變送器和控制其發(fā)光單元的方法
【專利摘要】本公開提供一種變送器和控制其發(fā)光單元的方法。變送器包括：發(fā)光單元；發(fā)光控制單元，用于控制發(fā)光單元的打開和關(guān)閉；與發(fā)光控制單元耦合的磁性傳感器；以及能夠在遮蓋發(fā)光單元的關(guān)閉位置和曝露發(fā)光單元的打開位置之間切換的附有磁體的蓋構(gòu)件，其中在蓋構(gòu)件處于關(guān)閉位置的情況下，磁性傳感器能夠根據(jù)磁體的磁場產(chǎn)生表示蓋構(gòu)件處于關(guān)閉位置的輸出，其中，發(fā)光控制單元被配置為根據(jù)輸出控制發(fā)光單元，使得在存在表示蓋構(gòu)件處于關(guān)閉位置的輸出的情況下發(fā)光單元關(guān)閉。
【專利說明】變送器和控制其發(fā)光單元的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及變送器，及對其發(fā)光單元進行控制的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]應(yīng)用于工業(yè)現(xiàn)場、能輸出標準信號的傳感器被稱為變送器。變送器將通過感測獲得的物理測量信號或普通電信號轉(zhuǎn)換為標準電信號輸出或以通訊協(xié)議方式輸出。
[0003]為了便于現(xiàn)場操作者設(shè)置變送器參數(shù)、檢查變送器工作狀態(tài)、現(xiàn)場獲取感測數(shù)據(jù)，變送器上普遍設(shè)置有顯示各種參數(shù)和感測數(shù)據(jù)的顯示面板和/或用于設(shè)置各種參數(shù)的操作面板，諸如觸摸屏等。
[0004]由于變送器被設(shè)置在工業(yè)現(xiàn)場，而工業(yè)現(xiàn)場的環(huán)境非常復(fù)雜，直接曝露在外的輸入面板可能因為各種原因被誤操作，例如，樹枝掉落或飛鳥停落造成的誤輸入。
[0005]此外，在現(xiàn)有的變送器中，無論是否有操作員進行觀看或操作，顯示面板和/或操作面板的背光一直處于打開狀態(tài)，造成了電力的浪費。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本申請的目的是提供一種可以避免由于現(xiàn)場環(huán)境造成的操作面板的誤操作的變送器，該變送器可以適時關(guān)閉其上的發(fā)光單元。
[0007]此外，本申請的另一個目的是提供一種可以適時關(guān)閉變送器上的發(fā)光單元的控制方法。
[0008]根據(jù)本發(fā)明一個方面，提供一種變送器，包括:發(fā)光單元；發(fā)光控制單元，用于控制發(fā)光單元的打開和關(guān)閉；與發(fā)光控制單元耦合的磁性傳感器；以及能夠在遮蓋發(fā)光單元的關(guān)閉位置和曝露發(fā)光單元的打開位置之間切換的附有磁體的蓋構(gòu)件，其中在蓋構(gòu)件處于關(guān)閉位置的情況下，磁性傳感器能夠根據(jù)磁體的磁場產(chǎn)生表示蓋構(gòu)件處于關(guān)閉位置的輸出，其中，發(fā)光控制單元被配置為根據(jù)輸出控制發(fā)光單元，使得在存在表示蓋構(gòu)件處于關(guān)閉位置的輸出的情況下發(fā)光單元關(guān)閉。
[0009]根據(jù)本發(fā)明另一個方面，提供一種控制變送器上的發(fā)光單元的方法，包括:使變送器的附有磁體的蓋構(gòu)件能夠在遮蓋發(fā)光單元的關(guān)閉位置和曝露發(fā)光單元的打開位置之間切換；檢測磁體的磁場，以在蓋構(gòu)件處于關(guān)閉位置的情況下，根據(jù)磁體的磁場產(chǎn)生表示蓋構(gòu)件處于關(guān)閉位置的輸出；以及根據(jù)輸出控制發(fā)光單元，使得在存在表示蓋構(gòu)件處于關(guān)閉位置的輸出的情況下發(fā)光單元關(guān)閉。
