專利名稱：相位檢測裝置及方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及數(shù)字電路領(lǐng)域，尤其涉及一種相位檢測的裝置及方法。
背景技術(shù)：
在許多電路，特別是電磁加熱電路中，合理的控制負(fù)載電壓和電流相位，可以實(shí)現(xiàn)功率調(diào)節(jié)，降低損耗，避免損壞大功率元件，因此，檢測負(fù)載電壓和電流相位具有重要的意義。常見的檢測方法是利用鎖相環(huán)集成電路或者通過高性能微處理器檢測實(shí)現(xiàn)，鎖相環(huán)集成電路通過將分頻輸出的信號和從信號中提取的相位參考信號進(jìn)行比較，利用相位差值的變化來判斷負(fù)載電壓和負(fù)載電路的相位關(guān)系，從而達(dá)到鎖頻的目的，其缺點(diǎn)是電路復(fù)雜，容易受干擾導(dǎo)致不能鎖定相位，而使用高性能微處理器也有對軟件可靠性要求高、成本較高的缺點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在于提供一種檢測準(zhǔn)確，成本低廉的相位檢測裝置及方法。為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提出一種相位檢測裝置，其特征在于，包括驅(qū)動單元，用于驅(qū)動負(fù)載，且其輸入信號具有死區(qū)時間；負(fù)載電流檢測單元，用于檢測負(fù)載電流的過零點(diǎn)；死區(qū)時間檢測單元，用于檢測驅(qū)動單元輸入信號的死區(qū)時間；相位判定單元，用于根據(jù)所述死區(qū)時間檢測單元及所述負(fù)載電流檢測單元的檢測結(jié)果，判斷負(fù)載的電壓及電流的相位關(guān)系。優(yōu)先的，所述驅(qū)動單元包括第一電路，用于產(chǎn)生驅(qū)動信號，驅(qū)動三極管；所述三極管，用于控制負(fù)載電路的開關(guān)。優(yōu)先的，所述三極管是IGBT絕緣柵雙極型晶體管或MOSFET絕緣柵型場效應(yīng)管。優(yōu)先的，所述負(fù)載電流檢測單元包括電流互感器，其初級串聯(lián)在負(fù)載回路中，用于將負(fù)載電流轉(zhuǎn)換成檢測電流；整流器，聯(lián)接所述電流互感器次級的兩端，用于將所述檢測電流轉(zhuǎn)換為脈動直流信號；第二電路，聯(lián)接在所述整流器后，用于檢測所述脈動直流信號的過零點(diǎn)，并在檢測到過零點(diǎn)時，產(chǎn)生第一電平信號。優(yōu)先的，所述死區(qū)時間檢測單元包括第一 D觸發(fā)器，輸入信號接入所述第一 D觸發(fā)器的置位端和復(fù)位端，當(dāng)輸入信號位于死區(qū)時間時，輸出端同時輸出高電平；第三電路，用于當(dāng)所述第一 D觸發(fā)器的輸出結(jié)果為高電平時產(chǎn)生第二電平信號。優(yōu)先的，所述相位判定單元為第二 D觸發(fā)器，所述第一電平信號接入第二 D觸發(fā)器的數(shù)據(jù)信號端，第二電平信號接入第二 D觸發(fā)器的時鐘信號端，通過第二 D觸發(fā)器的輸出結(jié)果便可判斷負(fù)載電壓及電流的相位關(guān)系。本發(fā)明還提出了一種相位檢測關(guān)系方法，包括以下步驟輸入含有死區(qū)時間的信號；檢測負(fù)載電流的過零點(diǎn)；檢測輸入信號的死區(qū)時間；根據(jù)所述輸入信號死區(qū)時間及負(fù)載電流的檢測結(jié)果，判斷負(fù)載電壓及負(fù)載電流的相位關(guān)系。優(yōu)先的，所述檢測負(fù)載電流的過零點(diǎn)的步驟為將負(fù)載電流轉(zhuǎn)換為檢測電流；將檢測電流轉(zhuǎn)換為脈動直流信號，脈動直流信號包含負(fù)載電流的過零點(diǎn)信息；檢測脈動直流信號的過零點(diǎn)，當(dāng)脈動直流信號過零點(diǎn)時，產(chǎn)生第一電平信號。優(yōu)先的，所述檢測輸入信號的死區(qū)時間的步驟為將輸入信號接入第一 D觸發(fā)器的置位端和復(fù)位端，當(dāng)輸入信號處于死區(qū)時間時， 所述第一 D觸發(fā)器輸出高電平；根據(jù)所述第一 D觸發(fā)器的輸出結(jié)果產(chǎn)生檢測結(jié)果，當(dāng)?shù)谝?D觸發(fā)器輸出高電平時，
