專利名稱：使用微機(jī)電系統(tǒng)裝置的壓力測量的制作方法
使用微機(jī)電系統(tǒng)裝置的壓カ測量本申請是國際申請日為2009年6月16日，國際申請?zhí)朠CT/US2009/047552，發(fā)明名稱為“使用微機(jī)電系統(tǒng)裝置的壓カ測量”的PCT申請在進(jìn)入中國國家階段后申請?zhí)枮?00980122695. 8的發(fā)明專利申請的分案申請。
背景技術(shù)：
微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)包含微機(jī)械元件、激活 器和電子元件?？墒褂贸练e、蝕刻和/或其它蝕刻掉襯底和/或已沉積材料層的部分或者添加層以形成電裝置和機(jī)電裝置的微加エエ藝來產(chǎn)生微機(jī)械元件。一種類型的MEMS裝置稱為干涉式調(diào)制器。如本文所使用，術(shù)語干涉式調(diào)制器或干渉式光調(diào)制器指的是ー種使用光學(xué)干渉原理選擇性地吸收、發(fā)射且/或反射光的裝置。在某些實施例中，干涉式調(diào)制器可包括ー對導(dǎo)電板，其中的一或兩者可能整體或部分透明且/或具有反射性，且能夠在施加適當(dāng)電信號時進(jìn)行相對運動。在特定實施例中，一個板可包括沉積在襯底上的固定層，且另一個板可包括通過氣隙與固定層分離的金屬薄膜。如本文更詳細(xì)描述，一個板相對于另一個板的位置可改變?nèi)肷湓诟缮媸秸{(diào)制器上的光的光學(xué)干渉。這些裝置具有廣范圍的應(yīng)用，且在此項技術(shù)中，利用且/或修改這些類型裝置的特性使得其特征可被發(fā)掘用于改進(jìn)現(xiàn)有產(chǎn)品和創(chuàng)建尚未開發(fā)的新產(chǎn)品，將是有益的。當(dāng)前發(fā)明的裝置希望測量所述裝置周圍的壓力，且盡管其具有與干涉式調(diào)制器相類似的結(jié)構(gòu)，但其可具有或者可不具有典型的干涉調(diào)制器的光學(xué)特性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的ー個方面是用于測量壓力的裝置，所述裝置包括至少ー個包括由空間分離的兩個層的元件，其中所述空間的尺寸在可變的時間周期中響應(yīng)于施加在所述兩個層上的電壓而改變；以及測量模塊，其經(jīng)配置以測量所述時間周期，其中所述時間周期指示所述裝置周圍的環(huán)境壓力。本發(fā)明的另一方面是ー種測量環(huán)境壓力的方法，其包括將電壓施加在MEMS裝置的兩個層上，測量所述裝置的響應(yīng)時間的值特征，以及基于所測得的值來確定所述裝置周圍的壓力。本發(fā)明的又一方面是ー種用于測量壓カ的裝置，所述裝置包括至少ー個包括由空間分離的兩個導(dǎo)電層的元件，其中所述空間的尺寸在可變的時間周期中響應(yīng)于施加在所述兩個層上的電壓的變化而改變；測量模塊，其經(jīng)配置以當(dāng)施加在所述兩個導(dǎo)電板之間的電壓存在改變時測量隨著時間而變在兩個導(dǎo)電層之間流動的電流；以及處理器，其經(jīng)配置以確定施加電壓脈沖時與發(fā)生運動電流的局部最大值時之間的時間差，其中所述處理器進(jìn)ー步經(jīng)配置以使所述時間差與環(huán)境壓力相關(guān)聯(lián)。


圖IA展示處于釋放狀態(tài)的本發(fā)明的實施例。
圖IB展示處于激活狀態(tài)的本發(fā)明的實施例。圖IC展示施加電壓和歸因于所述施加電壓的本發(fā)明的一個實施例的電流響應(yīng)。圖2是展示根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的測量壓力的方法的流程圖。圖3是MEMS裝置的一個示范性實施例的可移動鏡位置對施加電壓的圖表。 圖4是描繪作為干涉式調(diào)制器顯示器的本發(fā)明的一個實施例的一部分的等角視圖，其中第一干涉式調(diào)制器的第一層(可移動反射層)處于松弛位置，且第二干涉式調(diào)制器的第一層處于激活位置。圖5是本發(fā)明的示范性實施例。
