專利名稱：高壓直流換流閥多重閥絕緣型式試驗等效模擬負(fù)載裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及高壓直流換流閥型式試驗技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種土 660kV/ 土 800kV/ 土 11OOkV高壓直流換流閥多重閥絕緣型式試驗等效模擬負(fù)載裝置。
背景技術(shù)：
為了保證直流輸電工程的可靠性，直流換流閥必須進(jìn)行型式試驗，該型式試驗包括絕緣試驗和運行試驗；多重閥絕緣型式試驗是絕緣試驗的重要組成部分?，F(xiàn)有技術(shù)中，待測直流換流閥的電壓等級比較多，例如土 660kV、土 800kV、±1100kV;對不同電壓等級的直流換流閥進(jìn)行多重閥絕緣型式試驗時，需要使用不同的模擬負(fù)載，比較麻煩；實有必要研制一種能夠滿足±660kV/±800kV/± IlOOkV高壓直流換流、閥多重閥絕緣型式試驗的等效模擬負(fù)載裝置，以解決上述技術(shù)問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種高壓直流換流閥多重閥絕緣型式試驗等效模擬負(fù)載裝置，可以滿足不同電壓等級的直流輸電換流閥多重閥絕緣型式試驗對等效模擬負(fù)載的要求。為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案高壓直流換流閥多重閥絕緣型式試驗等效模擬負(fù)載裝置，包括第一段、第二段和第三段，該三段疊裝串聯(lián)；該三段中的每一段均包括并聯(lián)的3個Rdc柱、I個Cv柱和I個Rs、Cs、Lr、Rr 柱。優(yōu)選的，Rdc柱包括串聯(lián)的等效直流電阻Rdc本體部分和等效直流電阻Rdc調(diào)節(jié)部分；Cv柱包括串聯(lián)的沖擊均壓電容等效電容Cv本體部分和沖擊均壓電容等效電容Cv調(diào)節(jié)部分；Rs、Cs、Lr、Rr柱包括串聯(lián)的等效電容Cs本體部分、阻尼回路等效電阻Rs本體部分、等效電容Cs調(diào)節(jié)部分、阻尼回路等效電阻Rs調(diào)節(jié)部分、等效電阻Rr本體部分、等效電阻Rr調(diào)節(jié)部分、串聯(lián)電抗器等效電感Lr本體部分和串聯(lián)電抗器等效電感Lr調(diào)節(jié)部分。優(yōu)選的，所述高壓直流換流閥多重閥絕緣型式試驗等效模擬負(fù)載裝置頂部設(shè)有龜板式屏蔽罩，第一段和第二段之間，第二段和第三段之間均有一對月牙形均壓腰環(huán)，述高壓直流換流閥多重閥絕緣型式試驗等效模擬負(fù)載裝置底部設(shè)有氣墊移動式底座。優(yōu)選的，所述高壓直流換流閥多重閥絕緣型式試驗等效模擬負(fù)載裝置在進(jìn)行高壓直流換流閥多重閥絕緣型式試驗時等效模擬替代2個雙重閥塔，并與I個雙重閥塔試品串聯(lián)使用。相對于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明具有以下優(yōu)點本發(fā)明一種高壓直流換流閥多重閥絕緣型式試驗等效模擬負(fù)載裝置，為多層柱狀塔式結(jié)構(gòu)，根據(jù)電壓等級的不同分為3段(A、B、C)，即A段為±660kV直流輸電換流閥MVU絕緣型式試驗配套裝置，A段+B段為±800kV直流輸電換流閥MVU絕緣型式試驗配套裝置，A段+B段+C段為± IlOOkV直流輸電換流閥MVU絕緣型式試驗配套裝置；該裝置采用串聯(lián)晶閘管換流閥進(jìn)行MVU絕緣型式試驗，該裝置的使用可以大大降低換流閥試品的制造成本，并且可以縮短試驗周期。


