專利名稱：磁檢測裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本公開涉及一種具有諸如霍爾元件之類的磁電換能器的磁檢測裝置。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)上，使用具有諸如霍爾元件之類的磁電換能器的磁檢測裝置來檢測旋轉(zhuǎn)角或線性位移。如在JP-A-2004-004114 (其對應(yīng)于USP 6，407，503)中公開的那樣，磁檢測裝置包括通過注射成型(injection molding)利用樹脂材料模制(mold)的集成電路(IC)器件。該IC器件包括被布置在IC器件內(nèi)部的IC封裝。在該IC封裝中，內(nèi)置了磁電換能器和諸如放大電路之類的處理電路。通過模制IC器件來限定和穩(wěn)固磁電換能器的位置。當(dāng)模制IC器件時，通過樹脂注射而引起的注射壓力被施加到在IC器件內(nèi)布置的IC封裝。因此，IC器件的輸出電壓的特性可能具有電壓波動。
此外，JP-A-2004-198240 (其對應(yīng)于US 2004/0118227)公開了一種檢測器。該檢測器是通過下述方式形成的在殼體中模制檢測元件，然后在外殼中模制該殼體。在該專利文獻中，感測部分作為檢測元件起作用，樹脂模制的傳感器殼體作為殼體起作用，并且樹脂模制的連接器殼體作為外殼起作用。殼體和外殼由熱塑性樹脂構(gòu)成，并且通過注射成型形成。具體地，通過第一模制來形成殼體。然后，通過第二模制形成覆蓋該殼體的外殼。因此，通過在第二模制中產(chǎn)生的熱來使殼體和外殼彼此成一整體。因此，在殼體和外殼之間未形成空隙。這一配置可以抑制潮氣向檢測器的滲透。然而，當(dāng)通過第一模制形成殼體時，由注射成型引起的注射壓力可能被過度地施加到檢測元件。類似地，當(dāng)通過第二模制來形成外殼時，由注射成型引起的注射壓力可能經(jīng)由殼體被過度地施加到檢測元件。因此，檢測器的輸出電壓的可靠性可能變差。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述困難，本公開的一個目的是提供一種磁檢測裝置，在該磁檢測裝置中，當(dāng)通過以注射成型方式形成樹脂模制部來限定磁電換能器的位置時，輸出電壓的特性較不可能波動。本公開的另一個目的是提供一種檢測裝置和一種該檢測裝置的制造方法，在該檢測裝置中，提高了檢測元件的輸出可靠性。根據(jù)本公開的第一方面，一種磁檢測裝置包括IC器件、殼體和樹脂模制部。所述IC器件包括IC封裝(IC package)，其具有內(nèi)置的磁電換能器；以及，從所述IC封裝延伸出的多條引線。所述殼體限定所述IC器件的收納空間。所述樹脂模制部被布置在所述殼體的外表面的第一部分上。所述殼體的所述外表面的第一部分與所述殼體的內(nèi)壁的第一部分對應(yīng)。所述收納空間由所述殼體的所述內(nèi)壁的第二部分限定。所述殼體的所述內(nèi)壁的第二部分對應(yīng)于所述殼體的所述外表面的第二部分。所述殼體的所述內(nèi)壁的第二部分的預(yù)定部分被定義為接觸區(qū)域，所述接觸區(qū)域與所述IC器件的外表面的預(yù)定部分相接觸。所述樹脂模制部被布置在所述殼體的所述外表面的所述第二部分的預(yù)定部分以外的部分，所述殼體的所述外表面的第二部分的預(yù)定部分與所述接觸區(qū)域?qū)?yīng)。通過與所述IC封裝接觸的所述接觸區(qū)域的位置和所述樹脂模制部的位置來確定所述磁電換能器的位置。在上述裝置中，當(dāng)通過注射成型形成所述樹脂模制部時，由樹脂注射引起的注射壓力不被施加到所述IC器件的所述IC封裝。因此，當(dāng)通過以注射成型方式形成所述樹脂模制部來限定所述磁電換能器的位置時，所述IC器件的輸出電壓的特性較不可能波動。根據(jù)本公開的第二方面，一種檢測裝置包括檢測元件、殼體、多個端子、蓋子和外殼。所述檢測元件檢測物理量。所述殼體包括底部和沿一個方向從所述底部的外沿延伸出的圓柱部。所述殼體在底部側(cè)上的所述圓柱部內(nèi)收納所述檢測元件。每一個端子的第一端與所述檢測元件耦合，并且每一個端子的第二端延伸到所述殼體的外部。所述蓋子覆蓋所述圓柱部的開口部，并且模制所述多個端子。所述圓柱部的開口部與所述殼體的底部相對。所述外殼模制所述圓柱部、所述蓋子和所述多個端子。在上述裝置中，當(dāng)通過注射成型形成所述外殼時，由所述蓋子來抑制所述外殼的樹脂材料向所述圓柱部的滲透。因此，抑制了由所述外殼的所述樹脂材料產(chǎn)生的注射壓力 的施加。因此，提高了所述檢測元件的輸出可靠性。根據(jù)本公開的第三方面，在本公開的第二方面中描述的一種所述檢測裝置的制造方法包括通過對所述多個端子的第一注射成型來形成所述蓋子，所述多個端子被插入所述蓋子；將所述多個端子與所述檢測元件耦合；在形成所述蓋子和將所述多個端子與所述檢測元件耦合之后，在所述殼體中插入所述檢測元件；利用所述蓋子來覆蓋所述殼體的所述開口部，所述蓋子被插入到所述殼體的所述圓柱部的底部側(cè)；以及，通過對所述圓柱部、所述蓋子和所述多個端子的第二注射成型來形成所述外殼，在所述檢測元件被插入到所述殼體之后將所述圓柱部、所述蓋子和所述多個端子插入所述外殼。在上述方法中，所述第一注射成型中產(chǎn)生的注射壓力和所述第二注射成型中產(chǎn)生的注射壓力較不可能被施加到所述檢測元件。因此，提高了所述檢測元件的輸出可靠性。


