專利名稱：熱式光檢測裝置、電子設備、熱式光檢測器及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及熱式光檢測器、熱式光檢測裝置、電子設備及熱式光檢測器的制造方法等。
背景技術：
作為光傳感器，公知有熱式光檢測器。熱式光檢測器通過光吸收層吸收從物體放射出的光，并將光轉換成熱，從而通過熱檢測元件測定溫度的變化。熱式光檢測器中存在用于直接檢測隨光吸收而溫度上升的熱電堆(thermopile)、作為電極化的變化進行檢測的熱電式元件、以及將溫度上升作為電阻變化進行檢測的測輻射熱計(bolometer)等。熱式光檢測器具有可以測定的波段寬的特點。近年來，正在利用半導體制造技術(MEMS技術等)， 正嘗試制造更小型的熱式光檢測器。為了提高熱式光檢測器的檢測靈敏度并改進響應性，在光吸收層中高效率地產生熱及將在光吸收層中產生的熱高效率地傳遞給熱檢測元件是非常重要的。在例如專利文獻1中記載有熱電式紅外線傳感器的構造的一例。在專利文獻1所記載的例子中，在空腔部上形成有安裝熱電元件的絕緣膜，并在該絕緣膜上形成有熱電元件。熱電元件具有通過上下電極夾著熱電材料的結構。此外，在例如專利文獻2中記載有在紅外線傳感器中構成光諧振器的例子。在專利文獻2記載的例子中，在測輻射熱計式的紅外線傳感器中，通過將反射膜和熱敏膜之間的距離作為λ/4的整數(shù)倍(λ是光的波長)，從而產生光的諧振，并提高熱敏膜中的光吸收效率。專利文獻1 日本特開2004-279103號公報專利文獻2 日本特開2010-127891號公報在專利文獻2記載的技術中，只有入射光包括的光中的波長λ附近的波長才能獲得光諧振的效果。

發(fā)明內容
根據(jù)本發(fā)明的至少一個實施方式，例如能夠通過簡單的結構來放大熱式光檢測器的檢測波段。(1)本發(fā)明第一方面涉及的熱式光檢測器包括基板；支撐部件，隔著空腔部被支撐于所述基板；熱檢測元件，形成在所述支撐部件上；第一光吸收層，在所述熱檢測元件及所述支撐部件上，與所述熱檢測元件接觸地形成；以及第二光吸收層，在所述第一光吸收層上，與所述第一光吸收層接觸地形成，所述第二光吸收層具有比所述第一光吸收層高的折射率，在所述支撐部件的表面和所述第二光吸收層的上表面之間，第一波長諧振，在所述第一光吸收層和所述第二光吸收層接觸的界面與所述第二光吸收層的上表面之間，與所述第一波長不同的第二波長諧振。在該方面中，構成具有不同的諧振波長的兩個光諧振器。由于在不同的兩個波長產生諧振峰值，所以能夠擴大熱式光檢測器可檢測的光的波段(波長寬度)。對應于第一波長λ工的第一光諧振器形成在支撐部件的表面和第二光吸收層的上表面之間。俯視時入射支撐部件的區(qū)域的一部分入射光被第一光吸收層及第二光吸收層中的至少一方吸收，且一部分光通過第一光吸收層和第二光吸收層之間的界面反射，此外，未被第二光吸收層吸收的一部分光到達支撐部件的表面，到達的一部分光被反射。被支撐部件的表面反射的一部分光被第一光吸收層及第二光吸收層中的至少一方吸收，未被吸收的光被第二光吸收層的上表面反射，再朝向下方。該動作被重復，從而產生第一波長X1的光的諧振。這時，入射的波長λ工的光和被支撐部件的表面反射的波長λ工的光通過相互干擾而抵消，從而使第一光吸收層及第二光吸收層中的實效吸收率得以提高。也就是說，通過構成第一光諧振器，從而能夠提高在各光吸收層中的實效吸收率。此外，在將第二波長設為λ 2時，在第一光吸收層和第二光吸收層接觸的界面(也可以稱為第二光吸收層的下表面)、以及第二光吸收層的上表面之間，構成相對于與第一波長不同的第二波長λ2的第二光諧振器。如上所述，俯視時入射支撐部件的區(qū)域的一部分入射光被第一光吸收層和第二光吸收層之間的界面反射。由于第二光吸收層的折射率比第一光吸收層的折射率高，所以在第一光吸收層和第二光吸收層之間的界面可靠地產生反射光。被該界面反射的光被第二光吸收層吸收，未被吸收的光通過第二光吸收層的上表面反射，再朝向下方。該動作被重復， 從而產生第二波長λ2的光的諧振。通過這樣，入射的波長λ2的光、和被第一光吸收層和第二光吸收層之間的界面 (第二光吸收層的下表面)反射的波長λ 2的光通過相互干擾而抵消，從而能夠提高在第二光吸收層中的實效吸收率。在該方面中，利用支撐部件的表面、第一光吸收層和第二光吸收層接觸的界面及第二光吸收層的上表面，構成在不同的波長諧振的兩個光諧振器，所以構造簡單且熱式光檢測器的制造容易。此外，如上所述，由于在不同的兩個波長產生諧振峰值，所以能夠擴大熱式光檢測器可檢測的光的波段(波長寬度)。因此，例如能夠通過簡單的構成，擴大熱式光檢測器的檢測波段。(2)在本發(fā)明第二方面的熱式光檢測器中，所述支撐部件的表面和所述第二光吸收層的上表面平行且所述第一光吸收層和所述第二光吸收層接觸的界面與所述第二光吸收層的上表面平行，在將所述第一波長設為X1時，所述支撐部件的表面和所述第二光吸收層的上表面之間的距離滿足m· (λ/4) (m是大于等于1的整數(shù))的關系，在將所述第二波長設為λ 2時，所述第一光吸收層和所述第二光吸收層接觸的界面和所述第二光吸收層的上表面之間的距離滿足η · ( λ 2/4) (η是大于等于1的整數(shù))的關系。在該方面中，調整第一光吸收層及第二光吸收層的膜厚，構成具有不同的諧振波長的兩個光諧振器。在本方面中，采用所謂的λ/4光諧振器作為第一光諧振器及第二光諧振器。在將第一波長設為λ工時，以支撐部件的表面和第二光吸收層的上表面之間的距離滿足Hi(X1A) (m是大于等于1的整數(shù))的關系的方式，調整第一光吸收層及第二光吸收層的膜厚。也就是說，將第一光吸收層及第二光吸收層的合計膜厚調整到滿足m· (λ^^Οιι是大于等于1的整數(shù))的關系的厚度。