圖I是多重閥(MVU)絕緣型式試驗示意圖。圖2是本發(fā)明等效模擬負(fù)載裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是圖2沿K向的俯視圖。
具體實施方式
請參閱圖I所示，按照GB/T 20990. 1-2007標(biāo)準(zhǔn)的要求，在絕緣型式試驗時，多重閥(MVU)試品形態(tài)應(yīng)為吊裝1#、2#、3#、4#四個雙重閥塔，并進(jìn)行電氣串聯(lián)(見圖1)，其中4#雙重閥塔應(yīng)予以短接并接地。本發(fā)明在使用等效模擬負(fù)載裝置替代兩個串聯(lián)雙重閥塔進(jìn)行多重閥(MVU)絕緣型式試驗的方法時，等效模擬負(fù)載裝置等效2#、3#號雙重閥塔，并與1#雙重閥塔串聯(lián)后構(gòu)成多重閥(MVU)絕緣型式試驗的完整試品。此時僅需提供一個1#雙重閥塔，并懸掛于閥頂部架，再配合等效模擬負(fù)載進(jìn)行多重閥(MVU)絕緣型式試驗。相較于以往試驗方法，該試驗方法減少了三個雙重閥塔，降低了研發(fā)風(fēng)險和研制成本，并能夠滿足GB/T 20990. 1-2007標(biāo)準(zhǔn)的要求。請參閱圖2和圖3所示，本發(fā)明等效模擬負(fù)載裝置使用多層柱狀塔式結(jié)構(gòu)，由上至下分別為A段、B段、C段，三段為疊裝串聯(lián)組成。該等效模擬負(fù)載裝置可以匹配三種不同電壓等級的晶閘管換流閥進(jìn)行MVU絕緣型式試驗，即A段為±660kV直流輸電換流閥MVU絕緣型式試驗配套裝置，A段+B段為±SOOkV直流輸電換流閥MVU絕緣型式試驗配套裝置，A段+B段+C段為± IlOOkV直流輸電換流閥MVU絕緣型式試驗配套裝置。該裝置完全等效了晶閘管換流閥的各項技術(shù)參數(shù)，等效模擬負(fù)載裝置中的A、B、C三段中的每一段均包括并聯(lián)的3個Rdc柱、I個Cv柱和I個Rs、Cs、Lr、Rr柱。3柱等效直流電阻Rdc柱包括串聯(lián)的等效直流電阻Rdc本體部分3和等效直流電阻Rdc調(diào)節(jié)部分30 ；1柱沖擊均壓電容等效電容Cv柱，包括串聯(lián)的沖擊均壓電容等效電容Cv本體部分4和沖擊均壓電容等效電容Cv調(diào)節(jié)部分40 ;1個Rs、Cs、Lr、Rr柱包括串聯(lián)的等效電容Cs本體部分5、阻尼回路等效電阻Rs本體部分6、等效電容Cs調(diào)節(jié)部分50、阻尼回路等效電阻Rs調(diào)節(jié)部分60、等效電阻Rr本體部分7、等效電阻Rr調(diào)節(jié)部分70、串聯(lián)電抗器等效電感Lr本體部分8和串聯(lián)電抗器等效電感Lr調(diào)節(jié)部分80。該等效模擬負(fù)載裝置為多層柱狀塔式結(jié)構(gòu)設(shè)計，頂部為龜板式屏蔽罩，A段和B段間，B段和C段間均有一對月牙形均壓腰環(huán)9，底部為氣墊移動式底座2。該裝置在進(jìn)行MVU絕緣型式試驗時可等效模擬替代2個雙重閥塔，并與I個雙重閥塔試品串聯(lián)使用。此外，為了保證多重閥(MVU)直流耐壓及局放試驗時等效模擬負(fù)載裝置本身結(jié)構(gòu)引起的放電水平低于考核要求，等效模擬負(fù)載增加了頂屏蔽罩I及層均壓環(huán)9，為方便放置及移動采用氣墊移動式底座2，同時采用自然冷卻方式。該等效模擬負(fù)載裝置作為多重閥(MVU)絕緣型式試驗試品的一部分，為保證等效模擬負(fù)載的可靠使用和多重閥(MVU)絕緣型式試驗的順利進(jìn)行，在多重閥(MVU)絕緣型式試驗進(jìn)行前，必須在苛刻于多重閥(MVU)絕緣型式試驗要求的條件下進(jìn)行等效模擬負(fù)載的型式 試驗。
