專利名稱：帶有旁路層的磁傳感器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及傳感器領(lǐng)域，尤其涉及一種帶有旁路層的磁傳感器及其制造方法。
背景技術(shù)：
傳感器是一種物理裝置，其能夠探測(cè)、感受外界的信號(hào)、物理?xiàng)l件(如光、熱、濕度)和/或化學(xué)組成(如煙霧)，并將上述信息轉(zhuǎn)換成電信號(hào)以傳遞給其它裝置。磁傳感器就是其中的一種傳感器。磁傳感器是將磁場、電流、應(yīng)力應(yīng)變、溫度、光等引起敏感元件磁性能的變化轉(zhuǎn)換成電信號(hào)，以測(cè)量相關(guān)物理量、特別是微小物理量的器件。由于磁傳感器相對(duì)于傳統(tǒng)傳感器而言具有靈敏度高等優(yōu)點(diǎn)，因此被廣泛應(yīng)用于航空、航天、地質(zhì)探礦、醫(yī)學(xué)成像、信息采集以及軍事等領(lǐng)域。隨著技術(shù)的進(jìn)步，磁傳感器芯片由于具有低功耗、體積小、靈敏度高、易集成、成本低、響應(yīng)快、分辨率高、穩(wěn)定性好、可靠性高等多種優(yōu)點(diǎn)而作為磁傳感器的核心部件。在一些特定的磁傳感應(yīng)用中，有必要用長條形磁傳感元件來感應(yīng)按空間分布的磁場。長條形磁傳感元件也有利于取得低能耗所要求的高電阻值。長條形磁條因其長軸與短軸退磁系數(shù)不同而通常磁矯頑力較大，且具有比較嚴(yán)重的磁滯現(xiàn)象。為了克服大矯頑力，通常要附加磁回路層，硬磁或是電流偏壓層，但是這些附加層不但增加了工藝復(fù)雜性和成本，還降低了磁傳感器的靈敏度。為了克服大矯頑力，通常要附加磁回路層，硬磁或是電流偏壓層。但是這些附加層不但增加了工藝復(fù)雜性和成本，還降低了磁傳感器的靈敏度。因此，一種改進(jìn)式的設(shè)計(jì)是將數(shù)個(gè)獨(dú)立的磁傳感器元件排成一列。圖1展示了現(xiàn)有的磁傳感器的示意圖。磁傳感器I包括磁傳感器薄膜11，并將其切割成數(shù)個(gè)隔離開的排成列的磁傳感器元件111，以及數(shù)個(gè)傳導(dǎo)層12，每個(gè)傳導(dǎo)層12連接相鄰的兩個(gè)磁傳感器元件111。磁傳感器I還包括兩個(gè)電連接觸點(diǎn)14，以及數(shù)個(gè)切口 13。數(shù)個(gè)切口 13是用來間隔各個(gè)通過其間的傳導(dǎo)層12連接的磁傳感器元件111，傳感器I的磁滯現(xiàn)象有所緩解。然而，由于傳感器元件是間隔開的，單個(gè)的傳感器元件的形狀各向異性會(huì)隨長短軸方向的變化而改變。且，其應(yīng)力各向異性亦會(huì)隨干濕法蝕刻所造成的應(yīng)力釋放而變化。這些變化會(huì)對(duì)矯頑力、各向異性場或降低低靈敏度產(chǎn)生負(fù)作用。且，磁傳感器元件的隔離設(shè)置削弱了其抗靜電能力以及削弱了磁傳感器的抗疲勞時(shí)效特性。圖2展示了現(xiàn)有技術(shù)中磁傳感器的較大的矯頑力。因此，亟待一種改進(jìn)型的帶有旁路層的磁傳感器來減小其矯頑力，以及一種相應(yīng)的磁傳感器的制造方法，以克服上述缺陷。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種磁傳感器，其具有數(shù)個(gè)形成在傳感磁條上的旁路層。由于其上層疊有旁路層的傳感磁條部分并不工作，以及傳感磁條具有一體式結(jié)構(gòu)，因此磁傳感器具有較低的矯頑力和高靈敏度，以及高抗靜電能力和抗疲勞時(shí)效特性。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種磁傳感器的制造方法，該磁傳感器具有數(shù)個(gè)形成在傳感磁條上的旁路層。