專利名稱：晶閘管擊穿檢測電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種晶閘管擊穿檢測電路，屬于電機控制技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
目前，國內(nèi)的電動機換相控制系統(tǒng)以晶閘管作為無觸點開關(guān)，代替機械開關(guān)控制，控制系統(tǒng)采用電氣互鎖，控制電動機的換相操作，在晶閘管主電路工作正常的情況下可避免相間短路。由于晶閘管是一種受控半導(dǎo)體開關(guān)元件，在使用過程中難免出現(xiàn)擊穿、開路等失效情況。而晶閘管失效后，會影響設(shè)備的正常運行，甚至?xí)斐上嚅g短路等嚴重故障，危及設(shè)備和人身安全。而目前的晶閘管檢測電路，僅僅進行故障識別而無法向晶閘管控制電路反饋信號，無法保障設(shè)備和人身安全。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明為解決現(xiàn)有的晶閘管檢測技術(shù)存在的僅僅進行故障識別而無法向晶閘管控制電路反饋信號的問題，進而提供了一種晶閘管擊穿檢測電路。為此，本發(fā)明提出了如下的技術(shù)方案晶閘管擊穿檢測電路，包括光電耦合電路和觸發(fā)電路，所述光電耦合電路的采樣信號輸入端與待測晶閘管的電壓信號輸出端連接，所述光電耦合電路的開光量信號輸出端與所述觸發(fā)電路的開關(guān)量信號輸入端連接，所述觸發(fā)電路的觸發(fā)信號輸出端與所述北側(cè)晶閘管的觸發(fā)信號輸入端連接。本發(fā)明通過對晶閘管的陽極與陰極之間的電壓進行采樣，并輸出一個開關(guān)量信號，當(dāng)晶閘管擊穿時其陽極與陰極之間的電壓接近零伏特，電路輸出高電平開關(guān)量信號，晶閘管沒有擊穿時則輸出低電平開關(guān)量信號，晶閘管觸發(fā)裝置收到低電平開關(guān)量信號，輸出觸發(fā)信號，使晶閘管導(dǎo)通；晶閘管觸發(fā)裝置收到高電平開關(guān)量信號，則不輸出觸發(fā)信號，避免因晶閘管擊穿而引發(fā)人身及設(shè)備安全事故。


圖1為本發(fā)明的具體實施方式
提供的晶閘管擊穿檢測電路的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為現(xiàn)有的晶閘管狀態(tài)檢測電路的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明的實施例一提供的晶閘管擊穿檢測電路的電路結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本發(fā)明的實施例二提供的晶閘管擊穿檢測電路的電路結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式下面對本發(fā)明做進一步的詳細說明本實施例在以本發(fā)明技術(shù)方案為前提下進行實施，給出了詳細的實施方式，但本發(fā)明的保護范圍不限于下述實施例。本具體實施方式
提供了一種晶閘管擊穿檢測電路，如圖1所示，包括光電耦合電路和觸發(fā)電路，所述光電耦合電路的采樣信號輸入端與待測晶閘管的電壓信號輸出端連接，所述光電耦合電路的開光量信號輸出端與所述觸發(fā)電路的開關(guān)量信號輸入端連接，所述觸發(fā)電路的觸發(fā)信號輸出端與所述北側(cè)晶閘管的觸發(fā)信號輸入端連接。現(xiàn)有的晶閘管狀態(tài)檢測電路如圖2所示，主要由電源電路、觸發(fā)電路和檢測結(jié)果指示構(gòu)成。其中的電源電路為待檢測的晶閘管提供導(dǎo)通電壓，觸發(fā)電路為待檢測的晶閘管提供觸發(fā)信號，檢測結(jié)果指示電路識別晶閘管是否失效及失效模式。本具體實施方式
提供的晶閘管擊穿檢測電路的工作原理是采樣電路對晶閘管陽極與陰極間的電壓進行采樣，米樣信號輸入光電隔離電路的控制端，當(dāng)輸入的米樣信號為高電平時，光電隔離電路輸出的開關(guān)量信號控制晶閘管觸發(fā)電路輸出觸發(fā)信號，當(dāng)輸入的采樣信號為低電平時，光電隔離電路輸出的開關(guān)量信號控制晶閘管觸發(fā)電路切斷觸發(fā)信號。下面結(jié)合具體的實施例對本具體實施方式
