專利名稱：手動探針臺結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，尤其涉及一種手動探針臺結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
DMOS (Double-diffused Metal Oxide Semiconductor,雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管)具有源、漏、柵等電極，但是漏端擊穿電壓高。DMOS主要有兩種類型，分別為垂直雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管VDMOSFET (vertical double-diffused M0SFET)和橫向雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管LDM0SFET(lateral double-dif fused M0SFET)。DMOS產(chǎn)品是由成百上千的單一結(jié)構(gòu)的DMOS單元所組成的。這些單元的數(shù)目是根據(jù)一個芯片所需要的驅(qū)動能力所決定的，DMOS的性能直接決定了芯片的驅(qū)動能力和芯片面積。對于一個由多個基本單元結(jié)構(gòu)組成的LDMOS產(chǎn)品，其中一個最主要的考察參數(shù)是導(dǎo)通電阻。對于LDMOS產(chǎn)品應(yīng)盡可能減小導(dǎo)通電阻。當(dāng)導(dǎo)通電阻很小時，產(chǎn)品就會提供一個很好的開關(guān)特性，因為小的導(dǎo)通電阻，會有較大的輸出電流，從而可以具有更強的驅(qū)動能力。DMOS的主要技術(shù)指標(biāo)有:導(dǎo)通電阻、閾值電壓、擊穿電壓等。在功率應(yīng)用中，由于DMOS技術(shù)采用垂直器件結(jié)構(gòu)，因此具有很多優(yōu)點，包括高電流驅(qū)動能力、低導(dǎo)通電阻和高擊穿電壓
坐寸ο探針臺結(jié)構(gòu)是主要應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)以及光電行業(yè)的測試的設(shè)備。所述探針臺結(jié)構(gòu)從操作上來區(qū)分包括手動探針臺結(jié)構(gòu)、半自動探針臺結(jié)構(gòu)以及全自動探針臺結(jié)構(gòu)。所述探針臺結(jié)構(gòu)從功能上來區(qū)分包 括高溫探針臺結(jié)構(gòu)、低溫探針臺結(jié)構(gòu)、RF探針臺結(jié)構(gòu)、LCD平板探針臺結(jié)構(gòu)、霍爾效應(yīng)探針臺結(jié)構(gòu)以及表面電阻率探針臺結(jié)構(gòu)。現(xiàn)有技術(shù)中一種手動探針臺結(jié)構(gòu)，其包括吸盤結(jié)構(gòu)以及設(shè)于吸盤結(jié)構(gòu)上方的若干探針。所述吸盤結(jié)構(gòu)沒有施加電壓的功能。在一般半導(dǎo)體制程中，需要對DMOS產(chǎn)品進行全面測試驗證，DMOS產(chǎn)品的正面可以通過手動探針臺上的探針接導(dǎo)線進行測試驗證，而DMOS產(chǎn)品的反面與吸盤結(jié)構(gòu)接觸，必須吸盤結(jié)構(gòu)上通有電壓才能對其進行測試驗證，而一般現(xiàn)有技術(shù)中手動探針臺結(jié)構(gòu)中的吸盤結(jié)構(gòu)無法加載電壓，這樣就無法對DMOS產(chǎn)品的反面進行測試驗證。為了解決這一問題，現(xiàn)有技術(shù)中也有通過對手動探針臺結(jié)構(gòu)中吸盤結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)特征進行改造，使得改造后的吸盤結(jié)構(gòu)能夠具有施加電壓的功能，但顛覆傳統(tǒng)的吸盤結(jié)構(gòu)的改造方式其改造成本比較高。因此，針對上述技術(shù)問題，有必要提供一種具有改良結(jié)構(gòu)的手動探針臺結(jié)構(gòu)，以克服上述缺陷。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提供一種手動探針臺結(jié)構(gòu)，該手動探針臺結(jié)構(gòu)中的吸盤結(jié)構(gòu)為一傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的吸盤，但是該吸盤結(jié)構(gòu)具有施加電壓的功能，有助于對DMOS產(chǎn)品進行全面測試驗證。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案:
