專(zhuān)利名稱(chēng)：曝光方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于測(cè)量距離的電容式傳感器(capacitive sensor),特別是用于在光刻設(shè)備(lithography apparatus)中測(cè)量距祀材(target)的距離的電容式傳感器。
背景技術(shù)：
帶電微粒以及光學(xué)光刻機(jī)器和檢查機(jī)器(inspection machine)用于將圖案曝顯于晶圓和其他靶材之上，這典型地是半導(dǎo)體裝置制造流程的一部分。在光刻系統(tǒng)之中，通常藉由光刻機(jī)器所發(fā)出的光學(xué)或微粒曝光射束針對(duì)晶圓的多個(gè)位置進(jìn)行曝光。晶圓通常置放在晶圓固定臺(tái)上，且典型地藉由控制該晶圓固定臺(tái)相對(duì)于固定的電子/光學(xué)柱體的平移而實(shí)現(xiàn)上述的多重曝光。這些曝光通常在晶圓的表面連續(xù)執(zhí)行。待進(jìn)行曝光的晶圓表面幾乎絕不會(huì)是完全平整的。典型的晶圓在未箝制到晶圓固 定臺(tái)的情形下可以在其中具有高達(dá)50微米的彎曲。除了上述的晶圓彎曲之外，晶圓表面可能具有其他不均勻性在其表面上。這些晶圓彎曲和其他不均勻性在晶圓表面造成高度上的變化。為了達(dá)到最新光刻機(jī)器所需的極高精確度，必須矯正這種高度上的變化以將被曝光的晶圓表面維持于用于將上述光學(xué)或微粒曝光射束聚焦至晶圓上的投射透鏡(projectionlens)的焦面(focal plane)之中。支承晶圓的晶圓固定臺(tái)可以被調(diào)整，以補(bǔ)償晶圓表面的高度上的變化。可以改變晶圓固定臺(tái)的高度，以將待曝光的晶圓表面調(diào)整至投射透鏡的焦面上。晶圓固定臺(tái)高度的控制可以利用從測(cè)量晶圓表面高度(例如，投射透鏡與晶圓表面間的距離)的傳感器發(fā)送的信號(hào)來(lái)實(shí)現(xiàn)。需要高度靈敏的傳感器，以確保能以最新光刻機(jī)器所要求的極度精確性進(jìn)行晶圓位置的正確控制。已有許多不同種類(lèi)的傳感器被使用于此類(lèi)應(yīng)用，包括電容式探針。然而，現(xiàn)有的電容式探針以及相關(guān)的測(cè)量及控制系統(tǒng)均受制于一些缺點(diǎn)?，F(xiàn)有的電容式傳感器其高度及傳感器面積通常很大。圖IA及圖IB顯示現(xiàn)有技術(shù)電容式傳感器的結(jié)構(gòu)。圖IA顯示截面圖，而圖IB則顯示該傳感器探針的端視圖。導(dǎo)電感測(cè)電極2被導(dǎo)電防護(hù)電極3環(huán)繞。絕緣層4分隔這兩個(gè)電極，另一絕緣層5可用于將防護(hù)電極3與外殼6隔離。電纜線(xiàn)7和連接器8將該傳感器連接至信號(hào)處理系統(tǒng)，以得到所需的最終測(cè)量信號(hào)。該傳感器的工作范圍取決于感測(cè)電極2之下的感測(cè)面積。防護(hù)電極3被設(shè)成與感測(cè)電極同一電位，以將電場(chǎng)限制在感測(cè)面積之內(nèi)，而在感測(cè)電極2和靶材9之間產(chǎn)生相當(dāng)均勻的電場(chǎng)。此種結(jié)構(gòu)導(dǎo)致傳感器相當(dāng)高，通常為大約20毫米的高度，還導(dǎo)致感測(cè)電極相當(dāng)大。相當(dāng)大的傳感器高度及寬度使得該傳感器的位置需要相當(dāng)程度地遠(yuǎn)離投射透鏡，因此將由于制造公差和熱膨脹導(dǎo)致的傳感器與投射透鏡間的相對(duì)位置的變化而產(chǎn)生誤差?，F(xiàn)有電容式探針的相當(dāng)大的尺寸同時(shí)還使得多傳感器配置中的各個(gè)傳感器彼此分隔遙遠(yuǎn)，因而降低感測(cè)系統(tǒng)的空間分辨率，致使晶圓表面上發(fā)生于小區(qū)域上的不均勻性難以被偵測(cè)出來(lái)。此過(guò)寬的間隔還造成較為緩慢的測(cè)量處理，從而降低使用此類(lèi)系統(tǒng)的光刻機(jī)器的生產(chǎn)量。