由于其上層疊有旁路層的傳感磁條部分并不工作，以及傳感磁條具有一體式結(jié)構(gòu)，因此磁傳感器具有較低的矯頑力和高靈敏度，以及高抗靜電能力和抗疲勞時(shí)效特性。為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供了一種帶有旁路層的磁傳感器，其包括:傳感磁條，其為一體式結(jié)構(gòu)；數(shù)個(gè)旁路層，其電阻率低于所述傳感磁條的電阻率，分別形成在所述傳感磁條的長度方向上且兩者之間沒有任何物理分隔物，每兩個(gè)相鄰的所述旁路層之間有間距；以及兩個(gè)電極，其分別形成在所述傳感磁條的兩端。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述傳感磁條的寬度與任何兩個(gè)相鄰的所述旁路層之間的間距的比率在0.8-1.2的范圍內(nèi)。較佳地，所述傳感磁條的寬度與任何兩個(gè)相鄰的所述旁路層之間的間距相同。這樣，磁傳感器獲得了較低的矯頑力以及高靈敏性。在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，所述旁路層為環(huán)狀并在垂直于所述傳感磁條的長度方向上包覆所述傳感磁條。在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，所述旁路層為正方形、長方形或者橢圓形，并層疊于所述傳感磁條上。在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，所述旁路層的材料包含金、銅或者銀。在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，所述傳感磁條是異磁阻、巨磁阻或者隧道磁阻。在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，所述磁傳感器還包括數(shù)個(gè)分別夾設(shè)在所述旁路層和所述傳感磁條之間的引晶層，以提高所述旁路層和所述傳感磁條之間的附著力。較佳地，所述引晶層包括鉻、鈦或者鉭。在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，所述磁傳感器還包括具有絕緣材料且其上形成有所述傳感磁條的襯底層，以及其上形成有所述襯底層的基底。在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，所述襯底層包括氧化鋁或者氧化硅，所述襯底層包括硅、氧化鎂、紅寶石、鋁鈦碳或者玻璃。在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，所述磁傳感器上包覆著保護(hù)層，所述保護(hù)層包括氧化鋁、氧化硅、油墨或者聚酰亞胺。為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供了一種磁傳感器的制造方法，包括提供基底；在所述基底上沉積一磁傳感器薄膜，將所述磁傳感器薄膜蝕刻成數(shù)條傳感磁條，每一所述傳感磁條均為一體式結(jié)構(gòu)；在所述傳感磁條上沉積旁路薄膜且兩者之間沒有任何物理分隔物，將所述旁路薄膜圖形化成數(shù)個(gè)旁路層，所述旁路層的電阻率低于所述傳感磁條的電阻率，所述旁路層分別形成在所述傳感磁條的長度方向上，每兩個(gè)相鄰的所述旁路層之間有間距；在所述傳感磁條的兩端分別沉積電極。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述傳感磁條的寬度與任何兩個(gè)相鄰的所述旁路層之間的間距的比率在0.8-1.2的范圍內(nèi)。在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，所述傳感磁條的寬度與任何兩個(gè)相鄰的所述旁路層之間的間距相同。在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，蝕刻所述磁傳感薄膜為干法蝕刻或者濕法蝕刻。