[0010]使用根據(jù)本申請的變送器和控制變送器上的發(fā)光單元的方法，可以有效地避免由于復(fù)雜的現(xiàn)場環(huán)境造成的對變送器上的操作面板的誤操作。此外，可以根據(jù)需要適時關(guān)閉變送器上的發(fā)光單元，諸如變送器的顯示面板/操作面板的背光單元。從而，減小不必要的電力消耗。
【專利附圖】

【附圖說明】[0011]參照下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的實施例的說明，會更加容易地理解本發(fā)明的以上和其它目的、特點和優(yōu)點。在附圖中，相同的或?qū)?yīng)的技術(shù)特征或部件將采用相同或?qū)?yīng)的附圖標記來表示。在附圖中不必依照比例繪制出單元的尺寸和相對位置。
[0012]圖1是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的變送器的結(jié)構(gòu)的框圖；
[0013]圖2是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的磁體磁場檢測示意圖；
[0014]圖3是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的磁性傳感器根據(jù)磁體的磁場產(chǎn)生的電壓信號的示意圖；
[0015]圖4是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的發(fā)光單元控制方法的流程圖；
[0016]圖5是示出根據(jù)本發(fā)明另一個實施例的發(fā)光單元控制方法的流程圖；
[0017]圖6是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的變送器的實例的立體圖；
[0018]圖7是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的磁性傳感器與發(fā)光控制單元的連接的電路圖。
【具體實施方式】
[0019]下面參照附圖來說明本發(fā)明的實施例。應(yīng)當注意，為了清楚的目的，附圖和說明中省略了與本發(fā)明無關(guān)的、本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的部件和處理的表示和描述。
[0020]如圖1中所示，變送器100包括發(fā)光單元101、發(fā)光控制單元102、磁性傳感器103，以及附有磁體I的蓋構(gòu)件104。
[0021]發(fā)光單元101可以例如是為變送器上所設(shè)置的顯示單元和/或操作單元提供背光的背光單元。
[0022]發(fā)光控制單元102對發(fā)光單元101的打開和關(guān)閉進行控制。蓋構(gòu)件104能夠在遮蓋發(fā)光單元101的關(guān)閉位置和曝露發(fā)光單元101的打開位置之間切換(圖1中未示出這種位置關(guān)系)。磁性傳感器103與發(fā)光控制單元102耦合，從而能夠與發(fā)光控制單元102進行通信。磁性傳感器103能夠在蓋構(gòu)件104處于上述關(guān)閉位置的情況下，根據(jù)磁體I的磁場產(chǎn)生表示蓋構(gòu)件104處于關(guān)閉位置的輸出，并將該輸出提供給發(fā)光控制單元102。發(fā)光控制單元102被配置為根據(jù)該表示蓋構(gòu)件104處于關(guān)閉位置的輸出來控制發(fā)光單元101，使得在存在表示蓋構(gòu)件104處于關(guān)閉位置的輸出的情況下，發(fā)光單元101關(guān)閉。
[0023]發(fā)光單元101可以采用任何形式的發(fā)光器件，諸如發(fā)光二極管等。
[0024]發(fā)光控制單元102可以以任何方式來實現(xiàn)。在變送器100設(shè)置有微處理器的情況下，可以通過該微處理器來實現(xiàn)發(fā)光控制單元102的功能。當然，可選擇地，也可以使用單獨的器件來實現(xiàn)發(fā)光控制單元102的功能。
