專利名稱：風(fēng)機電流檢測方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電流檢測方法，特別涉及一種車載風(fēng)機的電流檢測方法。
背景技術(shù)：
為了確保行車安全，要對車載風(fēng)機的工作狀態(tài)進行監(jiān)測。對于車載風(fēng)機的電流檢測，通常分為電阻檢測與互感器檢測，電阻檢測又可以分為上端檢測與下端檢測。檢測的方法都是通過檢測流過電流的大小然后換算成電壓，來進行計算，從而判斷風(fēng)機的工作狀態(tài)， 即是否出現(xiàn)堵轉(zhuǎn)。但是，現(xiàn)有的檢測過程都需要一些精度要求比較高的電子元器件，而風(fēng)機電流檢測對精度的要求卻不是很高，因此現(xiàn)有的風(fēng)機電流檢測方法對軟硬件的配置都較為奢侈，造成了過高的成本。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種風(fēng)機電流檢測方法，以解決現(xiàn)有的風(fēng)機電流檢測方法成本高的問題。本發(fā)明提出一種風(fēng)機電流檢測方法，包括以下步驟a.將一 MOS管串接在風(fēng)機的回路中；b.進行PWM溢出中斷，并在PWM溢出中斷時向該MOS管的控制端發(fā)送一高占空比的電流檢測波；c.檢測該MOS管的輸入端與輸出端之間的壓降；d.根據(jù)該MOS管的輸入端與輸出端之間的壓降以及該MOS管的內(nèi)阻計算流經(jīng)風(fēng)機的電流。進一步的，步驟b中一次PWM溢出中斷的時間是20ms。進一步的，該電流檢測波的占空比是80 %。進一步的，步驟b中每一次PWM溢出中斷包括bl.開啟PWM溢出中斷；b2.向該MOS管的控制端發(fā)送一緩沖波；b3.向該MOS管的控制端發(fā)送該電流檢測波；b4.關(guān)閉PWM溢出中斷。進一步的，該緩沖波是占空比介于正常波形和該電流檢測波之間，且逐漸變大的 P麗波。進一步的，步驟d中，該MOS管的內(nèi)阻根據(jù)其當(dāng)前溫度以及該MOS管溫度與內(nèi)阻的關(guān)系計算獲得的。相對于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的有益效果是本發(fā)明利用串接到風(fēng)機回路中的MOS管來檢測風(fēng)機的電流，且在向MOS管發(fā)送高占空比的電流檢測波時進行檢測，有充足的時間在MOS管導(dǎo)通的情況下測量電壓，因此對電子元器件的精度要求較低，可以有效降低設(shè)備成本。


圖1為本發(fā)明風(fēng)機電流檢測方法的一種實施例流程圖；圖2為本發(fā)明接入MOS管后的一種電路原理圖；圖3為本發(fā)明PWM溢出中斷時電流檢測波的一種波形圖；圖4為本發(fā)明PWM溢出中斷時PWM溢出中斷時緩沖波和電流檢測波的一種波形圖。
具體實施例方式以下結(jié)合附圖具體說明本發(fā)明。請參見圖1，其為本發(fā)明風(fēng)機電流檢測方法的一種實施例流程圖，其包括以下步驟S101，將MOS管串接在風(fēng)機的回路中。請結(jié)合參見圖2，其為接入MOS管后的一種電路原理圖，MOS管的柵極端g(即所述的控制端)根據(jù)指令輸入正常的PWM波形，從而使風(fēng)機正常運轉(zhuǎn)。圖2中，MOS管的輸入端 a和輸出端b (即漏極和源極)分別連接到電壓輸入端和風(fēng)機的輸入端。當(dāng)然，MOS管也可以接在風(fēng)機輸出端和接地端之間，只要能測得流經(jīng)風(fēng)機的電流即可。Sl02，進行PWM溢出中斷，并在PWM溢出中斷時向該MOS管的控制端發(fā)送一高占空比的電流檢測波。所謂的PWM溢出中斷是指單片機為了保證輸出PWM波的連續(xù)性，擺脫正常程序執(zhí)行，進入中斷服務(wù)子程序，并在中斷服務(wù)子程序運行過程中向MOS管發(fā)送電流檢測波，PffM 溢出中斷的間隔優(yōu)選20ms。所述電流檢測波是占空比高于正常波形的PWM波，優(yōu)選的占空比為80%，圖3是 PWM溢出中斷時電流檢測波的波形圖，包括前后各一個周期的正常波形和中間三個周期的電流檢測波，每個周期的電流檢測波占一個PWM溢出中斷，其中正常PWM波的占空比是 50%，電流檢測波的占空比是80%，當(dāng)單片機發(fā)送電流檢測波時，在overflow點會發(fā)生中斷，其中overflow即指溢出。圖3繪示了三次PWM溢出中斷，當(dāng)然PWM溢出中斷的次數(shù)可以根據(jù)實際需要以及設(shè)備精度來調(diào)整。由于電流檢測波的占空比較大，使MOS管的輸入端與輸出端之間的導(dǎo)通時間增力口，所以有充足的時間在MOS管導(dǎo)通的情況下測量到b端的電壓，因此對測量電壓的電子元器件的精度要求也相對較低。特別的，在向MOS管發(fā)送電流檢測波之前，可以先發(fā)送一個緩沖波。所謂的緩沖波就是占空比漸漸變大的PWM波，其占空比介于正常波形和電流檢測波之間，并伴隨著電流檢測波，目的是為了避免在低占空比的輸入下，電流檢測波對風(fēng)機正常輸出的沖擊。圖4是 PWM溢出中斷時緩沖波和電流檢測波的波形圖，其中一個PWM溢出中斷包括兩個周期的緩沖波和一個周期的電流檢測波，緩沖波后一周期的占空比大于前一周期的占空比，分別是 60%和70%，電流檢測波的占空比是80%，因此緩沖波可以有效舒緩電流檢測波對風(fēng)機的沖擊。S103，檢測MOS管的輸入端與輸出端之間的壓降。