一種手動探針臺結(jié)構(gòu)，其包括吸盤結(jié)構(gòu)以及設(shè)于吸盤結(jié)構(gòu)上方的若干探針，所述手動探針臺結(jié)構(gòu)還設(shè)有主連接線以及與主連接線連接的插針，所述吸盤結(jié)構(gòu)的邊緣設(shè)有一個安裝孔，所述插針插在安裝孔內(nèi)，所述主連接線的一端設(shè)有鑷子夾頭，所述鑷子夾頭夾持在插針上，所述主連接線的另一端與一電壓載體連接。優(yōu)選的，在上述手動探針臺結(jié)構(gòu)中，所述鑷子夾頭采用焊接的方式固定在主連接線的一端。優(yōu)選的，在上述手動探針臺結(jié)構(gòu)中，所述手動探針臺結(jié)構(gòu)還包括環(huán)繞在鑷子夾頭與吸盤結(jié)構(gòu)上以將主連接線的一端與吸盤結(jié)構(gòu)穩(wěn)固扎接在一起的扎線帶。優(yōu)選的，在上述手動探針臺結(jié)構(gòu)中，所述主連接線為三層屏蔽的電纜線。優(yōu)選的，在上述手動探針臺結(jié)構(gòu)中，所述探針上接有導(dǎo)線，所述導(dǎo)線一端與所述探針連接，另一端與所述電壓載體連接。從上述技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明實施例的手動探針臺結(jié)構(gòu)通過在吸盤結(jié)構(gòu)上設(shè)置一個安裝孔以及插接在安裝孔內(nèi)的插針，僅利用一根主連接線將電壓傳遞到吸盤結(jié)構(gòu)上，使得吸盤結(jié)構(gòu)具有施加電壓的功能，結(jié)構(gòu)簡單且操作方便，且有助于對DMOS產(chǎn)品進行全面測試驗證。


為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的有關(guān)本發(fā)明的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1是本發(fā)明手動探針臺結(jié)構(gòu)的示意圖。1、吸盤結(jié)構(gòu)2、探針3、主連接線4、鑷子夾頭5、電壓載體連接
具體實施例方式DMOS (Double-diffused Metal Oxide Semiconductor,雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管)具有源、漏、柵等電極，但是漏端擊穿電壓高。DMOS主要有兩種類型，垂直雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管VDMOSFET (vertical double-diffused M0SFET)和橫向雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管 LDM0SFET (lateral double-dif fused M0SFET)。DMOS產(chǎn)品是由成百上千的單一結(jié)構(gòu)的DMOS單元所組成的。這些單元的數(shù)目是根據(jù)一個芯片所需要的驅(qū)動能力所決定的，DMOS的性能直接決定了芯片的驅(qū)動能力和芯片面積。對于一個由多個基本單元結(jié)構(gòu)組成的LDMOS產(chǎn)品，其中一個最主要的考察參數(shù)是導(dǎo)通電阻。對于LDMOS產(chǎn)品應(yīng)盡可能減小導(dǎo)通電阻。當(dāng)導(dǎo)通電阻很小時，產(chǎn)品就會提供一個很好的開關(guān)特性，因為小的導(dǎo)通電阻，會有較大的輸出電流，從而可以具有更強的驅(qū)動能力。在功率應(yīng)用中，由于DMOS技術(shù)采用垂直器件結(jié)構(gòu)，因此具有很多優(yōu)點，包括高電流驅(qū)動能力、低導(dǎo)通電阻和高擊穿電壓等。探針臺結(jié)構(gòu)是主要應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)以及光電行業(yè)的測試的設(shè)備。所述探針臺結(jié)構(gòu)從操作上來區(qū)分包括手動探針臺結(jié)構(gòu)、半自動探針臺結(jié)構(gòu)以及全自動探針臺結(jié)構(gòu)。所述探針臺結(jié)構(gòu)從功能上來區(qū)分包括高溫探針臺結(jié)構(gòu)、低溫探針臺結(jié)構(gòu)、RF探針臺結(jié)構(gòu)、LCD平板探針臺結(jié)構(gòu)、霍爾效應(yīng)探針臺結(jié)構(gòu)以及表面電阻率探針臺結(jié)構(gòu)?，F(xiàn)有技術(shù)中一種手動探針臺結(jié)構(gòu)，其包括吸盤結(jié)構(gòu)以及設(shè)于吸盤結(jié)構(gòu)上方的若干探針。所述吸盤結(jié)構(gòu)沒有施加電壓的功能。在一般半導(dǎo)體制程中，需要對DMOS產(chǎn)品進行全面測試驗證，DMOS產(chǎn)品的正面可以通過手動探針臺上的探針接導(dǎo)線進行測試驗證，而DMOS產(chǎn)品的反面與吸盤結(jié)構(gòu)接觸，必須吸盤結(jié)構(gòu)上通有電壓才能對其進行測試驗證，而一般現(xiàn)有技術(shù)中手動探針臺結(jié)構(gòu)中的吸盤結(jié)構(gòu)無法加載電壓，這樣就無法對DMOS產(chǎn)品的反面進行測試驗證。