[0025]磁性傳感器103可以根據(jù)具體需要，諸如現(xiàn)場環(huán)境等，選用市面上可以得到的任何磁性傳感器。例如,可以采用AMR IC (異性磁電阻集成電路)，諸如村田制作所的AS — M系列。或者，可以采用使用霍爾元件構(gòu)造的任何磁性檢測器。
[0026]磁體I所使用的磁體的種類、體積、磁性大小都可以依據(jù)設(shè)計需要、所采用磁性傳感器的要求等來確定。由于變送器用于各種復(fù)雜的現(xiàn)場環(huán)境，可能受到各種干擾，因而優(yōu)選使用磁性較大的磁體，必要時可以選用體積較大的磁體，從而保證感測的準確度。
[0027]蓋構(gòu)件104的構(gòu)造和形式、磁體I附于蓋構(gòu)件104上的位置以及磁體I的布置與磁場傳感器103的布置的位置關(guān)系將在后面的實施例中，例如圖6所示的實施例中，進行描述。[0028]圖2中示出磁場傳感器103對磁體I的磁場進行檢測的示意圖。隨著附有磁體I的蓋構(gòu)件104在遮蓋發(fā)光單元101的關(guān)閉位置和曝露發(fā)光單元101的打開位置之間切換，布置在變送器100中的磁性傳感器103切割磁體I所產(chǎn)生磁場的磁力線。從而，磁性傳感器103檢測到由于與磁體I的距離發(fā)生變化而導(dǎo)致的所感測的磁場的變化。具體來說，當磁體I逐漸接近磁性傳感器103時，磁性傳感器103所感測到的磁體I的磁場強度逐漸增強；當磁體I逐漸遠離磁性傳感器時，磁性傳感器103所感測到的磁體I的磁場強度逐漸減弱。因此，根據(jù)磁性傳感器103所感測到的磁場強度的變化，可以確定磁體I與磁性傳感器103之間的距離，從而進一步確定蓋構(gòu)件104的打開和關(guān)閉狀態(tài)。
[0029]在一些實施例中，例如，磁性傳感器103可以在所檢測的磁場強度高于或低于預(yù)定閾值的情況下，產(chǎn)生表示蓋構(gòu)件104處于關(guān)閉位置的輸出。
[0030]關(guān)于閾值的設(shè)置，例如，可以將蓋構(gòu)件104打開到特定程度時的磁場強度設(shè)置為閾值。該打開的特定程度例如指:蓋構(gòu)件104即將到達關(guān)閉位置的程度、蓋構(gòu)件104打開1/3的程度等。在閾值設(shè)定完成后，在磁性傳感器103所檢測到的磁場強度高于或低于該設(shè)定閾值的情況下，磁性傳感器103產(chǎn)生表示蓋構(gòu)件104處于打開/關(guān)閉位置的輸出。
[0031]例如，當磁體I與磁性傳感器103之間的距離被設(shè)置為隨著蓋構(gòu)件104從打開位置切換到關(guān)閉位置而變小時，在所檢測的磁場強度高于預(yù)定閾值時，磁性傳感器103產(chǎn)生表示蓋構(gòu)件104處于關(guān)閉位置的輸出。當磁體I與磁性傳感器103之間的距離被設(shè)置為隨著蓋構(gòu)件104從打開位置切換到關(guān)閉位置而變大時，在所檢測的磁場強度低于預(yù)定閾值時，磁性傳感器103產(chǎn)生表不蓋構(gòu)件104處于關(guān)閉位置的輸出。
[0032]在一些實施例中，為了能夠更加準確地確定蓋構(gòu)件104是處于打開位置還是關(guān)閉位置，可以將磁體I和磁性傳感器103布置為使得在蓋構(gòu)件104從最大程度打開位置到關(guān)閉位置，或反之從關(guān)閉位置到最大程度打開位置操作時，磁體I在磁性傳感器103處產(chǎn)生的磁場的強度單調(diào)變化。例如，單調(diào)變大，或單調(diào)減小。