產(chǎn)生第二電平信號。優(yōu)先的，所述判斷負(fù)載電壓及負(fù)載電流的相位關(guān)系的步驟為將所述第一電平信號接入第二 D觸發(fā)器的數(shù)據(jù)信號端，第二電平信號接入第二 D 觸發(fā)器的時鐘信號端，當(dāng)?shù)诙娖叫盘柕纳仙貋淼街畷r，第二 D觸發(fā)器翻轉(zhuǎn)到與第一電平信號相同的狀態(tài)；根據(jù)第二 D觸發(fā)器的輸出結(jié)果判斷負(fù)載電壓及負(fù)載電流的相位關(guān)系，當(dāng)負(fù)載電壓與電流同相位時，此時第二 D觸發(fā)器的輸出端為高電平，當(dāng)負(fù)載電壓相位超前負(fù)載電流相位時，此時第二 D觸發(fā)器的輸出端為低電平。本發(fā)明利用驅(qū)動電路死區(qū)時間和負(fù)載電流過零點(diǎn)，使用通用數(shù)字集成電路實(shí)現(xiàn)的相位檢測，具有以下優(yōu)點(diǎn)1、將模擬信號數(shù)字化，檢測準(zhǔn)確可靠，抗干擾能力強(qiáng)。2、檢測電路輸出高低電平信號，由于有數(shù)字電路預(yù)處理，可以直接用低性能微處理器實(shí)現(xiàn)相位檢測，對于降低成本有重要意義。


圖1是本發(fā)明相位檢測裝置一實(shí)施例的原理框圖；圖2為本發(fā)明相位檢測裝置一實(shí)施例結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是本發(fā)明相位檢測裝置優(yōu)先實(shí)施例的電路原理圖；圖4是圖3所示電路中負(fù)載電壓相位超前于負(fù)載電流相位時的時序圖；圖5是圖3所示電路中負(fù)載電壓和負(fù)載電流同相時的時序圖；圖6為本發(fā)明相位檢測方法的流程示意圖。為了使本發(fā)明的技術(shù)方案更加清楚、明了，下面將結(jié)合附圖作進(jìn)一步詳述。
具體實(shí)施方式
應(yīng)當(dāng)理解，以下描述的具體實(shí)施例僅僅為了對本發(fā)明進(jìn)行說明，而并非對其進(jìn)行限制。圖1是本發(fā)明相位檢測裝置一實(shí)施例的原理框圖。該相位檢測裝置由驅(qū)動單元 1、負(fù)載電流檢測單元3、死區(qū)時間檢測單元4和相位判定單元5組成。當(dāng)驅(qū)動單元1接受輸入信號后，驅(qū)動單元1輸出驅(qū)動信號從而驅(qū)動負(fù)載2，其中負(fù)載2是指主電路中消耗功率的元件，例如在主電路為電磁加熱電路中，負(fù)載2為電磁線圈和/或由其組成的LC諧振回路中的其他元件，本發(fā)明通過在輸入信號中設(shè)置死區(qū)時間，然后利用一死區(qū)時間檢測單元4 檢測死區(qū)時間和利用一負(fù)載電流檢測單元3檢測負(fù)載2的電流過零點(diǎn)，根據(jù)其輸出結(jié)果來判斷負(fù)載2的電壓及電流的相位關(guān)系。圖2為本發(fā)明實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖，其為圖1的進(jìn)一步說明，如圖所述，所述相位檢測裝置包括驅(qū)動單元1，驅(qū)動單元1由第一電路11和三極管12組成，在本發(fā)明中，三極管12 為IGBT (絕緣柵雙極型晶體管)或MOSFET (絕緣柵型場效應(yīng)管)，也可以為普遍意義中的半導(dǎo)體三極管，其中第一電路11接受輸入信號，產(chǎn)生驅(qū)動信號，驅(qū)動三極管12，三極管12作為主電路中負(fù)載2的開關(guān)控制或功率放大元件。