專利名稱：絕緣子表面微弱電流采集裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種絕緣子表面微弱電流采集裝置，特別是涉及雙傘絕緣子表面微弱電流采集裝置。
背景技術(shù)：
絕緣子表面微弱電流采集裝置通常在高壓輸電線路相應(yīng)鐵塔基站上的絕緣子串的末端使用，其作用是采集絕緣子表面的微弱泄露電流，然后再通過相關(guān)的計(jì)算轉(zhuǎn)換反饋給后臺，從而判斷高壓輸電線路的現(xiàn)場實(shí)際污穢度情況，進(jìn)而做出相關(guān)的處理，避免復(fù)雜的人工巡視。圖1所示為現(xiàn)有的一種雙傘絕緣子表面微弱電流采集裝置，該雙傘絕緣子包括串聯(lián)的多個(gè)絕緣子單元，各個(gè)絕緣子單元包括上片絕緣子單元11、下片絕緣子單元12，上片絕緣子單元11的頂端設(shè)置有金具13，絕緣子表面微弱電流采集裝置14設(shè)置在最頂端的絕緣子單元的上片絕緣子單元11與下片絕緣子單元12之間，該裝置包括緊貼絕緣子表面的不銹鋼抱箍，該不銹鋼抱箍連接一將泄漏電流引出的引流導(dǎo)線。該裝置存在的不足是:(1)不銹鋼抱箍長時(shí)間容易腐蝕生銹，造成電流測量誤差；(2)不銹鋼抱箍是固定在最頂端的上片絕緣子單元與下片絕緣子單元的中間部位，這樣會(huì)少了上片絕緣子單元的爬電距離，導(dǎo)致測量電流不準(zhǔn)確，無法形成正確的現(xiàn)場情況判斷。

實(shí)用新型內(nèi)容為了解決現(xiàn)有的雙傘絕緣子表面微弱電流采集裝置存在的上述問題，本實(shí)用新型提供一種能準(zhǔn)確測量泄漏電流的絕緣子表面微弱電流采集裝置。本實(shí)用新型采用以下的技術(shù)方案:絕緣子表面微弱電流采集裝置，包括可拼接成一個(gè)圓環(huán)的第一絕緣半環(huán)和第二絕緣半環(huán)，第一絕緣半環(huán)和第二絕緣半環(huán)構(gòu)成的圓環(huán)套接在雙傘絕緣子最頂端的金具上，圓環(huán)上連接有將第一絕緣半環(huán)和第二絕緣半環(huán)連接的固定件，所述第一絕緣半環(huán)和第二絕緣半環(huán)的底端設(shè)置有容納引流線的凹槽，所述引流線貼覆在最頂端的上片絕緣子單元的上表面，該引流線用于測量雙傘絕緣子表面的泄漏電流，所述引流線連接將泄漏電流引至終端的引流導(dǎo)線。進(jìn)一步，所述固定件為套接在所述圓環(huán)外的不銹鋼抱箍。進(jìn)一步,所述第一絕緣半環(huán)和第二絕緣半環(huán)通過榫頭和榫槽連接。優(yōu)選的，所述榫頭上設(shè)置有將引流線引出的開孔。優(yōu)選的，第一絕緣半環(huán)和第二絕緣半環(huán)底端的凹槽圍合成一個(gè)圓。本實(shí)用新型的技術(shù)構(gòu)思在于:絕緣子微弱電流采集裝置，由第一絕緣半環(huán)和第二絕緣半環(huán)拼接構(gòu)成，使用時(shí)，將本裝置套接在雙傘絕緣子最頂端的金具上，通過不銹鋼抱箍將第一絕緣半環(huán)和第二絕緣半環(huán)緊固在該金具上，同時(shí)，引流線緊貼最頂端的上片絕緣子單元的上表面，以此測得絕緣子表面的泄露電流，該泄漏電流通過引流導(dǎo)線導(dǎo)出至終端進(jìn)行處理。本實(shí)用新型的有益效果在于:(I)絕緣子微弱電流采集裝置固定在絕緣子最頂端的金具處，能完全測量整串絕緣子泄露電流的實(shí)際情況，與現(xiàn)有裝置比較，增加了上片絕緣子單元的爬電距離，因此測量的泄漏電流更加準(zhǔn)確；(2)第一絕緣半環(huán)和第二絕緣半環(huán)采用絕緣體材料制作，做到了與任何物體絕緣且不會(huì)腐蝕生銹；(3)絕緣子微弱電流采集裝置緊套在絕緣子最頂端的金具上，緊密配合了絕緣子的實(shí)際外部形狀，進(jìn)而能準(zhǔn)確測量實(shí)際的泄露電流，另外，本裝置還具有組裝方便、操作簡單的優(yōu)點(diǎn)。

圖1是現(xiàn)有的一種雙傘絕緣子表面微弱電流采集裝置的安裝示意圖。圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例的安裝示意圖。圖3是本實(shí)用新型實(shí)施例的第一絕緣半環(huán)的結(jié)構(gòu)示意圖之一。圖4是本實(shí)用新型實(shí)施例的第一絕緣半環(huán)的結(jié)構(gòu)示意圖之二。圖5是本實(shí)用新型實(shí)施例的第二絕緣半環(huán)的正面結(jié)構(gòu)示意圖。圖6是本實(shí)用新型實(shí)施例的第二絕緣半環(huán)的背面結(jié)構(gòu)示意圖。圖7是本實(shí)用新型實(shí)施例的組裝結(jié)構(gòu)示意圖之一。圖8是本實(shí)用新型實(shí)施例的組裝結(jié)構(gòu)示意圖之二。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖對本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明。