[0033]圖3中示意性示出了磁性傳感器103根據(jù)磁體I的磁場產(chǎn)生的電壓信號。其中，附圖標記“N”表示磁體磁場的N極，“S”表示磁體磁場的S極。Mtff和Mkp是如上面描述的所確定的閾值。如圖3的實線箭頭所示，當磁體I逐漸接近磁性傳感器103，磁性傳感器103檢測到的磁場強度超過時，磁性傳感器103的輸出電壓Votit從高電平Vffl變?yōu)榈碗娖郊僭O(shè)在一些實施例中，在蓋構(gòu)件104從打開位置向關(guān)閉位置操作的過程中，蓋構(gòu)件104上所附的磁體I逐漸靠近磁性傳感器103，則磁性傳感器103檢測到的磁場強度越來越強。當所檢測到的磁場強度大于時，可以確定蓋構(gòu)件104已經(jīng)從打開位置切換到了關(guān)閉位置。這時，磁性傳感器103產(chǎn)生表示蓋構(gòu)件處于關(guān)閉位置的輸出。如圖3所示，磁性傳感器103產(chǎn)生從高電平Vra變?yōu)榈碗娖絍a的輸出電壓VTOT。
[0034]磁性傳感器103被配置為與發(fā)光控制單兀102稱合。磁性傳感器103的信號輸出端與發(fā)光控制單元102的信號輸入端耦合。當發(fā)光控制單元102發(fā)現(xiàn)存在表示蓋構(gòu)件104處于關(guān)閉位置的輸出的情況下，例如，當發(fā)光控制單元102發(fā)現(xiàn)存在輸出電壓Vtot從高電平V0H到低電平的跳變時，或者，當發(fā)光控制單元102發(fā)現(xiàn)存在具有低電平Va的輸出電壓Vqut時，發(fā)光控制單元102使得發(fā)光單元101關(guān)閉或保持在關(guān)閉狀態(tài)。
[0035]下面結(jié)合圖4所示發(fā)光控制單元控制方法的流程對控制變送器中的發(fā)光單元的方法進行說明。[0036]在步驟S401中，使附有磁體I的蓋構(gòu)件104能夠在遮蓋發(fā)光單元101的關(guān)閉位置和曝露發(fā)光單元101的打開位置之間進行切換。
[0037]在步驟S402中，使用磁性傳感器103檢測磁體I產(chǎn)生的磁場。隨著磁體I附著于其上的蓋構(gòu)件104在打開和關(guān)閉位置之間切換，磁體I與磁性傳感器103的距離發(fā)生變化。磁性傳感器103切割磁體I的磁場，從而檢測磁場強度的變化。
[0038]在步驟S403中，在蓋構(gòu)件104處于關(guān)閉位置的情況下，磁性傳感器103根據(jù)磁體I的磁場產(chǎn)生表示蓋構(gòu)件104處于關(guān)閉位置的輸出。例如，磁性傳感器103根據(jù)所檢測到的磁場強度和預(yù)設(shè)的閾值確定蓋構(gòu)件104是否處于關(guān)閉位置。在確定蓋構(gòu)件104是處于關(guān)閉位置的情況下，磁性傳感器103產(chǎn)生表示蓋構(gòu)件104處于關(guān)閉位置的輸出，并將其輸送到發(fā)光控制單元102。
[0039]在步驟S404中，發(fā)光控制單元102根據(jù)來自磁性傳感器103的輸入控制發(fā)光單元101，使得發(fā)光單元101關(guān)閉或保持在關(guān)閉狀態(tài)。
[0040]回到圖3，在一些實施例中，除利用圖3中的實線箭頭所示出的輸出信號變化，還可以同時考慮這樣的情況:如虛線箭頭所示，當磁體I逐漸遠離磁性傳感器103，磁性傳感器103檢測到的磁場強度低于閾值Mkp時,磁性傳感器103的輸出電壓Votjt從低電平V(^變?yōu)槁勲娖絍QH。
[0041]例如，在一些實施例中，在蓋構(gòu)件104從打開位置向關(guān)閉位置操作的過程中，蓋構(gòu)件104上所附的磁體I逐漸靠近磁性傳感器，則磁性傳感器103檢測到的磁場強度越來越強。當所檢測到的磁場強度大于時，可以確定蓋構(gòu)件104已經(jīng)從打開位置切換到了關(guān)閉位置。這時，磁性傳感器103產(chǎn)生表示蓋構(gòu)件處于關(guān)閉位置的輸出。如圖3所示，磁性傳感器103產(chǎn)生從高電平Vra變?yōu)榈碗娖絍a的輸出電壓VQUT。
[0042]相反，在蓋構(gòu)件104被從關(guān)閉位置向打開位置操作的過程中，蓋構(gòu)件104上所附的磁體I逐漸遠離磁性傳感器，則磁性傳感器103檢測到的磁場強度越來越弱。當所檢測到的磁場強度低于Mkp時，可以確定蓋構(gòu)件104已經(jīng)從關(guān)閉位置切換到了打開位置。這時，磁性傳感器103產(chǎn)生表示蓋構(gòu)件處于打開位置的輸出。諸如圖3的示例，磁性傳感器103產(chǎn)生從低電平V變?yōu)楦唠娖絍ffl的輸出電壓VTOT。