具體實施例方式對干涉式光調(diào)制器的典型使用涉及利用所述裝置的光學(xué)特性。在一些實施例中，所述干涉式光調(diào)制器是具有兩個狀態(tài)的雙穩(wěn)裝置，每ー狀態(tài)具有不同的光學(xué)特性。特定調(diào)制器所處的狀態(tài)可通過施加適當(dāng)?shù)碾娦盘杹砜刂?。因此，干渉式光調(diào)制器較好地適合于顯示器應(yīng)用。然而，具有與干渉式光調(diào)制器類似的結(jié)構(gòu)的MEMS裝置的其它特性可用于其它目的，例如，對所述裝置周圍的環(huán)境壓カ進(jìn)行的測量。圖IA展示在第一時間處于松弛狀態(tài)的本發(fā)明的實施例，且圖IB展示在第二時間處于激活狀態(tài)的同一 MEMS裝置。圖IC展示能夠?qū)е录せ畹氖┘与妷汉蜌w因于所述施加電壓的本發(fā)明的一個實施例的電流響應(yīng)。圖IA和圖IB中所示的MEMS裝置包括第一層24和第二層26。所述兩個層可由支撐件28分離。當(dāng)電壓立即施加到裝置的所述兩個層上時，所述裝置需要一些時間使?fàn)顟B(tài)從圖IA中所示的松弛狀態(tài)改變到圖IB中所示的激活狀態(tài)。應(yīng)了解，所述裝置可設(shè)計為不具有支撐件28，或兩個層可在施加電壓后即刻向彼此移動。此MEMS裝置激活或釋放所花的時間取決于所述裝置的設(shè)計、電壓信號和環(huán)境壓力。在一個實施例中，所述調(diào)制器的激活時間是環(huán)境壓カ的線性函數(shù)。如此，在適當(dāng)?shù)目刂坪蜏y量電路的情況下，MEMS裝置可用作壓カ傳感器。在一個實施例中，施加電壓30從第一值32改變到第二值34導(dǎo)致第一層24開始向第二層26移動。所得電流響應(yīng)36可展現(xiàn)多個峰，如由在第一層24與第二層26之間連接的電流表22所測得的。一般來說，可通過以下等式來描述電流響應(yīng)36
r n T dO メ V ,バノC/ = — = C — + I —
di dt ch第一峰38由施加電壓30從第一值32改變到第二值34引起，如由以上等式中的第一項所描述。第二峰40由與第一層24相對于第二層26的移動相關(guān)聯(lián)的電容改變引起，如由以上等式中的第二項所描述。第一層24相對于第二層26的運動，且因此電流響應(yīng)36中的第二峰40，受環(huán)境壓カ的影響。由于第一層24隨著其向第二層26移動而加快速度，所以對應(yīng)于第二峰40的左半邊的測得的電流增加。在最大速度點處，第一層24隨著其將在其與第二層26之間的空氣推出而開始減速。此點由電流響應(yīng)36的第二峰40中的最大值指示。最后，第一層24達(dá)到休止，其中所述裝置處于激活狀態(tài)。因此可以若干方式測量裝置的激活時間。舉例來說，可將激活時間認(rèn)為是第一層24到達(dá)最大速度所需的時間的量。還可將激活時間認(rèn)為是第一層從松弛狀態(tài)充分移動到激活狀態(tài)所需的時間的量。激活時間可通過測量第二峰40的銳度而定性，例如，測量當(dāng)?shù)诙?0在增加時第一次到達(dá)50%的最大值時與當(dāng)?shù)诙?0在減少時第二次到達(dá)50%的最大值時之間的時間。釋放時間，即，從激活狀態(tài)到松弛狀態(tài)的改變所花的時間，也是壓カ的函數(shù)，且還可用以測量裝置向其暴露的環(huán)境壓力。圖2是展示根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的測量壓力的方法50的流程圖。在第一階段，將電壓施加到MEMS裝置的兩個層上(72)。在下ー階段，測量從此施加電壓所得的電流響應(yīng)(74)。在下ー階段，基于測得的電流響應(yīng)來獲得所述裝置的響應(yīng)時間的值特征(76)。在最終階段，基于響應(yīng)時間的值特征來獲得裝置周圍的壓力(78)。通過線性機(jī)械カ與非線性靜電カ競爭而實現(xiàn)此MEMS裝置 的雙穩(wěn)特性。這在裝置中產(chǎn)生滯后。在本發(fā)明的一個實施例中，如圖3中所示，當(dāng)沒有電壓施加到第一層24和第ニ層26上時，第一層24的位置離開第二層，且所述裝置處于松弛狀態(tài)，如點A所指示。隨著所述兩個層上的電壓增加，MEMS裝置仍然處于松弛狀態(tài)直到到達(dá)閾值為止，如點B所指示。