專利名稱：一種用于檢測(cè)存儲(chǔ)器譯碼電路的測(cè)試圖形的生成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于檢測(cè)存儲(chǔ)器譯碼電路的測(cè)試圖形的生成方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的對(duì)非揮發(fā)存儲(chǔ)器電路比如FLASH存儲(chǔ)器的測(cè)試圖形數(shù)據(jù)主要包括全0，全1，棋盤格數(shù)據(jù)，對(duì)角線數(shù)據(jù)以及一些其他的數(shù)據(jù)比如5555，AAAA等。其中對(duì)角線數(shù)據(jù)可用于檢測(cè)存儲(chǔ)器的譯碼電路，同時(shí)可用于檢測(cè)或非型閃爍存儲(chǔ)器(NOR FLASH)的過擦除問題。但要寫成對(duì)角線的圖形數(shù)據(jù)，必須要求測(cè)試人員完全了解存儲(chǔ)器陣列的架構(gòu)。而且對(duì)于測(cè)試人員來說，不同的產(chǎn)品內(nèi)部架構(gòu)不同，存儲(chǔ)陣列中每個(gè)BIT的物理位置和地址的對(duì)應(yīng)關(guān)系也不同，需要分別開發(fā)向量來產(chǎn)生相應(yīng)的對(duì)角線數(shù)據(jù)。因此對(duì)角線的測(cè)試方法不具備普遍性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供的一種用于檢測(cè)存儲(chǔ)器譯碼電路的測(cè)試圖形的生成方法，用于檢測(cè)存儲(chǔ)器內(nèi)的譯碼電路是否正常，具有普遍性，不同的存儲(chǔ)器都可以用該方法來生成用于檢測(cè)譯碼電路的測(cè)試圖形，還可使譯碼電路測(cè)試圖形和其他的測(cè)試圖形相互兼容，省去寫入2種測(cè)試圖形之間的陣列清空操作，節(jié)省測(cè)試成本。為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供一種用于檢測(cè)存儲(chǔ)器譯碼電路的測(cè)試圖形的生成方法，該方法包含以下步驟
步驟101、清空陣列；
步驟102、初始化X方向地址；
即將X方向地址設(shè)置成首地址；
步驟103、在給定的約束條件下，由X方向地址計(jì)算出Y方向地址；
步驟104、在給定的約束條件下，由X方向地址計(jì)算出所要寫入的數(shù)據(jù)；
步驟105、在X方向地址和步驟103得到的Y方向地址所決定的地址中，寫入步驟104得到的數(shù)據(jù)；
步驟106、判斷X方向的地址是否是最后一個(gè)，若是，執(zhí)行步驟108，若否，執(zhí)行步驟
107 ；
步驟107、X方向地址加I，執(zhí)行步驟103 ；
步驟108、結(jié)束。所述的約束條件能保證最終產(chǎn)生的數(shù)據(jù)測(cè)試圖形能被另一種其他的數(shù)據(jù)測(cè)試圖形所兼容，也就是說，本方法產(chǎn)生的需要被編程的點(diǎn)，在另一種其他的數(shù)據(jù)測(cè)試圖形中也一定是被編程的。用本方法產(chǎn)生的數(shù)據(jù)測(cè)試圖形，每條位線上有且只有一個(gè)點(diǎn)會(huì)被編程。本發(fā)明能有效的測(cè)試X方向(字線字W0RDLINE)譯碼電路和Y方向(位線BITLINE)譯碼電路(包括字線字W0RDLINE間短路或位線BITLINE間短路)，提供了全覆蓋的測(cè)試方法，能廣泛應(yīng)用于非揮發(fā)存儲(chǔ)器測(cè)試的測(cè)試中，測(cè)試人員可以在不需要了解存儲(chǔ)陣列各BIT詳細(xì)的物理位置的情況下使用該方法寫出譯碼電路的測(cè)試向量，具有普遍性，該方法能和其他測(cè)試圖形兼容以節(jié)省測(cè)試成本。