[0043]磁性傳感器103的信號輸出端與發(fā)光控制單元102的信號輸入端耦合。當發(fā)光控制單元102發(fā)現(xiàn)存在表示蓋構(gòu)件104處于關(guān)閉位置的輸出的情況下，例如，當發(fā)光控制單元102發(fā)現(xiàn)存在輸出電壓Vqut從高電平Vqh到低電平VQl的跳變時，或者，當發(fā)光控制單元102發(fā)現(xiàn)存在低電平V的輸出電壓Vqut時，發(fā)光控制單元102使得發(fā)光單元101關(guān)閉或保持在關(guān)閉狀態(tài)。
[0044]當發(fā)光控制單元102發(fā)現(xiàn)存在表示蓋構(gòu)件104處于打開位置的輸出的情況下，例如，當發(fā)光控制單元102發(fā)現(xiàn)存在輸出電壓Votit從低電平到高電平Vffl的跳變時，或者，當發(fā)光控制單元102發(fā)現(xiàn)存在高電平Vra的輸出電壓Vtot時，發(fā)光控制單元102使得發(fā)光單元101打開或保持在打開狀態(tài)。
[0045]圖3中，和Mkp顯示為不同的值。當然，可選擇地，例如在對操作準確性要求不高的情況下，Mw和Mkp可以采用相同的值。圖3中所示Mtff和Mkp之間的區(qū)域稱為磁滯區(qū)域。設(shè)置磁滯區(qū)域的目的之一是防止間歇電震。
[0046]下面結(jié)合圖5對根據(jù)另一個實施例的發(fā)光單元控制方法進行描述。[0047]在步驟S501中，與在圖4的步驟S401中相同，使附有磁體I的蓋構(gòu)件104能夠在遮蓋發(fā)光單元101的關(guān)閉位置和曝露發(fā)光單元101的打開位置之間進行切換。
[0048]在步驟S502中，與在圖4的步驟S402中相同，使用磁性傳感器103檢測磁體I產(chǎn)生的磁場。隨著磁體I附著于其上的蓋構(gòu)件104在打開和關(guān)閉位置之間切換，磁體I與磁性傳感器103的距離發(fā)生變化。磁性傳感器103切割磁體I的磁場，從而檢測磁場強度的變化。
[0049]在蓋構(gòu)件104處于關(guān)閉位置的情況下,磁性傳感器103根據(jù)磁體I的磁場產(chǎn)生表示蓋構(gòu)件104處于關(guān)閉位置的輸出。例如，在步驟S503中，磁性傳感器103根據(jù)所檢測到的磁場強度和預(yù)設(shè)的閾值確定蓋構(gòu)件104是否處于關(guān)閉位置。如果確定蓋構(gòu)件104是處于關(guān)閉位置則進行到步驟S504。
[0050]在步驟S504中，磁性傳感器103產(chǎn)生表示蓋構(gòu)件104處于關(guān)閉位置的輸出，并將其輸送到發(fā)光控制單元102。
[0051]在步驟S505中，與在圖4的步驟S404中相同，發(fā)光控制單元102根據(jù)來自磁性傳感器103的輸入控制發(fā)光單元101，使得發(fā)光單元101關(guān)閉(進行關(guān)閉操作或保持關(guān)閉狀態(tài))。
[0052]與圖4所示實施例不同地，例如，在步驟S503中磁性傳感器103確定蓋構(gòu)件104不是處于關(guān)閉位置而是處于打開位置時，進行到步驟S506。
[0053]在步驟S506中，磁性傳感器103產(chǎn)生表示蓋構(gòu)件104處于打開位置的輸出，并將其輸送到發(fā)光控制單元102。
[0054]在步驟S507中，發(fā)光控制單元102根據(jù)來自磁性傳感器103的輸入控制發(fā)光單元101，使得發(fā)光單元101打開(進行打開操作或保持打開狀態(tài))。