在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，圖形化所述旁路薄膜為通過光掩膜來干法蝕刻或者濕法蝕刻。在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，所述旁路層為環(huán)狀并在垂直于所述傳感磁條的長度方向上包覆所述傳感磁條。在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，所述旁路層為正方形、長方形或者橢圓形，并層疊于所述傳感磁條上。在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，所述旁路層的材料包含金、銅或者銀。在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，所述傳感磁條是異磁阻、巨磁阻或者隧道磁阻。在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，所述磁傳感器還包括數(shù)個(gè)分別夾設(shè)在所述旁路層和所述傳感磁條之間的引晶層，以提高所述旁路層和所述傳感磁條之間的附著力。在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，所述引晶層包括鉻、鈦或者鉭。在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，所述磁傳感器還包括具有絕緣材料且其上形成有所述傳感磁條的襯底層，以及其上形成有所述襯底層的基底。較佳地，所述襯底層包括氧化鋁或者氧化硅，所述襯底層包括硅、氧化鎂、紅寶石、招鈦碳或者玻璃。在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，所述磁傳感器上包覆著保護(hù)層，所述保護(hù)層包括氧化鋁、氧化硅、油墨或者聚酰亞胺。本發(fā)明還提供了另外一種磁傳感器的制造方法，一種磁傳感器的制造方法，包括步驟:提供基底；在所述基底上沉積一磁傳感器薄膜，將所述磁傳感器薄膜蝕刻成數(shù)條傳感磁條，每一所述傳感磁條均為一體式結(jié)構(gòu)；在所述傳感磁條上直接設(shè)置光掩膜，所述光掩膜上有數(shù)個(gè)特定區(qū)域可暴露出所述傳感磁條，繼而將一旁路薄膜沉積到且覆蓋整個(gè)所述光掩膜，數(shù)個(gè)旁路層形通過所述光掩膜上的所述特定區(qū)域形成在所述傳感磁條上，且旁路層與傳感磁條之間沒有任何物理分隔物，所述旁路層的電阻率低于所述傳感磁條的電阻率，所述旁路層分別形成在所述傳感磁條的長度方向上，且每兩個(gè)相鄰的所述旁路層之間有間距；以及在所述傳感磁條的兩端分別沉積電極。與現(xiàn)有技術(shù)相比，該磁傳感器具有一體式結(jié)構(gòu)以及數(shù)個(gè)形成在傳感磁條上的旁路層。由于其上層疊有旁路層的傳感磁條部分并不工作，以及傳感磁條具有一體式結(jié)構(gòu)，因此磁傳感器具有較低的矯頑力和高靈敏度，以及高抗靜電能力和抗疲勞時(shí)效特性。通過以下的描述并結(jié)合附圖，本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容、構(gòu)造特征、所達(dá)目的及效果將變得更加清晰，這些附圖用于解釋本發(fā)明的實(shí)施例。