圖I是本發(fā)明的流程 圖2是本發(fā)明的實(shí)施例I的流程 圖3是本發(fā)明的實(shí)施例2的流程 圖4是測(cè)試圖形的不意 圖5是陣列地址示意圖。
具體實(shí)施例方式以下跟據(jù)圖I 圖5，具體說明本發(fā)明的較佳實(shí)施例
存儲(chǔ)陣列中X方向地址用來譯碼選中相應(yīng)的字線W0RDLINE，Y方向地址用來譯碼選中相應(yīng)的位線BITLINE組(比如I個(gè)字節(jié)BYTE或I個(gè)字WORD)，每個(gè)位線BITLINE組由若干條位線BITLINE組成，表現(xiàn)為I個(gè)字節(jié)BYTE (或字WORD)中的I個(gè)比特BIT的數(shù)據(jù)。如圖I所示，是一種用于檢測(cè)存儲(chǔ)器譯碼電路的測(cè)試圖形的生成方法，該方法包含以下步驟
步驟101、清空陣列；
步驟102、初始化X方向地址；
即將X方向地址設(shè)置成首地址；
步驟103、在給定的約束條件下，由X方向地址計(jì)算出Y方向地址；
約束條件是為了保證聲稱的測(cè)試圖形能和另一種測(cè)試圖形(比如棋盤格圖形)所兼容，即本發(fā)明所計(jì)算出的陣列中要寫的點(diǎn)，在另一種測(cè)試圖形中也將是被寫的，這樣在做完本發(fā)明的測(cè)試后，不需要再做對(duì)被測(cè)陣列清空的操作，而是可以直接進(jìn)行另一種測(cè)試圖形匕如棋盤格圖形)的測(cè)試。步驟104、在給定的約束條件下，由X方向地址計(jì)算出所要寫入的數(shù)據(jù)；
步驟105、在X方向地址和步驟103得到的Y方向地址所決定的地址中，寫入步驟104得到的數(shù)據(jù)；
步驟106、判斷X方向的地址是否是最后一個(gè)，若是，執(zhí)行步驟108，若否，執(zhí)行步驟
107 ；
步驟107、X方向地址加I，執(zhí)行步驟103 ；
步驟108、結(jié)束。通過以上流程，每個(gè)由X方向地址所決定的字線W0RDLINE被選中且只被選中I次，這樣就對(duì)每個(gè)X方向譯碼電路進(jìn)行了唯一性的測(cè)試。對(duì)于每個(gè)X方向地址，都會(huì)產(chǎn)生一個(gè)Y方向地址和數(shù)據(jù)，不同的X方向地址自然會(huì)產(chǎn)生不同的Y方向地址和數(shù)據(jù)，這保證了 Y方向地址和數(shù)據(jù)的唯一性。方法中也會(huì)保證Y方向地址的全覆蓋性。因此所有Y方向譯碼電路得到測(cè)試。一般非揮發(fā)存儲(chǔ)器的位線BITLINE數(shù)量會(huì)多于字線W0RDLINE的數(shù)量，整個(gè)存儲(chǔ)陣列呈現(xiàn)一個(gè)長(zhǎng)方形。本發(fā)明的原則其實(shí)就是將長(zhǎng)方形的存儲(chǔ)陣列分割成若干正方形的子陣列，每個(gè)子陣列中的每個(gè)字線WORDLINE上有且只有I個(gè)BIT被寫數(shù)據(jù)，每個(gè)子陣列中的每個(gè)位線BITLINE上有且只有I個(gè)BIT被寫數(shù)據(jù)。生成的測(cè)試圖形如圖4所示，黑點(diǎn)為被編程為O的BIT，白色部分代表I的BIT。寫入的測(cè)試圖形中，每個(gè)位線BITLINE上有且僅有一個(gè)BIT被寫入數(shù)據(jù)，這可以用來檢測(cè)NOR FLASH的過擦除現(xiàn)象。
實(shí)施例I:
一個(gè)NOR FLASH存儲(chǔ)器存儲(chǔ)陣列的全地址是A