此外，在將第二波長設為λ 2時，通過將第二光吸收層的下表面和第二光吸收層的上表面之間的距離(即第二光吸收層的膜厚)設定為η · ( λ 2/4)，以構成第二光諧振器。在該方面中，由于只進行兩層的光吸收層的膜厚調整即可，所以熱式光檢測器的制造容易。在該方面中，支撐部件的表面和第二光吸收層的上表面平行，且第一光吸收層和第二光吸收層接觸的界面、以及第二光吸收層的上表面是平行的。利用這些面來構成在不同的兩個波長諧振的諧振器。因而，能夠用簡單的結構來提高在兩層的光吸收層中的吸收光效率。(3)在本發(fā)明第三方面涉及的熱式光檢測器中，所述支撐部件的表面是具有比所述第一光吸收層高的折射率的材料層的表面。在該方面中，作為構成支撐部件的表面的材料層，使用具有比第一光吸收層高的折射率的材料層。將具有比第一光吸收層高的折射率的材料層作為支撐部件的構成要素， 并將其材料層的表面用作反射面。既可以通過其材料層構成支撐部件的全部，且其材料層又可以構成在構成支撐部件的層疊的多個材料層中的最上層(第一光吸收層側的層)。通過這樣，能夠使在支撐部件的表面上可靠地產生光的反射。因而，容易產生基于第一光諧振器的光諧振。(4)在本發(fā)明第四方面涉及的熱式光檢測器中，所述支撐部件的表面是具有對光進行反射的光反射特性的材料層的表面。在該方面中，將具有對光進行反射的光反射特性的材料層作為支撐部件的構成要素，并將其材料層的表面用作反射面。既可以通過其材料層構成支撐部件的全部，且其材料層又可以構成在構成支撐部件的層疊的多個材料層中的最上層(第一光吸收層側的層)。通過這樣，例如能夠使到達支撐部件的表面的大部分光反射。因而，容易產生基于第一光諧振器的光諧振。(5)在本發(fā)明第五方面涉及的熱型檢測器中，與所述熱檢測元件連接的布線的在所述支撐部件的表面上延伸的部分的至少一部分被所述第一光吸收層覆蓋。在該方面中，第一光吸收層覆蓋與熱檢測元件連接的布線的在支撐部件的表面上延伸的部分的至少一部分。雖然布線由金屬材料構成，但是金屬材料熱傳導性也卓越。因而，被第一光吸收層覆蓋的布線部分(在支撐部件的表面上延伸的部分的至少一部分)發(fā)揮如下的作用對在遠離熱檢測元件的位置產生的熱進行匯聚(集熱)，從而高效率地傳遞給熱檢測元件。因而，根據(jù)該方面，使熱檢測元件的熱檢測靈敏度得以提高。(6)在本發(fā)明第六方面涉及的熱式光檢測器中，所述熱檢測元件包括熱電電容器，具有通過所述支撐部件側的第一電極及所述第二光吸收層側的第二電極夾著熱電材料層的結構；與所述第一電極連接的第一接觸電極；以及與所述第二電極連接的第二接觸電極，俯視時的所述第二接觸電極的面積比俯視時的所述第二電極的面積大。在該方面中，熱檢測元件由熱電電容器構成。熱電電容器具有通過支撐部件側的第一電極及第二光吸收層側的第二電極夾著熱電材料層的結構。此外，與第二電極連接的第二接觸電極的俯視時的面積設定得比第二電極的俯視時的面積大。第二接觸電極雖然由金屬材料構成，但是金屬材料熱傳導性也卓越。因而，通過使第二接觸電極的俯視時的面積比熱電電容器的第二電極(上部電極)的俯視時的面積大， 而對在第二光吸收層的寬廣范圍內產生的熱進行匯聚(集熱)，從而能夠期待高效率地傳遞給熱檢測元件的效果。因而，根據(jù)該方面，使熱檢測元件的熱檢測靈敏度得以提高。(7)在本發(fā)明第七方面涉及的熱式光檢測器中，所述第二光吸收層與所述第二接觸電極接觸地形成。根據(jù)該方面，能夠將被第二光吸收層(第二光諧振器)吸收的熱損耗少地傳遞給熱檢測元件。(8)本發(fā)明第八方面涉及的電子設備二維配置有多個上述任一方面的熱式光檢測
ο通過這樣，可以實現(xiàn)二維配置多個熱式光檢測器(熱型光檢測元件)的(例如，沿正交兩軸的各個軸配置成陣列狀的)熱式光檢測裝置(熱型光陣列傳感器)。(9)本發(fā)明第九方面涉及的電子設備包括上述任一方面的熱式光檢測器；以及控制部，對所述熱式光檢測器的輸出進行處理。上述任一方面的熱式光檢測器例如檢測波段寬且光的檢測靈敏度高。因而，使安裝了該熱式光檢測器的電子設備的性能得以提高。作為電子設備，例如列舉有紅外線傳感器裝置、紅外線熱象儀、車載用夜間照相機或監(jiān)控照相機等。另外，控制部例如可以由圖像處理部、CPU構成。(10)本發(fā)明第十方面涉及的熱式光檢測器的制造方法，包括在基板的主面上形成包括絕緣層的構造體，除去所述構造體的至少最上層的一部分以形成凹部，并在所述凹部的內表面上形成了蝕刻阻擋膜后，在所述凹部內形成犧牲層；在包括所述犧牲層的所述構造體上形成支撐部件，在所述支撐部件上形成熱檢測元件；在所述熱檢測元件及所述支撐部件上，與所述熱檢測元件接觸地形成第一光吸收層；以及在所述第一光吸收層上與所述第一光吸收層接觸地形成具有比所述第一光吸收層高的折射率的第二光吸收層，其中， 將所述第一光吸收層的厚度和所述第二光吸收層的厚度的合計厚度設定為當將第一波長設為入工時滿足！!!· (A1/^ (m是大于等于1的整數(shù))的關系的厚度，將所述第二光吸收層的厚度設定為當將第二波長設為λ 2時滿足η · ( λ 2/4) (η是大于等于1的整數(shù))的關系的厚度。在該方面中，在基板的主面上形成包括絕緣層的構造體，并在構造體的一部分上形成的凹部中埋入犧牲層后，形成支撐部件，然后在支撐部件上，層疊形成熱檢測元件及光反射層、第一光吸收層及具有比第一光吸收層高的折射率的第二光吸收層。第一光吸收層的上表面通過平坦化處理被平坦化。通過除去犧牲層形成有空腔部。通過這樣，支撐部件相對于基板通過空腔部被支撐。優(yōu)選支撐部件的表面、第一光吸收層和所述第二光吸收層接觸的界面、及第二光吸收層的上表面相互平行。