[0055]下面結(jié)合圖6所示根據(jù)本發(fā)明實施例的變送器的實例的立體圖，對蓋構(gòu)件104的構(gòu)造形式以及磁體與磁性傳感器的布置位置關(guān)系進行描述。在該實施例中，蓋構(gòu)件被配置為掀蓋式?？梢岳斫?根據(jù)變送器的發(fā)光單元的布置和形狀的區(qū)別，以及其它設(shè)計考慮，還可以將蓋構(gòu)件配置為滑蓋式以及其它任何形式。例如，可以構(gòu)造這樣的蓋構(gòu)件:該蓋構(gòu)件包括至少兩個部分，各部分彼此間隔開的狀態(tài)對應(yīng)于曝露發(fā)光單元的打開位置，各部分彼此相接的狀態(tài)對應(yīng)于蓋構(gòu)件遮蓋發(fā)光單元的關(guān)閉位置。這種蓋構(gòu)件的實例之一是剪刀型的蓋構(gòu)件，或者，可以是類似相機鏡頭蓋似的蓋構(gòu)件。
[0056]圖6中分別用矩形和正方形標記示例性示出了磁體I和磁性傳感器103的位置。但可以理解:這里，無論磁體I在蓋構(gòu)件104上的位置、磁性傳感器103在變送器100主體上的位置，以及磁體I和磁性傳感器103的相對位置都只是示例性的，根據(jù)設(shè)計需要，諸如蓋構(gòu)件104所采用的形式不同等因素，還可以有其它各種設(shè)置方式，只要在蓋構(gòu)件104在打開位置和關(guān)閉位置之間切換時，磁性傳感器103切割磁力線即可。
[0057]在圖6中所示實施例中，磁體I安裝在蓋構(gòu)件104遠離掀動軸的一端。其優(yōu)點是當蓋構(gòu)件104從最大程度的打開位置到關(guān)閉位置切換時，磁體I與磁性傳感器103之間的距離變化最大。在該實施例中，當蓋構(gòu)件處在關(guān)閉位置時，磁體I與磁性傳感器103之間的距離最近，磁性傳感器103感測到的磁場強度最大。相反，當蓋構(gòu)件104處于最大程度的打開位置時，磁體I與磁性傳感器103之間的距離最遠，磁性傳感器103感測到的磁場強度最弱。在該實施例中，磁性傳感器103可以在感測到的磁場強度高于預(yù)定閾值時，輸出表示蓋構(gòu)件104處于關(guān)閉位置的輸出。此外，還可以在磁場強度低于相同預(yù)定閾值，或另一較低預(yù)定閾值時，輸出表不蓋構(gòu)件104處于打開位置的輸出，以作為發(fā)光控制單兀102控制發(fā)光單元101開、關(guān)的依據(jù)。
[0058]選擇另一較低預(yù)定閾值的目的之一是:可以使蓋構(gòu)件104掀開到一定程度時，磁性傳感器103才產(chǎn)生表不蓋構(gòu)件104打開的輸出，從而發(fā)光控制單兀102根據(jù)該輸出打開發(fā)光單元101。
[0059]在另外的實施例中，當蓋構(gòu)件104被構(gòu)造為滑蓋型時，可以將磁體I設(shè)置在滑蓋的最前端，而將磁性傳感器103設(shè)置在滑蓋末端一側(cè)的變送器側(cè)壁上。當蓋構(gòu)件104處在關(guān)閉位置時，滑蓋最前端遠離末端一側(cè)的變送器側(cè)壁，磁性傳感器103檢測到的磁場較弱。當蓋構(gòu)件104處在打開位置時，滑蓋最前端收回到末端一側(cè)，因而靠近磁性傳感器103。在這種情況下，磁性傳感器103所檢測到的磁場較強。因而，在該實施例中，磁性傳感器103可以在感測到的磁場強度低于預(yù)定閾值時，輸出表示蓋構(gòu)件104處于關(guān)閉位置的輸出。此外，還可以在磁場強度高于相同預(yù)定閾值，或高于另一較高預(yù)定閾值時，輸出表示蓋構(gòu)件104處于打開位置的輸出，以作為發(fā)光控制單元102控制發(fā)光單元101開、關(guān)的依據(jù)。
[0060]同樣，選擇另一較高預(yù)定閾值的目的之一是:可以使蓋構(gòu)件104滑開到一定程度時，磁性傳感器103才產(chǎn)生表不蓋構(gòu)件104打開的輸出，從而發(fā)光控制單兀102根據(jù)該輸出打開發(fā)光單元101。
[0061]下面結(jié)合圖7說明發(fā)光控制單元102的實現(xiàn)，以及磁性傳感器103與發(fā)光控制單元102的電路連接。圖7是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的磁性傳感器103與發(fā)光控制單元102的連接的電路圖。