在所述兩個層上的電壓超過此閾值后，第一層24改變位置為更靠近第二層26且所述MEMS裝置處于激活狀態(tài)，由點C所指示。隨著電壓減少，即使在電壓減少到首先弓丨起元件激活的電壓之下時，所述MEMS裝置也停留在激活狀態(tài)，由點D所指示。在電壓已減少到第二閾值之下后，MEMS裝置進(jìn)入松弛狀態(tài)，又由點A所指示。發(fā)生滯后效應(yīng)，而與電壓的極性無關(guān)，即，在使用負(fù)電壓而不是正電壓的情況下也是如此。如剛剛所描述的，本發(fā)明的一個實施例展現(xiàn)滯后。因此，為激活或釋放所述裝置而施加的電壓可采取很多形式。如圖IC中所示，所施加的電壓可以是從釋放電壓到激活電壓的階躍函數(shù)。然而，從保持電壓(例如，5伏持)到激活電壓(例如，10伏持)的改變還可引起處于釋放狀態(tài)的裝置的激活。類似地，盡管階躍函數(shù)展示在圖IC中，但周期函數(shù)(例如方波)可有利于隨著裝置重復(fù)地改變狀態(tài)而重復(fù)地測量裝置周圍的壓力。雙層MEMS裝置或此MEMS裝置的陣列作為壓カ傳感器的使用與典型的壓カ傳感器相比具有許多優(yōu)點。在一些實施例中，此MEMS裝置的構(gòu)造適合于此裝置的陣列的產(chǎn)生。陣列的使用給測量増加了冗余。如果元件或者甚至元件的一小部分無法操作，那么裝置作為整體仍可用以測量壓力。作為壓カ傳感器，所述裝置可用作氣壓計來測量環(huán)境壓力。所述裝置可用作高度計。所述裝置可用作血壓計的一部分來測量血壓。在適當(dāng)?shù)脑O(shè)計下，所述裝置可用以記錄由用戶施加的壓力。在本發(fā)明的一個實施例中，所述裝置進(jìn)ー步被配置為具有特別可配置的光學(xué)特性的干涉式調(diào)制器，如下文所描述。如此，將所述裝置用作觸摸屏顯示器的一部分可能是可能的。而且，盡管所述裝置被描述為測量氣壓，但應(yīng)注意此經(jīng)配置的MEMS裝置還可測量其它形式的壓力。圖4是描繪干涉式調(diào)制器陣列的一個實施例的一部分的等角視圖，其中第一干渉式調(diào)制器的可移動反射層處于松弛位置，且第二干涉式調(diào)制器的可移動反射層處于激活位置。如所描述，經(jīng)設(shè)計以測量壓カ的MEMS裝置可進(jìn)ー步配置有特定光學(xué)特性。類似地，標(biāo)準(zhǔn)干涉調(diào)制器可用作一般MEMS裝置以測量環(huán)境壓力。圖4中調(diào)制器陣列的所描繪部分包含兩個鄰近干涉式調(diào)制器12a和12b。在左側(cè)干涉式調(diào)制器12a中，說明第一層(可移動反射層14a)處于距第二層(包含部分反射層的光學(xué)堆疊16a)預(yù)定距離處的松弛位置中。在右側(cè)干涉式調(diào)制器12b中，說明可移動反射層14b處于鄰近于光學(xué)堆疊16b的激活位置中。光學(xué)堆疊16a和16b (統(tǒng)稱為光學(xué)堆疊16)通常包括若干熔合層(fused layer),所述熔合層可包含例如氧化銦錫(ITO)的電極層、例如鉻的部分反射層和透明電介質(zhì)。因此，光學(xué)堆疊16是導(dǎo)電的、部分透明且部分反射的，且可通過(例如)將上述層的一者或一者以上沉積到透明襯底20上來制造。部分反射層可由例如各種金屬、半導(dǎo)體和電介質(zhì)等部分反射的多種材料形成。部分反射層可由一個或一個以上材料層形成，且所述層的每一者可由單一材料或材料的組合形成。在一些實施例中，光學(xué)堆疊16的層經(jīng)圖案化成為多個平行條帶，且如下文中進(jìn)一步描述，可在顯示裝置中形成行電極?？梢苿臃瓷鋵?4a、14b可形成為沉積金屬層(一層或多層)的一系列平行條帶(與16a、16b的行電極垂直)，所述金屬層沉積在柱18和沉積于柱18之間的介入犧牲材料的頂部上。當(dāng)蝕刻去除犧牲材料時,可移動反射層14a、14b通過所界定的間隙19而與光學(xué)堆疊16a、16b分離。例如鋁的高度導(dǎo)電且反射的材料可用于反射層14，且這些條帶可在顯示裝置中形成列電極。在沒有施加電壓的情況下，間隙19保留在可移動反射層14a與光學(xué)堆疊16a之 間，其中可移動反射層14a處于機(jī)械松弛狀態(tài)，如圖4中像素12a所說明。