參照圖2-8:絕緣子表面微弱電流采集裝置10，包括可拼接成一個(gè)圓環(huán)的第一絕緣半環(huán)I和第二絕緣半環(huán)2，第一絕緣半環(huán)I和第二絕緣半環(huán)2構(gòu)成的圓環(huán)套接在雙傘絕緣子最頂端的金具13上，圓環(huán)上連接有將第一絕緣半環(huán)I和第二絕緣半環(huán)2連接的固定件4，所述第一絕緣半環(huán)I和第二絕緣半環(huán)2的底端設(shè)置有容納引流線的凹槽6，所述引流線貼覆在最頂端的上片絕緣子單元11的上表面，該引流線用于測量雙傘絕緣子表面的泄漏電流，所述引流線連接將泄漏電流引至終端的引流導(dǎo)線。本實(shí)施例中，所述固定件4為套接在所述圓環(huán)外的不銹鋼抱箍。第一絕緣半環(huán)I和第二絕緣半環(huán)2采用橡膠材質(zhì)制作。第一絕緣半環(huán)I和第二絕緣半環(huán)2通過榫頭8和榫槽9連接，所述榫頭8上設(shè)置有將引流線引出的開孔81。第一絕緣半環(huán)I和第二絕緣半環(huán)2底端的凹槽6圍合成一個(gè)圓。本實(shí)施例絕緣子微弱電流采集裝置，由第一絕緣半環(huán)I和第二絕緣半環(huán)2拼接構(gòu)成，使用時(shí)，將本裝置套接在雙傘絕緣子最頂端的金具13上，通過不銹鋼抱箍將第一絕緣半環(huán)I和第二絕緣半環(huán)2緊固在該金具13上，同時(shí)，引流線緊貼最頂端的上片絕緣子單元11的上表面，以此測得絕緣子表面的泄露電流，該泄漏電流通過引流導(dǎo)線導(dǎo)出至終端進(jìn)行處理。本實(shí)施例中，絕緣子微弱電流采集裝置固定在絕緣子最頂端的金具13處，能完全測量整串絕緣子泄露電流的實(shí)際情況，與現(xiàn)有裝置比較，增加了上片絕緣子單元11的爬電距離，因此測量的泄漏電流更加準(zhǔn)確；第一絕緣半環(huán)I和第二絕緣半環(huán)2采用橡膠材質(zhì)制作，做到了與任何物體絕緣且不會(huì)腐蝕生銹；絕緣子微弱電流采集裝置緊套在絕緣子最頂端的金具13上，緊密配合了絕緣子的實(shí)際外部形狀，進(jìn)而能準(zhǔn)確測量實(shí)際的泄露電流，另夕卜，本裝置還具有組裝方便、操作簡單的優(yōu)點(diǎn)。上述實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型技術(shù)構(gòu)思實(shí)現(xiàn)形式的列舉，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍不僅限于上述實(shí)施例，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍可延伸至本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)構(gòu)思所能想到的等同技術(shù)手段。
權(quán)利要求1.絕緣子表面微弱電流采集裝置，其特征在于:包括可拼接成一個(gè)圓環(huán)的第一絕緣半環(huán)和第二絕緣半環(huán)，第一絕緣半環(huán)和第二絕緣半環(huán)構(gòu)成的圓環(huán)套接在雙傘絕緣子最頂端的金具上，圓環(huán)上連接有將第一絕緣半環(huán)和第二絕緣半環(huán)連接的固定件，所述第一絕緣半環(huán)和第二絕緣半環(huán)的底端設(shè)置有容納引流線的凹槽，所述引流線貼覆在最頂端的上片絕緣子單元的上表面，該引流線用于測量雙傘絕緣子表面的泄漏電流，所述引流線連接將泄漏電流引至終端的引流導(dǎo)線。
2.如權(quán)利要求1所述的絕緣子表面微弱電流采集裝置，其特征在于:所述固定件為套接在所述圓環(huán)外的不銹鋼抱箍。
3.如權(quán)利要求1或2所述的絕緣子表面微弱電流采集裝置，其特征在于:所述第一絕緣半環(huán)和第二絕緣半環(huán)通過榫頭和榫槽連接。
4.如權(quán)利要求3所述的絕緣子表面微弱電流采集裝置，其特征在于:所述榫頭上設(shè)置有將引流線引出的開孔。
5.如權(quán)利要求4所述的絕緣子表面微弱電流采集裝置，其特征在于:第一絕緣半環(huán)和第二絕緣半環(huán)底端的凹槽圍合成一個(gè)圓。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種絕緣子表面微弱電流采集裝置，包括可拼接成一個(gè)圓環(huán)的第一絕緣半環(huán)和第二絕緣半環(huán)，第一絕緣半環(huán)和第二絕緣半環(huán)構(gòu)成的圓環(huán)套接在雙傘絕緣子最頂端的金具上，圓環(huán)上連接有將第一絕緣半環(huán)和第二絕緣半環(huán)連接的固定件，所述第一絕緣半環(huán)和第二絕緣半環(huán)的底端設(shè)置有容納引流線的凹槽，所述引流線貼覆在最頂端的上片絕緣子單元的上表面，該引流線用于測量雙傘絕緣子表面的泄漏電流，所述引流線連接將泄漏電流引至終端的引流導(dǎo)線。本實(shí)用新型提供一種能準(zhǔn)確測量泄漏電流的絕緣子表面微弱電流采集裝置。
文檔編號G01R19/00GK203025299SQ20122074883
公開日2013年6月26日 申請日期2012年12月29日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月29日
發(fā)明者劉記兵 申請人:杭州華聞電力科技有限公司