圖1是現(xiàn)有的磁傳感器的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是現(xiàn)有的磁傳感器的矯頑力的示意圖。圖3是本發(fā)明一實(shí)施例中磁傳感器的結(jié)構(gòu)示意圖。圖4是本發(fā)明另一實(shí)施例中磁傳感器的結(jié)構(gòu)示意圖。圖5是本發(fā)明又一實(shí)施例中磁傳感器的結(jié)構(gòu)示意圖。圖6是本發(fā)明實(shí)施例中磁傳感器的矯頑力的示意圖。圖7是本發(fā)明磁傳感器的制造方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式以下將結(jié)合附圖描述本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例，其中，各個(gè)附圖中相同的標(biāo)記表示相同的兀件。本發(fā)明中的磁傳感器用于感應(yīng)空間分布的磁場信號(hào)。參照?qǐng)D3，磁傳感器20包括傳感磁條21，數(shù)個(gè)旁路層22以及電極23。傳感磁條21具有一體式結(jié)構(gòu)，即其間沒有任何物理式地分隔成數(shù)個(gè)部分。傳感磁條21是異磁阻、巨磁阻或者隧道磁阻。數(shù)個(gè)旁路層22分別形成在傳感磁條21的長度方向上，且旁路層與傳感磁條之間沒有任何物理分隔物，每兩個(gè)相鄰的旁路層22之間有間距。在本實(shí)施例中，旁路層22形成在傳感磁條21上且兩者之間沒有任何物質(zhì)間隔。旁路層22是由低電阻率的材料制成，其電阻率低于傳感磁條21的電阻率，且旁路層22層壓于并且電連接于所述傳感磁條21。較佳地，任何兩個(gè)相鄰的旁路層22之間的間距相等。旁路層22的材料由金、銅或銀構(gòu)成。須注意的是，旁路層的材質(zhì)采用參照傳感磁條的材質(zhì)而得。兩個(gè)電極23分別形成在傳感磁條21的長度方向上的兩端。且，電極23的材料是金或者銅。電極23用于將磁傳感器電連接外部器件。參考圖3，較佳地，磁傳感器的寬度與任何兩個(gè)相鄰的旁路層之間的間距的比率在
0.8-1.2的范圍內(nèi)，因而獲得較低的矯頑力。在本實(shí)施例中，傳感磁條的寬度與任何兩個(gè)相鄰的旁路層之間的間距相等；因此，磁傳感器具有低矯頑力且具有高靈敏度。參考圖6，與圖2所示的磁傳感器的矯頑力相比，由于圖6所示的傳感磁條具有一體式結(jié)構(gòu)，該傳感磁條通過形成在其上的旁路層而分隔成數(shù)個(gè)元件，特別是由于傳感磁條的寬度與任何兩個(gè)相鄰的旁路層之間的間距相等，因此得到本發(fā)明中圖6所示的矯頑力低于0.50e的情況，遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于圖2所示的磁傳感器的矯頑力。旁路層22為呈環(huán)狀并在垂直于所述傳感磁條21的長度方向上包覆所述傳感磁條21。在本實(shí)施例中，旁路層22層壓于傳感磁條21上且兩者之間沒有任何物理分隔物，也就是說，該旁路層22與傳感磁條21之間沒有任何物質(zhì)，故兩者之間的電連接較強(qiáng)以及其連接的穩(wěn)定性較高。在本發(fā)明的實(shí)施例中，磁傳感器還可包括數(shù)個(gè)引晶層，每個(gè)印晶層分別夾設(shè)在每個(gè)旁路層與傳感磁條之間，以提高所述旁路層和所述傳感磁條之間的附著力。所述引晶層包括鉻、鈦或者鉭。參考圖3-4，在本實(shí)施例中，傳感磁條20還包括襯底層24和基底25。襯底層24沉積在基底25的表面上,或在基底25的表面上形成一層氧化層而構(gòu)成襯底層24,傳感磁條21沉積在襯底層24上。襯底層24為絕緣材質(zhì)，可為例如氧化鋁或者氧化硅，該基底包括硅、氧化鎂、紅寶石、鋁鈦碳或者玻璃材料。較佳地，磁傳感器20還覆蓋著保護(hù)層，該保護(hù)包括氧化鋁、氧化硅、油墨或者聚酰亞胺。圖5展示了本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例。參考圖5，磁傳感器30包括傳感磁條31、數(shù)個(gè)旁路層32、電極33、襯底層34和基底35。磁傳感器30的結(jié)構(gòu)與圖3所示的磁傳感器20相似，不同之處在于旁路層32的形狀。在本實(shí)施例中，旁路層32是方形的且層疊于所述傳感磁條31上，并該旁路層32并沒有包覆傳感磁條31。