通過參考附圖進行的下面的詳細描述，本公開的上述和其他目的、特征和優(yōu)點將變得更清楚。在附圖中圖IA和圖IB是分別示出根據(jù)第一實施例的磁檢測裝置的平面視圖和側(cè)視圖的圖；圖2A和圖2B是分別示出根據(jù)第一實施例的、被去除了樹脂模制部的磁檢測裝置的平面截面圖和側(cè)視截面圖的圖；圖3A是示出根據(jù)第一實施例的磁檢測裝置的一部分的平面截面圖的圖，圖3B是示出沿著圖3A中的線IIIB-IIIB截取的截面圖的圖，并且圖3C是示出沿著圖3B中的線IIIC-IIIC截取的截面圖的圖；圖4A是示出根據(jù)第二實施例的磁檢測裝置的一部分的平面截面圖的圖，圖4B是示出沿著圖4A中的線IVB-IVB截取的截面圖的圖，圖4C是示出在圖4A中從IVC方向看到的側(cè)視圖的圖，并且圖4D是示出在延伸端子和蓋之間的接合的圖；圖5A是示出根據(jù)第三實施例的磁檢測裝置的子總成的側(cè)視圖的圖，并且圖5B是示出被去除了樹脂模制部的圖5A中的磁檢測裝置的側(cè)視截面圖的圖；圖6是示出根據(jù)第四實施例的磁檢測裝置的截面圖的圖7是示出根據(jù)第五實施例的磁檢測裝置的截面圖的圖；圖8是示出根據(jù)第六實施例的檢測裝置的截面圖的圖；圖9是示出根據(jù)第六實施例的檢測裝置的制造過程的透視圖的圖；圖10是示出根據(jù)第六實施例的檢測裝置的制造過程的透視圖的圖；圖11是示出根據(jù)第六實施例的檢測裝置的制造過程的透視圖的圖；圖12是示出根據(jù)第六實施例的檢測裝置的制造過程的透視圖的圖；圖13是示出根據(jù)第六實施例的檢測裝置的制造過程的透視圖的圖；圖14是示出根據(jù)第六實施例的檢測裝置的透視圖的
圖15是示出根據(jù)第六實施例的檢測裝置的制造過程的流程圖； 圖16是示出根據(jù)第七實施例的檢測裝置的截面圖的圖；以及圖17是示出根據(jù)第七實施例的檢測裝置的制造過程的流程圖。
具體實施例方式根據(jù)第一實施例的磁檢測裝置包括集成電路(IC)器件和殼體。該IC器件具有IC封裝，其中內(nèi)置了磁電換能器；以及從IC封裝延伸出的引線。此外，殼體具有通過注射成型在殼體的外表面的第一部分上形成的樹脂模制部。殼體的外表面的第一部分與殼體的內(nèi)壁的第一部分對應(yīng)。由殼體的內(nèi)壁的第二部分限定殼體的內(nèi)部空間來用于收納IC器件。殼體的內(nèi)壁的第二部分的預(yù)定部分與IC器件的外表面的一部分相接觸，并且該預(yù)定部分被定義為接觸區(qū)域。將樹脂模制部布置在殼體的外表面的第二部分的預(yù)定部分以外的部分，該殼體的外表面的第二部分的預(yù)定部分與接觸區(qū)域?qū)?yīng)。在這一配置下，通過下述方式來限定磁電換能器的位置將IC封裝與接觸區(qū)域相接觸，并且在殼體的外表面的第一部分上形成樹脂模制部。而且，殼體在殼體的外表面的第一部分的預(yù)定部分上具有法蘭形狀的突出部。圍繞收納空間沿徑向向外方向延伸地形成該突出部。將該突出部與樹脂模制部熔接。IC封裝被構(gòu)成接觸區(qū)域的子接觸區(qū)域夾著，以被保持在預(yù)定位置處。磁檢測裝置還具有延伸端子，IC器件的各個引線與延伸端子電氣耦合。在相鄰的兩個延伸端子之間，安裝了電容器。使用被注射到收納空間的灌封材料密封該電容器。在根據(jù)第二實施例的磁檢測裝置中，殼體具有用于在收納空間中收納IC器件的開口部。開口部被蓋覆蓋，并且該蓋具有與延伸端子對應(yīng)的通孔。延伸端子中的一個具有限位器以限定蓋的位置。該蓋通過限位器與延伸端子中的所述一個接合，并且該蓋通過熱堵縫與殼體成一整體。因此，蓋覆蓋殼體的開口部。根據(jù)第三實施例的磁檢測裝置包括具有插入部件的子總成。該插入部件包括除了IC封裝之外的IC器件、延伸端子和電容器，它們通過注射成型而被整體模制在一起。該子總成被收納在殼體中，并且然后，樹脂I旲制部形成。[第一實施例]將參考圖IA至圖3C來描述根據(jù)第一實施例的磁檢測裝置1(以下稱為檢測裝置)。例如，檢測裝置I包括諸如霍爾元件之類的磁電換能器(未示出);以及，諸如永磁體之類的磁通發(fā)生器(未不出)。當(dāng)磁通發(fā)生器圍繞磁電換能器相對旋轉(zhuǎn)或移動以具有相對于磁電換能器的線性位移時，由磁通發(fā)生器產(chǎn)生的磁場在變化。檢測裝置I通過將磁通發(fā)生器與磁電換能器組合來檢測旋轉(zhuǎn)角或線性位移。即，利用磁電換能器的功能，檢測裝置檢測與磁通發(fā)生器的旋轉(zhuǎn)角或線性位移對應(yīng)的磁通量，并且產(chǎn)生與所檢測的磁通量對應(yīng)的電壓。如圖2A中所示，檢測裝置I包括IC器件2、殼體3和樹脂模制部4。IC器件2包括磁電換能器，并且被收納在殼體3中。樹脂模制部4通過注射成型在殼體3的外表面的第一部分上形成。通過下述方式來限定磁電換能器的位置將IC器件2收納在殼體3中，并且在殼體3的外表面的第一部分上形成樹脂模制部4。殼體3的外表面的第一部分與殼體3的內(nèi)壁的第一部分對應(yīng)。如圖2A和圖2B中所示，IC器件2包括其中內(nèi)置了磁電換能器的IC封裝5 ;以及，從IC封裝5延伸出的引線6。如圖3C中所示，通過下述方式來配置IC封裝5 :利用諸如環(huán)氧樹脂之類的樹脂材料來模制半導(dǎo)體基板7，在半導(dǎo)體基板7上安裝磁電換能器和其他部件。引線6用于將安裝在半導(dǎo)體基板7上的部件與外部部件(未示出)電氣耦合。
