專利名稱：一種電容式液位檢測(cè)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型公開(kāi)一種液位檢測(cè)裝置，特別是一種電容式液位檢測(cè)裝置。
背景技術(shù)：
隨著電子技術(shù)的發(fā)展，各種各樣的電子檢測(cè)裝置及檢測(cè)手段在人們生活中的應(yīng)用越來(lái)越多。目前，常用的進(jìn)行液位檢測(cè)的裝置通常是采用電容式液體(位)檢測(cè)裝置進(jìn)行檢測(cè)，現(xiàn)有的市場(chǎng)上出現(xiàn)的電容式液體(位)檢測(cè)裝置，普遍存在著檢測(cè)誤差大，小量液體無(wú)法檢測(cè)等缺點(diǎn)，其原因通常在于檢測(cè)的電容量要求需要比較大，一般的電容式液位檢測(cè)裝置無(wú)法做到精細(xì)檢測(cè)的要求。
發(fā)明內(nèi)容針對(duì)上述提到的現(xiàn)有技術(shù)中的電容式液位檢測(cè)裝置無(wú)法做到精細(xì)檢測(cè)的缺點(diǎn)，本實(shí)用新型提供一種新的電容式液位檢測(cè)裝置，其采用觸摸式電容開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu)對(duì)液位進(jìn)行檢測(cè)，檢測(cè)精度高，對(duì)少量液體也可以進(jìn)行檢測(cè)。本實(shí)用新型解決其技術(shù)問(wèn)題采用的技術(shù)方案是一種電容式液位檢測(cè)裝置，該裝置包括電容檢測(cè)模塊、電容電極、存儲(chǔ)記憶模塊和輸出接口，電容電極連接在電容檢測(cè)模塊的電容接口上，存儲(chǔ)記憶模塊連接在電容檢測(cè)模塊的I/O 口上，電容檢測(cè)模塊的I/O 口上連接有輸出接口。本實(shí)用新型解決其技術(shù)問(wèn)題采用的技術(shù)方案進(jìn)一步還包括所述的裝置中還包括有復(fù)位模塊，復(fù)位模塊連接在電容檢測(cè)模塊的I/O 口上。所述的復(fù)位模塊為鍵控開(kāi)關(guān)。所述的電容檢測(cè)模塊采用型號(hào)為ADPT005的芯片。所述的存儲(chǔ)記憶模塊采用EEPR0M。本實(shí)用新型的有益效果是本實(shí)用新型使用EEPROM作為環(huán)境固有電容記憶模塊，可以做到微小電容量同樣能夠檢測(cè)出來(lái)，本實(shí)用新型的適應(yīng)性更好，適用范圍更廣。本實(shí)用新型可以使用接觸式或非接觸式檢測(cè)方式，可以用于檢測(cè)水、油、有毒液體、腐蝕性液體等。下面將結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步說(shuō)明。

圖I為本實(shí)用新型電路方框圖。圖2為本實(shí)用新型電路原理圖。
具體實(shí)施方式
本實(shí)施例為本實(shí)用新型優(yōu)選實(shí)施方式，其他凡其原理和基本結(jié)構(gòu)與本實(shí)施例相同或近似的，均在本實(shí)用新型保護(hù)范圍之內(nèi)。請(qǐng)參看附圖I和附圖2，本實(shí)用新型主要包括電容檢測(cè)模塊、電容電極、存儲(chǔ)記憶模塊和輸出接口，其中，電容檢測(cè)模塊采用型號(hào)為ADPT005處理器的專用芯片，其自身帶有MCU功能，電容電極連接在電容檢測(cè)模塊的電容接口 TO上，用于檢測(cè)信號(hào)的輸入，存儲(chǔ)記憶模塊連接在電容檢測(cè)模塊的I/O 口上，本實(shí)施例中，存儲(chǔ)記憶模塊采用型號(hào)為24C02的EEPROM芯片，通過(guò)兩個(gè)電容檢測(cè)模塊上的I/O 口模擬成串口與存儲(chǔ)記憶模塊連接，進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸，通過(guò)存儲(chǔ)記憶模塊存儲(chǔ)記憶環(huán)境固有電容。