提供的晶閘管狀態(tài)檢測電路的工作過程作具體說明。實施例一如圖3所示，如果晶閘管未導(dǎo)通的情況下，取樣端ACl、AC2為晶閘管兩端交流高電壓(相對于晶閘管導(dǎo)通時兩端電壓僅為管壓降而言)，當(dāng)晶閘管沒有導(dǎo)通時兩端電壓由DQl整流為脈動直流，使光電耦合器Ul導(dǎo)通，其輸出端(OUT端)取到的是脈動的低電平(因光電耦合器輸入端是脈動的直流)，然后利用后端的可編程邏輯電路、或者模擬電路等等的濾波、判斷可控硅的狀態(tài)。如果這時可控硅應(yīng)該是導(dǎo)通的狀態(tài)，檢測到的卻是脈動的低電平信號就可以判斷可控硅為開路的損壞狀態(tài)。如果晶閘管導(dǎo)通的情況下，取樣端AC1、AC2為晶閘管兩端電壓僅為管壓降所以不能支持光電耦合器輸入端的導(dǎo)通所以其輸出端(OUT端)取到的是高電平，然后利用后端的可編程邏輯電路、或者模擬電路等等的濾波、判斷可控硅的狀態(tài)。如果這時可控硅應(yīng)該是截止的狀態(tài)，檢測到的卻是高電平信號就可以判斷可控硅為擊穿的損壞狀態(tài)。實施例二如圖4所示，本實施例中的晶閘管狀態(tài)檢測電路工作原理與實施例一中的晶閘管狀態(tài)檢測電路相同，只是利用光電耦合器輸入端雙向?qū)ǖ谋憷?，?jié)省了圖3中的整流橋DQl，使電路更加簡潔。采用本具體實施方式
提供的技術(shù)方案，通過對晶閘管的陽極與陰極之間的電壓進行采樣，并輸出一個開關(guān)量信號，當(dāng)晶閘管擊穿時其陽極與陰極之間的電壓接近零伏特，電路輸出高電平開關(guān)量信號，晶閘管沒有擊穿時則輸出低電平開關(guān)量信號，晶閘管觸發(fā)裝置收到低電平開關(guān)量信號，輸出觸發(fā)信號，使晶閘管導(dǎo)通；晶閘管觸發(fā)裝置收到高電平開關(guān)量信號，則不輸出觸發(fā)信號，避免因晶閘管擊穿而引發(fā)人身及設(shè)備安全事故。以上所述，僅為本發(fā)明較佳的具體實施方式
，這些具體實施方式
都是基于本發(fā)明整體構(gòu)思下的不同實現(xiàn)方式，而且本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護范圍應(yīng)該以權(quán)利要求書的保護范圍為準。
權(quán)利要求
1.晶閘管擊穿檢測電路，其特征在于，包括光電耦合電路和觸發(fā)電路，所述光電耦合電路的采樣信號輸入端與待測晶閘管的電壓信號輸出端連接，所述光電耦合電路的開光量信號輸出端與所述觸發(fā)電路的開關(guān)量信號輸入端連接，所述觸發(fā)電路的觸發(fā)信號輸出端與所述北側(cè)晶閘管的觸發(fā)信號輸入端連接。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種晶閘管擊穿檢測電路，包括光電耦合電路和觸發(fā)電路，所述光電耦合電路的采樣信號輸入端與待測晶閘管的電壓信號輸出端連接，所述光電耦合電路的開光量信號輸出端與所述觸發(fā)電路的開關(guān)量信號輸入端連接，所述觸發(fā)電路的觸發(fā)信號輸出端與所述北側(cè)晶閘管的觸發(fā)信號輸入端連接。本發(fā)明通過對晶閘管的陽極與陰極之間的電壓進行采樣，當(dāng)晶閘管擊穿時其陽極與陰極之間的電壓接近零伏特，電路輸出高電平開關(guān)量信號，晶閘管沒有擊穿時則輸出低電平開關(guān)量信號，晶閘管觸發(fā)裝置收到低電平開關(guān)量信號，輸出觸發(fā)信號，使晶閘管導(dǎo)通；晶閘管觸發(fā)裝置收到高電平開關(guān)量信號，則不輸出觸發(fā)信號，避免因晶閘管擊穿而引發(fā)人身及設(shè)備安全事故。
文檔編號G01R31/27GK103018653SQ201210516549
公開日2013年4月3日 申請日期2012年12月5日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月5日
發(fā)明者魯廣斌, 關(guān)慧軍 申請人:齊齊哈爾齊力達電子有限公司