IC封裝5具有與半導(dǎo)體基板7大體相同的平面方向，并且大體為正方形的板狀。引線6從包括正方形的端側(cè)的側(cè)表面垂直地突出。具體地，如圖3A中所示，存在從IC封裝5突出的三條引線6。該三條引線6包括引線6A，其用于輸出由磁電換能器產(chǎn)生的電壓；引線6B，其用于向磁電換能器提供電源(未示出);以及引線6C，其用于將磁電換能器與地電氣率禹合。如圖3A中所示，在殼體3中，用于IC器件2的收納空間9由殼體3的內(nèi)壁的第二部分限定。殼體3的內(nèi)壁的第二部分與殼體3的外表面的第二部分對應(yīng)。通過注射成型由樹脂制成殼體3。收納空間9包括用于收納IC封裝5的第一收納空間9A以及從第一收納空間9A延伸出的第二收納空間9B。第一收納空間9A被布置在殼體3的前端側(cè)，并且第二收納空間9B延伸到殼體3的尾端側(cè)，與第一收納空間9A連接。第一收納空間9A的前端側(cè)被殼體3阻擋。在第二收納空間9B的尾端側(cè)上，由殼體3限定用于在收納空間9中收納IC器件2的開口部10。定義坐標(biāo)系來描述內(nèi)置在IC封裝5中的磁電換能器在第一收納空間9A中的位置狀態(tài)。在該坐標(biāo)系中，將X軸定義在從殼體3的前端側(cè)向殼體3的尾端側(cè)的方向；將y軸定義在垂直于X軸并且與IC封裝5的寬表面平行的方向；并且，將z軸定義在與X軸和y軸垂直并且垂直地穿透IC封裝5的寬表面的方向。此外，如圖2A至3C中所示的那樣定義X軸的第一端側(cè)和第二端側(cè)、y軸的第一端側(cè)和第二端側(cè)以及z軸的第一端側(cè)和第二端側(cè)。將參考該坐標(biāo)系來描述IC封裝5的形狀。如圖3A中所示，IC封裝5具有從z軸方向看大體正方形的形狀。如圖3C中所示，IC封裝5具有在從X軸方向看在y軸方向上延伸的板狀六方柱的形狀。此外，IC封裝5中在y軸的第一端側(cè)上的部分具有IC封裝5中在I軸的第二端側(cè)上的部分的鏡像。S卩，在X軸方向上的第一端表面Xa和第二端表面Xb具有六角形形狀，該形狀在y軸方向上具有較大的寬度。第一端表面Xa的第一端側(cè)和第一端表面Xa的第二端側(cè)在y軸上具有鏡像。類似地，第二端表面Xb的第一端側(cè)和第二端表面Xb的第二端側(cè)在I軸上具有鏡像。在下文中，第一端表面Xa也被稱為前端表面Xa，并且第二端表面Xb也被稱為尾端表面Xb。此外，如圖3A中所示，在z軸方向上的第一端表面Za具有垂直于z軸的正方形形狀，并且在z軸方向上的第二端表面Zb具有垂直于z軸的四邊形形狀。第二端表面Zb在X軸方向上具有與第一端表面Za的寬度相等的寬度,并且第二端表面Zb在y軸方向上具有比第一端表面Za的寬度小的寬度。此外,如圖3B和圖3C中所不，IC封裝5在y軸方向上的第一端表面Ya包括第一垂直子表面Yal和第一傾斜子表面Ya2。第一垂直子表面Yal垂直于第一端表面Za,并且在X軸方向上具有較大的寬度。第一傾斜子表面Ya2與第一垂直子表面Yal和第二端表面Zb連接。與第一端表面Ya類似，IC封裝5在y軸方向上的第二端表面Yb包括第二垂直子表面Ybl和第二傾斜子表面Yb2。在殼體3中,第一收納空間9A被殼體3限定得具有稍后描述的形狀。限定第一收納空間9A的形狀，以便支撐IC封裝5并且限定具有上述形狀的IC封裝5的位置。在X軸方向上，第一收納空間9A的一端由殼體3的內(nèi)壁Xin限定和阻擋。殼體3的內(nèi)壁Xin的大部分與IC封裝5的前端表面Xa接觸。S卩，內(nèi)壁Xin的大部分限定與IC封裝5的前端表面Xa接觸的子接觸區(qū)域LO。
第一收納空間9A在y軸方向上具有比IC封裝5的長度略大的長度。在y軸方向上，第一收納空間9A的第一端由殼體3的內(nèi)壁Yain限定和阻擋。在內(nèi)壁Yain和第一垂直子表面Yal、第一傾斜子表面Ya2之間限定空間llYa。類似地，第一收納空間9A的第二端由殼體3的內(nèi)壁Ybin限定和阻擋，并且在內(nèi)壁Ybin和第二垂直子表面Ybl、第二傾斜子表面Yb2之間限定空間llYb。在z軸方向上,第一收納空間9A的第一端由殼體3的內(nèi)壁Zain限定和阻擋。內(nèi)壁Zain具有淺凹陷部12A，該淺凹陷部12A在y軸方向上具有相對大的寬度。因此，IC封裝5的第一端表面Za在y軸方向上與內(nèi)壁Zain在內(nèi)壁Zain的第一端側(cè)和第二端側(cè)上接觸。因此，空間IlZa由內(nèi)壁Zain的第一端側(cè)和第二端側(cè)以及該凹陷部12A的底表面限定。BP,內(nèi)壁Zain與IC封裝5的第一端表面Za在兩個分離的子接觸區(qū)域LI和L2處相接觸。子接觸區(qū)域LI是第一端表面Za的第一端側(cè)與內(nèi)壁Zain接觸所在的區(qū)域。子接觸區(qū)域L2是第一端表面Za的第二端側(cè)與內(nèi)壁Zain接觸所在的區(qū)域。類似地，在z軸方向上，第一收納空間9A的第二端由殼體3的內(nèi)壁Zbin限定和阻擋。內(nèi)壁Zbin具有淺凹陷部12B，淺凹陷部12B在y軸方向上具有相對大的寬度。因此，IC封裝5的第二端表面Zb在y軸方向上與內(nèi)壁Zbin在內(nèi)壁Zbin的第一端側(cè)和第二端側(cè)上接觸。因此，空間IlZb由內(nèi)壁Zbin的第一端側(cè)和第二端側(cè)以及該凹陷部12B的底表面限定。即，內(nèi)壁Zbin與IC封裝5的第二端表面Zb在兩個分離的子接觸區(qū)域L3和L4處相接觸。子接觸區(qū)域L3是第二端表面Zb的第一端側(cè)與內(nèi)壁Zbin接觸所在的區(qū)域。子接觸區(qū)域L4是第二端表面Zb的第二端側(cè)與內(nèi)壁Zbin接觸所在的區(qū)域。該凹陷部12A在y軸方向上具有比凹陷部12B大的寬度。因此，子接觸區(qū)域L3和L4在y軸方向上位于子接觸區(qū)域LI和L2之間。子接觸區(qū)域LI和L3彼此分離，并且限定空間llYa。IC封裝5在y軸方向上的第一端側(cè)在z軸方向上被子接觸區(qū)域LI和L3夾著和支撐。類似地，子接觸區(qū)域L2和L4彼此分離，并且限定空間llYb。IC封裝5在y軸方向上的第二端側(cè)在z軸方向上被子接觸區(qū)域L2和L4夾著和支撐。內(nèi)置在IC封裝5中的半導(dǎo)體基板7在y軸方向上位于子接觸區(qū)域L3和L4之間。即，在由子接觸區(qū)域LI和L3夾著的部分和由子接觸區(qū)域L2和L4夾著的部分以外布置半導(dǎo)體基板7。引線6A至6C從尾端表面Xb突出，并且延伸到第一收納空間9A。此外，引線6A至6C在X軸的第二端側(cè)方向上穿透第一收納空間9A，并且延伸到第二收納空間9B。