為了解決這一問題，現(xiàn)有技術(shù)中也有通過對手動探針臺結(jié)構(gòu)中吸盤結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)特征進行改造，使得改造后的吸盤結(jié)構(gòu)能夠具有施加電壓的功能，但顛覆傳統(tǒng)的吸盤結(jié)構(gòu)的改造方式其改造成本比較高。本發(fā)明公開了 一種手動探針臺結(jié)構(gòu)，該手動探針臺結(jié)構(gòu)中的吸盤結(jié)構(gòu)為一傳統(tǒng)的吸盤結(jié)構(gòu)，通過在該吸盤結(jié)構(gòu)上設(shè)置一個安裝孔并在該安裝孔內(nèi)插入一個插針，然后通過一根主連接線將插針與電壓載體連接，最終將吸盤結(jié)構(gòu)、插針、主連接線以及電壓載體共同連接形成一條線路，使得該吸盤結(jié)構(gòu)具有施加電壓的功能，進而可以便于對DMOS產(chǎn)品的反面進行測試驗證。下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行詳細(xì)的描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。請參閱圖1所示，所述手動探針臺結(jié)構(gòu)，其包括吸盤結(jié)構(gòu)I以及設(shè)于吸盤結(jié)構(gòu)I上方的若干探針2。所述手動探針臺結(jié)構(gòu)還包括主連接線3、與主連接線3連接的插針以及電壓載體5。所述插針安裝于吸盤結(jié)構(gòu)I上。所述主連接線3的一端與插針連接,所述主連接線3的另一端與電壓載體5連接。請繼續(xù)參閱圖1所示，所述吸盤結(jié)構(gòu)I的邊緣設(shè)有一個安裝孔，所述插針插在安裝孔內(nèi)。所述主連接線3為一根整線。所述主連接線3與插針連接的一端還設(shè)有一個鑷子夾頭4，所述鑷子夾頭4用以夾持在插針上。所述吸盤結(jié)構(gòu)1、插針、鑷子夾頭4以及電壓載體5連接共同形成一條線路，實現(xiàn)對吸盤結(jié)構(gòu)I施加電壓。在實際操作中，是將主連接線3的一端剪掉，然后取下剪掉端內(nèi)的插針裝在吸盤結(jié)構(gòu)I的安裝孔內(nèi)，然后在主連接線3被剪掉的一端上用烙鐵焊接一個所述鑷子夾頭4，此種通過焊接的方式將鑷子夾頭4固定在主連接線3上的方式，操作簡單且固定可靠。本發(fā)明通過一根主連接線3，通過對該主連接線3進行剪切加工，最終實現(xiàn)對吸盤結(jié)構(gòu)I施加電壓，結(jié)構(gòu)簡單，且成本低。由于主連接線3的一端焊接的鑷子夾頭4夾持在吸盤結(jié)構(gòu)I上的插針上，在手動操作吸盤結(jié)構(gòu)I移動的過程中，很容易扯到主連接線3，進而使得鑷子夾頭4脫離插針，使得電壓無法施加到吸盤結(jié)構(gòu)I上。為此，本發(fā)明還設(shè)計了一個環(huán)繞在鑷子夾頭與吸盤結(jié)構(gòu)上的扎線帶，通過扎線帶將主連接線3的一端與吸盤結(jié)構(gòu)I固定在一起，使得鑷子夾頭4與插針夾持穩(wěn)定。本發(fā)明實施手動探針臺結(jié)構(gòu)中的主連接線3為三層屏蔽的電纜線。因為在對DMOS產(chǎn)品進行全面測試驗證的過程中，需要的電壓很小，采用三層屏蔽的電纜線可以減小干擾，保證測試驗證的準(zhǔn)確度。所述探針2上接有導(dǎo)線，所述導(dǎo)線一端與所述探針2連接，另一端與所述電壓載體5連接。如此設(shè)置，可以實現(xiàn)對DMOS產(chǎn)品正面的測試驗證，結(jié)構(gòu)簡單，測試方便可靠。本發(fā)明實施例的手動探針臺結(jié)構(gòu)通過在吸盤結(jié)構(gòu)I上設(shè)置一個安裝孔以及插接在安裝孔內(nèi)的插針，只需要在普通的吸盤結(jié)構(gòu)I上連接一根主連接線3就能實現(xiàn)對吸盤結(jié)構(gòu)I進行電壓施加，結(jié)構(gòu)簡單，成本低，且操作方便，有助于對DMOS產(chǎn)品進行全面測試驗證，滿足DMOS產(chǎn)品手動驗證需求。本發(fā)明手動探針臺結(jié)構(gòu)通過在吸盤結(jié)構(gòu)I上設(shè)置一個安裝孔接插針來保證良好的導(dǎo)電性，結(jié)構(gòu)簡單，加工方便，且導(dǎo)電穩(wěn)定。本發(fā)明手動探針臺結(jié)構(gòu)在實際操作中，是將主連接線3的一端剪掉，然后取下剪掉端內(nèi)的插針裝在吸盤結(jié)構(gòu)I的安裝孔內(nèi)，然后再在主連接線3被剪掉的一端用烙鐵焊接上一個鑷子夾頭4，通過對一根整的主連接線3進行剪切加工后，即可完成吸盤結(jié)構(gòu)I電壓的施加，結(jié)構(gòu)簡單，且成本低，并且通過焊接的方式將鑷子夾頭4固定在主連接線3上，操作簡單，固定可靠。