英國(guó)專(zhuān)利2，131，176描述一種電容距離測(cè)量探針，藉由將兩片在一側(cè)上沉積有銅質(zhì)涂層的熱塑性聚合物薄膜黏接在一起而制成，使得一片的銅涂覆面接合至另一片的未涂覆面。一片上的暴露銅涂層被分成第一區(qū)域和第二區(qū)域，其中第一區(qū)域構(gòu)成感測(cè)電極，第二區(qū)域至少部分地環(huán)繞該感測(cè)電極，并與另一片上的銅質(zhì)涂層電氣互連以定義出感測(cè)電極的防護(hù)電極。此架構(gòu)與圖I所示的架構(gòu)相仿，提供環(huán)繞感測(cè)電極的防護(hù)電極，環(huán)繞感測(cè)電極的防護(hù)電極均形成于同一表面之上且位于分層裝置的同一層處。這產(chǎn)生需要在不同導(dǎo)電層間建立電氣連接的結(jié)構(gòu)，因而需要較為復(fù)雜且成本較高的生產(chǎn)過(guò)程。此外，通往這些傳感器的接線(xiàn)連接難以制造，且接線(xiàn)引入影響傳感器讀數(shù)的電容而需列入考慮，通常是對(duì)傳感器及布線(xiàn)工程的組合進(jìn)行校準(zhǔn)。現(xiàn)有傳感器需要校準(zhǔn)，加上當(dāng)置換傳感器之時(shí)傳感器接線(xiàn)需要再次校準(zhǔn)，使得此種置換變得復(fù)雜、耗時(shí)且昂貴。第4，538，069號(hào)的美國(guó)專(zhuān)利描述一種校準(zhǔn)用于曝顯標(biāo)線(xiàn)(reticle)的單一電子射束光刻機(jī)器的電容高度微測(cè)計(jì)(capacitance height gage)的方法。該高度微測(cè)計(jì)先利用激光干涉儀(laser interferometer)在校準(zhǔn)設(shè)備中進(jìn)行校準(zhǔn),接著機(jī)器被重新定位至光刻 臺(tái)以曝顯一標(biāo)線(xiàn)，而距該十字標(biāo)線(xiàn)的距離用該電容微測(cè)計(jì)加以測(cè)量。該電容微測(cè)計(jì)形成于基板上，該基板被固定于電子射束光學(xué)模塊外殼的底部。標(biāo)線(xiàn)靶材被接地，而電容微測(cè)計(jì)被相位相差180°的信號(hào)驅(qū)動(dòng)，且來(lái)自每一微測(cè)計(jì)的輸出信號(hào)被分開(kāi)處理以產(chǎn)生四個(gè)高度測(cè)量信號(hào)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明尋求解決或減少上述缺點(diǎn)而提出一種用于曝光系統(tǒng)中的靶材表面的改進(jìn)方法，該系統(tǒng)包含一組用于測(cè)量距該靶材的距離的傳感器。該方法包括將靶材箝制到一可移動(dòng)平臺(tái)、移動(dòng)靶材至一個(gè)或多個(gè)傳感器被定位于靶材上方的多個(gè)位置、接收來(lái)自被定位于靶材上方的一個(gè)或多個(gè)傳感器的信號(hào)、依據(jù)接收自傳感器的該信號(hào)計(jì)算一個(gè)或多個(gè)傾斜度修正數(shù)值(Rx、Ry)、依據(jù)該一個(gè)或多個(gè)傾斜度修正數(shù)值調(diào)整平臺(tái)的傾斜度、以及對(duì)該靶材進(jìn)行曝光。