引線6A至6C與第二收納空間9B中的延伸端子13A至13C的各個第一端熔接。此外，通過焊接在延伸端子13A和延伸端子13C之間耦合用于噪聲抑制的電容器14。類似地，通過焊接在延伸端子13B和延伸端子13C之間耦合用于噪聲抑制的電容器14。在第二收納空間9B中收納這兩個電容器14。然后，向第二收納空間9B注射諸如環(huán)氧樹脂之類的灌封材料，并且，利用該灌封材料來密封電容器14。此外，殼體3在殼體3的外表面的第一部分的預(yù)定部分上具有法蘭形狀的突出部16。具體地，殼體3的外表面的第一部分的預(yù)定部分與由第二收納空間9B限定的開口部10對應(yīng)。在下文中，殼體3的外表面也被稱為外表面17。此外,突出部16沿徑向向外方向延伸地形成于收納空間9周圍。突出部16與樹脂模制部4熔接。延伸端子13A至13C的第二端在X軸的第二端側(cè)方向上穿透第二收納空間9B，并且與連接器端子19A至19C的各個第一端熔接。耦合到檢測裝置I的連接器18包括連接器端子19A至19C以及樹脂模制部4的一部分。通過注射成型形成樹脂模制部4，并且樹脂模制部4由諸如聚烯烴、聚酰胺或聚酯 之類的熱塑性樹脂構(gòu)成。外表面17中位于樹脂模制部4和殼體3之間的部分被定義為邊界區(qū)域20。具體地，邊界區(qū)域20被布置在外表面17在X軸方向上的第二端側(cè)上。更具體地，邊界區(qū)域20的第一端在X軸方向上被限定在引線6A至6C和延伸端子13A至13C分別熔接的熔接部分與電容器14的焊接部分之間。邊界區(qū)域20的第二端在X軸方向上被定義為關(guān)出部16。在上述配置下，樹脂模制部4形成在外表面17中與子接觸區(qū)域LO至L4對應(yīng)的預(yù)定部分以外。在該實施例中，接觸區(qū)域包括子接觸區(qū)域LO至L4。此外，通過下述方式來限定磁電換能器的位置將IC封裝5與子接觸區(qū)域LO至L4接觸，并且在殼體3的外表面17的第一部分上形成樹脂模制部4。根據(jù)第一實施例的檢測裝置I包括IC器件2和殼體3。IC器件2還包括其中內(nèi)置了磁電換能器的IC封裝5和從IC封裝5延伸出的引線6A至6C。殼體3限定用于收納IC器件2的收納空間9。此外，通過注射成型在殼體3的外表面17的第一部分上形成樹脂模制部4。由殼體3的內(nèi)壁限定收納空間9。該內(nèi)壁還限定IC封裝5所接觸的子接觸區(qū)域LO至L4。樹脂模制部4形成在外表面17與子接觸區(qū)域LO至L4對應(yīng)的預(yù)定部分以外。通過下述方式來限定磁電換能器的位置將IC封裝5與子接觸區(qū)域LO至L4接觸，并且在殼體3的外表面17的第一部分上形成樹脂模制部4。在上述配置下，當(dāng)通過注射成型形成樹脂模制部4時，由樹脂注射引起的注射壓力不被施加到IC器件2的IC封裝5，并且磁電換能器的位置被限定。因此，當(dāng)通過以注射成型方式形成樹脂模制部4來限定磁電換能器的位置時，IC器件2的輸出電壓的特性較不可能波動。此外，殼體3在外表面17的另一預(yù)定部分上具有法蘭形狀的突出部16。突出部16沿徑向向外方向延伸地形成于收納空間9周圍，并且與樹脂模制部4熔接。當(dāng)在殼體3的外表面17與樹脂模制部4之間形成邊界區(qū)域的情況下，外來的流體可以流向邊界區(qū)域?？紤]到該情況，法蘭形狀的突出部16在外表面17的另一預(yù)定部分上形成于收納空間9周圍，并且與樹脂模制部4熔接。在上述配置下，經(jīng)由邊界區(qū)域到達收納空間9的流體流動路徑被突出部16與樹脂模制部4的熔接部分阻擋。因此，外來的流體較不可能經(jīng)由邊界區(qū)域流向收納空間9。此外，IC封裝5在y軸方向上的第一端側(cè)被子接觸區(qū)域LI和L3夾著和支撐。IC封裝5在y軸方向上的第二端側(cè)被子接觸區(qū)域L2和L4夾著和支撐。在IC封裝5中內(nèi)置的半導(dǎo)體基板7在y軸方向上位于子接觸區(qū)域L3和L4之間。即，半導(dǎo)體基板7位于由子接觸區(qū)域LI和L3夾著的部分和由子接觸區(qū)域L2和L4夾著的部分以外。在上述配置下，因為IC封裝5未被夾在 子接觸區(qū)域LI和L3之間以及子接觸區(qū)域L2和L4之間，所以IC器件2的輸出電壓的特性較不可能被通過夾在子接觸區(qū)域LI和L3之間以及子接觸區(qū)域L2和L4之間而產(chǎn)生的壓力影響。因此，IC器件2的輸出電壓的特性較不可能被影響，并且更穩(wěn)定地限定磁電換能器的位置。引線6A至6C在收納空間9的第二收納空間9B中分別與延伸端子13A至13C電氣耦合。向收納空間9注射灌封材料。因此，限定延伸端子13A至13C的位置。此外，電容器14中的一個被耦合在延伸端子13A和延伸端子13C之間，并且電容器14中的另一個被耦合在延伸端子13B和延伸端子13C之間。利用灌封材料來密封這兩個電容器14。因此，限定了電容器14的位置。[第二實施例]將參考圖4A至圖4D來描述根據(jù)第二實施例的檢測裝置I。在根據(jù)第二實施例的檢測裝置I中，殼體3的開口部10被蓋22覆蓋。蓋22可以例如由與殼體3的樹脂材料類似的樹脂材料構(gòu)成。蓋22具有與延伸端子13A至13C對應(yīng)的三個通孔23。延伸端子13A至13C分別穿透各個通孔23。此外，延伸端子13C具有限位器24以當(dāng)延伸端子13A至13C穿透通孔23時與蓋22接合。在蓋22通過限位器24與延伸端子13C接合之后，通過熱堵縫使蓋22與殼體3成一整體，以覆蓋殼體3的開口部10。殼體3在X軸方向上在突出部16的第二端側(cè)處具有熱堵縫部分25。通過在熱堵縫部分25處執(zhí)行熱堵縫來使蓋22與殼體3成一整體。因此，通過下述方式來限定延伸端子13A至13C的位置使蓋22與殼體3成一整體，而不向收納空間9注射灌封材料。[第三實施例]將參考圖5A和圖5B來描述根據(jù)第三實施例的檢測裝置I。