專利名稱：元器件分類檢測法的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及元器件抗輻射能力的檢測，特別涉及一種元器件分類檢測法。
背景技術(shù)：
由于元器件的抗輻射能力不足會嚴重影響衛(wèi)星使用壽命和可靠性。因此在選用用于衛(wèi)星上的元器件時，需要根據(jù)元器件的抗總劑量能力對元器件進行分類?，F(xiàn)有的根據(jù)元器件抗總劑量能力對元器件進行分類的方法一般是在獲取元器件抗總劑量能力后，根據(jù)航天器的使用要求，與元器件抗總劑量能力做一比較，若元器件能夠滿足航天器抗輻射能力要求，則在航天器上使用，若元器件不滿足航天器使用要求，一般采取加固措施，即在元器件表面貼鉛皮或鉭皮等重金屬材料，使之滿足要求。若元器件抗總劑量能力小于航天器預(yù)示環(huán)境要求，且采取加固措施后，仍不滿足要求的，一般不同意使用。上述現(xiàn)有技術(shù)中的元器件分類檢測方法需要從元器件中抽取大量的樣本進行檢測、判別，效率低下。

發(fā)明內(nèi)容
為了克服現(xiàn)有技術(shù)中的元器件分類方法樣本抽取量大、檢測效率低下的缺陷，從而提供一種樣本量小、檢測效率高的檢測方法。為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種元器件分類檢測法，包括步驟1)、利用輻照測試裝置得到元器件的輻照測試數(shù)據(jù)，對這些輻照測試數(shù)據(jù)進行統(tǒng)計分析，得到耐量的幾何平均值5和對數(shù)標準方差Sln0 ；步驟2、、根據(jù)所述耐量的幾何平均值計算出RDM值RDM = DZDq1其中，Dtl表示環(huán)境要求量；步驟3)、查正態(tài)分布的單側(cè)容許限表，根據(jù)給定樣本容量η、置信度C和可靠度I^s 條件時的單側(cè)容許限系數(shù)K;步驟4)、根據(jù)步驟1)得到的對數(shù)標準方差^il以及步驟幻得到的單側(cè)容許限系數(shù)K計算PCC值PCC == eKSlnD ；步驟5)、比較步驟2)得到的RDM值以及步驟4)得到的PCC值，確定元器件的類別，實現(xiàn)對元器件的分類檢測。上述技術(shù)方案中，所述輻照測試數(shù)據(jù)包括總劑量耐量、中子輻照注量、輻照敏感參數(shù)。本發(fā)明的優(yōu)點在于本發(fā)明只需要較小的樣本容量即可實現(xiàn)對元器件的檢測，檢測效率高。說明書附1是PCC方法示意圖2是置信度C為90%時K值作為η和I^s的函數(shù)。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖
和具體實施方式
對本發(fā)明做進一步說明。本發(fā)明所要解決的問題是如何方便、快捷地對元器件抗輻射能力做分類檢測，為此，本發(fā)明所提供的元器件分類檢測法(簡稱PCC法)在給定樣本容量、置信度和可靠度的基礎(chǔ)上，基于非中心t分布的統(tǒng)計方法，計算出元器件的抗輻射測試參數(shù)的設(shè)計余量值 (RDM)與PCC值，根據(jù)兩者之間的大小關(guān)系與取值范圍來對元器件進行分類檢測。在得到分類檢測結(jié)果后，就可以知道該元器件是否可應(yīng)用于航天器。本領(lǐng)域技術(shù)人員都知道，抗輻射測試參數(shù)根據(jù)實際應(yīng)用場景的不同有多種類型， 包括總劑量耐量、中子輻照注量、輻照敏感參數(shù)等，在下面的實施例中，就以相關(guān)元器件按照本發(fā)明的方法如何根據(jù)這三種參數(shù)進行分類加以說明，但本領(lǐng)域技術(shù)人員也可將本發(fā)明的方法應(yīng)用于其他類型的抗輻射測試參數(shù)。實施例1元器件總劑量耐量的PCC法以LM108放大器因電離輻射導(dǎo)致放大器輸入偏置電流的變化而失效為例，根據(jù)現(xiàn)有的技術(shù)標準，電離輻射總劑量環(huán)境Dtl要求是150krad(Si)，在本實施例中給定樣本包括5 個試樣，這5個試樣的總劑量失效水平(即總劑量耐量)可通過相應(yīng)的測試裝置測得，其測試結(jié)果如下面的表1所示。此外，在本實施例中還需要給定置信度C和可靠度I^s，所述置信度C的大小為0. 9，所述可靠度I^s的大小為0. 99。
器件試樣iDi krad (Si)
1 2 3 4 5
Ooooo
5O O 2 5
68 5 4 3表 1第一步確定給定樣本中的元器件的參數(shù)設(shè)計余量RDM值。在計算元器件的參數(shù)設(shè)計余量RDM值時，首先要計算給定樣本中5個器件總劑量失效水平的幾何平均值5，其計算公式如下面的公式(ι)所示D = e^ =52 Ikrad(Si)( 1 )然后再計算元器件的RDM值，其計算公式為RDM = ^- = — = 3.5(2)
D0 150上述公式中的Dtl在前文中已經(jīng)給出，其大小為150krad(Si)。第二步計算器件總劑量耐量的對數(shù)標準差SlnD。在之前的表1中已經(jīng)給出了每個器件的耐量，對每個器件的耐量取對數(shù)，可得均為
權(quán)利要求
1.一種元器件分類檢測法，包括步驟1)、利用輻照測試裝置得到元器件的輻照測試數(shù)據(jù)，對這些輻照測試數(shù)據(jù)進行統(tǒng)計分析，得到耐量的幾何平均值5和對數(shù)標準方差Sln0 ； 步驟2)、根據(jù)所述耐量的幾何平均值計算出RDM值RDM = DfDoi其中，Dtl表示環(huán)境要求量；步驟幻、查正態(tài)分布的單側(cè)容許限表，根據(jù)給定樣本容量η、置信度C和可靠度I^s條件時的單側(cè)容許限系數(shù)K;步驟4)、根據(jù)步驟1)得到的對數(shù)標準方差Sln0以及步驟幻得到的單側(cè)容許限系數(shù)K 計算PCC值PCC==eKS'nD ；步驟5)、比較步驟2)得到的RDM值以及步驟4)得到的PCC值，確定元器件的類別，實現(xiàn)對元器件的分類檢測。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的元器件分類檢測法，其特征在于，所述輻照測試數(shù)據(jù)包括總劑量耐量、中子輻照注量、輻照敏感參數(shù)。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種元器件分類檢測法，包括對元器件的輻照測試數(shù)據(jù)進行統(tǒng)計分析，得到耐量的幾何平均值和對數(shù)標準方差SlnD；根據(jù)所述耐量的幾何平均值計算出RDM值查正態(tài)分布的單側(cè)容許限表，根據(jù)給定樣本容量n、置信度C和可靠度Ps條件時的單側(cè)容許限系數(shù)K；根據(jù)對數(shù)標準方差SlnD以及單側(cè)容許限系數(shù)K計算PCC值比較RDM值以及PCC值，確定元器件的分類。本發(fā)明只需要用較小的樣本容量即可實現(xiàn)對元器件的分類，效率有了很大的提高。
文檔編號G01R31/00GK102495302SQ20111036246
公開日2012年6月13日 申請日期2011年11月15日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月15日
發(fā)明者吳東, 李強, 金歷群 申請人:上海衛(wèi)星工程研究所