例如，電磁加熱電路中的開關(guān)管IGBT，為了避免IGBT由于關(guān)斷延遲效應(yīng)造成上下橋臂直通，因此有必要在輸入信號中設(shè)置死區(qū)時間。負(fù)載電流檢測單元3，負(fù)載電流檢測單元3包括電流互感器31、整流器32和第二電路33，其中電流互感器31耦接在負(fù)載回路中，用于將負(fù)載電流轉(zhuǎn)換成電流值較小的檢測電流；整流器32串聯(lián)在電流互感器31之后，用于將檢測電流轉(zhuǎn)換為脈動直流信號，此處脈動直流信號實(shí)際為正向的脈動直流電，其含有過零點(diǎn)；第二電路33耦接在整流器32之后， 用于檢測脈動直流信號的過零點(diǎn)，當(dāng)脈動直流信號過零點(diǎn)時，產(chǎn)生第一電平信號，第一電平信號對應(yīng)了負(fù)載電流的零點(diǎn)相位。死區(qū)時間檢測單元4，死區(qū)時間檢測單元4包括第一 D觸發(fā)器41和第三電路42， 設(shè)置有死區(qū)時間的輸入信號接入第一 D觸發(fā)器41的置位端SET和復(fù)位端CLR，當(dāng)輸入信號位于死區(qū)時間，即置位端和復(fù)位端同時為低電平時，輸出端同時輸出高電平，此時第三電路 42耦接在第一 D觸發(fā)器41之后，當(dāng)且僅當(dāng)?shù)谝?D觸發(fā)器的兩個互為反相的輸出端Q和0同時輸出高電平信號時，第三電路42產(chǎn)生第二電平信號。以上有關(guān)“耦接”一詞是指直接或間接的電氣連接方式，并不暗示為信號或電流的必定傳輸方向，例如，第三電路42耦接在第一 D觸發(fā)器41之后，應(yīng)理解為，第三電路42在此處響應(yīng)第一 D觸發(fā)器的輸出端電平信號并產(chǎn)生第二電平信號，而不是信號由第一 D觸發(fā)器41流向了第三電路42。相位判定單元5包括一第二 D觸發(fā)器51，用于根據(jù)死區(qū)時間檢測單元4及負(fù)載電流檢測單元3的檢測結(jié)果，判斷負(fù)載2的電壓及電流的相位關(guān)系。死區(qū)時間檢測單元4產(chǎn)生的第一電平信號接入第二 D觸發(fā)器的數(shù)據(jù)信號端，負(fù)載電流檢測單元3產(chǎn)生的第二電平信號接入第二D觸發(fā)器的時鐘信號端，當(dāng)?shù)诙娖叫盘柕纳仙貋淼街畷r，第二D觸發(fā)器51 翻轉(zhuǎn)到與第一電平信號相同的狀態(tài)，若負(fù)載電壓與電流同相位，此時第一電平信號為高電平，若負(fù)載電壓相位超前負(fù)載電流相位，此時第一電平信號為低電平，因此，通過第二 D觸發(fā)器51兩個互為反相的輸出端Q和q的高低電平輸出結(jié)果便可判斷負(fù)載電壓及電流的相位關(guān)系。
圖3為圖2所述實(shí)施例具體結(jié)構(gòu)的電路圖，如圖所述，驅(qū)動單元1由第一電路11 和兩個IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)Ql和Q2組成，為了避免Ql和Q2同時導(dǎo)通，因此輸入信號帶有死區(qū)時間，其中第一電路11為一半橋驅(qū)動電路，含有死區(qū)時間的邏輯電平輸入信號A和B接入電路中HIN端和LIN端，HO端和LO端對應(yīng)HIN端和LIN端的驅(qū)動信號輸出， 并結(jié)合自舉電容Cl，自舉式驅(qū)動IGBT的關(guān)斷與開通，IGBT用于負(fù)載回路的開關(guān)控制，諧振回路由IGBT，負(fù)載電阻RL，電感L，電容C3、C4和負(fù)載電流檢測單元3中電流互感器31的初級組成，其中電流互感器31的初級串聯(lián)在諧振回路中，次級連接在負(fù)載電流檢測單元3中橋式整流器32的兩端，其將負(fù)載電流成比例降低，轉(zhuǎn)換為檢測電流，檢測電流經(jīng)橋式整流器32轉(zhuǎn)換為脈動直流信號D，通過檢測脈動直流信號D的過零點(diǎn)便可得到負(fù)載電流的零點(diǎn)相位信息。