此外，第一光吸收層及第二光吸收層的各膜厚被調整為第一光吸收層的厚度和第二光吸收層的厚度的合計厚度在將第一波長設為入工時滿足！!!· (A1/^ (m是大于等于 1的整數(shù))的關系。此外，第二光吸收層的厚度被調整為在將第二波長設為λ2時滿足 η · ( λ 2/4) (η是大于等于1的整數(shù))的關系。通過構成在第一波長λ工諧振的第一光諧振器，從而使在第一光吸收層及第二光吸收層中的光的實效吸收率得以提高。此外，通過構成在第二波長λ2諧振的第二光諧振器，從而使在第二光吸收層中的光的實效吸收率得以提高。此外，通過重疊兩個波長的諧振峰值，從而能夠擴大熱式光檢測器的檢測波段。此外，在該方面中，只用調整第一光吸收層和第二光吸收層的膜厚，就能夠構成兩個波長諧振器。因而，熱式光檢測器的構造簡單且制造容易。根據(jù)該方面，例如使用半導體制造技術(例如MEMS技術)，能夠容易地實現(xiàn)小型且檢測靈敏度高的熱式光檢測器。這樣，根據(jù)本發(fā)明的至少一個方面，能夠通過例如簡單的結構來擴大熱式光檢測器的檢測波段。


圖1的(A)至圖1的(C)是表示熱式光檢測器的一例截面結構和第一光吸收層、 第二光吸收層及支撐部件中使用的材料的例子的圖。圖2的(A)及圖2的(B)是表示構成有兩個光諧振器時的熱式光檢測器的檢測靈敏度的一例、及基于在支撐部件上延伸的布線部分的集熱效果的圖。圖3的(A)及圖3的(B)是表示熱式光檢測器的制造方法的一例的設備的截面圖。圖4的(A)及圖4的(B)是表示熱式光檢測器的制造方法的一例的設備的截面圖。圖5是表示熱式光檢測器的制造方法的一例的設備的截面圖。圖6是表示熱式光檢測器的另一例的圖。圖7是表示熱式光檢測裝置(熱式光檢測陣列)的電路結構的一例的電路圖。圖8是表示電子設備的結構的一例的圖。圖9是表示電子設備的結構的另一例的圖。
具體實施例方式下面，對本發(fā)明的優(yōu)選實施方式進行詳細的說明。另外，以下所說明的本實施方式并不對本發(fā)明的保護范圍所記載的本發(fā)明的內容進行不當?shù)南薅?，本實施方式所說明的全部結構未必必須是本發(fā)明的解決手段。(第一實施方式)圖1的(A)至圖1的(C)是表示熱式光檢測器的一例截面構造和第一光吸收層、 第二光吸收層及支撐部件中使用的材料的例子的圖。在圖1的(A)中，雖然僅示出了單個的熱式光檢測器，但是也可以例如矩陣狀地配置多個熱式光檢測器，從而構成熱式光檢測器陣列(即熱型檢測裝置)。圖1的(A)所示的熱式光檢測器是熱電式紅外線檢測器(光傳感器的一種)200 (只是一例，并不僅限定于此)。(整體結構)圖1的(A)所示的熱式光檢測器200包括在最上層形成有空腔部(凹部)102的多層構造體150、以及形成在多層構造體150上的元件構造體160。元件構造體160包括相對于基板20通過空腔部102被支撐的支撐部件215、形成在支撐部件(隔膜)215上的熱檢測元件220、在熱檢測元件220及支撐部件215上與熱檢測元件220接觸地形成的第一光吸收層270、在第一光吸收層270上與第一光吸收層270 接觸地形成且具有比第一光吸收層270高的折射率的第二光吸收層272。在支撐部件215的表面和所述第二光吸收層272的上表面之間，構成有對應于第一波長λ工的第一光諧振器，在第一光吸收層270和第二光吸收層272所接觸的界面RL和第二光吸收層272的上表面之間，構成有對應于與第一波長X1不同的第二波長λ2的第二光學諧振器。也就是說，在支撐部件215的表面和第二光吸收層272的上表面之間，第一波長入工諧振。此外，在第一光吸收層270和第二光吸收層272接觸的界面RL和第二光吸收層272的上表面之間，與第一波長λ工不同的第二波長λ2諧振。此外，多層構造體150具有基板(這里視為硅基板)20、和形成在基板20的第一主面(這里視為表面)上的多層布線構造129。多層布線構造1 具有第一絕緣層30、第二絕緣層40及第三絕緣層50。在多層布線構造1 中的作為最上層的第三絕緣層50的一部分中形成有空腔部(凹部)102?？涨徊?02的內表面(底面及側面)設置有蝕刻阻擋膜(例如Si3N4膜)130a、 130b。該蝕刻阻擋膜130a、130b發(fā)揮如下的作用為了形成空腔部102而在除去犧牲層(在圖1的(A)中未圖示，圖4的參照符號135)的工序中，防止除蝕刻的對象外的層被除去。 此外，在多層布線構造129的表面(隔膜215的里面)也可以設置蝕刻阻擋膜130c。該蝕刻阻擋膜130c例如具有在除去犧牲層工序中防止支撐部件(隔膜)215的蝕刻的功能(但是，根據(jù)隔膜的材料不同，有不需要的情況)。此外，俯視基板20時，在基板20的與熱檢測元件220重疊的區(qū)域(即基板20的位于熱檢測元件220的下面的區(qū)域)例如形成有構成信號讀出用的電路的電路元件(晶體管等)。通過這樣，能夠減少熱式光檢測器200的專有面積。也就是說，在基板20中形成有MOS晶體管的源極層21和漏極層22。在基板20的表面上形成有柵極絕緣膜23。在柵極M的兩側設置有側壁(side wall) 25。柵極M上例如連接有布線26。此外，多層布線構造1 包括由金屬構成的插柱(plug)Ml、第二層布線M2、插柱 M3、第三層布線M4及插柱M5。在支撐部件(隔膜)215上設置的接觸孔中埋入有由金屬構成的插柱M6。作為熱檢測元件220的構成要素的第一布線222經由插柱M6及插柱M5，與在多層布線構造150中的第三層布線M4連接。此外，熱檢測元件220具有熱電電容器(焦電* ^廣〉夕一)230。在支撐部件(隔膜)215上形成有定向膜238，在該定向膜238上形成有熱電電容器230。