本發(fā)明手動探針臺結(jié)構(gòu)通過設(shè)置一個環(huán)繞在鑷子夾頭與吸盤結(jié)構(gòu)上的扎線帶，通過扎線帶將主連接線3的一端與吸盤結(jié)構(gòu)I固定在一起，使得鑷子夾頭4與插針夾持穩(wěn)定。本發(fā)明手動探針臺結(jié)構(gòu)因為在對DMOS產(chǎn)品進行全面測試驗證的過程中，需要的電壓很小，通過將主連接線3采用三層屏蔽的電纜線，減小了干擾，保證測試驗證的準(zhǔn)確度。本發(fā)明手動探針臺結(jié)構(gòu)通過在所述探針2上接導(dǎo)線，所述導(dǎo)線一端與所述探針2連接，另一端與所述電壓載體5連接。如此設(shè)置，實現(xiàn)對DMOS產(chǎn)品正面的測試驗證，結(jié)構(gòu)簡單，測試方便可靠。對所公開的實施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對這些實施例的多種修改對本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實施例中實現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會被限制于本文所示的這些實施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點相一致的最寬的范圍。
權(quán)利要求
1.一種手動探針臺結(jié)構(gòu)，其包括吸盤結(jié)構(gòu)(I)以及設(shè)于吸盤結(jié)構(gòu)(I)上方的若干探針(2)，其特征在于:所述手動探針臺結(jié)構(gòu)還設(shè)有主連接線(3)以及與主連接線(3)連接的插針，所述吸盤結(jié)構(gòu)(I)的邊緣設(shè)有一個安裝孔，所述插針插在安裝孔內(nèi)，所述主連接線(3)的一端設(shè)有鑷子夾頭(4)，所述鑷子夾頭(4)夾持在插針上，所述主連接線(3)的另一端與一電壓載體(5)連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述手動探針臺結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述鑷子夾頭(4)采用焊接的方式固定在所述主連接線(3)的一端。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述手動探針臺結(jié)構(gòu)，其特征在于:還包括環(huán)繞在所述鑷子夾頭(4)與所述吸盤結(jié)構(gòu)(I)上以將所述主連接線(3)的一端與所述吸盤結(jié)構(gòu)(I)穩(wěn)固扎接在一起的扎線帶。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述手動探針臺結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述主連接線(3)為一根整線。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述手動探針臺結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述主連接線(3)為三層屏蔽的電纜線。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述手動探針臺結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述探針(2)上接有導(dǎo)線，所述導(dǎo)線一端與所述探針(2)連接，另一端與所述電壓載體(5)連接。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種手動探針臺結(jié)構(gòu)，其包括吸盤結(jié)構(gòu)以及設(shè)于吸盤結(jié)構(gòu)上方的若干探針，所述手動探針臺結(jié)構(gòu)還設(shè)有主連接線以及與主連接線連接的插針，所述吸盤結(jié)構(gòu)的邊緣設(shè)有一個安裝孔，所述插針插在安裝孔內(nèi)，所述主連接線的一端設(shè)有鑷子夾頭，所述鑷子夾頭夾持在插針上，所述主連接線的另一端與一電壓載體連接。本發(fā)明實施例的手動探針臺結(jié)構(gòu)通過在吸盤結(jié)構(gòu)上設(shè)置一個安裝孔以及插接在安裝孔內(nèi)的插針，僅利用一根主連接線將電壓傳遞到吸盤結(jié)構(gòu)上，使得吸盤結(jié)構(gòu)具有施加電壓的功能，結(jié)構(gòu)簡單且操作方便，且有助于對DMOS產(chǎn)品進行全面測試驗證。
文檔編號G01R1/04GK103091514SQ20111033235
公開日2013年5月8日 申請日期2011年10月27日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月27日
發(fā)明者吉仁文 申請人:無錫華潤上華科技有限公司