將輸入信號接入一 D觸發(fā)器的置位端和復(fù)位端可檢測出輸入信號的死區(qū)時間，如圖3所示，死區(qū)時間檢測單元4由第一 D觸發(fā)器41和第三電路42組成，設(shè)置有死區(qū)時間的輸入信號接入第一 D觸發(fā)器41的置位端冊和復(fù)位端CLR，當(dāng)輸入信號位于死區(qū)時間，即置位端和復(fù)位端同時為低電平時，輸出端Q和G同時輸出高電平，第三電路42中包括兩個二極管D2、D3，對應(yīng)耦接在第一 D觸發(fā)器41的兩個互為反相的輸出端Q和q之后，當(dāng)?shù)谝?D觸發(fā)器的兩個互為反相的輸出端Q和0同時輸出高電平信號時，D2、D3同時截止，第三電路42 在上拉作用下輸出高電平信號即第二電平信號E。類似的，當(dāng)負(fù)載電流檢測單元3中第二電路33檢測到脈動直流信號D的過零點(diǎn)時，第二電路33中的三極管Q3截止，此時Q3關(guān)斷， 第二電路33輸出高電平信號，即第一電平信號F。相位判定單元5包括第二 D觸發(fā)器51，用于根據(jù)死區(qū)時間檢測單元4及負(fù)載電流檢測單元3的檢測結(jié)果，判斷負(fù)載的電壓及電流的相位關(guān)系。死區(qū)時間檢測單元4產(chǎn)生的第一電平信號F接入第二 D觸發(fā)器的數(shù)據(jù)信號端，負(fù)載電流檢測單元3產(chǎn)生的第二電平信號E接入第二 D觸發(fā)器的時鐘信號端，在第二 D觸發(fā)器51的置位端冊與復(fù)位端CLR高電平下，當(dāng)?shù)诙娖叫盘朎的上升沿來到之時，第二 D觸發(fā)器51翻轉(zhuǎn)到與第一電平信號F相同的狀態(tài)，其輸出端Q輸出與第一電平信號F相同的電平信號，若負(fù)載電壓與電流同相位， 此時第一電平信號F為高電平，第二 D觸發(fā)器51的輸出端Q輸出高電平，若負(fù)載電壓相位超前負(fù)載電流相位，此時第一電平信號F為低電平，第二 D觸發(fā)器51的輸出端Q輸出低電平，因此，通過第二 D觸發(fā)器51兩個互為反相的輸出端Q和0的高低電平輸出結(jié)果便可判斷負(fù)載電壓及電流的相位關(guān)系。在本實(shí)施例中，以上第一 D觸發(fā)器41與第二 D觸發(fā)器51為集成在D觸發(fā)器74HC74 的兩個不同單元U2A和U2B，但不限于D觸發(fā)器74HC74，也可以通過其它D觸發(fā)器實(shí)現(xiàn)。如圖4和圖3所示，當(dāng)電路中負(fù)載電壓相位超前于負(fù)載電流相位時，死區(qū)時間也超前于負(fù)載電流過零點(diǎn)，當(dāng)負(fù)載電流過零點(diǎn)時，此時負(fù)載電流檢測單元3中的脈動直流信號D 的零點(diǎn)相位被檢測，并產(chǎn)生第一電平信號F，因此過零點(diǎn)死區(qū)時間檢測單元4的產(chǎn)生的第二電平信號E超前于第一電平信號F，在E的上升沿來到時，信號F處于低電平，第二 D觸發(fā)器 51的Q輸出端輸出低電平信號G，Q反相端輸出高電平信號H。如圖5和圖3所示，所示電路中負(fù)載電壓和負(fù)載電流同相時，死區(qū)時間和負(fù)載電流過零點(diǎn)也同相，當(dāng)負(fù)載電流過零點(diǎn)時，負(fù)載電流檢測單元3中的脈動直流信號D的零點(diǎn)相位被檢測，并產(chǎn)生第一電平信號F，此時過零點(diǎn)死區(qū)時間檢測單元4的產(chǎn)生的第二電平信號E與第一電平信號F同相位，在E的上升沿來到時，信號F處于高電平，第二 D觸發(fā)器51的Q 輸出高電平信號G，Q反相端輸出低電平信號H。