熱電電容器230 包括下部電極(第一電極)234、形成在下部電極上的熱電材料層(例如，作為熱電體的PZT 層鋯鈦酸鉛層)232、形成在熱電材料層232上的上部電極(第二電極)236。下部電極(第一電極)234及上部電極(第二電極)236都例如可以通過層疊三層金屬膜而形成。例如，可采用從離熱電材料層(PZT層)232最遠的位置開始依次為例如由濺射形成的銥(Ir)、銥氧化物(IrOx)及鉬(Pt)的三層結構。此外，如上所述，作為熱電材料層232，可以使用例如PZTOn3 (Zi、Ti) O3 鋯鈦酸鉛)。該熱電材料層232例如可以由濺射法、MOCVD法等成膜。下部電極(第一電極)234及上部電極(第二電極)236的膜厚例如是0.4μπι左右，熱電材料層232的膜厚例如是0. Iym左右。熱電電容器230被絕緣膜250覆蓋。在該絕緣膜250中設置有第一接觸孔252及第二接觸孔254。在第一接觸孔252中埋入有第一接觸電極2 的一部分，在該第一接觸電極2 上連接有第一布線222。此外，在第二接觸孔254中埋入有第二接觸電極2 的一部分，在該第二接觸電極2 上連接有第二布線229。
第一布線222的一部分具有在支撐部件(隔膜)215的表面上延伸的延伸部分Ql。 此外，第二布線2 的一部分具有在支撐部件(隔膜)215的表面上延伸的延伸部分Q2。在延伸部分Ql及延伸部分Q2上存在第一光吸收層270及第二光吸收層272。這里，“ 上” 這樣的表達既可以是緊鄰的上面、或者也可以是上部(其他層介于其間的情況)。在其他地方也同樣可以廣義地解釋。從熱電電容器230的上方入射的光(俯視時入射支撐部件215的區(qū)域的入射光) 被第一光吸收層270及第二光吸收層272吸收，轉換成熱。該熱被傳遞給熱電材料層(熱電體)232，其結果，通過熱電效果(熱電子效應)，在熱電材料層(熱電體)232中產生有電極化量的變化。通過檢測隨著該電極化量的變化的電流，從而能夠檢測入射的光的強度。(關于光諧振器)如上所述，在圖1的(A)所示的熱式光檢測器200中構成具有不同的諧振波長的兩個光諧振器。由于在不同的兩個波長入1、入2產生諧振峰值，所以能夠擴大熱式光檢測器 200能檢測的光的波段(波長寬度)。相對于第一波長λ工的第一光諧振器形成在支撐部件215的表面和第二光吸收層 272的上表面之間。此外，在將第二波長設為λ 2時，在第一光吸收層270和第二光吸收層 272接觸的界面RL (也可以稱為第二光吸收層272的下表面)和第二光吸收層272的上表面之間，構成相對于與第一波長入工不同的第二波長λ 2的第二光諧振器。第一光諧振器及第二光諧振器是所謂的λ/4光諧振器。也就是說，支撐部件215的表面和第二光吸收層272的上表面是平行的，且第一光吸收層270和第二光吸收層272接觸的界面RL、以及第二光吸收層272的上表面是平行的。 利用這些面，構成在不同的兩個波長諧振的諧振器。因而，能夠用簡單的結構提高雙層光吸收層中的吸收光效率。這里，在將第一波長設為λ工時，支撐部件215的表面和第二光吸收層272的上表面之間的距離滿足m· (λ/4) (m是大于等于1的整數(shù))的關系，此外，在將第二波長設為 λ 2時，在第二光吸收層的下表面和第二光吸收層的上表面之間的距離(即第二光吸收層的膜厚)滿足η · (λ2/4) (η是大于等于1的整數(shù))的關系。具體地說，在將第一光吸收層270的膜厚設為H2，并將第二光吸收層272的膜厚設為H3時，第一光吸收層270及第二光吸收層272的合計膜厚Hl被調整為滿足m · ( λ /4) 的關系的厚度，據(jù)此構成第一光諧振器。此外，在將第二波長設為λ 2時，第二光吸收層272 的膜厚Η3被調整為滿足η · (λ2/4)的關系的厚度，據(jù)此構成第二光諧振器。根據(jù)該構成，利用相互平行地配置的支撐部件215的表面、第一光吸收層270和第二光吸收層272接觸的界面RL、及第二光吸收層272的上表面，從而可以簡單地構成在不同的兩個波長λρ λ 2諧振的光諧振器。也就是說，能夠使用簡單的結構，提高在雙層光吸收層270、272中的吸收光效率。由于只調整第一光吸收層270及第二光吸收層272各自的膜厚即可，所以可以不使熱式光檢測器200的結構復雜化，從而容易制造。俯視時，入射支撐部件215的區(qū)域的入射光的一部分被第一光吸收層270及第二光吸收層272中的至少一個光吸收層吸收，且一部分光通過第一光吸收層270及第二光吸收層272之間的界面RL(反射界面)反射，然后未被第二光吸收層272吸收的一部分光到達支撐部件215的表面，到達的一部分光被反射。被支撐部件215的表面反射的一部分光被第一光吸收層270及第二光吸收層272中的至少一個光吸收層吸收，未被吸收的光通過第二光吸收層272的上表面反射，以朝向下方。重復該動作，從而產生第一波長X1的光的諧振。這時，入射的波長A1的光和被支撐部件215的表面反射的波長X1的光因相互干擾而抵消，從而使第一光吸收層270及第二光吸收層272中的實際(實效)吸收率得以提高。也就是說，通過構成第一光諧振器，從而能夠提高各光吸收層270、272中的實效吸收率。此外，俯視時入射支撐部件215的區(qū)域的一部分入射光被第一光吸收層270和第二光吸收層272之間的界面RL反射。第二光吸收層272的折射率由于比第一光吸收層270 的折射率高，所以在第一光吸收層270和第二光吸收層272之間的界面RL可靠地產生反射光。通過該界面(反射界面)RL反射的光被第二光吸收層272吸收，未被吸收的光被第二光吸收層272的上表面反射而再朝向下方。重復該動作，從而產生第二波長入2的光的諧振。據(jù)此，入射的波長λ 2的光、和被第一光吸收層270和第二光吸收層272之間的界面RL(第二光吸收層272的下表面)反射的波長λ 2的光因相互干擾而抵消，從而能夠提高第二光吸收層272中的實效吸收率。