此程序不同于傳統(tǒng)的在線(xiàn)測(cè)量方法和先前的晶圓地圖方法，其中在許多不同的位置處測(cè)量Z方向上距晶圓的距離，并據(jù)此計(jì)算出晶圓表面在X和y方向上的整體傾斜度。晶圓固定臺(tái)接著在曝光之前被調(diào)整以對(duì)任何這樣的傾斜進(jìn)行最優(yōu)修正，使得在晶圓掃描期間，對(duì)投射頭呈現(xiàn)標(biāo)稱(chēng)的平行的晶圓表面，位于光刻柱體的光軸的橫切面上。掃描期間，可以使用計(jì)算出的晶圓表面高度地圖來(lái)適應(yīng)z方向上的變化，S卩，投射透鏡與晶圓表面之間的距離變化。可以直接從先前確定的高度地圖或藉由使用測(cè)量數(shù)值間的內(nèi)插求出該z方向上的數(shù)值。該方法可以進(jìn)一步包括，從接收自傳感器的信號(hào)，導(dǎo)出待曝光靶材區(qū)域的表面上的高度變化的高度地圖。該平臺(tái)的傾斜度可以依據(jù)這一個(gè)或多個(gè)傾斜度修正數(shù)值在每一次曝光調(diào)整一次。可以針對(duì)靶材的不同區(qū)域計(jì)算多組傾斜度修正數(shù)值，而平臺(tái)的傾斜度可以依據(jù)該多組傾斜度修正數(shù)值在每一次曝光調(diào)整多次。計(jì)算一個(gè)或多個(gè)傾斜度修正數(shù)值的步驟可以包含在數(shù)個(gè)預(yù)先確定的位置確定靶材的局部梯度。預(yù)先確定的位置可以包括環(huán)繞靶材周邊等距離間隔開(kāi)的位置。該一個(gè)或多個(gè)傾斜度修正數(shù)值可以包括在X方向上的修正以及在y方向上的傾斜度修正，其中該X及y方向彼此垂直且基本上垂直于用于對(duì)靶材進(jìn)行曝光的單個(gè)射束或多個(gè)射束。曝光期間，水平傳感器(level sensor)可以?xún)H產(chǎn)生z方向的數(shù)據(jù)。在另一方面，本發(fā)明涉及一種用于對(duì)靶材進(jìn)行曝光的光刻系統(tǒng)，該系統(tǒng)包含用于投射一個(gè)或多個(gè)射束至靶材上以對(duì)靶材進(jìn)行曝光的投射透鏡裝置，用于承載被箝制到平臺(tái)的靶材的可移動(dòng)平臺(tái)，多個(gè)傳感器，每一傳感器均用于在感測(cè)位置處測(cè)量傳感器與靶材的表面間的距離，以及處理單元，用于接收來(lái)自傳感器的信號(hào)并依據(jù)該接收自傳感器的信號(hào)計(jì)算出一個(gè)或多個(gè)傾斜度修正數(shù)值。該平臺(tái)還包括傾斜機(jī)構(gòu)，用于依據(jù)一個(gè)或多個(gè)傾斜度修正數(shù)值調(diào)整平臺(tái)的傾斜度。這些傳感器各自均可以包含薄膜結(jié)構(gòu)，該薄膜結(jié)構(gòu)包括傳感器，具有第一絕緣層和包含一形成于第一絕緣層的第一表面上的感測(cè)電極的第一導(dǎo)電膜、包含一背護(hù)電極(back guard electrode)的第二導(dǎo)電膜,該背護(hù)電極形成于單一平面之中且在同一平面中包含周邊部分，該背護(hù)電極設(shè)置在第一絕緣層的第二表面上和第二絕緣層或保護(hù)層的第一表面上，其中背護(hù)電極的周邊部分延伸超過(guò)感測(cè)電極以形成大致或完全環(huán)繞感測(cè)電極的側(cè)護(hù)電極(side guard electrode)。 