在其它的實(shí)施例中，旁路層的形狀可為正方形、長方形或者橢圓形，根據(jù)具體的實(shí)施情況而定。參考圖3和圖6，數(shù)個(gè)旁路層22疊壓在傳感磁條21上。當(dāng)傳感器20加上特定的工作電流工作時(shí)，工作電流通過傳感磁條21流通該磁傳感器20。如圖5上的箭頭所示，由于旁路層22的電阻率小于傳感磁條21的電阻率，在部分感器磁條21上沒有覆蓋旁路層22的情況下，工作電流流經(jīng)該部分傳感磁條21 ;而當(dāng)工作電流流經(jīng)旁路層22覆蓋傳感磁條21的情況下，工作電流流經(jīng)旁路層22。因此，當(dāng)磁傳感器20工作時(shí)，旁路層22覆蓋的那部分傳感磁條21流通電流而工作。因此，傳感磁條21在磁學(xué)的層面上通過旁路層22被分割成數(shù)個(gè)相互隔離開來的元件，并通過旁路層22在電學(xué)的層面上串聯(lián)起來，故，該分隔方法實(shí)現(xiàn)了磁傳感器的長軸與短軸的退磁系數(shù)相同，從而使磁傳感器具有低矯頑力以及高靈敏度。圖5所示的實(shí)施例中的原理適用于上述各個(gè)實(shí)施例。進(jìn)而，由于本發(fā)明實(shí)施例中的傳感磁條在磁學(xué)的層面上通過所述旁路層被分隔成數(shù)個(gè)獨(dú)立的元件，且該分隔方法避免了物理層面上的破壞與切割，故，傳感磁條具有一個(gè)一體式的結(jié)構(gòu)。磁傳感器的長度方向上沒有任何物理式分割，故其反鐵磁層亦沿長軸方向完好無損，因此，磁傳感器的形狀以及其應(yīng)力各向異性并無改變。并且，由于磁傳感器的形狀以及其應(yīng)力各向異性并無改變，因此磁傳感器具有低矯頑力以及高靈敏度。本發(fā)明還揭露了一種根據(jù)上述各個(gè)實(shí)施例的磁傳感器的制造方法。圖7展示了本發(fā)明磁傳感器制造方法的流程圖。參考圖7，該制造方法大致包括以下步驟:
在圖7中標(biāo)號(hào)SI所示的步驟一中，提供基底，其主要構(gòu)成材料是硅、氧化鎂、紅寶石、鋁鈦碳或者玻璃等。在本實(shí)施例中，該基底的材料是硅。在圖7中標(biāo)號(hào)S2所示的步驟二中，在所述基底上沉積一磁傳感器薄膜，并通過光掩膜將所述磁傳感器薄膜通過干法或者濕法圖形化(也即蝕刻)成數(shù)條傳感磁條，且每一所述傳感磁條均為一體式結(jié)構(gòu)。在圖7中標(biāo)號(hào)S3所示的步驟三中，在所述傳感磁條上沉積旁路薄膜且兩者之間沒有任何物理分隔物，并通過光掩膜將所述旁路薄膜圖形化成數(shù)個(gè)旁路層，或者在旁路薄膜沉積在傳感磁條上后，通過光掩膜采用干法或者濕法蝕刻該傳感磁條。所述旁路層的電阻率低于所述傳感磁條的電阻率，且分別形成在所述傳感磁條的長度方向上且兩者之間沒有任何物理分隔物，每兩個(gè)相鄰的所述旁路層之間有間距。在圖7中標(biāo)號(hào)S4所示的步驟四中，在所述傳感磁條的兩端分別沉積電極。需要注意的是，在本發(fā)明的其它實(shí)施例中，磁傳感器薄膜通過干法或者濕法蝕刻方法，例如離子刻蝕，反應(yīng)離子刻蝕或者濕法化學(xué)蝕刻等等；旁路薄膜的圖形化亦可通過干法或者濕法蝕刻方法，例如離子刻蝕，反應(yīng)離子刻蝕或者濕法化學(xué)蝕刻等等。較佳地，磁傳感器的制造方法還包括將數(shù)個(gè)引晶層分別夾設(shè)在所述旁路層和所述傳感磁條之間，以提高旁路層和傳感磁條之間的附著力。所述引晶層包括鉻、鈦或者鉭。較佳地，所述磁傳感器還包括具有絕緣材料且其上形成有所述傳感磁條的襯底層，以及其上形成有所述襯底層的基底。所述襯底層包括氧化鋁或者氧化硅。在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，磁傳感器上包覆著保護(hù)層，所述保護(hù)層包括氧化鋁、氧化硅、油墨或者聚酰亞胺。