[0062]通常使用的磁性傳感器芯片一般有三個管腳。如圖7所示，分別是用于提供芯片電源的Vdd管腳、接地的GND管腳以及進行數(shù)據(jù)傳輸?shù)腣out管腳。
[0063]變送器中設(shè)置有用于對感測到的數(shù)據(jù)進行處理的微處理器，諸如是各種數(shù)字處理器芯片。在一些實施例中，可以使用該微處理器來實現(xiàn)發(fā)光控制單元的功能。如圖7中所示，分別將磁性傳感器芯片和微處理器的Vdd管腳和GND管腳分別連接電源和地。將磁性傳感器芯片的數(shù)據(jù)輸出管腳Vout連接到微處理器的數(shù)據(jù)輸入輸出管腳GP10。并且，對微處理器進行編程，使得其響應(yīng)于該GPIO管腳處的輸入信號對發(fā)光單元進行開、關(guān)控制。當然，還可以使用單獨的結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)發(fā)光控制單元的功能，本領(lǐng)域技術(shù)人員在看到本說明書描述的內(nèi)容時可以利用各種常用手段實現(xiàn)，不需再付出創(chuàng)造性的勞動。
[0064]使用上文中描述的變送器和控制變送器上的發(fā)光單元的方法，不僅由于蓋構(gòu)件的設(shè)置可以有效地避免由于復(fù)雜的現(xiàn)場環(huán)境造成的對變送器上的操作面板的誤操作，而且可以根據(jù)查看的需要適時關(guān)閉變送器上的發(fā)光單元，諸如變送器的顯示面板/操作面板的背光單元。從而，減小了不必要的電力消耗。
[0065]在此需要說明，上面結(jié)合附圖對本發(fā)明的若干實施例進行了詳細描述，但是，本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，這些實施例并非窮舉而且也不是意在對本公開所涵蓋的范圍進行限制。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員理解，在不偏離如權(quán)利要求書限定的本發(fā)明的范圍的前提下可以進行各種修改和改變。
【權(quán)利要求】
1.一種變送器，包括: 發(fā)光單元； 發(fā)光控制單元，用于控制所述發(fā)光單元的打開和關(guān)閉； 與所述發(fā)光控制單元耦合的磁性傳感器；以及 能夠在遮蓋所述發(fā)光單元的關(guān)閉位置和曝露所述發(fā)光單元的打開位置之間切換的附有磁體的蓋構(gòu)件， 其中，在所述蓋構(gòu)件處于所述關(guān)閉位置的情況下，所述磁性傳感器能夠根據(jù)所述磁體的磁場產(chǎn)生表示所述蓋構(gòu)件處于所述關(guān)閉位置的輸出，以及 所述發(fā)光控制單元被配置為根據(jù)所述輸出控制所述發(fā)光單元，使得在存在表示所述蓋構(gòu)件處于所述關(guān)閉位置的輸出的情況下，所述發(fā)光單元關(guān)閉。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的變送器，其中，在所述蓋構(gòu)件處于所述打開位置的情況下，所述磁性傳感器能夠根據(jù)所述磁體的磁場產(chǎn)生表示所述蓋構(gòu)件處于所述打開位置的輸出，并且，所述發(fā)光控制單元被配置為根據(jù)表示所述蓋構(gòu)件處于所述打開位置的輸出控制所述發(fā)光單元，使得在存在表示所述蓋構(gòu)件處于所述打開位置的輸出的情況下，所述發(fā)光單元打開。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的變送器，其中，所述蓋構(gòu)件被配置為掀蓋式。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的變送器，其中，所述蓋構(gòu)件被配置為滑蓋式。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的變送器，其中，所述蓋構(gòu)件包括至少兩個部分，其中所述部分彼此間隔開的狀態(tài)對應(yīng)于所述打開位置，所述部分彼此相接的狀態(tài)對應(yīng)于所述關(guān)閉位置。