通過信號G或者信號H的高低電平信號即可判斷負(fù)載電壓和電流是否同相位。圖6為本發(fā)明一實(shí)施例的一種相位檢測方法，包括以下步驟步驟Sl 輸入含有死區(qū)時間的信號；步驟S2 檢測負(fù)載電流的過零點(diǎn)；步驟S3 檢測輸入信號的死區(qū)時間；步驟S4 根據(jù)所述死區(qū)時間及負(fù)載電流的檢測結(jié)果，判斷負(fù)載電壓及負(fù)載電流的相位關(guān)系。其中步驟S2中檢測負(fù)載電流的過零點(diǎn)的步驟為將負(fù)載電流轉(zhuǎn)換為檢測電流；將檢測電流轉(zhuǎn)換為脈動直流信號，脈動直流信號包含負(fù)載電流的過零點(diǎn)信息；檢測脈動直流信號的過零點(diǎn)，當(dāng)脈動直流信號過零點(diǎn)時，產(chǎn)生第一電平信號。其中步驟S3中檢測輸入信號的死區(qū)時間的步驟為將輸入信號接入第一 D觸發(fā)器的置位端和復(fù)位端，當(dāng)輸入信號處于死區(qū)時間時， 所述第一 D觸發(fā)器輸出高電平；根據(jù)所述第一 D觸發(fā)器的輸出結(jié)果產(chǎn)生檢測結(jié)果，當(dāng)?shù)谝?D觸發(fā)器輸出高電平時，
產(chǎn)生第二電平信號。其中步驟S4中判斷負(fù)載電壓及負(fù)載電流的相位關(guān)系的具體步驟為將第一電平信號接入第二 D觸發(fā)器的數(shù)據(jù)信號端，第二電平信號接入第二 D觸發(fā)器的時鐘信號端，當(dāng)?shù)诙娖叫盘柕纳仙貋淼街畷r，第二 D觸發(fā)器翻轉(zhuǎn)到與第一電平信號相同的狀態(tài)；根據(jù)第二 D觸發(fā)器的輸出結(jié)果判斷負(fù)載電壓及負(fù)載電流的相位關(guān)系，當(dāng)負(fù)載電壓與電流同相位時，此時第二 D觸發(fā)器的輸出端為高電平，當(dāng)負(fù)載電壓相位超前負(fù)載電流相位時，此時第二 D觸發(fā)器的輸出端為低電平。以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其它相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種相位檢測裝置，其特征在于，包括驅(qū)動單元，用于驅(qū)動負(fù)載，且其輸入信號具有死區(qū)時間； 負(fù)載電流檢測單元，用于檢測負(fù)載電流的過零點(diǎn)； 死區(qū)時間檢測單元，用于檢測驅(qū)動單元輸入信號的死區(qū)時間； 相位判定單元，用于根據(jù)所述死區(qū)時間檢測單元及所述負(fù)載電流檢測單元的檢測結(jié)果，判斷負(fù)載的電壓及電流的相位關(guān)系。
2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述驅(qū)動單元包括 第一電路，用于產(chǎn)生驅(qū)動信號，驅(qū)動三極管；所述三極管，用于控制負(fù)載電路的開關(guān)。
3.如權(quán)利要求2所述的裝置，其特征在于，所述三極管是IGBT絕緣柵雙極型晶體管或 MOSFET絕緣柵型場效應(yīng)管。
4.如權(quán)利要求1或2或3所述的裝置，其特征在于，所述負(fù)載電流檢測單元包括 電流互感器，用于將負(fù)載電流轉(zhuǎn)換成檢測電流；整流器，用于將所述檢測電流轉(zhuǎn)換為脈動直流信號；第二電路，用于檢測所述脈動直流信號的過零點(diǎn)，并在檢測到過零點(diǎn)時，產(chǎn)生第一電平信號。