這樣，由于在不同的兩個波長產生諧振峰值，所以能夠擴大熱式光檢測器200能檢測的光的波段(波長寬度)。因此，通過簡單的結構，能夠擴大熱式光檢測器的檢測波段。具體地說，可以將第一波長X1設為4 μ m，并將第二波長λ2設為12 μ m。這時， 第一吸收光膜270的膜厚例如只要作為3μπι即可，此外，第二吸收光膜272的膜厚例如是 1 μ m艮口可。(關于第一光吸收層、第二光吸收層及支撐部件使用的材料的例子)在圖1的(B)及圖1的(C)中示出了第一光吸收層270、第二光吸收層272及支撐部件215使用的材料的例子。在圖1的(B)的例子中，支撐部件215由下層的氮化硅膜 (SiN) 211a/氧化硅膜(SiO) 211b/上層的氮化硅膜(SiN) 211c這三層層疊膜構成。此外，第一光吸收層270及第二光吸收層272都由氧化硅膜構成。但是，通過使在對各光吸收層成膜時的成膜條件不同，從而將第一光吸收層270的折射率設定得高于第二光吸收層272的折射率。第二光吸收層272是低折射率層，第一光吸收層270是第一高折射率層。此外，支撐部件215的表面是具有比第一光吸收層270高的折射率的材料層、即 SiN層(第二高折射率層)211c的表面。例如，可以將第二光吸收層(低折射率層)272的折射率設為1.3，并將第一光吸收層(第一高折射率層)270的折射率設為1.2，將SiN層(第二高折射率層)211c的折射率設為2. 0。支撐部件215的表面由于是具有最高的折射率的材料層、即SiN層(第二高折射率層)211c的表面，所以能夠在支撐部件215的表面上可靠地產生反射光。因而，易于產生基于第一光諧振器的光諧振(在波長λ工中的諧振)。此外，由于在低折射率的第二光吸收層272(低折射率層)之下，存在具有更高的折射率的第一光吸收層270(第一高折射率層)，所以在第一光吸收層270和第二光吸收層 272接觸的界面RL，產生光反射。因而，易于產生基于第二光諧振器的光諧振(在波長入2中的諧振)。圖1的⑶的例子只是一例，并不僅限于此。廣義上來說，可以將具有反射光的光反射特性的材料層用作支撐部件的構成要素，并將該材料層的表面用作反射面?？梢杂稍摬牧蠈訕嫵芍尾考?15的全部，此外，該材料層也可以構成在構成支撐部件215的層疊的多個材料層中的最上層(第一光吸收層270側的層)(圖1的(A)的例子)。此外，在圖1的(C)的例子中，支撐部件215的表面是具有對光進行反射的光反射特性的材料層213d的表面。作為具有光反射特性的材料層213d，例如可以使用鈦(Ti)等對光進行全反射的金屬材料。此外，也可以使用具有高折射率的鈦氧化物(TiO2)等。此外，在圖1的(C)的例子中，由氮化硅膜SiN(高折射率層)構成第一光吸收層 270，且由氧化硅膜SiO(低折射率層)構成第二光吸收層272。例如，可以將第二光吸收層 (低折射率層)272的折射率設為1. 4，將第一光吸收層270 (高折射率層)的折射率設為 2.0，此外，作為提供支撐部件215的表面的材料層213d，可以使用對光進行全反射的金屬材料(Ti等)。在圖1的(C)的例子中，將具有對光進行反射的光反射特性的材料層用作支撐部件215的構成要素，并將該材料層的表面用作反射面?？梢酝ㄟ^該材料層構成支撐部件215 的全部，此外，該材料層也可以構成在構成支撐部件215的層疊的多個材料層中的最上層 (第一光吸收層側的層)(圖1的(C)的例子)。在圖1的(C)的例子中，能夠可靠地反射到達支撐部件215的表面的光的大部分。 因而，易于產生基于第一光諧振器的光諧振。(關于光吸收特性的例子、基于在支撐部件上延伸的布線部分的集熱效果)圖2的(A)及圖2的(B)是表示在構成兩個光諧振器時的熱式光檢測器的檢測靈敏度的一例、及基于在支撐部件上延伸的布線部分的集熱效果的圖。圖2的(A)示出在構成兩個光諧振器時的熱式光檢測器的檢測靈敏度的一例。如圖2的(A)所示，可以擴大具有熱式光檢測器的檢測靈敏度的波段。在圖2的(A)所示的例子中，基于第一光諧振器的諧振峰值Pl出現(xiàn)在波長入乂例如，X1 = 4μπι)，基于第二光諧振器的諧振峰值Ρ2出現(xiàn)在波長λ2(例如，λ2 = 12μπι)。通過合成這些峰值特性，熱式光檢測器200的檢測靈敏度Ρ3擴大。也就是說，在擴大的波段中，可以實現(xiàn)具有檢測靈敏度的熱式光檢測器200。圖2的⑶示出基于在支撐部件(隔膜)215上延伸的布線部分Ql、Q2的集熱效果。另外，在圖2的(B)中示出了圖1的(A)所示的熱式光檢測器200的主要部分。如圖2的(B)所示，與熱檢測元件220連接的布線(第一布線222及第二布線229) 的在支撐部件(隔膜)215的表面上延伸的部分(Q1、Q2)的至少一部分被第一光吸收層270覆蓋。第一布線222及第二布線2 例如由鋁等金屬構成。金屬一般熱傳導性卓越。因而，被第一光吸收層270覆蓋的布線部分(在支撐部件的表面上延伸的部分的至少一部分 Q1、Q2)發(fā)揮如下的作用對在遠離熱檢測元件220的位置產生的熱進行匯聚(集熱)，從而高效率地傳遞給熱檢測元件220。因而，使熱檢測元件220的熱檢測靈敏度得以提高。在圖2的(B)中，用粗線的箭頭示出了通過第一布線222及第二布線2 匯聚(集熱)的熱。從圖2的(B)可知，第一布線222及第二布線229的通過熱檢測元件220(熱電電容器230)的側面上的部分也被第一光吸收層270覆蓋，因而，在該部分也可以期待集熱效果。(關于熱式光檢測器的制造方法的一例)下面，參照圖3至圖5，對熱式光檢測器的制造方法的一例進行說明。圖3的(A)及圖3的(B)是表示熱式光檢測器的制造方法的一例的設備的截面圖。 