;X方向譯碼電路的地址是A[6:14]，譯碼出512條WORDLINE ;Y方向譯碼電路的地址是A
，譯碼出64個(gè)WORD，每個(gè)WORD都是位寬16位，因此共有64*16=1024條BITLINE。存儲(chǔ)陣列可被分成2個(gè)正方型的陣列(每個(gè)陣列都是512*512)，數(shù)據(jù)DATA0 DATA3以及DATA7 DATAlO位于正方型的陣 列A中，數(shù)據(jù)DATA4 DATA7以及DATA8 DATA 15位于正方型的陣列B中。陣列地址示意圖如圖5所示。陣列被擦除的話所有BIT都是I狀態(tài)；BIT被選中編程的話是O狀態(tài)。棋盤格的測(cè)試圖形的生成原則是當(dāng)Α0~Α6~Α10=0 Γ表示異或)則該WORD編OOOOh的數(shù)據(jù)，否則該WORD保持FFFFh的擦除狀態(tài)。用于檢測(cè)存儲(chǔ)器譯碼電路的測(cè)試圖形的生成方法的流程如圖2所示，該方法包含以下步驟
步驟201、首先對(duì)陣列進(jìn)行擦除操作，將陣列所有BIT都清空到I狀態(tài)。步驟202、將X方向地址初始化成OOOh。步驟203、通過X方向地址計(jì)算出Y方向地址，計(jì)算過程中加入和棋盤格測(cè)試圖形兼容的約束條件。計(jì)算公式為A5=A14，A4=A13，A3=A12，A2=A11，A1=A10，A0=A6~A10。如果一個(gè)設(shè)計(jì)中棋盤格測(cè)試圖形是當(dāng)滿足A0~A6~A10=0時(shí)寫全O數(shù)據(jù)的話，這個(gè)公式都能被使用。步驟204、通過X方向地址計(jì)算出所要寫入的數(shù)據(jù)。寫入的數(shù)據(jù)其實(shí)是由A7，AS和A9通過邏輯計(jì)算出來的。計(jì)算公式為
A-1=A8 ；A-2=A7 ;A_3=A9 ；
DATAO=!(!Α-1&!Α-2&!Α-3)
DATAl=!(!A-1&IA-2&A-3)
DATA2=! (!A-1&A-2&IA-3)
DATA3=!(!A-1&A-2&A-3)
DATA4=DATA0
DATA5=DATA1
DATA6=DATA2
DATA7=DATA3
DATA8=!(A-l&!A-2&!A-3)
DATA9=! (A-1&IA-2&A-3)
DATAlO=!(A-1&A-2&IA-3)
DATAll=!(A-1&A-2&A-3)DATA12=DATA8
DATA13=DATA9
DATA14=DATA10
DATA15=DATA11
以上的DATA0 DATA15每一個(gè)代表一個(gè)BIT的數(shù)據(jù)?？梢钥闯?，對(duì)于所要寫的WORD，只有2個(gè)BIT會(huì)需要寫0，其他都維持I。如果一個(gè)存儲(chǔ)陣列能分成2個(gè)正方形陣列，而且數(shù)據(jù)DATA(T DATA3以及DATA7 DATAlO位于正方型的陣列I中，數(shù)據(jù)DATA4 DATA7以及DATA8 DATA15位于正方型的陣列2中的話，以上公式都能被使用。步驟205、在步驟203得到的地址上寫入計(jì)算出的數(shù)據(jù)(205)。 具體來說，將X方向A6114地址以及上面計(jì)算得到的Y方向Α(ΓΑ5地址進(jìn)行拼接得到Α(ΓΑ14的一個(gè)全地址；然后通過寫入操作在FLASH的這個(gè)地址寫入一個(gè)WORD的數(shù)據(jù)，該數(shù)據(jù)就是步驟204計(jì)算得到的DATA0 DATA15的16個(gè)BIT的數(shù)據(jù)(1W0RD=16BIT)。FLASH的寫入操作有公開的寫命令方法。步驟206、判斷X方向的地址是否是最后一個(gè)，若是，執(zhí)行步驟208，若否，執(zhí)行步驟207 ；