根據(jù)第三實施例的檢測裝置I包括子總成27，子總成27包括插入部件26。插入部件26包括除了 IC封裝5之外的IC器件2、延伸端子13A至13C和電容器14，它們通過注射成型而被整體模制。子總成27被收納在殼體3的收納空間9中，并且然后，在殼體3的外表面17的第一部分上形成樹脂模制部4。在上述配置下，延伸端子13A至13C的位置以及電容器14的位置被初步限定并且穩(wěn)固在子總成27中。然后，在殼體3中收納子總成27，使得IC封裝5與子接觸區(qū)域LO至L4接觸。然后，在殼體3的外表面17的第一部分上形成樹脂模制部4。因此，IC器件2的輸出電壓的特性較不可能波動，并且，通過初步限定延伸端子13A至13C的位置以及電容器14的位置來穩(wěn)固延伸端子13A至13C以及電容器14。[第四實施例]將參考圖6來描述根據(jù)第四實施例的檢測裝置I。在根據(jù)第四實施例的檢測裝置I中，內(nèi)壁Yain與IC封裝5的第一垂直子表面Yal接觸。因此，子接觸區(qū)域LI被放大。具體地，子接觸區(qū)域LI包括與內(nèi)壁Zain接觸的第一區(qū)域和與內(nèi)壁Yain接觸的第二區(qū)域。類似地，內(nèi)壁Ybin與IC封裝5的第二垂直子表面Ybl接觸。因此，子接觸區(qū)域L2被放大。具體地，子接觸區(qū)域L2包括與內(nèi)壁Zain接觸的第一區(qū)域和與內(nèi)壁Ybin接觸的第二區(qū)域。在該實施例中，接觸區(qū)域包括子接觸區(qū)域LO、L3、L4和被放大的子接觸區(qū)域LI、L2。[第五實施例]將參考圖7來描述根據(jù)第五實施例的檢測裝置I。在根據(jù)第五實施例的檢測裝置I中，不在IC封裝5的第一端表面Ya上形成第一傾斜子表面Ya2。因此，與第一端表面Ya相等的第一垂直子表面Yal向z軸的第二端側(cè)方向延伸。因此，整個內(nèi)壁Yain被限定為子接觸區(qū)域L5。即，根據(jù)第五實施例的檢測裝置I包括連接的子接觸區(qū)域L5，而不是在第一實施例和第四實施例中描述的分離的子接觸區(qū)域LI和L3。類似地，不在IC封裝5的第二端表面Yb上形成第二傾斜子表面Yb2。因此，與第一端表面Yb相等的第二垂直子表面Ybl 向z軸的第二端側(cè)方向延伸。因此，整個內(nèi)壁Ybin被限定為子接觸區(qū)域L6。S卩，根據(jù)第五實施例的檢測裝置I包括連接的子接觸區(qū)域L6，而不是在第一實施和第四實施例中描述的分離的子接觸區(qū)域L2和L4。因此，在該實施例中，接觸區(qū)域包括子接觸區(qū)域LO、L5和L6。在上述配置下，IC封裝5在y軸方向上的第一端側(cè)在z軸方向上被子接觸區(qū)域L5夾著和支撐。類似地，IC封裝5在y軸方向上的第二端側(cè)在z軸方向上被子接觸區(qū)域L6夾著和支撐。[變型]檢測裝置I的配置不限于上述實施例。將描述上述實施例的變型。在上述實施例中，通過下述方式來限定磁電換能器的位置將IC封裝5與子接觸區(qū)域LO至L4接觸，并且在殼體3的外表面17的第一部分上形成樹脂模制部4?？商娲?，通過下述方式來限定磁電換能器的位置僅將IC封裝5的前端表面Xa與殼體3的子接觸區(qū)域LO接觸，并且在殼體3的外表面17的第一部分上形成樹脂模制部4。此外，IC封裝5可以被形成為具有不同的形狀，或者不同地限定接觸區(qū)域，使得當(dāng)IC封裝5被子接觸區(qū)域夾著時IC器件2的輸出電壓的特性較不可能被影響。在上述實施例中，IC封裝5具有正方形的板狀，并且引線6A至6C僅從與該正方形的四個端側(cè)之一連接的尾端表面Xb垂直地突出。可替代地，IC封裝5可以具有棱柱形狀，并且引線6A至6C可以在不同方向上從IC封裝5的一個或多于一個的表面突出。在上述實施例中，IC封裝的第二端表面Zb在y軸方向的寬度上比第一端表面Za小。可替代地，IC封裝的第二端表面Zb在y軸方向的寬度上可以比第一端表面Za大。在上述實施例中，將引線6A至6C如下地限定。引線6A用于輸出由磁電換能器產(chǎn)生的電壓，引線6B用于向磁電換能器提供電源，并且引線6C用于將磁電換能器與地電氣耦合?？商娲?，可以以與上述配置不同的方式來限定引線6A至6C。[第六實施例]將參考圖8至圖15來描述根據(jù)第六實施例的檢測裝置101。根據(jù)第六實施例的檢測裝置101被附接在汽車(未示出)的傳動裝置上，并且用于檢測沖程運動。汽車的傳動裝置包括接合構(gòu)件，該接合構(gòu)件包括磁路。檢測裝置101檢測隨著接合構(gòu)件的移動而改變的磁場。檢測裝置101向電子控制單元(ECU)輸出與所檢測的磁場對應(yīng)的信號。ECU根據(jù)來自檢測裝置101的所接收的信號來檢測接合構(gòu)件的位置。如圖8中所示，檢測裝置101包括作為檢測元件的霍爾IC器件110、端子120、蓋子130、殼體140和外殼150?；魻朓C器件110包括霍爾元件、集成電路封裝(IC封裝)、三條引線111和樹脂模制部112。在附圖中未示出該霍爾元件和該IC封裝。在圖8和圖11中示出三條引線111和樹脂模制部112?；魻栐鶕?jù)霍爾效應(yīng)來檢測磁場。集成電路處理從霍爾元件輸出的信號。三條引線111與該集成電路耦合。樹脂模制部112利用樹脂材料來模制霍爾元件、集成電路封裝和三條引線111?；魻朓C器件110的輸出電壓根據(jù)磁場的改變而變化。如圖8和圖9所示，三個端子120由導(dǎo)電材料制成。每一個端子120的第一端與霍爾IC器件110的對應(yīng)引線111耦合，通過例如熔接的方式。每一個端子120的第二端延伸到殼體140的外部。在下文中，霍爾IC器件110所位于的端側(cè)被定義為檢測裝置101的第一端側(cè)。與霍爾IC器件110相對的另一端側(cè)被定義為檢測裝置101的第二端側(cè)。