MOS管輸入端與輸出端上電壓的檢測是在PWM溢出中斷時進行的，圖2中由于MOS 管的輸入端a接電壓輸入端，因此只需要測量MOS管的輸出端b即可獲得MOS管上的壓降。 該檢測過程十分短暫(一個PWM溢出中斷僅20ms)，同時風(fēng)機是感性負(fù)載(帶電感參數(shù)的負(fù)載，即符合電壓超前電流特性的負(fù)載)，因此不會影響風(fēng)機正常的運轉(zhuǎn)。S104，根據(jù)MOS管輸入端與輸出端之間的壓降以及MOS管的內(nèi)阻計算流經(jīng)風(fēng)機的電流。MOS管輸入端與輸出端之間的壓降與MOS管的內(nèi)阻可以計算出流經(jīng)MOS管的電流， 由于MOS管串接在風(fēng)機的回路中，因此流經(jīng)MOS管的電流也即流經(jīng)風(fēng)機的電流。為了使檢測更精確，可以利用溫度傳感器采集MOS管的當(dāng)前溫度，然后根據(jù)MOS管溫度與內(nèi)阻的變化關(guān)系獲取MOS管的當(dāng)前內(nèi)阻，從而使計算獲得的電流更準(zhǔn)確。檢測出風(fēng)機的電流后，就可以根據(jù)該電流判斷風(fēng)機的工作狀態(tài)，例如通過判斷該電流是正常工作電流還是堵轉(zhuǎn)電流，就可以獲知風(fēng)機是否正常運轉(zhuǎn)。本發(fā)明利用串接到風(fēng)機回路中的MOS管來檢測風(fēng)機的電流，且在向MOS管發(fā)送高占空比的電流檢測波時進行檢測，有充足的時間在MOS管導(dǎo)通的情況下測量電壓，因此對電子元器件的精度要求較低，可以有效降低設(shè)備成本。以上公開的僅為本發(fā)明的幾個具體實施例，但本發(fā)明并非局限于此，任何本領(lǐng)域的技術(shù)人員能思之的變化，只要不超出所附權(quán)利要求書所述范圍，都應(yīng)落在本發(fā)明的保護范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種風(fēng)機電流檢測方法，其特征在于，包括以下步驟a.將一MOS管串接在風(fēng)機的回路中；b.進行PWM溢出中斷，并在PWM溢出中斷時向該MOS管的控制端發(fā)送一高占空比的電流檢測波；c.檢測該MOS管的輸入端與輸出端之間的壓降；d.根據(jù)該MOS管的輸入端與輸出端之間的壓降以及該MOS管的內(nèi)阻計算流經(jīng)風(fēng)機的電流。
2.如權(quán)利要求1所述的風(fēng)機電流檢測方法，其特征在于，步驟b中一次PWM溢出中斷的時間是20ms。
3.如權(quán)利要求1所述的風(fēng)機電流檢測方法，其特征在于，該電流檢測波的占空比是 80%。
4.如權(quán)利要求1所述的風(fēng)機電流檢測方法，其特征在于，步驟b中每一次PWM溢出中斷包括bl.開啟PWM溢出中斷； b2.向該MOS管的控制端發(fā)送一緩沖波； b3.向該MOS管的控制端發(fā)送該電流檢測波； b4.關(guān)閉PWM溢出中斷。
5.如權(quán)利要求4所述的風(fēng)機電流檢測方法，其特征在于，該緩沖波是占空比介于正常波形和該電流檢測波之間，且逐漸變大的PWM波。
6.如權(quán)利要求1所述的風(fēng)機電流檢測方法，其特征在于，步驟d中，該MOS管的內(nèi)阻根據(jù)其當(dāng)前溫度以及該MOS管溫度與內(nèi)阻的關(guān)系計算獲得的。
全文摘要
本發(fā)明提出一種風(fēng)機電流檢測方法，包括以下步驟a.將一MOS管串接在風(fēng)機的回路中；b.進行PWM溢出中斷，并在PWM溢出中斷時向該MOS管的控制端發(fā)送一高占空比的電流檢測波；c.檢測該MOS管的輸入端與輸出端之間的壓降；d.根據(jù)該MOS管的輸入端與輸出端之間的壓降以及該MOS管的內(nèi)阻計算流經(jīng)風(fēng)機的電流。本發(fā)明利用串接到風(fēng)機回路中的MOS管來檢測風(fēng)機的電流，且在向MOS管發(fā)送高占空比的電流檢測波時進行檢測，有充足的時間在MOS管導(dǎo)通的情況下測量電壓，因此對電子元器件的精度要求較低，可以有效降低設(shè)備成本。
文檔編號G01R19/00GK102539887SQ20121001442
公開日2012年7月4日 申請日期2012年1月18日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月18日
發(fā)明者周正文, 高峰 申請人:范示德汽車技術(shù)(上海)有限公司