專利名稱：箱式硅鋼片環(huán)形對比試樣的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及硅鋼片性能測試，尤其涉及硅鋼片環(huán)形對比試樣。
背景技術(shù)：
硅鋼片的磁性能受試樣狀態(tài)的影響，測試結(jié)果會(huì)有較大差異。試樣的傳遞過程、自然銹蝕和重復(fù)裝載會(huì)劣化試樣的狀態(tài)。因此，制作一種便于保存、不用重復(fù)裝載的參考試樣顯得尤為必要。國家標(biāo)準(zhǔn)“軟磁材料交流磁性能環(huán)形試樣的測量方法”(GB/T 3658-2008) (修改采用IEC 60404-6 :2003)中規(guī)定了環(huán)形試樣的一般制作要求，但為了能夠與國際常用的愛潑斯坦方圈法的試樣相一致，需要特殊考慮環(huán)形試樣的制作細(xì)節(jié)，如環(huán)形試樣尺寸、 初級及次級繞組的匝數(shù)、繞組銅線的規(guī)格等。制作同愛潑斯坦方圈相似的便于儲(chǔ)存、傳遞、 比對的環(huán)形參考試樣對工業(yè)常規(guī)檢測的一致性檢驗(yàn)是有意義的。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型旨在解決上述缺陷，提供一種箱式硅鋼片環(huán)形對比試樣。本實(shí)用新型能防止試樣劣化，而且攜帶方便。本實(shí)用新型是這樣實(shí)現(xiàn)的，一種箱式硅鋼片環(huán)形對比試樣，它包括繞有初級繞組和次級繞組的環(huán)形硅鋼片試樣，它還包括一個(gè)密封箱體，所述環(huán)形硅鋼片試樣置于其中；四個(gè)限位固定柱，它們分布于箱體底部四角，對角線上的兩個(gè)限位固定柱距離等于環(huán)形硅鋼片試樣的外徑；初級接線柱和次級接線柱，它們分別和初級繞組和次級繞組連接；所述硅鋼片式樣包括疊放的環(huán)形硅鋼片，硅鋼片外依次包裹的電磁絕緣層、單匝均勻繞的次級繞組、電磁絕緣層和雙匝均勻繞的初級繞組，所述環(huán)形硅鋼片有效磁路長度和對應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)愛潑斯坦方圈的長度Im —致，所述環(huán)形硅鋼片的層數(shù)η由如下公式確定，即
Γ , (D + d)Im = π: 2 ； D/d < 1. 25 ；M = P · π · (R2-r2) h ;n = h/δ ；其中，D和d分別為環(huán)形硅鋼片的外徑和內(nèi)徑；R和r分別歸環(huán)形硅鋼片內(nèi)外半徑和內(nèi)半徑；ρ為硅鋼片密度；h為環(huán)形樣厚度δ為環(huán)形硅鋼片厚度。所述的箱式硅鋼片環(huán)形對比試樣，所述環(huán)形硅鋼片試樣是經(jīng)過浸漆處理的。所述的箱式硅鋼片環(huán)形對比試樣，所述環(huán)形硅鋼片試樣無需經(jīng)過浸漆處理，所述密封箱體內(nèi)充有油性介質(zhì)。本實(shí)用新型把式樣放在密封箱內(nèi)，能防止試樣劣化，而且攜帶方便。為防止試樣銹蝕箱體內(nèi)部分干式和濕式兩種，干式對試樣和線圈進(jìn)行浸漆處理，濕式則直接使試樣和線圈浸沒于油性介質(zhì)中，濕式結(jié)構(gòu)還可防止測量過程中試樣過熱。

下面，結(jié)合附圖對本實(shí)用新型作進(jìn)一步的說明圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為所述環(huán)形試樣的繞線示意圖。
具體實(shí)施方式
如圖1和圖2所示，一種箱式硅鋼片環(huán)形對比試樣，它包括繞有初級繞組9和次級繞組8的環(huán)形硅鋼片試樣4，它還包括一個(gè)密封箱體2，所述環(huán)形硅鋼片試樣置于其中；四個(gè)限位固定柱5，它們分布于箱體底部四角，對角線上的兩個(gè)限位固定柱距離等于環(huán)形硅鋼片試樣的外徑；初級接線柱1和次級接線柱3，它們分別和初級繞組9和次級繞組8連接；本實(shí)用新型在制作時(shí)，將環(huán)形硅鋼片疊放整齊，組成環(huán)形試樣。根據(jù)需要模擬的愛潑斯坦方圈情況計(jì)算相應(yīng)環(huán)形樣參數(shù)，如環(huán)形樣尺寸、疊加片數(shù)等。環(huán)形硅鋼片疊裝后，包裹電磁絕緣層7，外面再單匝均勻繞次級繞組8。次級繞組外包裹電磁絕緣層7，外面再雙匝均勻繞初級繞組9。采用干式結(jié)構(gòu)時(shí)，對繞制好的環(huán)形試樣進(jìn)行浸漆處理后，按圖1放置在箱體2中， 固定柱體5固定好環(huán)形試樣，防止試樣在箱體中移動(dòng)。