專利名稱：開(kāi)關(guān)電源的極限峰值電流檢測(cè)電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及開(kāi)關(guān)電源技術(shù)，尤其涉及一種具有溫度補(bǔ)償能力的開(kāi)關(guān)電源的極限峰值電流檢測(cè)電路。
背景技術(shù)：
在內(nèi)置MOSFET晶體管的開(kāi)關(guān)電源中，峰值電流檢測(cè)一直是開(kāi)關(guān)電源的關(guān)鍵點(diǎn)。峰值電流檢測(cè)點(diǎn)的精確度直接影響到輸出功率，進(jìn)而極限峰值電流檢測(cè)點(diǎn)的精確度直接影響到極限輸出功率大小。因此在開(kāi)關(guān)電源領(lǐng)域中，為做到極限輸出功率的一致性，希望極限峰值電流檢測(cè)點(diǎn)在外界條件和接口變化的條件下能夠一致，其中外界條件中需要考慮的一個(gè)重要因數(shù)因素就是“溫度”。因?yàn)樾酒瑑?nèi)置MOSFET晶體管，因此當(dāng)峰值電流大的時(shí)候，芯片功耗會(huì)增大，進(jìn)而芯片溫度會(huì)上升，如果觸發(fā)到高溫下的極限峰值電流則會(huì)直接導(dǎo)致當(dāng)機(jī)，所以溫度是影響極限峰值電流檢測(cè)點(diǎn)的重要因素。圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)中的一種開(kāi)關(guān)電源的極限峰值電流檢測(cè)電路10，其中集成電路芯片內(nèi)置的MOSFET晶體管12的極限峰值電流Is與內(nèi)部檢測(cè)點(diǎn)的對(duì)地電阻Rs有關(guān)，由比
較器11的兩個(gè)輸入端電壓相等的關(guān)系可知IfRf=IsRs,即4 = γ-，其中If表示比較器11的
正輸入端的輸入電流，RF表示的是輸入電流If到地的電阻值。為保證極限峰值電流Is與溫
度無(wú)關(guān)，只需要考慮f比值恒定和If與溫度無(wú)關(guān)這兩個(gè)條件，而Rf和Rs通常是芯片內(nèi)部集
成的電阻，可以用同 種介質(zhì)材料保證比值恒定，另外在集成電路技術(shù)中也很容易保證If與
溫度無(wú)關(guān)。但上述現(xiàn)有技術(shù)有三個(gè)缺陷，一是由于Rs阻值通常很小，而Rf阻值通常又很大，一般而言，無(wú)法用同種介質(zhì)材料既做阻值大的電阻又做阻值小的電阻，否則芯片成本會(huì)很高；二是芯片內(nèi)部的MOSFET晶體管12串聯(lián)電阻Rs導(dǎo)致峰值電流大的時(shí)候損耗很大；三是芯片內(nèi)部集成電阻Rs，電阻Rs上的功耗直接導(dǎo)致溫度上升加劇。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種開(kāi)關(guān)電源的極限峰值電流檢測(cè)電路，能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)極限峰值電流檢測(cè)的溫度補(bǔ)償。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型提供了一種開(kāi)關(guān)電源的極限峰值電流檢測(cè)電路，包括:基準(zhǔn)電流源，其輸出端經(jīng)由第一電阻接地；電壓比較器，其正輸入端連接所述基準(zhǔn)電流源的輸出端；功率MOSFET晶體管，其控制端連接所述電壓比較器的輸出端；其中，所述功率MOSFET晶體管的輸出端直接接地；所述極限峰值電流檢測(cè)電路還包括:[0011]檢測(cè)MOSFET晶體管，其控制端連接所述電壓比較器的輸出端，其輸出端連接所述電壓比較器的負(fù)輸入端并且經(jīng)由第二電阻接地，其輸入端連接所述功率MOSFET晶體管的輸入端，其中所述基準(zhǔn)電流源具有正溫度系數(shù)，所述第一電阻和第二電阻的比值與溫度無(wú)關(guān)，所述檢測(cè)MOSFET晶體管和功率MOSFET晶體管的導(dǎo)通電阻的比值與溫度無(wú)關(guān)。根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，所述檢測(cè)MOSFET晶體管和功率MOSFET晶體管都是N型的。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型具有以下優(yōu)點(diǎn):本實(shí)用新型實(shí)施例的極限峰值電流檢測(cè)電路中，功率MOSFET晶體管的輸出端直接接地，檢測(cè)MOSFET晶體管的控制端和功率MOSFET晶體管的控制端都連接至電壓比較器的輸出端，而檢測(cè)MOSFET晶體管的輸出端連接電壓比較器的負(fù)輸入端并經(jīng)由第二電阻接地。由于檢測(cè)MOSFET晶體管的輸出端直接接地而檢測(cè)MOSFET晶體管的輸出端經(jīng)由第二電阻接地，能夠以較低的成本保證第一電阻和第二電阻的比值恒定，而且也避免了功率MOSFET晶體管的輸出端串聯(lián)電阻導(dǎo)致的功率損耗。

圖1是現(xiàn)有技術(shù)中的一種開(kāi)關(guān)電源的極限峰值電流檢測(cè)電路的電路結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例的開(kāi)關(guān)電源的極限峰值電流檢測(cè)電路的電路結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合具體實(shí)施例和附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說(shuō)明，但不應(yīng)以此限制本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。參考圖2，本實(shí)施例的開(kāi)關(guān)電源的極限峰值電流檢測(cè)電路100包括:基準(zhǔn)電流源If、第一電阻Rf、電壓比較器301、功率MOSFET晶體管303、檢測(cè)MOSFET晶體管302、第二電