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一個所述的變送器，其中，所述磁體和所述磁性傳感器被布置為使得在所述蓋構(gòu)件從最大程度打開位置到所述關(guān)閉位置或反之從所述關(guān)閉位置到最大程度打開位置操作時，所述磁體在所述磁性傳感器處產(chǎn)生的磁場的強度單調(diào)變化。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一個所述的變送器，還包括用于顯示參數(shù)和/或感測數(shù)據(jù)的顯示面板和/或用于設(shè)置參數(shù)的操作面板，其中，所述發(fā)光單元被配置為向所述顯示面板或所述操作面板提供背光。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一個所述的變送器，其中，所述發(fā)光單元包括發(fā)光二極管。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的變送器，其中，當檢測到的磁場強度高于預(yù)定閾值的情況下，所述磁場傳感器產(chǎn)生表示所述蓋構(gòu)件處于所述關(guān)閉位置的輸出，否則產(chǎn)生表示所述蓋構(gòu)件處于打開位置的輸出。
10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的變送器，其中，當檢測到的磁場強度低于預(yù)定閾值的情況下，所述磁場 傳感器產(chǎn)生表示所述蓋構(gòu)件處于所述關(guān)閉位置的輸出，否則產(chǎn)生表示所述蓋構(gòu)件處于打開位置的輸出。
11.一種控制變送器的發(fā)光單兀的方法,包括: 使所述變送器的附有磁體的蓋構(gòu)件能夠在遮蓋所述發(fā)光單元的關(guān)閉位置和曝露所述發(fā)光單元的打開位置之間切換； 檢測所述磁體的磁場，以在所述蓋構(gòu)件處于所述關(guān)閉位置的情況下，根據(jù)所述磁體的磁場產(chǎn)生表示所述蓋構(gòu)件處于所述關(guān)閉位置的輸出；以及 根據(jù)所述輸出控制所述發(fā)光單元，使得在存在表示所述蓋構(gòu)件處于所述關(guān)閉位置的輸出的情況下，所述發(fā)光單元關(guān)閉。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，還包括: 檢測所述磁體的磁場，以在所述蓋構(gòu)件處于所述打開位置的情況下，根據(jù)所述磁體的磁場產(chǎn)生表示所述蓋構(gòu)件處于所述打開位置的輸出；以及 根據(jù)表示所述蓋構(gòu)件處于所述打開位置的輸出控制所述發(fā)光單元，使得在存在表示所述蓋構(gòu)件處于所述打開位置的輸出的情況下，所述發(fā)光單元打開。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，在所檢測的磁場強度高于預(yù)定閾值的情況下，產(chǎn)生表示所述蓋構(gòu)件處于所述關(guān)閉位置的輸出，否則產(chǎn)生處于打開位置的輸出。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，在所檢測的磁場強度低于預(yù)定閾值的情況下，產(chǎn)生表示所述蓋構(gòu)件處于所述關(guān)閉位置的輸出，否則產(chǎn)生處于打開位置的輸出。
【文檔編號】G01D5/00GK103630149SQ201210296720
【公開日】2014年3月12日 申請日期:2012年8月20日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月20日
【發(fā)明者】劉奐, 沈凱, 趙恒
申請人:艾默生過程控制流量技術(shù)有限公司