權(quán)利要求
1.高壓直流換流閥多重閥絕緣型式試驗等效模擬負(fù)載裝置，其特征在于，包括第一段(A段)、第二段(B段)和第三段(C段)，該三段疊裝串聯(lián)；該三段中的每一段均包括并聯(lián)的3個Rdc柱、I個Cv柱和I個Rs、Cs、Lr、Rr柱。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的高壓直流換流閥多重閥絕緣型式試驗等效模擬負(fù)載裝置，其特征在干，Rdc柱包括串聯(lián)的等效直流電阻Rdc本體部分(3)和等效直流電阻Rdc調(diào)節(jié)部分(30) ；Cv柱包括串聯(lián)的沖擊均壓電容等效電容Cv本體部分(4)和沖擊均壓電容等效電容Cv調(diào)節(jié)部分(40) ;Rs、Cs、Lr、Rr柱包括串聯(lián)的等效電容Cs本體部分(5)、阻尼回路等效電阻Rs本體部分(6)、等效電容Cs調(diào)節(jié)部分(50)、阻尼回路等效電阻Rs調(diào)節(jié)部分(60)、等效電阻Rr本體部分(7)、等效電阻Rr調(diào)節(jié)部分(70)、串聯(lián)電抗器等效電感Lr本體部分(8)和串聯(lián)電抗器等效電感Lr調(diào)節(jié)部分(80 )。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的高壓直流換流閥多重閥絕緣型式試驗等效模擬負(fù)載裝置，其特征在于，所述高壓直流換流閥多重閥絕緣型式試驗等效模擬負(fù)載裝置頂部設(shè)有龜板式屏蔽罩(1)，第一段(A段)和第二段(B段)之間，第二段(B段)和第三段(C段)之間均有ー對月牙形均壓腰環(huán)(9)，述高壓直流換流閥多重閥絕緣型式試驗等效模擬負(fù)載裝置底部設(shè)有氣墊移動式底座(2)。
4.如權(quán)利要求I至3中任一項所述的高壓直流換流閥多重閥絕緣型式試驗等效模擬負(fù)載裝置，其特征在于，所述高壓直流換流閥多重閥絕緣型式試驗等效模擬負(fù)載裝置在進(jìn)行高壓直流換流閥多重閥絕緣型式試驗時等效模擬替代2個雙重閥塔，并與I個雙重閥塔試品串聯(lián)使用。
全文摘要
本發(fā)明提供一種高壓直流換流閥多重閥絕緣型式試驗等效模擬負(fù)載裝置，包括第一段、第二段和第三段，該三段疊裝串聯(lián)；該三段中的每一段均包括并聯(lián)的3個Rdc柱、1個Cv柱和1個Rs、Cs、Lr、Rr柱。本發(fā)明等效模擬負(fù)載裝置，為多層柱狀塔式結(jié)構(gòu)，根據(jù)電壓等級的不同分為3段(A、B、C)，即A段為±660kV直流輸電換流閥MVU絕緣型式試驗配套裝置，A段+B段為±800kV直流輸電換流閥MVU絕緣型式試驗配套裝置，A段+B段+C段為±1100kV直流輸電換流閥MVU絕緣型式試驗配套裝置；該裝置采用串聯(lián)晶閘管換流閥進(jìn)行MVU絕緣型式試驗，該裝置的使用可以大大降低換流閥試品的制造成本，并且可以縮短試驗周期。
文檔編號G01R31/00GK102662146SQ20121015844
公開日2012年9月12日 申請日期2012年5月21日 優(yōu)先權(quán)日2012年5月21日
發(fā)明者劉冬火, 婁彥濤, 李俠, 王文奇, 胡宇, 行鵬 申請人:中國西電電氣股份有限公司