽命的深度分布及表面復(fù)合速度的值。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的光致載流子壽命測量方法，其特征在于： 對半導(dǎo)體襯底表面上形成有鈍化膜的基準(zhǔn)試樣照射周期性脈沖光后，根據(jù)檢測出的 微波強(qiáng)度求出所述基準(zhǔn)試樣的有效載流子壽命，對所述基準(zhǔn)試樣照射連續(xù)光后根據(jù)檢測出 的微波強(qiáng)度求出所述基準(zhǔn)試樣的載流子面密度，根據(jù)所述有效載流子壽命以及載流子面密 度，求出載流子產(chǎn)生率，根據(jù)對作為受測試樣的半導(dǎo)體襯底照射連續(xù)光后檢測出的微波強(qiáng) 度求出的所述受測試樣的載流子面密度，以及所述載流子產(chǎn)生率，計算所述有效載流子壽 命的測量值。
11. 根據(jù)權(quán)利要求7?10中任意一項所述的光致載流子壽命測量方法，其特征在于： 所述至少兩種不同的光是對所述半導(dǎo)體襯底吸收系數(shù)不同的兩種光。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的光致載流子壽命測量方法，其特征在于： 所述至少兩種不同的光，是對所述半導(dǎo)體襯底吸收系數(shù)至少在兩倍以上的不同的兩種 光。
【文檔編號】G01N22/00GK104094389SQ201280062241
【公開日】2014年10月8日 申請日期:2012年12月11日 優(yōu)先權(quán)日:2011年12月16日
【發(fā)明者】鮫島俊之 申請人:國立大學(xué)法人東京農(nóng)工大學(xué)