本發(fā)明的另一方面涉及一種用于測(cè)量系統(tǒng)中的靶材表面的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)(topology)的方法，該系統(tǒng)包括一組用于測(cè)量距靶材的距離的傳感器。該方法包括移動(dòng)該靶材至第一位置，該靶材上的測(cè)量點(diǎn)在此處與該傳感器的第一子集重合；測(cè)量傳感器的第一子集中每一傳感器與靶材間的距離并依據(jù)此第一測(cè)量?jī)?chǔ)存一個(gè)或多個(gè)數(shù)值；移動(dòng)靶材至第二位置，該靶材上的該測(cè)量點(diǎn)在此處與投射透鏡下的一點(diǎn)及傳感器的第二子集重合；測(cè)量傳感器的第二子集中每一傳感器與靶材間的距離，并依據(jù)第二測(cè)量?jī)?chǔ)存一個(gè)或多個(gè)數(shù)值；以及依據(jù)第一和第二測(cè)量的儲(chǔ)存數(shù)值計(jì)算在該投射透鏡下的該點(diǎn)處距靶材的距離的數(shù)值。可以藉由依據(jù)第一測(cè)量的儲(chǔ)存數(shù)值對(duì)第二測(cè)量的儲(chǔ)存數(shù)值進(jìn)行內(nèi)插來(lái)確定上述在投射透鏡下的該點(diǎn)處距靶材的距離的數(shù)值。該方法可以進(jìn)一步包括依據(jù)第一測(cè)量確定在靶材上的測(cè)量點(diǎn)處靶材的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。該方法還可以包括依據(jù)第一測(cè)量確定在靶材上的測(cè)量點(diǎn)處靶材的彎曲量?？梢越逵梢罁?jù)在靶材的測(cè)量點(diǎn)處靶材的彎曲量對(duì)第二測(cè)量的儲(chǔ)存數(shù)值進(jìn)行內(nèi)插來(lái)確定在投射透鏡下的點(diǎn)處距靶材的距離的數(shù)值。該方法還可以包括依據(jù)第一及第二測(cè)量的儲(chǔ)存數(shù)值測(cè)量靶材的傾斜度?？梢杂膳帕谐扇切闻渲梅绞降闹辽偃齻€(gè)傳感器的測(cè)量而得出被用來(lái)確定傾斜度的儲(chǔ)存數(shù)值。所使用的該組傳感器可以包括傳感器陣列。在又另一方面中，本發(fā)明涉及一種用于曝光靶材的光刻系統(tǒng)。該系統(tǒng)包括投射透鏡裝置，用于投射一個(gè)或多個(gè)射束至靶材上以對(duì)該靶材進(jìn)行曝光；可移動(dòng)平臺(tái)，用于承載靶材，該平臺(tái)在至少第一方向上是可移動(dòng)的；多個(gè)傳感器，每一傳感器均用于在感測(cè)位置處測(cè)量傳感器與靶材間的距離。該多個(gè)傳感器包含至少第一傳感器，其在與第一方向平行且相反的方向上具有與投射透鏡裝置對(duì)齊且分隔開(kāi)的感測(cè)位置；包括一個(gè)或多個(gè)傳感器的第一子集，第一子集中的每一傳感器均在垂直第一方向的方向上對(duì)齊第一傳感器；以及包括一個(gè)或多個(gè)傳感器的第二子集，該第二子集中的每一傳感器均在垂直于第一方向的方向上與投射透鏡對(duì)齊并分隔開(kāi)。該系統(tǒng)還包含計(jì)算單元，用于計(jì)算數(shù)值，該數(shù)值與投射透鏡配置和靶材之間的距離相關(guān)，該數(shù)值是基于來(lái)自傳感器的第一子集的測(cè)量以及來(lái)自傳感器的第二子集的測(cè)量。上述的傳感器可以包括具有本文所述特征的薄膜結(jié)構(gòu)，或是如本文所述的傳感器陣列。


參照顯示于附圖中的實(shí)施例解釋本發(fā)明的各個(gè)方面，其中圖IA是電容式傳感器的剖面視圖；圖IB是圖IA的電容式傳感器的端視圖；圖2是平行極板電極布置的簡(jiǎn)化示意圖；圖3是電容式傳感器探針和接地導(dǎo)電靶材的示意圖；