在圖3的(A)的工序中，在基板20的第一主面上層疊形成作為多層布線構造129的構成要素的第一絕緣層30、第二絕緣膜40a。在基板20上形成MOS晶體管的源極層21和漏極層22。在基板20的表面上形成柵極絕緣膜23。在柵極M的兩側面設置側壁25。在柵極M上例如連接有布線沈。此外， 在第一絕緣層30的一部分上形成由鎢(W)等金屬構成的插柱Ml。此外，在第一絕緣層30 上形成由Al等構成的第二層布線M2。在圖3的(B)的工序中，通過例如基于CMP (化學機械研磨)的平坦化處理使第二絕緣層40a平坦化。通過這樣，可以形成平坦化后的第二絕緣層40。圖4的(A)及圖4的(B)是表示熱式光檢測器的制造方法的一例的設備的截面圖。 圖4的(A)的工序是圖3的(B)的工序的后續(xù)工序。在圖4的㈧的工序中，在第二絕緣層40上形成第三絕緣層50，在第三絕緣層50的表面的一部分上形成凹部102，在凹部102的內表面上形成了蝕刻阻擋膜 (SiN) 130 (130a 130c)后，在凹部102中埋入犧牲層(例如，SiO層)135。接著，如圖4的(B)所示，形成支撐部件(隔膜)215、和熱檢測元件220(包括熱電電容器230、第一接觸電極226、絕緣層250、第二接觸電極228、第一布線222及第二布線 229)，接著，形成成為第一光吸收層的SiO層270。而且，在SiO層270上形成成為第二光吸收層的SiO層272。也可以在使SiO層270的表面平坦化后形成SiO層272。這時，使SiO 層270和SiO層272之間的界面(反射界面)RL的平坦性得以提高。這里，在對SiO層270及SiO層272成膜時，使成膜條件不同，從而使SiO層272 的折射率變得高于SiO層270的折射率。另外，這只是一例，也可以通過使材料不同從而在折射率中產生差異。此外，SiO層270的厚度(高度)是H2，SiO層272的厚度(高度)是H3。SiO層 270的厚度和SiO層272的厚度的合計厚度是HI。如上所述，Hl = m · ( λ/4)的關系成立。此外，Η3 = η · ( λ 2/4)的關系成立。此外，在先說明過的圖3的(B)的工序中，由于通過CMP等使第一絕緣層40平坦化，所以層疊形成在第一絕緣層40上的各層的表面也變成平坦的表面。因而，支撐部件215 的表面、SiO層270和SiO層272接觸的界面RL及SiO層272的上表面相互平行。圖5是表示熱式光檢測器的制造方法的一例的設備的截面圖。圖5的工序是圖4 的(B)的工序的后續(xù)工序。在圖5的工序中，對SiO層270及SiO層272形成圖案。通過這樣，可以形成第一光吸收層270及第二光吸收層272。接著，除去犧牲層135以形成空腔部(熱分離空腔)102。通過這樣，具有在兩波長諧振的諧振器的熱式光檢測器200完成。如上所述，相對于第一波長X1的第一光諧振器形成在支撐部件215的表面和第二光吸收層272的上表面之間。此外，在第一光吸收層 270和第二光吸收層272接觸的界面RL (也可以稱為第二光吸收層272的下表面)、以及第二光吸收層272的上表面之間，構成相對于與第一波長X1不同的第二波長λ 2的第二光諧振器。第一光諧振器及第二光諧振器是所謂的λ/4光諧振器。該λ/4光諧振器可以構成為只調整第一光吸收層270及第二光吸收層272的膜厚。因而，不會使熱式光檢測器200 的構造復雜化，且易于制造熱式光檢測器200。這樣，在基板20的主面上形成包括絕緣層的構造體(多層布線構造體)129，并除去作為構造體129的至少最上層的第三絕緣層50的一部分從而形成凹部102，在凹部102 的內表面上形成蝕刻阻擋膜130a至130c后，在凹部102內形成犧牲層135，接著，在包括犧牲層135的構造體1 上形成支撐部件(隔膜)215，在支撐部件(隔膜)215上形成熱檢測元件220，接著，在熱檢測元件220及支撐部件(隔膜)215上與熱檢測元件220接觸地形成第一光吸收層270，并在第一光吸收層270上與第一光吸收層270接觸地形成具有比第一光吸收層270高的折射率的第二光吸收層272，從而能夠形成熱式光檢測器200。通過將第一光吸收層270的厚度H2和第二光吸收層272的厚度H3的合計厚度Hl 設為滿足m· (A1/^的關系的厚度且將第二光吸收層272的厚度H3設為滿足η · ( λ 2/4) 的關系的厚度，從而能夠容易地構成兩個光諧振器。通過構成在第一波長X1諧振的第一光諧振器，從而使在第一光吸收層及第二光吸收層中的光的實效吸收率得以提高。此外，通過構成在第二波長λ2諧振的第二光諧振器，從而使在第二光吸收層中的光的實效吸收率得以提高。此外，通過重疊兩個波長的諧振峰值，從而能夠擴大熱式光檢測器的檢測波段。此外，可以通過只調整第一光吸收層270和第二光吸收層272的膜厚來能夠構成兩波長諧振器。因而，熱式光檢測器的結構簡單，且制造容易。這樣，例如，通過使用半導體制造技術(例如MEMS技術)，從而能夠容易實現(xiàn)小型且檢測靈敏度高的熱式光檢測器200。(第二實施方式)圖6是表示本發(fā)明的熱式光檢測器的其他例的結構的圖。圖6所示的熱式光檢測器的基本結構與圖1所示的熱式光檢測器的構造相同。但是，在圖6的例子中，俯視時的第二接觸電極2 的面積(大小)設定得比構成熱電電容器230的第二電極(上部電極)236 的俯視時的面積(大小)大，這點與圖1的例子不同。在圖6的上側示出了圖1的例子(第一實施方式)中的第二接觸電極228的俯視時的形狀、和本實施方式(第二實施方式)中的第二接觸電極228的俯視時的形狀。如上所述，熱檢測元件220包括熱電電容器230，具有通過支撐部件215側的第一電極234及第二光吸收層272側的第二電極236夾著熱電材料層232的結構；與第一電極234連接的第一接觸電極226 ；及與第二電極236連接的第二接觸電極228。在圖1的例子(第一實施方式)中，第二接觸電極228的俯視時的面積比第二電極(上部電極)236的俯視時的面積小。針對于此，在本實施方式(第二實施方式)中，有意圖地將第二接觸電極228的俯視時的面積設定得比第二電極(上部電極)236的俯視時的面積大。第二接觸電極2 雖然由Al等金屬材料構成，但是金屬材料通常熱傳導性也卓越。因而，可以期待如下的效果通過使第二接觸電極2 的俯視時的面積變得比熱電電容器的第二電極(上部電極)236的俯視時的面積大，從而對在第二光吸收層272的廣大范圍中產生的熱進行匯聚(集熱)，并高效率地傳遞給熱檢測元件220。