然而，當(dāng)將電位差施加到選定的行和列時，在對應(yīng)像素處的行電極與列電極的交叉處形成的電容器變得帶電，且靜電力將所述電極拉在一起。如果電壓足夠高，那么可移動反射層14變形且被迫抵靠光學(xué)堆疊16。光學(xué)堆疊16內(nèi)的電介質(zhì)層(在此圖中未說明)可防止短路并控制層14與16之間的分離距離，如圖4中右側(cè)的干涉式光調(diào)制器12b所說明。不管所施加的電位差的極性如何，表現(xiàn)均相同。以此方式，可控制反射像素狀態(tài)對非反射像素狀態(tài)的行/列激活在許多方面類似于常規(guī)LCD和其它顯示技術(shù)中所使用的行/列激活。本發(fā)明的一些實施例可包含用以輸出測得的環(huán)境壓力的顯示器元件。所述顯示器元件可以是LCD顯示器，例如用于手表中的LCD顯示器，或者所述顯示器元件可以是干涉式陣列。在干涉式陣列用以顯示環(huán)境壓力的情況下，對所述陣列進(jìn)行配置以既測量又顯示裝置周圍的環(huán)境壓力可能是可能的。圖5是本發(fā)明的示范性實施例。在此實施例中，裝置50包括處理器52、存儲器54、輸入56、圖像源模塊58、收發(fā)器60、測量模塊62、控制器64、驅(qū)動器66以及顯示器68。在一示范性操作中，希望測量所述裝置周圍的壓力的用戶使用輸入56指示此愿望。處理器52將此指令傳遞到控制器64，這激活驅(qū)動顯示器68的驅(qū)動器66。連接到顯示器68的測量模塊62測量體現(xiàn)在顯示器68中的MEMS裝置中的至少一者的電流響應(yīng)，且將此信息傳遞到處理器52。所述處理器可存取存儲有用以根據(jù)測得的電流響應(yīng)計算裝置周圍的壓力的代碼的存儲器54。所述裝置可體現(xiàn)于從圖像源模塊58接收圖像的一般顯示器單元中。另外，所述圖像源模塊58連接到收發(fā)器60，所述收發(fā)器60可充當(dāng)發(fā)射器和接收器，以便接收新圖像。前述描述陳述本文中揭示的本發(fā)明的各種優(yōu)選實施例和其它示范性但非限制性實施例。所述描述給出一些有關(guān)所揭示的發(fā)明的組合和模式的細(xì)節(jié)。實施例的所揭示的特征和方面的其它改變、組合、修改、模式和/或應(yīng)用也在本發(fā)明內(nèi)容的范圍內(nèi)，包含所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員在讀到本說明書就明白的那些內(nèi)容。因此，應(yīng)該只有通過對所附的權(quán)利要求書的仔細(xì)閱讀來確定本文中主張的本發(fā)明的范圍。
權(quán)利要求
1.一種用于測量壓力的裝置，其包括 至少一個包括由空間分離的兩個層的元件，其中所述空間的尺寸響應(yīng)于施加的激勵而改變；以及 處理器，其經(jīng)配置以確定時間周期，經(jīng)歷所述時間周期所述空間的尺寸由第一尺寸改變?yōu)榈诙叽?，及基于所確定的時間周期確定所述裝置周圍的環(huán)境壓力。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的裝置，其中所述至少一個元件包含至少一微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)元件。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的裝置，其中所述至少一個元件包含至少一干涉式調(diào)制器。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的裝置，其中所述至少一個元件包含若干包含兩層的元件，且所述處理器經(jīng)配置以確定若干獨立時間周期；及基于所確定的時間周期確定所述裝置周圍的環(huán)境壓力。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的裝置，其中所述處理器進(jìn)一步經(jīng)配置以施加激勵于所述至少一個兀件。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其中所述激勵包含所述兩層上的施加電壓。