專利名稱：一種坩堝缺陷檢測方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種檢測方法，特別是一種采用脈沖反射式檢測的坩堝內(nèi)部缺陷的檢測方法。
背景技術(shù)：
高純度石英坩堝是生產(chǎn)硅單晶體所必需的石英容器。在硅單晶拉制生產(chǎn)過程中， 將使用石英坩堝作為熔融高純硅的載體，由拉制桿從石英坩堝內(nèi)熔融液體中，遂步拉制由硅的單晶體，在整個生產(chǎn)過程中，對石英坩堝的純度和缺陷控制提出了非常高的要求，目前國內(nèi)外的控制水平還采用初步的人工檢測，對坩堝內(nèi)表面的氣泡、黑點等通過檢測標(biāo)準(zhǔn)來控制。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種采用脈沖反射式檢測，通過檢測信號的返回時間和幅度做出坩堝是否有缺陷判斷的坩堝缺陷的檢測方法。本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案來實現(xiàn)一種坩堝缺陷檢測方法，其特征在于采用脈沖反射式檢測，給待測坩堝發(fā)射持續(xù)時間很短的電脈沖，激勵探頭發(fā)射脈沖超聲波，并接受在樣品中反射回來的脈沖信號，通過檢測信號的返回時間和幅度做出判斷。由手采用了上述技術(shù)方案，本發(fā)明具有如下有益效果采用脈沖反射式檢測的坩堝內(nèi)部缺陷，精確度高，最大限度地杜絕有缺陷產(chǎn)品的出貨而造成質(zhì)量事故。


圖1是本發(fā)明的原理圖。其中A 檢測波開始；B 有缺陷的地方；C 檢測波結(jié)束。
具體實施例方式下面根據(jù)實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說明。當(dāng)今坩堝的頂尖產(chǎn)品，是高新技術(shù)產(chǎn)品一高純石英玻璃坩堝。石英坩堝是拉制大直徑單晶硅的消耗性器皿，每生產(chǎn)一爐單晶硅就用掉一只坩蝸。單晶硅是生產(chǎn)大規(guī)模集成電路的原材料，對坩堝的要求十分苛刻。高純度石英坩堝是拉制大直徑單晶硅，發(fā)展大規(guī)模集成電路必不可少的基礎(chǔ)材料。高純度石英坩堝是生產(chǎn)硅單晶體所必需的石英容器。在硅單晶拉制生產(chǎn)過程中，將使用石英坩堝作為熔融高純硅的載體，由拉制桿從石英坩堝內(nèi)熔融液體中，逐步拉制出硅的單晶體。采用脈沖反射式檢測，給待測坩堝發(fā)射持續(xù)時間很短的電脈沖，激勵探頭發(fā)射脈沖超聲波，并接受在樣品中反射回來的脈沖信號，通過檢測信號的返回時間和幅度做出是否存在缺陷和缺陷大小的判斷。圖1為本發(fā)明的原理圖，將超聲信號的幅度和時間的關(guān)系用直角坐標(biāo)系顯示，橫坐標(biāo)為時間，縱坐標(biāo)為信號幅度，超聲在坩堝中傳播，聲速是恒定的，傳播時間可以變?yōu)榫嚯x，于是可以得到反射面距入射面的距離，而坩堝的厚度都是比較均勻的，如果內(nèi)部有缺陷，很容易掃描得出。顯然，本發(fā)明的上述實施例僅僅是為清楚地說明本發(fā)明所作的舉例，而并非是對本發(fā)明的實施方式的限定。對于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在上述說明的基礎(chǔ)上還可以做出其他不同形式的變化和變動。這里無法對所有的實施方式予以窮舉。凡是屬于本發(fā)明的技術(shù)方案所引申出的顯而易見的變化或變動仍處于本發(fā)明的保護(hù)范圍之列。
權(quán)利要求
1. 一種坩堝缺陷檢測方法，其特征在于采用脈沖反射式檢測，給待測坩堝發(fā)射持續(xù)時間很短的電脈沖，激勵探頭發(fā)射脈沖超聲波，并接受在樣品中反射回來的脈沖信號，通過檢測信號的返回時間和幅度做出判斷。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種坩堝缺陷檢測方法，采用脈沖反射式檢測，給待測坩堝發(fā)射持續(xù)時間很短的電脈沖，激勵探頭發(fā)射脈沖超聲波，并接受在樣品中反射回來的脈沖信號，通過檢測信號的返回時間和幅度做出判斷。本方法精確度高、產(chǎn)品檢出率高、保證了產(chǎn)品的合格率。
文檔編號G01N29/07GK102213694SQ20111008780
公開日2011年10月12日 申請日期2011年4月8日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月8日
發(fā)明者司繼成, 沈凱冰, 沈凱峰, 王金根 申請人:南通路博石英材料有限公司