將環(huán)形試樣的初級繞組9和次級繞組8接線引出，分別接入到箱體2上的初級接線柱1和次級接線柱3上。采用濕式結(jié)構(gòu)時(shí)，將繞制好的環(huán)形試樣按圖1放置在箱體2中，固定柱體5固定好環(huán)形試樣，防止試樣在箱體中移動(dòng)。將環(huán)形試樣的初級繞組9和次級繞組8接線引出，分別接入到箱體2上的初級接線柱1和次級接線柱3上，最后在箱體中注入油性介質(zhì)。使用時(shí)，直接將測量設(shè)備的初級和次級信號和測試線接入相應(yīng)的初級接線柱1和次級接線柱3即可。以模擬0. 5Kg標(biāo)準(zhǔn)愛潑斯坦方圈為例，取0. 5kg標(biāo)準(zhǔn)愛潑斯坦方圈的指標(biāo)計(jì)算環(huán)形試樣相應(yīng)參數(shù)，其中，主要參數(shù)計(jì)算如下環(huán)形試樣的內(nèi)徑和外徑的確定
γ π ι(D + d)1ιη=π·^-^其中，Im為試樣的有效磁路長度，同愛潑斯坦方圈法一致，達(dá)到0. 94m ；D為環(huán)形試樣外徑；d為環(huán)形試樣內(nèi)徑。計(jì)算得到D+d = 600mm。按照國家標(biāo)準(zhǔn)軟磁材料交流磁性能環(huán)形試樣的測量方法(GB/T3658-2008)要求， D/d 應(yīng)小于 1. 25，因此，設(shè)定 D = 315mm, d = 285mm。試樣片數(shù)η的確定[0040]按照國標(biāo)愛潑斯坦方圈測量電工鋼片磁性能方法(GB/T 3655-2008)規(guī)定，試樣質(zhì)量M應(yīng)在0. 5kg左右。M = P · π · (R2-r2) h其中，P為硅鋼片密度；R為環(huán)形樣外圓半徑；r為環(huán)形樣內(nèi)圓半徑；h為環(huán)形樣厚度。計(jì)算得到需要硅鋼片疊片厚度h達(dá)到4. 5mm，對于0. 5mm厚度硅鋼片，需要9層疊片。初級次級繞組選用同愛潑斯坦方圈相一致的漆包銅線，分別為初級繞組選用1. 8mm直徑漆包銅線，共繞制700匝；次級繞組選用0. 8mm直徑漆包銅線，共繞制700匝。
權(quán)利要求1.一種箱式硅鋼片環(huán)形對比試樣，它包括繞有初級繞組和次級繞組的環(huán)形硅鋼片試樣，其特征在于，它還包括一個(gè)密封箱體，所述環(huán)形硅鋼片試樣置于其中；四個(gè)限位固定柱，它們分布于箱體底部四角，對角線上的兩個(gè)限位固定柱距離等于環(huán)形硅鋼片試樣的外徑；初級接線柱和次級接線柱，它們分別和初級繞組和次級繞組連接；所述硅鋼片式樣包括疊放的環(huán)形硅鋼片，硅鋼片外依次包裹的電磁絕緣層、單匝均勻繞的次級繞組、電磁絕緣層和雙匝均勻繞的初級繞組，所述環(huán)形硅鋼片有效磁路長度和對應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)愛潑斯坦方圈的長度Im —致，所述環(huán)形硅鋼片的層數(shù)η由需要模擬的愛潑斯坦試樣的有效質(zhì)量來確定，即, ω+d),
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的箱式硅鋼片環(huán)形對比試樣，其特征在于，所述密封箱體內(nèi)充有油性介質(zhì)。
專利摘要本實(shí)用新型涉及硅鋼片環(huán)形對比試樣。一種箱式硅鋼片環(huán)形對比試樣，它包括繞有初級繞組和次級繞組的環(huán)形硅鋼片試樣，還包括一個(gè)密封箱體，所述環(huán)形硅鋼片試樣置于其中；四個(gè)限位固定柱，它們分布于箱體底部四角，對角線上的兩個(gè)限位固定柱距離等于環(huán)形硅鋼片試樣的外徑；初級接線柱和次級接線柱，它們分別和初級繞組和次級繞組連接；所述硅鋼片式樣包括疊放的環(huán)形硅鋼片，硅鋼片外依次包裹的電磁絕緣層、單匝均勻繞的次級繞組、電磁絕緣層和雙匝均勻繞的初級繞組，所述環(huán)形硅鋼片有效磁路長度和對應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)愛潑斯坦方圈的長度lm一致。本實(shí)用新型能防止試樣劣化，而且攜帶方便。
文檔編號G01R33/12GK202102096SQ201120045938
公開日2012年1月4日 申請日期2011年2月24日 優(yōu)先權(quán)日2011年2月24日
發(fā)明者周星, 李和平, 沈杰, 胡志遠(yuǎn) 申請人:上海寶鋼工業(yè)檢測公司