電容檢測(cè)模塊的一個(gè)I/O 口上連接有輸出接口，用于輸出控制信號(hào)。本實(shí)施例中，在電容檢測(cè)模塊的一個(gè)I/O 口上還連接有復(fù)位模塊，復(fù)位模塊為鍵控開(kāi)關(guān)，具體實(shí)施時(shí)，也可以通過(guò)高低電平控制此復(fù)位腳電平的高低，實(shí)現(xiàn)復(fù)位。本實(shí)用新型在使用時(shí)，經(jīng)處理器控制存儲(chǔ)記憶模塊進(jìn)行環(huán)境電容記憶，記錄電極處的電容量，作為液體變化的基準(zhǔn)量。從而可以提高液體變化的微小電容量變化及環(huán)境對(duì)檢測(cè)的影響，從而得到精確的液體檢測(cè)結(jié)果。當(dāng)液體在電極處變化時(shí)，電極檢測(cè)腳上電容量會(huì)隨著液體的有或無(wú)而變化，此時(shí)可以輸出相對(duì)應(yīng)液體有無(wú)的信號(hào)，完成檢測(cè)。當(dāng)固有電極環(huán)境值改變時(shí)，只需要進(jìn)行復(fù)位一次就可以重新設(shè)定新的基準(zhǔn)值，將其存儲(chǔ)在存儲(chǔ)記憶模塊中。本實(shí)用新型使用EEPROM作為環(huán)境固有電容記憶模塊，可以做到微小電容量同樣能夠檢測(cè)出來(lái)，本實(shí)用新型的適應(yīng)性更好，適用范圍更廣。本實(shí)用新型可以使用接觸式或非接觸式檢測(cè)方式，可以用于檢測(cè)水、油、有毒液體、腐蝕性液體等。
權(quán)利要求1.一種電容式液位檢測(cè)裝置，其特征是所述的裝置包括電容檢測(cè)模塊、電容電極、存儲(chǔ)記憶模塊和輸出接口，電容電極連接在電容檢測(cè)模塊的電容接口上，存儲(chǔ)記憶模塊連接 在電容檢測(cè)模塊的I/o 口上，電容檢測(cè)模塊的I/O 口上連接有輸出接口。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電容式液位檢測(cè)裝置，其特征是所述的裝置中還包括有復(fù)位模塊，復(fù)位模塊連接在電容檢測(cè)模塊的I/O 口上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電容式液位檢測(cè)裝置，其特征是所述的復(fù)位模塊為鍵控開(kāi)關(guān)。
4.根據(jù)權(quán)利要求I或2或3所述的電容式液位檢測(cè)裝置，其特征是所述的電容檢測(cè)模塊采用型號(hào)為ADPT005的芯片。
5.根據(jù)權(quán)利要求I或2或3所述的電容式液位檢測(cè)裝置，其特征是所述的存儲(chǔ)記憶模塊采用EEPROM。
專利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)一種電容式液位檢測(cè)裝置，該裝置包括電容檢測(cè)模塊、電容電極、存儲(chǔ)記憶模塊和輸出接口，電容電極連接在電容檢測(cè)模塊的電容接口上，存儲(chǔ)記憶模塊連接在電容檢測(cè)模塊的I/O口上，電容檢測(cè)模塊的I/O口上連接有輸出接口。本實(shí)用新型使用EEPROM作為環(huán)境固有電容記憶模塊，可以做到微小電容量同樣能夠檢測(cè)出來(lái)，本實(shí)用新型的適應(yīng)性更好，適用范圍更廣。本實(shí)用新型可以使用接觸式或非接觸式檢測(cè)方式，可以用于檢測(cè)水、油、有毒液體、腐蝕性液體等。
文檔編號(hào)G01F23/26GK202748099SQ20122041648
公開(kāi)日2013年2月20日 申請(qǐng)日期2012年8月22日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月22日
發(fā)明者肖興朝, 林慶光, 燕彩虹 申請(qǐng)人:深圳市阿達(dá)電子有限公司