專利名稱：晶圓彎曲度測算方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及集成電路制造領(lǐng)域，尤其涉及晶圓彎曲度(Wafer Bow)測算方法。
背景技術(shù)：
集成電路制造過程中，常對晶圓進(jìn)行減薄工藝處理，例如化學(xué)機(jī)械研磨工藝等，但在晶圓減薄工藝中，常出現(xiàn)越靠近晶圓中心，減薄厚度越大，晶圓表面形成下凹淺碗狀的現(xiàn)象，對晶圓造成負(fù)面影響。業(yè)內(nèi)通常采用參數(shù)Wafer Bow來評估下凹程度，所述Wafer Bow 是指減薄后晶圓表面最高點和最低點的垂直距離。由于Wafer Bow直接關(guān)系到晶圓性能，業(yè)內(nèi)提供多種Wafer Bow測算方法，但這些測算方法只能在減薄完成后才能測算出Wafer Bow，因此亟需在減薄工藝前就能夠測算出 Wafer減薄后其Wafer Bow的方案，以避免減薄工藝完成后才發(fā)現(xiàn)Wafer Bow過大。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了 Wafer Bow測算方法，以在減薄工藝前就測算出Wafer Bow,避免減薄工藝完成后才發(fā)現(xiàn)Wafer Bow不符合要求帶來的各類損失。本發(fā)明提供的一種Wafer Bow測算方法，包括步驟獲得減薄前Wafer的曲面半徑Rtl及減薄后wafer的計劃厚度T ；根據(jù)所述曲面半徑Rtl和計劃厚度T，計算出減薄后wafer的Wafer Bow為t1;該計算所采用的模型為^ = [!^-(!^-一！^勺/！；乂隊/！^ 其中??；為減薄前晶圓厚度， r為晶圓半徑，C為減薄前由晶圓重力而產(chǎn)生的晶圓彎曲度。通過上述方案，本發(fā)明能夠在減薄工藝前就測算出Wafer Bow，避免減薄工藝完成后才發(fā)現(xiàn)Wafer Bow不符合要求帶來的各類損失。在測算出Wafer Bow后，還可以根據(jù)計算出的Wafer Bow判斷減薄前工藝是否適合該晶圓產(chǎn)品，例如如果Wafer Bow過高，則可能說明該減薄前工藝不適合該晶圓產(chǎn)品，需要對減薄前工藝進(jìn)行參數(shù)優(yōu)化。


圖1是本發(fā)明實施例提供的Wafer Bow測算方法流程示意圖。
具體實施例方式下面結(jié)合圖1給出一個具體實施方案。步驟al，獲得減薄前Wafer的曲面半徑R。，該曲面半徑Rtl可以通過薄膜應(yīng)力量測機(jī)臺直接測量獲取。步驟a2，獲得減薄后wafer的計劃厚度T，該厚度是工藝設(shè)定的減薄后wafer厚度，和具體工藝有關(guān)。步驟a3，將曲面半徑R。、計劃厚度T及常量參數(shù)代入模型，[RjkOCT4-!·2!；4)1勺/Tc^C(TcZT)1'W計算出Wafer Bow、，其中Ttl為減薄前晶圓厚度，r為晶圓半徑，C為減薄前由晶圓重力而產(chǎn)生的晶圓彎曲度，對于特定尺寸的晶圓，其值為常數(shù)，例如對于8寸晶圓，C 約0. 11，對于6寸和12寸的晶圓，也各自對應(yīng)有C值。通過上述步驟，即可計算出Wafer Bow t1;以便判斷減薄工藝完成后，fefer Bow是否符合要求，通常可以判斷三種情況1)減薄工藝完成后Wafer Bow是否超過分片機(jī)的設(shè)定極限值，以及在不超過的情況下，可以進(jìn)行減薄工藝，其中所述分片機(jī)的設(shè)定極限值是由于每種機(jī)臺對硅片彎曲度都有最大容忍極限，硅片彎曲度超過機(jī)臺設(shè)定的極限值值會導(dǎo)致撞片。2)是否超過晶圓設(shè)計值，以及在不超過的情況下，進(jìn)行減薄工藝。3)減薄前工藝是否適合該工藝產(chǎn)品，在不適合的情況下，優(yōu)化減薄前工藝參數(shù)。本發(fā)明實施例提供的上述方案能夠避免減薄工藝完成后才能測算Wafer Bow,可能引起的各類損失。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進(jìn)行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種Wafer Bow測算方法，其特征在于，包括步驟獲得減薄前Wafer的曲面半徑Rtl及減薄后wafer的計劃厚度T ； 根據(jù)所述曲面半徑Rtl和計劃厚度T，計算出減薄后wafer的Waf er Bow*、，該計算所采用的模型為^ = [Rc^-aC^-i^WlV+CCVT)1·58^* Τ。為減薄前晶圓厚度，r為晶圓半徑，C為減薄前由晶圓重力而產(chǎn)生的晶圓彎曲度。
2.如權(quán)利要求1所述的測算方法，其特征在于，還包括步驟判斷Wafer Bow是否高于Sorter Limit ；以及在否的情況下，進(jìn)行減薄工藝。
3.如權(quán)利要求2所述的測算方法，其特征在于，還包括步驟判斷Wafer Bow是否高于晶圓設(shè)計值；以及在否的情況下，進(jìn)行減薄工藝。
4.如權(quán)利要求2或3所述的測算方法，其特征在于，在判斷結(jié)果為是的情況下，優(yōu)化減薄前工藝參數(shù)。
全文摘要
本發(fā)明提供了Wafer Bow測算方法，以在減薄工藝前就測算出Wafer Bow，避免減薄工藝完成后才發(fā)現(xiàn)Wafer Bow不符合要求帶來的各類損失。本發(fā)明提供的一種Wafer Bow測算方法，包括步驟獲得減薄前Wafer的曲面半徑R0及減薄后wafer的計劃厚度T；根據(jù)所述曲面半徑R0和計劃厚度T，計算出減薄后wafer的Wafer Bow為t1，該計算所采用的模型為t1＝[R0T2-(R02T4-r2T04)1/2]/T02+C(T0/T)1.58，其中T0為減薄前晶圓厚度，r為晶圓半徑，C為減薄前由晶圓重力而產(chǎn)生的晶圓彎曲度。
文檔編號G01B21/20GK102394225SQ20111029633
公開日2012年3月28日 申請日期2011年9月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月30日
發(fā)明者傅榮顥, 劉瑋蓀 申請人:上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司