在圖6中，用粗線箭頭示出通過第二接觸電極2 匯聚(集熱)的熱。因而，根據(jù)本實施方式，可以使熱檢測元件220的熱檢測靈敏度得以提高。此外，在圖6的熱式光檢測器中，第二光吸收層272形成為與第二接觸電極2 連接。因而，能夠將被第二光吸收層272(第二光諧振器)吸收的熱損耗少地傳遞給熱檢測元件。此外，優(yōu)選使第一光吸收層270的高度H2與第二接觸電極2 的高度位置一致(即、將第一光吸收層的高度H2設為圖中的H2’)，這時，能夠將用第二光諧振器(第二光吸收層) 吸收的熱損耗少且高效率地傳遞給熱檢測元件220。(第三實施方式)圖7是表示熱式光檢測裝置(熱型光檢測陣列)的電路構成的一例的電路圖。在圖7的例子中，多個光檢測單元(即、熱式光檢測器200a至200d等)被二維配置。為了從多個光檢測單元(熱式光檢測器200a至200d等)中選擇一個光檢測單元，而設置有掃描線(Wla、Wlb等)和數(shù)據(jù)線(Dla、Dlb等)。作為第一光檢測單元的熱式光檢測器200a具有作為熱式光檢測元件5的壓電電容器ZC、元件選擇晶體管Mia。壓電電容器ZC的兩極的電位關系能夠通過切換施加給PDrl 的電位而反轉(通過該電位反轉，從而無需設置機械的交流變換器(chopper))。另外，其他光檢測單元也是同樣的結構。數(shù)據(jù)線Dla的電位能夠通過導通(ON)復位晶體管M2進行初始化。在讀出檢測信號時，讀出晶體管M3導通。通過熱電效應產生的電流通過I/V變換電路510轉換成電壓， 通過放大器601被放大，并通過A/D轉換器700轉換成數(shù)字數(shù)據(jù)。在本實施方式中，可以實現(xiàn)多個熱式光檢測器被二維配置(例如，沿正交兩軸(X 軸及Y軸)的各個軸配置成陣列狀)的熱式光檢測裝置(熱型光陣列傳感器)。(第四實施方式)圖8是電子設備的結構的一例的示意圖。作為電子設備，可以列舉有例如紅外線傳感器裝置、紅外線熱象儀、車載用夜視照相機或者監(jiān)控照相機等。如圖8所示，電子設備包括光學系統(tǒng)400、傳感器設備410(相當于上述實施方式中的熱式光檢測裝置200)、圖像處理部420、處理部430、存儲部440、操作部450以及顯示部 460。此外，本實施方式的電子設備并不僅限于圖8的結構，可以實施省略其構成要素的一部分(例如光學系統(tǒng)、操作部、顯示部等)或者追加其他的構成要素等各種變形。光學系統(tǒng)400例如包括一個或者多個透鏡、驅動這些透鏡的驅動部等。此外，進行向傳感器410的物像的成像等。另外，如果需要，也進行焦點調整等。傳感器設備410通過將上述本實施方式的光檢測器二維排列而構成，并設有多條行線(掃描線(或字線))和多條列線(數(shù)據(jù)線)。傳感器設備410除了二維陣列的光檢測器之外，還能夠包括行選擇電路(行驅動器)、經由列線讀出從光檢測器發(fā)出的數(shù)據(jù)的讀出電路以及A/D轉換部等。通過依次讀出從二維陣列的各光檢測器發(fā)出的數(shù)據(jù)，從而能夠進行物像的攝像處理。圖像處理部420根據(jù)從傳感器設備410發(fā)出的數(shù)字的圖像數(shù)據(jù)(像素數(shù)據(jù))，進行圖像校正處理等各種圖像處理。圖像處理部420相當于處理傳感器設備410(熱式光檢測器200)的輸出的控制部。處理部430進行電子設備的整體控制或者進行電子設備內的各模塊的控制。該處理部430例如由CPU等實現(xiàn)。存儲部440用于存儲各種信息，例如其作為處理部430、圖像處理部420的工作區(qū)域而發(fā)揮作用。操作部450是用于用戶操作電子設備的界面，例如由各種按鈕、⑶I (Graphical User hterface，圖形用戶界面)界面等實現(xiàn)。顯示部460用于顯示例如由傳感器設備410獲取到的圖像、⑶I界面等，其可以由液晶顯示器、有機EL顯示器等各種顯示器實現(xiàn)。這樣，將一個單元的熱式光檢測器用作紅外線傳感器等傳感器的基礎上，可通過將一個單元的熱式光檢測器沿正交的二軸方向二維配置來構成傳感器設備(熱式光檢測裝置)410，從而能夠提供熱(光)分布圖像。使用該傳感器設備410，能夠構成紅外線熱象儀、車載用夜視照相機或者監(jiān)控照相機等電子設備。如上所述，本發(fā)明涉及的熱式光檢測器的光檢測靈敏度高。因此，可以提高安裝有該熱式光檢測器的電子設備的性能。圖9是電子設備的結構的其他例子的示意圖。圖9的電子設備800包括安裝了熱式光檢測器200、加速度檢測元件503的傳感器單元600。傳感器單元600上還安裝有陀螺傳感器等。通過傳感器單元600可以測定不同種類的物理量。通過CPU 700處理從傳感器單元600輸出的各檢測信號。CPU 700相當于處理熱式光檢測器200的輸出的控制部。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的至少一個實施方式，例如可以進一步提高熱式光檢測器的檢測靈敏度。以上，雖然就幾個實施例對本發(fā)明進行了說明，但是只要實質上沒有脫離本發(fā)明的發(fā)明點及效果可以有很多的變形，這對本領域的技術人員來說是顯而易見的。因此，這樣的變形例也全部包括在本發(fā)明的保護范圍之內。例如，在說明書或附圖中，至少一次與更廣義或同義不同的用語同時記載的術語可以在說明書或附圖的任何地方替換成其不同的用語。并且，雖然在上述實施方式中可以使用熱電電容器作為熱檢測元件，但是也可以取而代之地使用熱電元件或測輻射熱計元件。