5.如權(quán)利要求4所述的裝置，其特征在于，所述死區(qū)時間檢測單元包括第一 D觸發(fā)器，輸入信號接入所述第一 D觸發(fā)器的置位端和復(fù)位端，當(dāng)輸入信號位于死區(qū)時間時，輸出端同時輸出高電平；第三電路，用于當(dāng)所述第一 D觸發(fā)器的輸出結(jié)果為高電平時產(chǎn)生第二電平信號。
6.如權(quán)利要求5所述的裝置，其特征在于，所述相位判定單元為第二D觸發(fā)器，所述第一電平信號接入第二 D觸發(fā)器的數(shù)據(jù)信號端，第二電平信號接入第二 D觸發(fā)器的時鐘信號端，通過第二 D觸發(fā)器的輸出結(jié)果便可判斷負(fù)載電壓及電流的相位關(guān)系。
7.一種相位檢測關(guān)系方法，其特征在于，包括以下步驟 輸入含有死區(qū)時間的信號；檢測負(fù)載電流的過零點(diǎn)； 檢測輸入信號的死區(qū)時間；根據(jù)所述輸入信號死區(qū)時間及負(fù)載電流的檢測結(jié)果，判斷負(fù)載電壓及負(fù)載電流的相位關(guān)系。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述檢測負(fù)載電流的過零點(diǎn)的步驟為 將負(fù)載電流轉(zhuǎn)換為檢測電流；將檢測電流轉(zhuǎn)換為脈動直流信號，脈動直流信號包含負(fù)載電流的過零點(diǎn)信息； 檢測脈動直流信號的過零點(diǎn)，當(dāng)脈動直流信號過零點(diǎn)時，產(chǎn)生第一電平信號。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述檢測輸入信號的死區(qū)時間的步驟為 將輸入信號接入第一 D觸發(fā)器的置位端和復(fù)位端，當(dāng)輸入信號處于死區(qū)時間時，所述第一D觸發(fā)器輸出高電平；根據(jù)所述第一 D觸發(fā)器的輸出結(jié)果產(chǎn)生檢測結(jié)果，當(dāng)?shù)谝?D觸發(fā)器輸出高電平時，產(chǎn)生第二電平信號。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述判斷負(fù)載電壓及負(fù)載電流的相位關(guān)系的步驟為將所述第一電平信號接入第二 D觸發(fā)器的數(shù)據(jù)信號端，第二電平信號接入第二 D觸發(fā)器的時鐘信號端，當(dāng)?shù)诙娖叫盘柕纳仙貋淼街畷r，第二 D觸發(fā)器翻轉(zhuǎn)到與第一電平信號相同的狀態(tài)；根據(jù)第二 D觸發(fā)器的輸出結(jié)果判斷負(fù)載電壓及負(fù)載電流的相位關(guān)系，當(dāng)負(fù)載電壓與電流同相位時，此時第二 D觸發(fā)器的輸出端為高電平，當(dāng)負(fù)載電壓相位超前負(fù)載電流相位時， 此時第二 D觸發(fā)器的輸出端為低電平。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種相位檢測裝置及其方法，通過死區(qū)時間檢測單元檢測驅(qū)動電路死區(qū)時間和負(fù)載電流檢測單元負(fù)載電流過零點(diǎn)的相位信息，根據(jù)死區(qū)時間檢測單元及所述負(fù)載電流檢測單元的檢測結(jié)果來判斷負(fù)載的電壓及電流的相位關(guān)系，本發(fā)明的相位檢測裝置及方法檢測準(zhǔn)確，抗干擾能力強(qiáng)，而且成本低廉。
文檔編號G01R25/00GK102200549SQ20111008996
公開日2011年9月28日 申請日期2011年4月11日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月11日
發(fā)明者蘇培濤 申請人:深圳和而泰智能控制股份有限公司