步驟207、X方向地址加I，執(zhí)行步驟203 ；
步驟208、結(jié)束。
實(shí)施例2:—個(gè)NOR FLASH存儲(chǔ)器存儲(chǔ)陣列的全地址是A
;X方向譯碼電路的地址是A[6:14]，譯碼出512條WORDLINE ;Y方向譯碼電路的地址是A
，譯碼出64個(gè)WORD，每個(gè)WORD都是位寬16位，因此共有64*16=1024條BITLINE。存儲(chǔ)陣列可被分成2個(gè)正方型的陣列(每個(gè)陣列都是512*512)，數(shù)據(jù)DATA0 DATA3以及DATA7 DATA10位于正方型的陣列A中，數(shù)據(jù)DATA4 DATA7以及DATA8 DATA 15位于正方型的陣列B中。陣列地址示意圖如圖5所示。陣列被擦除的話所有BIT都是I狀態(tài)；BIT被選中編程的話是O狀態(tài)。反棋盤格的測(cè)試圖形的生成原則是當(dāng)Α0~Α6~Α10=1 Γ表示異或)則該WORD編OOOOh的數(shù)據(jù)，否則該WORD保持FFFFh的擦除狀態(tài)。用于檢測(cè)存儲(chǔ)器譯碼電路的測(cè)試圖形的生成方法的流程如圖3所示，該方法包含以下步驟
步驟301、首先對(duì)陣列進(jìn)行擦除操作，將陣列所有BIT都清空到I狀態(tài)。步驟302、將X方向地址初始化成OOOh。步驟303、通過X方向地址計(jì)算出Y方向地址，計(jì)算過程中加入和反棋盤格測(cè)試圖形兼容的約束條件。計(jì)算公式為A5=A14，A4=A13，A3=A12，A2=A11，Al=AlO,AO= ! (A6~A10)。如果一個(gè)設(shè)計(jì)中反棋盤格測(cè)試圖形是當(dāng)滿足A0~A6~A10=1時(shí)寫全O數(shù)據(jù)的話，這個(gè)公式都能被使用。步驟304、通過X方向地址計(jì)算出所要寫入的數(shù)據(jù)。寫入的數(shù)據(jù)其實(shí)是由A7，AS和A9通過邏輯計(jì)算出來的。計(jì)算公式為A-1=A8 ；A-2=A7 ;A_3=A9 ；
DATAO=!(!A-l&!A-2&!A-3)
DATAl=!(!A-1&IA-2&A-3)
DATA2=! (!A-1&A-2&IA-3)
DATA3=!(!A-1&A-2&A-3)
DATA4=DATA0DATA5=DATA1DATA6=DATA2DATA7=DATA3DATA8=!(A-l&!A-2&!A-3)
DATA9=! (A-1&IA-2&A-3)
DATAlO=!(A-1&A-2&IA-3)
DATAll=!(A-1&A-2&A-3)
DATA12=DATA8
DATA13=DATA9
DATA14=DATA10
DATA15=DATA11
以上的DATA0 DATA15每一個(gè)代表一個(gè)BIT的數(shù)據(jù)。可以看出，對(duì)于所要寫的WORD，只有2個(gè)BIT會(huì)需要寫0，其他都維持I。如果一個(gè)存儲(chǔ)陣列能分成2個(gè)正方形陣列，而且數(shù)據(jù)DATA(T DATA3以及DATA7 DATAlO位于正方型的陣列I中，數(shù)據(jù)DATA4 DATA7以及DATA8 DATA15位于正方型的陣列2中的話，以上公式都能被使用。步驟305、在步驟303得到的地址上寫入計(jì)算出的數(shù)據(jù)。具體來說，將A6 A14地址以及上面計(jì)算得到的Α(ΓΑ5的地址進(jìn)行拼接得到Α(ΓΑ14的一個(gè)全地址；然后通過寫入操作在FLASH的這個(gè)地址寫入一個(gè)WORD的數(shù)據(jù)，該數(shù)據(jù)就是前面計(jì)算得到的DATA0 DATA15的16個(gè)BIT的數(shù)據(jù)(1W0RD=16BIT)。FLASH的寫入操作有公開的寫命令方法。步驟306、判斷X方向的地址是否是最后一個(gè)，若是，執(zhí)行步驟308，若否，執(zhí)行步驟307 ；