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的裝置，進(jìn)一步包含經(jīng)配置以顯示所確定的電壓的顯示器。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的裝置，其中所述處理器進(jìn)一步經(jīng)配置以基于所確定的環(huán)境壓力確定高度，并進(jìn)一步包含經(jīng)配置以顯示所確定的高度的顯示器。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的裝置，其中所述處理器經(jīng)配置以通過測量電流來確定所述時間周期，所述電流層由所述層中的至少一者的運動引發(fā)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置，其中所述處理器經(jīng)配置以通過確定一時長來確定所述時間周期，所述時長是施加電壓于所述兩層上時與所述電流達(dá)到相對最大值時之間的時間。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置，其中所述處理器經(jīng)配置以通過確定第一時間與第二時間之間的時長來確定所述時間周期，所述第一時間與第二時間各自是當(dāng)所述電流達(dá)到一相對最大值的預(yù)定百分比時。
12.根據(jù)權(quán)利要求I所述的裝置，其中所述處理器經(jīng)配置以通過測量所述兩層上的電容來確定所述時間周期。
13.根據(jù)權(quán)利要求I所述的裝置，其中所述處理器經(jīng)配置以將所述至少一個元件的釋放時間或激活時間確定為所述時間周期。
14.一種測量壓力的方法，其包括 施加激勵于元件，所述元件包含由空間分割的兩個層，其中所述空間的尺寸響應(yīng)于所述激勵而改變； 確定時間周期，經(jīng)歷所述時間周期所述空間的尺寸由第一尺寸改變?yōu)榈诙叽?；? 基于所確定的時間周期確定所述元件周圍的環(huán)境壓力
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中施加所述激勵包含施加電壓于所述兩層上。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中施加所述激勵包含施加所述激勵于一微機(jī)電系統(tǒng)(MHMS)元件。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中施加所述激勵包含施加電壓于一干涉式調(diào)制器的兩層上。
18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，進(jìn)一步包含顯示所確定的電壓。
19.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，進(jìn)一步包含基于所確定的環(huán)境壓力確定高度，并顯不所確定的聞度。
20.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中確定所述時間周期包含測量由所述層中的至少一者的運動引發(fā)的電流。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中確定所述時間周期包含確定施加電壓于所述兩層上時與所述電流達(dá)到相對最大值時之間的時長。
22.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中確定所述時間周期包含確定第一時間與第二時間之間的時長，所述第一時間與第二時間各自是當(dāng)所述電流達(dá)到一相對最大值的預(yù)定百分比時。
23.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中確定所述時間周期包含測量所述兩層上的電容。
24.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中確定所述時間周期包含確定所述元件的釋放時間或激活時間。