相應(yīng)地，指向第一端側(cè)的方向被定義為第一端側(cè)方向，并且指向第二端側(cè)的方向被定義為第二端側(cè)方向。如圖8和圖10所示，蓋子130由熱塑性樹脂或熱固性樹脂制成，并且端子120的每 一個都部分地被蓋子130模制。蓋子130包括接觸部131、延伸部132、保護部133和固定部134。接觸部131具有盤的形狀。延伸部132在第一端側(cè)方向上沿著端子120從接觸部131向霍爾IC器件110延伸。保護部133在第二端側(cè)方向上沿著端子120從接觸部131向霍爾IC器件110的相對側(cè)延伸。固定部134大體與保護部133和接觸部131垂直地形成。端子120的每一個在端子厚度方向上在一個寬側(cè)上從延伸部132顯露出。端子厚度方向被定義為垂直地從每一個端子120的一個寬表面向另一個寬表面穿透的方向。如圖8和圖11所示，端子120所顯露的表面配備了兩個電容器160以用于噪聲抑制。如圖8和圖12所示，殼體140由熱塑性樹脂制成，并且包括底部141和圓柱部142，圓柱部142在第二端側(cè)方向上從底部141的外沿延伸出。圓柱部142還包括小直徑部143、臺階部144和大直徑部145，它們在第二端側(cè)方向上以上述順序排列。由小直徑部143限定用于霍爾IC器件110的收納空間146?；魻朓C器件110的厚度大體等于收納空間146的內(nèi)部寬度。第一空間170被限定在霍爾IC器件110和底部141之間。第二空間171被限定在霍爾IC器件110和蓋子130之間。在相對于底部141的小直徑部143的相對側(cè)上布置大直徑部145，并且大直徑部145在直徑上比小直徑部143大。大直徑部145具有突出部147，突出部147在大直徑部145的外表面周圍沿徑向向外的方向延伸。當(dāng)通過注射成型形成外殼150時，突出部147熔化并且與外殼150成一整體。蓋子130的接觸部131被插入殼體140的大直徑部145，保護部133和固定部134可以與大直徑部145的內(nèi)壁接觸。連接小直徑部143與大直徑部145的階梯部144與接觸部131的第一端表面接觸。接觸部131的第一端表面被定義為接觸部13在第一端側(cè)上布置的端表面，并且接觸部131的第二端表面被定義為接觸部13在第二端側(cè)上布置的端表面。通過該配置，殼體140被蓋子130覆蓋。在大直徑部145上，在徑向上限定通孔148。通孔148與在蓋子130的固定部134上形成的限位器137接合。臺階部144具有突出部149，突出部149從臺階部144在第二端側(cè)方向上突出。蓋子130具有凹陷部135，凹陷部135從蓋子130的內(nèi)底表面在第二端側(cè)方向上凹陷。臺階部144的突出部149與蓋子130的凹陷部135接合，從而在圓周方向上限定蓋子130的位置。因此，恰當(dāng)?shù)厥褂蒙w子130來裝配殼體140。如圖8和圖13所示，外殼150由熱塑性樹脂制成，并且包括主體151、法蘭部152和連接器153。通過利用樹脂材料模制圓柱部142、大直徑部145、蓋子130和端子120來配置主體151。如圖8和圖14所示，主體151具有在主體151的外表面周圍的凹陷部154。0形環(huán)構(gòu)件155被粘到該凹陷部154。法蘭部152從主體151向徑向向外的方向延伸。通過法蘭部152限定安裝孔156，并且安裝孔156使得檢測裝置101能夠被安裝在傳動裝置(未示出)的配置構(gòu)件上。端子120在連接器153的內(nèi)部空間中向外顯露。利用外部端子(未示出)來安裝連接器153。因此，來自霍爾IC器件110的輸出信號經(jīng)由從連接器153顯露出的端子120被發(fā)送到車載E⑶。將參考圖15和圖10至14所示的流程圖來描述檢測裝置101的制造方法。在下文中，“S”表示步驟，并且例如，“步驟SI”將被稱為“SI”。如圖10所示，在SI，作為第一模制過程，通過注射成型來形成蓋子130，并且端子120被插入蓋子130。在SI，限定三個端子120的位置。如圖11所示，在S2，作為連接過程，將端子120的第一端與霍爾IC器件110的引線111熔接，以便連接端子120和引線111。在S3，作為電子部件耦合過程，通過焊合 將電容器160耦合到端子120。如圖8和圖12所示，在S4，作為插入過程，霍爾IC器件110被插入殼體140的收納空間146。此外，蓋子130的接觸部131被插入殼體140的大直徑部145，并且殼體140的臺階部144與接觸部131的第一端表面接觸。此時，殼體140的突出部149與蓋子130的凹陷部135接合，并且蓋子130的限位器137與通孔148接合，通過殼體140的大直徑部145來限定該通孔148。通過該配置，通過蓋子130來覆蓋殼體140的開口部。如圖8和圖13所示，在S5，作為第二模制過程，通過注射成型來形成外殼150，并且圓柱部142、蓋子130和端子120被插入到外殼150。當(dāng)執(zhí)行注射成型時，由用于形成外殼150的樹脂注射引起的注射壓力被施加到蓋子130的接觸部131的第二端表面。相應(yīng)地，位于第一端側(cè)處的接觸部131的底部壓迫臺階部144。因此，接觸部131的第一端表面以防潮的方式與臺階部144緊密接觸。因此，上述配置抑制了外殼150的樹脂材料滲透到殼體140中。如圖14所示，在對外殼150進行模制之后，0形環(huán)構(gòu)件155被粘到主體151。然后，執(zhí)行性能檢驗和外觀檢驗，并且完成檢測裝置101的制造。根據(jù)第六實施例的檢測裝置101提供了下面的優(yōu)點(I)在本實施例中，形成蓋子130，并且然后，將霍爾IC器件110與端子120耦合。當(dāng)形成蓋子130時，通過蓋子130的樹脂材料來產(chǎn)生注射壓力。因此，在第一模制過程中，抑制了注射壓力向霍爾IC器件110的施加。因此，提高了霍爾IC器件110的輸出可靠性。(2)在本實施例中，在第二模制過程中，蓋子130抑制外殼150的樹脂材料向圓柱部142的滲透。