步驟307、X方向地址加I，執(zhí)行步驟303 ；
步驟308、結(jié)束。盡管本發(fā)明的內(nèi)容已經(jīng)通過上述優(yōu)選實(shí)施例作了詳細(xì)介紹，但應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到上述的描述不應(yīng)被認(rèn)為是對(duì)本發(fā)明的限制。在本領(lǐng)域技術(shù)人員閱讀了上述內(nèi)容后，對(duì)于本發(fā)明的多種修改和替代都將是顯而易見的。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)由所附的權(quán)利要求來限定。
權(quán)利要求
1.一種用于檢測(cè)存儲(chǔ)器譯碼電路的測(cè)試圖形的生成方法，其特征在于，該方法包含以下步驟 步驟101、清空陣列； 步驟102、初始化X方向地址； 即將X方向地址設(shè)置成首地址； 步驟103、在給定的約束條件下，由X方向地址計(jì)算出Y方向地址； 步驟104、在給定的約束條件下，由X方向地址計(jì)算出所要寫入的數(shù)據(jù)； 步驟105、在X方向地址和步驟103得到的Y方向地址所決定的地址中，寫入步驟104得到的數(shù)據(jù)； 步驟106、判斷X方向的地址是否是最后一個(gè)，若是，執(zhí)行步驟108，若否，執(zhí)行步驟107 ； 步驟107、X方向地址加I，執(zhí)行步驟103 ； 步驟108、結(jié)束。
2.如權(quán)利要求I所述的用于檢測(cè)存儲(chǔ)器譯碼電路的測(cè)試圖形的生成方法，其特征在于，所述的約束條件能保證最終產(chǎn)生的數(shù)據(jù)測(cè)試圖形能被另一種其他的數(shù)據(jù)測(cè)試圖形所兼容，也就是說，本方法產(chǎn)生的需要被編程的點(diǎn)，在另一種其他的數(shù)據(jù)測(cè)試圖形中也一定是被編程的。
3.如權(quán)利要求I所述的用于檢測(cè)存儲(chǔ)器譯碼電路的測(cè)試圖形的生成方法，其特征在于，用本方法產(chǎn)生的數(shù)據(jù)測(cè)試圖形，每條位線上有且只有一個(gè)點(diǎn)會(huì)被編程。
全文摘要
一種用于檢測(cè)存儲(chǔ)器譯碼電路的測(cè)試圖形的生成方法，先清空陣列，然后初始化X方向地址，在給定的約束條件下，由X方向地址計(jì)算出Y方向地址，并計(jì)算出所要寫入的數(shù)據(jù)，最后在X方向地址和步驟103得到的Y方向地址所決定的地址中，寫入得到的數(shù)據(jù)，遍歷X方向地址并重復(fù)以上操作。本發(fā)明用于檢測(cè)存儲(chǔ)器內(nèi)的譯碼電路是否正常，具有普遍性，不同的存儲(chǔ)器都可以用該方法來生成用于檢測(cè)譯碼電路的測(cè)試圖形，還可使譯碼電路測(cè)試圖形和其他的測(cè)試圖形相互兼容，省去寫入2種測(cè)試圖形之間的陣列清空操作，節(jié)省測(cè)試成本。
文檔編號(hào)G01R31/3183GK102798816SQ20111013834
公開日2012年11月28日 申請(qǐng)日期2011年5月26日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月26日
發(fā)明者董藝, 周軍, 劉劍海 申請(qǐng)人:上海復(fù)旦微電子集團(tuán)股份有限公司