阻 Rsen。其中，基準(zhǔn)電流源If的輸出端經(jīng)由第一電阻Rf接地，其產(chǎn)生的基準(zhǔn)電流記為IF，第一電阻Rf的電阻值記為Rf ;電壓比較器301的正輸入端連接基準(zhǔn)電流源If的輸出端，電壓比較器301的負(fù)輸入端連接檢測(cè)MOSFET晶體管302的輸出端，電壓比較器301的輸出端連接功率MOSFET晶體管303和檢測(cè)MOSFET晶體管302的控制端；功率MOSFET晶體管303的輸入端和檢測(cè)MOSFET晶體管302的輸入端相連，功率MOSFET晶體管303的輸出端直接接地，流經(jīng)功率MOSFET晶體管303的極限峰值電流記為Is ;檢測(cè)MOSFET晶體管302的輸出端經(jīng)由第二電阻Rsen接地，流經(jīng)檢測(cè)MOSFET晶體管302的電流記為檢測(cè)電流ISEN。其中，電壓比較器301的正輸入端的電壓信號(hào)由基準(zhǔn)電流源If產(chǎn)生；電壓比較器301的負(fù)輸入端的電壓信號(hào)由檢測(cè)電流Isen和第二電阻Rsen的電阻值Rsen的乘積產(chǎn)生。更加具體而言，所述電壓比較器301的正輸入端連接第一電阻Rf的一端，第一電阻Rf的另一端接地，第一電阻Rf與基準(zhǔn)電流^產(chǎn)生電壓比較器301正輸入端的電壓；電壓比較器301的負(fù)輸入端連接第二電阻Rsen的一端，第二電阻Rsen的另一端接地，第二電阻Rsen與檢測(cè)電流。產(chǎn)生電壓比較器301負(fù)輸入端的電壓。電壓比較器301的負(fù)輸入端同時(shí)也連接檢測(cè)MOSFET晶體管302的源端。 電壓比較器301的輸出端連接檢測(cè)MOSFET晶體管302和功率MOSFET晶體管303的柵極。檢測(cè)MOSFET晶體管302的漏端連接功率MOSFET晶體管303的漏端，功率MOSFET晶體管303的源端接地。作為一個(gè)非限制性的例子，檢測(cè)MOSFET晶體管302和功率MOSFET晶體管303都是N型的。作為一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例，基準(zhǔn)電流源If具有正溫度系數(shù)，第一電阻Rf和第二電阻Rsen的電阻值比值與溫度無(wú)關(guān)，檢測(cè)MOSFET晶體管302和功率MOSFET晶體管303的導(dǎo)通電阻的比值與溫度無(wú)關(guān)。在本實(shí)施例中，電壓比較器301的正輸入端與負(fù)輸入端相等時(shí)，實(shí)現(xiàn)功率MOSFET晶體管303的關(guān)斷，此時(shí)流經(jīng)功率MOSFET晶體管303的電流即為極限峰值電流Is。于是得到:
權(quán)利要求1.一種開(kāi)關(guān)電源的極限峰值電流檢測(cè)電路，包括: 基準(zhǔn)電流源，其輸出端經(jīng)由第一電阻接地； 電壓比較器，其正輸入端連接所述基準(zhǔn)電流源的輸出端； 功率MOSFET晶體管，其控制端連接所述電壓比較器的輸出端； 其特征在于，所述功率MOSFET晶體管的輸出端直接接地；所述極限峰值電流檢測(cè)電路還包括: 檢測(cè)MOSFET晶體管，其控制端連接所述電壓比較器的輸出端，其輸出端連接所述電壓比較器的負(fù)輸入端并且經(jīng)由第二電阻接地，其輸入端連接所述功率MOSFET晶體管的輸入端，其中所述基準(zhǔn)電流源具有正溫度系數(shù)，所述第一電阻和第二電阻的比值與溫度無(wú)關(guān)，所述檢測(cè)MOSFET晶體管和功率MOSFET晶體管的導(dǎo)通電阻的比值與溫度無(wú)關(guān)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的極限峰值電流檢測(cè)電路，其特征在于，所述檢測(cè)MOSFET晶體管和功率MOSFET晶體管都是N型的。
專利摘要本實(shí)用新型提供了一種開(kāi)關(guān)電源的極限峰值電流檢測(cè)電路，包括基準(zhǔn)電流源，輸出端經(jīng)由第一電阻接地；電壓比較器，正輸入端連接基準(zhǔn)電流源的輸出端；功率MOSFET晶體管，控制端連接電壓比較器的輸出端；功率MOSFET晶體管的輸出端直接接地；檢測(cè)MOSFET晶體管，控制端連接電壓比較器的輸出端，輸出端連接電壓比較器的負(fù)輸入端并且經(jīng)由第二電阻接地，輸入端連接功率MOSFET晶體管的輸入端，基準(zhǔn)電流源具有正溫度系數(shù)，第一電阻和第二電阻的比值與溫度無(wú)關(guān)，檢測(cè)MOSFET晶體管和功率MOSFET晶體管的導(dǎo)通電阻的比值與溫度無(wú)關(guān)。本實(shí)用新型能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)極限峰值電流檢測(cè)的溫度補(bǔ)償，并有利于降低成本、減小功耗損失。
文檔編號(hào)G01R19/32GK203011996SQ201220735060
公開(kāi)日2013年6月19日 申請(qǐng)日期2012年12月27日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月27日
發(fā)明者周偉江 申請(qǐng)人:杭州士蘭微電子股份有限公司