25.一種測量壓力的系統(tǒng)，其包括 激勵施加裝置，施加激勵于元件，所述元件包含由空間分割的兩個層，其中所述空間的尺寸響應(yīng)于所述激勵而改變； 時間周期確定裝置，確定時間周期，經(jīng)歷所述時間周期所述空間的尺寸由第一尺寸改變?yōu)榈诙叽?'及 環(huán)境壓力確定裝置，基于所確定的時間周期確定所述元件周圍的環(huán)境壓力。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的系統(tǒng)，其中所述激勵施加裝置包含施加電壓于所述兩層上的裝置。
27.根據(jù)權(quán)利要求25所述的系統(tǒng)，其中所述激勵施加裝置包含施加所述激勵于一微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)元件的裝置。
28.根據(jù)權(quán)利要求25所述的系統(tǒng)，其中所述激勵施加裝置包含施加電壓于一干涉式調(diào)制器的兩層上的裝置。
29.根據(jù)權(quán)利要求25所述的系統(tǒng)，進(jìn)一步包含顯示所確定的電壓的裝置。
30.根據(jù)權(quán)利要求25所述的系統(tǒng)，進(jìn)一步包含基于所確定的環(huán)境壓力確定高度的裝置，及顯示所確定的高度的裝置。
31.根據(jù)權(quán)利要求25所述的系統(tǒng)，其中所述時間周期確定裝置包含測量由所述層中的至少一者的運動引發(fā)的電流的裝置。
32.根據(jù)權(quán)利要求31所述的系統(tǒng)，其中所述時間周期確定裝置包含時長確定裝置，確定施加電壓于所述兩層上時與所述電流達(dá)到相對最大值時之間的時長。
33.根據(jù)權(quán)利要求31所述的系統(tǒng)，其中所述時間周期確定裝置包含時長確定裝置，確定第一時間與第二時間之間的時長，所述第一時間與第二時間各自是當(dāng)所述電流達(dá)到一相對最大值的預(yù)定百分比時。
34.根據(jù)權(quán)利要求25所述的系統(tǒng)，其中所述時間周期確定裝置包含測量所述兩層上的電容。
35.根據(jù)權(quán)利要求25所述的系統(tǒng)，其中所述時間周期確定裝置包含確定所述元件的釋放時間或激活時間。
36.根據(jù)權(quán)利要求25所述的系統(tǒng)，其中所述激勵施加裝置、所述時間周期確定裝置及所述環(huán)境壓力確定裝置中的至少一者包含處理器。
37.一種包含指令的非易失性計算機(jī)可讀存儲媒質(zhì)，當(dāng)所述指令由裝置執(zhí)行時，引發(fā)所述裝置 施加激勵于元件，所述元件包含由空間分割的兩個層，其中所述空間的尺寸響應(yīng)于所述激勵而改變； 確定時間周期，經(jīng)歷所述時間周期所述空間的尺寸由第一尺寸改變?yōu)榈诙叽?；? 基于所確定的時間周期確定所述元件周圍的環(huán)境壓力。
38.根據(jù)權(quán)利要求37所述的非易失性計算機(jī)可讀存儲媒質(zhì)，其中引發(fā)所述裝置施加激勵的指令包含引發(fā)所述裝置施加電壓于所述兩層上的指令。
39.根據(jù)權(quán)利要求37所述的非易失性計算機(jī)可讀存儲媒質(zhì)，進(jìn)一步包含由所述裝置執(zhí)行時引發(fā)所述裝置顯示所確定的電壓的指令。
40.根據(jù)權(quán)利要求37所述的非易失性計算機(jī)可讀存儲媒質(zhì)，其中引發(fā)所述裝置確定時間周期的指令包含引發(fā)所述裝置確定施加電壓于所述兩層上時與所述電流達(dá)到相對最大值時之間的時長的指令。
全文摘要
本發(fā)明揭示一種用以測量壓力的裝置。在一個實施例中，所述裝置包括至少一個包括由空間分離的兩個層(24、26)的元件，其中所述空間的尺寸在可變的時間周期中響應(yīng)于施加在所述兩個層上的電壓而改變；以及測量模塊，其經(jīng)配置以測量所述時間周期，其中所述時間周期指示所述裝置周圍的環(huán)境壓力。
文檔編號G01L9/00GK102788657SQ201210244380
公開日2012年11月21日 申請日期2009年6月16日 優(yōu)先權(quán)日2008年6月18日
發(fā)明者卡斯拉·哈澤尼 申請人:高通Mems科技公司