本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中還提供了另外一種磁傳感器的制造方法，一種磁傳感器的制造方法，包括步驟:提供基底；在基底上沉積一磁傳感器薄膜，將磁傳感器薄膜蝕刻成數(shù)條傳感磁條，每一傳感磁條均為一體式結(jié)構(gòu)；在傳感磁條上直接設(shè)置光掩膜，光掩膜上有數(shù)個(gè)特定區(qū)域可暴露出傳感磁條，繼而將一旁路薄膜沉積到且覆蓋整個(gè)光掩膜，當(dāng)該去除該光掩膜，數(shù)個(gè)旁路層形通過所述光掩膜上的所述特定區(qū)域形成在所述傳感磁條上，且旁路層與傳感磁條之間沒有任何物理分隔物，旁路層的電阻率低于傳感磁條的電阻率，所述旁路層分別形成在傳感磁條的長度方向上，且每兩個(gè)相鄰的旁路層之間有間距；以及在傳感磁條的兩端分別沉積電極。以上結(jié)合最佳實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了描述，但本發(fā)明并不局限于以上揭示的實(shí)施例，而應(yīng)當(dāng)涵蓋各種根據(jù)本發(fā)明的本質(zhì)進(jìn)行的修改、等效組合。
權(quán)利要求
1.一種帶有旁路層的磁傳感器，包括: 傳感磁條，其為一體式結(jié)構(gòu)； 數(shù)個(gè)旁路層，其電阻率低于所述傳感磁條的電阻率，分別形成在所述傳感磁條的長度方向上且兩者之間沒有任何物理分隔物，每兩個(gè)相鄰的所述旁路層之間有間距；以及 兩個(gè)電極，其分別形成在所述傳感磁條的兩端。
2.按權(quán)利要求1所述的磁傳感器，其特征在于，所述傳感磁條的寬度與任何兩個(gè)相鄰的所述旁路層之間的間距的比率在0.8-1.2的范圍內(nèi)。
3.按權(quán)利要求1所述的磁傳感器，其特征在于，所述傳感磁條的寬度與任何兩個(gè)相鄰的所述旁路層之間的間距相同。
4.按權(quán)利要求1所述的磁傳感器，其特征在于，所述旁路層為環(huán)狀并在垂直于所述傳感磁條的長度方向上包覆所述傳感磁條。
5.按權(quán)利要求1所述的磁傳感器，其特征在于，所述旁路層為正方形、長方形或者橢圓形，并層疊于所述傳感磁條上。
6.按權(quán)利要求1所述的磁傳感器，其特征在于，所述旁路層的材料包含金、銅或者銀。
7.按權(quán)利要求1所述的磁傳感器，其特征在于，所述傳感磁條是異磁阻、巨磁阻或者隧道磁阻。
8.按權(quán)利要求1所述的磁傳感器，其特征在于，所述磁傳感器還包括數(shù)個(gè)分別夾設(shè)在所述旁路層和所述傳感磁條之間的引晶層，以提高所述旁路層和所述傳感磁條之間的附著力。
9.按權(quán)利要求8所述的磁傳感器，其特征在于，所述引晶層包括鉻、鈦或者鉭。
10.按權(quán)利要求1所述的磁傳感器，其特征在于，所述磁傳感器還包括具有絕緣材料且其上形成有所述傳感磁條的襯底層，以及其上形成有所述襯底層的基底。
11.按權(quán)利要求10所述的磁傳感器，其特征在于，所述襯底層包括氧化鋁或者氧化硅，所述襯底層包括硅、氧化鎂、紅寶石、鋁鈦碳或者玻璃。
12.按權(quán)利要求1所述的磁傳感器，其特征在于，所述磁傳感器上包覆著保護(hù)層，所述保護(hù)層包括氧化鋁、氧化硅、油墨或者聚酰亞胺。
13.一種磁傳感器的制造方法，包括: 提供基底； 在所述基底上沉積一磁傳感器薄膜，將所述磁傳感器薄膜蝕刻成數(shù)條傳感磁條，每一所述傳感磁條均為一體式結(jié)構(gòu)； 在所述傳感磁條上沉積旁路薄膜且兩者之間沒有任何物理分隔物，將所述旁路薄膜圖形化成數(shù)個(gè)旁路層，所述旁路層的電阻率低于所述傳感磁條的電阻率，所述旁路層分別形成在所述傳感磁條的長度方向上，且每兩個(gè)相鄰的所述旁路層之間有間距；以及 在所述傳感磁條的兩端分別沉積電極。
14.按權(quán)利要求13所述的磁傳感器的制造方法，其特征在于，所述傳感磁條的寬度與任何兩個(gè)相鄰的所述旁路層之間的間距的比率在0.8-1.2的范圍內(nèi)。