當(dāng)形成外殼150時，通過外殼150的樹脂材料來產(chǎn)生注射壓力。因此，在第二模制過程中，抑制注射壓力向霍爾IC器件110的施加。(3)在本實施例中，由用于形成外殼150的樹脂注射引起的注射壓力被施加到蓋子130的接觸部131。相應(yīng)地，接觸部131壓迫殼體140的臺階部144。因此，接觸部131以防潮方式與臺階部144緊密接觸。因此，毫無疑義地抑制外殼150的樹脂材料向殼體140的滲透。(4)在本實施例中，由蓋子130和霍爾IC器件110來限定限位器137，并且由底部141和霍爾IC器件110來限定第二空間171。通過該配置，在插入過程和第二模制過程中，第一空間170和第二空間171保護霍爾IC器件110，并且霍爾IC器件110不受到外部的壓力。因此，提高了檢測元件的輸出可靠性。(5)在本實施例中，當(dāng)通過注射成型來形成外殼150時，在殼體的外表面上形成的突出部147熔化并且與外殼150成一整體。因此，抑制了潮氣向殼體140的滲透。(6)在本實施例中，通過蓋子130的延伸部132來模制端子120。因此，限定三個端子120的位置，由此將電容器160容易地與端子120耦合。[第七實施例]將參考圖16和圖17來描述根據(jù)第七實施例的檢測裝置101。如圖16所示，在根據(jù)第七實施例的檢測裝置101中，電容器160被蓋子130的延伸部132模制。端子120從第一端側(cè)上的延伸部132顯露出。將參考在圖17所示的流程圖來描述根據(jù)第七實施例的檢測裝置101的制造方法。首先，作為電子部件耦合過程S3，諸如電容器160之類的電子部 件被耦合到端子120。然后，作為第一模制過程(SI)，通過注射成型來形成蓋子130，并且端子120和諸如電容器160之類的電子部件被插入蓋子130。然后，執(zhí)行與第六實施例中描述的過程類似的S2、S4和S5。在根據(jù)第七實施例的檢測裝置101中，因為通過蓋子130密封諸如電容器160之類的電子部件，所以抑制了潮氣向電容器160的滲透。電子部件可以包括電容器、電阻器、線圈和IC器件。[其他實施例]在第六實施例和第七實施例中，將檢測裝置描述為用于檢測沖程運動。可替代地，檢測裝置可以用于檢測諸如溫度、加速度或角速度之類的各種物理量。例如，當(dāng)檢測裝置被用作溫度檢測裝置時，檢測元件可以是熱敏電阻。當(dāng)檢測裝置被用作磁檢測裝置時，檢測元件可以是磁阻元件。當(dāng)檢測裝置被用作加速度或角速度檢測裝置時，檢測元件可以是可移動構(gòu)件，該可移動構(gòu)件根據(jù)加速度或角速度來移動。雖然已經(jīng)參考本公開的優(yōu)選實施例描述了本公開，但是應(yīng)當(dāng)理解的是，本公開不限于該優(yōu)選實施例和構(gòu)造。本公開旨在覆蓋各種變型和等同布置。另外，除了優(yōu)選的各種組合和配置之外，包括更多、更少或僅單個元件的其他組合和配置也處于本公開的精神和范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種磁檢測裝置(I)，包括 IC器件(2)，其包括IC封裝(5)和從所述IC封裝(5)延伸出的多條引線(6A至6C)，所述IC封裝包括內(nèi)置的磁電換能器； 殼體(3)，其限定所述IC器件(2)的收納空間(9);以及 樹脂模制部(4)，其被布置在所述殼體(3)的外表面(17)的第一部分上，所述殼體(3)的所述外表面(17)的第一部分與所述殼體(3)的內(nèi)壁的第一部分對應(yīng)， 其中，所述收納空間(9)由所述殼體(3)的所述內(nèi)壁的第二部分限定，所述殼體(3)的所述內(nèi)壁的第二部分與所述殼體(3)的所述外表面(17)的第二部分對應(yīng)， 其中，所述殼體(3)的所述內(nèi)壁的第二部分的預(yù)定部分被定義為接觸區(qū)域(LO至L6)，所述接觸區(qū)域(L0至L6)與所述IC器件(2)的外表面的預(yù)定部分相接觸， 其中，所述樹脂模制部(4)被布置在所述殼體(3)的所述外表面(17)的第二部分的預(yù)定部分以外的部分，所述殼體(3)的所述外表面(17)的第二部分的預(yù)定部分與所述接觸區(qū)域(L0至L6)對應(yīng)，并且 其中，通過所述樹脂模制部(4)的位置以及與所述IC封裝(5)接觸的所述接觸區(qū)域(L0至L6)的位置來確定所述磁電換能器的位置。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的磁檢測裝置(I)，還包括 法蘭形狀的突出部(16)，其從所述殼體(3)的所述外表面(17)的第一部分的預(yù)定部分沿徑向向外的方向延伸，所述法蘭形狀的突出部(16)具有環(huán)狀并且圍繞所述收納空間(9)， 其中，所述法蘭形狀的突出部(16)與所述樹脂模制部(4)成一整體。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的磁檢測裝置(1)，其中 所述IC封裝(5)被所述接觸區(qū)域(L0至L6)夾著和支撐。
4.根據(jù)權(quán)利要求I至3中的任一項所述的磁檢測裝置(I)，還包括 多個延伸端子(13A至13C)，其在所述收納空間(9)中分別與所述多條引線(6A至6C)電氣I禹合， 其中，所述收納空間(9)被填充有灌封材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的磁檢測裝置(I)，還包括 電容器(14)，其被耦合在兩個相鄰的延伸端子(13A至13C)之間， 其中，所述電容器(14 )被所述收納空間(9 )中的所述灌封材料密封。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的磁檢測裝置(I)，還包括 多個延伸端子(13A至13C)，其在所述收納空間(9)中分別與所述多條引線(6A至6C)電氣I禹合， 其中，所述殼體(3)限定開口部(10)，以便在所述收納空間(9)中容納所述IC器件(2)， 其中，所述開口部(10)被蓋子(22)覆蓋，所述蓋子(22)包括多個通孔(23)， 其中，每一個延伸端子(13A至13C)經(jīng)由對應(yīng)的所述通孔(23)穿透所述蓋子(22)，其中，所述多個延伸端子(13A至13C)中的一個包括限位器(24)，以將所述多個延伸端子(13A至13C)與所述蓋子(22)接合，并且 其中，所述蓋子(22 )通過熱堵縫與所述殼體(3 )成一整體，以便密封所述開口部(10 )。