圖4是以差動(dòng)式測(cè)量方式布置的兩個(gè)電容式傳感器探針和接地導(dǎo)電靶材的示意圖；圖5是包含薄膜結(jié)構(gòu)的電容式傳感器的剖面視圖；圖6A、圖6B、圖6C及圖6D是薄膜傳感器的各種實(shí)施例的剖面視圖；圖6E是圖6A及圖6B的傳感器的上視圖；圖6F是圖6D的傳感器的上視圖；圖7A是具有方形感測(cè)電極的薄膜傳感器的上視圖；圖7B是圖8A的傳感器的剖面視圖；圖8A是具有圓形感測(cè)電極的薄膜傳感器的上視圖；圖8B是圖8A的傳感器的剖面視圖；圖9A、圖9B及圖9C是集成差動(dòng)式薄膜傳感器的各種實(shí)施例的剖面視圖；圖9D是集成差動(dòng)式薄膜傳感器的上視圖；圖IOA至圖IOD是薄膜電容式傳感器的剖面視圖；圖11是具有連接線(xiàn)及接觸墊的傳感器的上視圖；圖12A及圖12B是接觸墊結(jié)構(gòu)的剖面視圖；圖13A至圖13D是形成于共同基板上的傳感器、連接線(xiàn)以及接觸墊的示意圖；圖14是安裝在光刻機(jī)器上的傳感器的側(cè)視圖；圖15A及圖15B是撓性印刷連接器的示意圖；圖16A及圖16B是帶電微粒光刻機(jī)器的投射透鏡堆棧的剖面視圖；圖17A至圖17D是具有多個(gè)傳感器及集成撓性印刷連接器的可撓性印刷電路結(jié)構(gòu)的不意圖；圖18是光刻機(jī)器上的傳感器的另一種連接布置；圖19A及圖19B是用于將集成可撓性印刷電路結(jié)構(gòu)安裝于光刻機(jī)器上的布置方式的不意圖；圖20A及圖20B是安裝板上的電容式傳感器的布置方式的示意圖；圖20C及圖20D是布置為對(duì)角布置方式的電容式傳感器的示意圖；圖21A及圖21B是具有多個(gè)電容式傳感器形成于其上的薄膜結(jié)構(gòu)的示意圖；圖21C是具有多個(gè)傳感器及集成撓性印刷連接器的可撓性印刷電路結(jié)構(gòu)的示意圖；圖21D是集成撓性印刷連接器的剖面視圖；圖22是傳感器系統(tǒng)及信號(hào)處理系統(tǒng)的示意圖；圖23A是具有電流源的高阻抗放大器電路的簡(jiǎn)化電路圖23B是具有電流源的差動(dòng)式傳感器布置方式的簡(jiǎn)化電路圖；圖24A是具有電壓源的惠斯登電橋布置方式的簡(jiǎn)化電路圖；圖24B是具有電壓源的差動(dòng)式傳感器布置方式的簡(jiǎn)化電路圖；圖25是差動(dòng)式傳感器電路布置方式的簡(jiǎn)化電路圖；圖26是同步偵測(cè)器電路的簡(jiǎn)化電路圖；圖27是顯示在傳感器系統(tǒng)中的電容的示意圖；圖28A及圖28B是具有將傳感器連接至信號(hào)處理電路的纜線(xiàn)的裝置的簡(jiǎn)化電路圖；圖29是同步電路的另一實(shí)施例的簡(jiǎn)化電路圖； 圖30是用于處理來(lái)自傳感器差動(dòng)對(duì)的信號(hào)的裝置的簡(jiǎn)化電路圖；圖31是用于定位用于光刻機(jī)器的晶圓的控制系統(tǒng)的示意圖；以及圖32A及圖32B是與圖31的控制系統(tǒng)一起使用的傳感器裝置的示意圖。
具體實(shí)施例方式以下是本發(fā)明各種實(shí)施例的說(shuō)明，其僅用于示范且是參照附圖進(jìn)行的。電容式傳感器的理論電容式傳感器利用在二導(dǎo)電表面之間所建立的均勻電場(chǎng)。在短距離下，施加的電壓與這些表面之間的距離成正比。單板式傳感器測(cè)量單一傳感器板與導(dǎo)電靶材表面之間的距離。圖2顯示了平行極板電極裝置。二電極11、12之間的電容等于該二電極間的電位差在其中一個(gè)電極上感應(yīng)出的電荷除以該電位差，如等式(I)所示，C =-(I)