15.按權(quán)利要求13所述的磁傳感器的制造方法，其特征在于，所述傳感磁條的寬度與任何兩個(gè)相鄰的所述旁路層之間的間距相同。
16.按權(quán)利要求13所述的磁傳感器的制造方法，其特征在于，蝕刻所述磁傳感薄膜為干法蝕刻或者濕法蝕刻。
17.按權(quán)利要求13所述的磁傳感器的制造方法，其特征在于，圖形化所述旁路薄膜為通過光掩膜來干法蝕刻或者濕法蝕刻所述旁路薄膜。
18.按權(quán)利要求13所述的磁傳感器的制造方法，其特征在于，所述旁路層為環(huán)狀并在垂直于所述傳感磁條的長度方向上包覆所述傳感磁條。
19.按權(quán)利要求13所述的磁傳感器的制造方法，其特征在于，所述旁路層為正方形、長方形或者橢圓形，并層疊于所述傳感磁條上。
20.按權(quán)利要求13所述的磁傳感器的制造方法，其特征在于，所述旁路層的材料包含金、銅或者銀。
21.按權(quán)利要求13所述的磁傳感器的制造方法，其特征在于，所述傳感磁條是異磁阻、巨磁阻或者隧道磁阻。
22.按權(quán)利要求13所述的磁傳感器的制造方法，其特征在于，所述磁傳感器還包括數(shù)個(gè)分別夾設(shè)在所述旁路層和所述傳感磁條之間的引晶層，以提高所述旁路層和所述傳感磁條之間的附著力。
23.按權(quán)利要求22所述的磁傳感器的制造方法，其特征在于，所述引晶層包括鉻、鈦或者鉭。
24.按權(quán)利要求13所述的磁傳感器的制造方法，其特征在于，所述磁傳感器還包括具有絕緣材料且其上形成有所述傳感磁條的襯底層，以及其上形成有所述襯底層的基底。
25.按權(quán)利要求24所述的磁傳感器的制造方法，其特征在于，所述襯底層包括氧化鋁或者氧化硅，所述襯底層包括 硅、氧化鎂、紅寶石、鋁鈦碳或者玻璃。
26.按權(quán)利要求13所述的磁傳感器的制造方法，其特征在于，所述磁傳感器上包覆著保護(hù)層，所述保護(hù)層包括氧化鋁、氧化硅、油墨或者聚酰亞胺。
27.一種磁傳感器的制造方法,包括: 提供基底； 在所述基底上沉積一磁傳感器薄膜，將所述磁傳感器薄膜蝕刻成數(shù)條傳感磁條，每一所述傳感磁條均為一體式結(jié)構(gòu)； 在所述傳感磁條上直接設(shè)置光掩膜，所述光掩膜上有數(shù)個(gè)特定區(qū)域可暴露出所述傳感磁條，繼而將一旁路薄膜沉積到且覆蓋整個(gè)所述光掩膜，數(shù)個(gè)旁路層形通過所述光掩膜上的所述特定區(qū)域形成在所述傳感磁條上，且旁路層與傳感磁條之間沒有任何物理分隔物，所述旁路層的電阻率低于所述傳感磁條的電阻率，所述旁路層分別形成在所述傳感磁條的長度方向上，且每兩個(gè)相鄰的所述旁路層之間有間距；以及 在所述傳感磁條的兩端分別沉積電極。
28.按權(quán)利要求27所述的制造方法，其特征在于，所述傳感磁條的寬度與任何兩個(gè)相鄰的所述旁路層之間的間距的比率在0.8-1.2的范圍內(nèi)。
29.按權(quán)利要求27所述的制造方法，其特征在于，所述傳感磁條的寬度與任何兩個(gè)相鄰的所述旁路層之間的間距相同。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種帶有旁路層的磁傳感器，其包括傳感磁條，其為一體式結(jié)構(gòu)；數(shù)個(gè)旁路層，其電阻率低于所述傳感磁條的電阻率，分別形成在所述傳感磁條的長度方向上且兩者之間沒有任何物理分隔物，每兩個(gè)相鄰的所述旁路層之間有間距；以及兩個(gè)電極，其分別形成在所述傳感磁條的兩端。本發(fā)明還公開了一種磁傳感器的制造方法。
文檔編號(hào)G01D5/12GK103090888SQ201110344939
公開日2013年5月8日 申請(qǐng)日期2011年11月4日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月4日
發(fā)明者熊偉 申請(qǐng)人:新科實(shí)業(yè)有限公司