7.根據(jù)權(quán)利要求I至3中的任一項所述的磁檢測裝置(I)，還包括 多個延伸端子(13A至13C)，其在所述收納空間(9)中分別與所述多條引線(6A至6C)電氣I禹合；以及 一個或多個電容器(14)，其被耦合在兩個相鄰的延伸端子(13A至13C)之間， 其中，所述IC器件(2)中的除了所述IC封裝(5)之外的部分、所述多個延伸端子(13A至13C)以及所述一個或多個電容器(14)提供了子總成(27)的插入部件(26)，所述子總成(27)被注射成型，并且 其中，在所述子總成(27)被收納在所述收納空間(9 )中的條件下布置所述樹脂模制部(4)。
8.一種檢測裝置(101)，包括 檢測元件，其檢測物理量； 殼體(140)，其包括底部(141)和沿一個方向從所述底部(141)的外沿延伸出的圓柱部(142)，所述殼體(140)將所述檢測元件收納在底部側(cè)上的所述圓柱部的內(nèi)部； 多個端子(120)，每一個端子(120)的第一端與所述檢測元件耦合，并且每一個端子(120)的第二端延伸到所述殼體(140)的外部； 蓋子(130)，其覆蓋所述圓柱部(142)的開口部，所述蓋子(130)模制所述多個端子(120)，并且所述圓柱部(142)的所述開口部與所述殼體(140)的所述底部(141)相對；以及外殼(150)，其模制所述圓柱部(142)、所述蓋子(130)和所述多個端子(120)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的檢測裝置(101)，其中 所述殼體(140)的所述圓柱部(142)包括 小直徑部(143)，其在所述底部側(cè)上限定所述檢測元件的收納空間； 大直徑部(145)，其具有比所述小直徑部(143)的直徑大的直徑，并且被布置在所述底部(141)的相對側(cè)上；以及 臺階部(144)，其被布置在所述小直徑部(143)和所述大直徑部(145)之間； 所述蓋子(130)被插入所述大直徑部(145 )的內(nèi)部；并且 所述蓋子(130)在所述蓋子(130)的被布置在所述底部側(cè)上的表面處與所述臺階部(144)接觸。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的檢測裝置(101)，其中 所述蓋子(130)和所述檢測元件限定在所述殼體(140)中的位于所述蓋子(130)與所述檢測元件之間的第一空間(170)。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的檢測裝置(101)，其中 所述底部(141)和所述檢測元件限定在所述殼體(140 )中的位于所述底部(141)與所述檢測元件之間的第二空間(171)。
12.根據(jù)權(quán)利要求8至11中的任一項所述的檢測裝置(101)，其中 所述殼體(140)和所述外殼(150)由熱塑性樹脂材料制成； 所述外殼是注射成型構(gòu)件；并且 所述圓柱部(142)、所述蓋子(130)和所述多個端子(120)被插入所述外殼(150)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的檢測裝置(101)，還包括 電子部件(160)，其耦合到所述多個端子(120)并且被所述蓋子(130)模制。
14.一種根據(jù)權(quán)利要求8所述的檢測裝置的制造方法，包括 通過對所述多個端子(120)的第一注射成型來形成所述蓋子(130)，所述多個端子(120)被插入所述蓋子(130)； 將所述多個端子(120)與所述檢測元件耦合； 在形成所述蓋子(130)以及所述多個端子(120)與所述檢測元件耦合之后，將所述檢測元件插入所述殼體(140)中； 利用所述蓋子(130)來覆蓋所述殼體(140)的所述開口部，所述蓋子(130)被插入到所述殼體(140)的所述圓柱部(142)的所述底部側(cè)；以及， 通過對所述圓柱部(142)、所述蓋子(130)和所述多個端子(120)的第二注射成型來形成所述外殼(150)，在所述檢測元件被插入所述殼體(140)中之后，所述圓柱部(142)、所述蓋子(130)和所述多個端子(120)被插入所述外殼(150)。
全文摘要
一種磁檢測裝置(1)包括IC器件(2)；殼體(3)，其限定IC器件的收納空間(9)；以及，樹脂模制部(4)，其被布置在殼體的外表面(17)的第一部分上。IC器件包括IC封裝(5)，其具有內(nèi)置的磁電換能器；以及引線(6)。收納空間由殼體的內(nèi)壁的第二部分限定。內(nèi)壁的第二部分的預(yù)定部分被定義為與所述IC器件接觸的接觸區(qū)域(L0-L4)。樹脂模制部被布置在外表面的第二部分的預(yù)定部分以外，外表面的第二部分的預(yù)定部分與接觸區(qū)域?qū)?yīng)。通過接觸區(qū)域和樹脂模制部的位置來確定磁電換能器的位置。
文檔編號G01K7/22GK102809385SQ20121018010
公開日2012年12月5日 申請日期2012年6月1日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月3日
發(fā)明者水谷彰利, 河野尚明, 本多仁美, 瀧口智之 申請人:株式會社電裝