0147]附圖標記說明0148]20基板(例如硅基板)30第一絕緣層0149]40第二絕緣層50第三絕緣層0150]100多層構造體102空腔部(熱分離空腔部)0151]129多層布線構造130a至130d蝕刻阻擋膜0152]150多層構造體200熱式光檢測器0153]215支撐部件(隔膜)222第一布線0154]226第一接觸電極228第二接觸電極0155]229第二布線230熱電電容器0156]232熱電材料層(PZT層等) 234第一電極(下部電極)0157]236第二電極(上部電極)250絕緣層0158]252 254第一接觸孔及第二—接觸孔0159]270第一光吸收層272第二光吸收層0160]Ql第一布線222的在支撐部件的表面上延伸的部分0161]Q2第二布線229的在支撐部件的表面上延伸的部分
權利要求
1.一種熱式光檢測器，其特征在于，具有 基板；支撐部件，隔著空腔部被支撐于所述基板； 熱檢測元件，形成在所述支撐部件上；第一光吸收層，在所述熱檢測元件及所述支撐部件上，與所述熱檢測元件接觸地形成；以及第二光吸收層，在所述第一光吸收層上，與所述第一光吸收層接觸地形成，所述第二光吸收層具有比所述第一光吸收層高的折射率，在所述支撐部件的表面和所述第二光吸收層的上表面之間，第一波長諧振， 在所述第一光吸收層和所述第二光吸收層接觸的界面與所述第二光吸收層的上表面之間，與所述第一波長不同的第二波長諧振。
2.根據(jù)權利要求1所述的熱式光檢測器，其特征在于，所述支撐部件的表面和所述第二光吸收層的上表面平行且所述第一光吸收層和所述第二光吸收層接觸的界面與所述第二光吸收層的上表面平行，在將所述第一波長設為X1時，所述支撐部件的表面和所述第二光吸收層的上表面之間的距離滿足m· (A1/^的關系，其中，m是大于等于1的整數(shù)，在將所述第二波長設為λ 2時，所述第一光吸收層和所述第二光吸收層接觸的界面和所述第二光吸收層的上表面之間的距離滿足η · (λ 2/4)的關系，其中，η是大于等于1的整數(shù)。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的熱式光檢測器，其特征在于，所述支撐部件的表面是具有比所述第一光吸收層高的折射率的材料層的表面。
4.根據(jù)權利要求1或2所述的熱式光檢測器，其特征在于，所述支撐部件的表面是具有對光進行反射的光反射特性的材料層的表面。
5.根據(jù)權利要求1至4中的任一項所述的熱式光檢測器，其特征在于，與所述熱檢測元件連接的布線的在所述支撐部件的表面上延伸的部分的至少一部分被所述第一光吸收層覆蓋。
6.根據(jù)權利要求1至5中的任一項所述的熱式光檢測器，其特征在于，所述熱檢測元件包括熱電電容器，具有通過所述支撐部件側的第一電極及所述第二光吸收層側的第二電極夾著熱電材料層的結構；與所述第一電極連接的第一接觸電極；以及與所述第二電極連接的第二接觸電極，俯視時的所述第二接觸電極的面積比俯視時的所述第二電極的面積大。
7.根據(jù)權利要求6所述的熱式光檢測器，其特征在于， 所述第二光吸收層與所述第二接觸電極接觸地形成。
8.一種熱式光檢測裝置，其特征在于，二維配置有多個權利要求1至7中的任一項所述的熱式光檢測器。
9.一種電子設備，其特征在于，包括權利要求1至7中的任一項所述的熱式光檢測器；以及控制部，對所述熱式光檢測器的輸出進行處理。
10.一種熱式光檢測器的制造方法，其特征在于，包括在基板的主面上形成包括絕緣層的構造體，除去所述構造體的至少最上層的一部分以形成凹部，并在所述凹部的內表面上形成了蝕刻阻擋膜后，在所述凹部內形成犧牲層； 在包括所述犧牲層的所述構造體上形成支撐部件，在所述支撐部件上形成熱檢測元件；在所述熱檢測元件及所述支撐部件上，與所述熱檢測元件接觸地形成第一光吸收層；以及在所述第一光吸收層上與所述第一光吸收層接觸地形成具有比所述第一光吸收層高的折射率的第二光吸收層，其中，將所述第一光吸收層的厚度和所述第二光吸收層的厚度的合計厚度設定為當將第一波長設為X1時滿足m· (A1/^的關系的厚度，其中，m是大于等于1的整數(shù)，將所述第二光吸收層的厚度設定為當將第二波長設為λ2時滿足η· (λ2/4)的關系的厚度，其中，η是大于等于1的整數(shù)。
全文摘要
本發(fā)明提供了熱式光檢測器、熱式光檢測裝置、電子設備及熱式光檢測器的制造方法，該熱式光檢測器具有基板；支撐部件，隔著空腔部被支撐于基板；熱檢測元件，形成在支撐部件上；第一光吸收層，在熱檢測元件及支撐部件上，與熱檢測元件接觸地形成；以及第二光吸收層，在第一光吸收層上，與第一光吸收層接觸地形成，第二光吸收層具有比第一光吸收層高的折射率，在支撐部件的表面和第二光吸收層的上表面之間，第一波長諧振，在第一光吸收層和第二光吸收層接觸的界面與第二光吸收層的上表面之間，與第一波長不同的第二波長諧振。
文檔編號G01J5/08GK102564601SQ20111041435
公開日2012年7月11日 申請日期2011年12月13日 優(yōu)先權日2010年12月22日
發(fā)明者土屋泰 申請人:精工愛普生株式會社