AF這兩個(gè)平行電極彼此分隔開(kāi)距離d。忽略場(chǎng)彎曲(field bending)效應(yīng)和電介質(zhì)
的非均勻性，這兩個(gè)電極間的電容由等式⑵給定，
￡ ￡ AC = - i丄-(2)
d .其中C是這兩個(gè)電極間的電容(F)，A是該二電極的交迭面積(m2)，e ^是自由空間的介電常數(shù)(permittivity) (8. 85x 10_12F/m), e 1 是電極間的介質(zhì)的相對(duì)介電常數(shù),而d是電極間的距離(m)。當(dāng)利用交流電流源13對(duì)平行極板電容器充電時(shí)，在電極之間產(chǎn)生的電壓位準(zhǔn)取決于電極的阻抗。平行極板電容的阻抗如等式(3)所示，Z = 2^(3)其中的Z是阻抗(Q )，f是頻率(Hz)，而C是電容(F)。由等式(3)可以看出，電容式阻抗與電容的數(shù)值以及施加至電容器的信號(hào)的頻率成反比。在電容式傳感器的情形中，測(cè)量電參數(shù)(電壓或電流)的變化，這對(duì)應(yīng)于該傳感器的阻抗的變化。當(dāng)施加至傳感器的信號(hào)的頻率維持固定時(shí)，可以使得阻抗與電容的變化成反比。等式(2)顯示電容是直接正比于傳感器電極的交迭面積，并反比于電極間距離的變化。結(jié)合等式⑵和⑶產(chǎn)生以下等式
權(quán)利要求
1.一種用于對(duì)系統(tǒng)中的靶材(9)的表面進(jìn)行曝光的方法，該系統(tǒng)包括一組用于測(cè)量距該靶材的距離的傳感器(30)，該方法包括 將所述靶材箝制到可移動(dòng)平臺(tái)(134)； 移動(dòng)所述靶材至一個(gè)或多個(gè)傳感器被定位于所述該靶材上方的多個(gè)位置； 接收來(lái)自被定位于所述靶材上方的一個(gè)或多個(gè)傳感器的信號(hào)； 依據(jù)從所述傳感器接收的所述信號(hào)計(jì)算一個(gè)或多個(gè)傾斜度修正數(shù)值(Rx、Ry)； 依據(jù)所述一個(gè)或多個(gè)傾斜度修正數(shù)值調(diào)整所述平臺(tái)的傾斜度；以及 對(duì)所述靶材進(jìn)行曝光。
2.如權(quán)利要求I所述的方法，進(jìn)一步包括從接收自所述傳感器的所述信號(hào)，導(dǎo)出待曝光的靶材區(qū)域的表面上的高度變化的高度地圖。
3.如權(quán)利要求I或2所述的方法，其中所述平臺(tái)的傾斜度是依據(jù)所述一個(gè)或多個(gè)傾斜度修正數(shù)值(Rx、Ry)在每一次曝光調(diào)整一次。
4.如權(quán)利要求I或2所述的方法，其中針對(duì)所述靶材的不同區(qū)域計(jì)算多組傾斜度修正數(shù)值(Rx、Ry)，而該平臺(tái)的傾斜度依據(jù)所述多組傾斜度修正數(shù)值在每一次曝光調(diào)整多次。
5.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中計(jì)算一個(gè)或多個(gè)傾斜度修正數(shù)值(Rx、Ry)的步驟包括在數(shù)個(gè)預(yù)先確定的位置處確定所述靶材的局部梯度。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中所述預(yù)先確定的位置包含環(huán)繞所述靶材周邊等距離間隔開(kāi)的位置。
7.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述一個(gè)或多個(gè)傾斜度修正數(shù)值包含在X方向上的修正和在y方向上的傾斜度修正，其中該X及y方向彼此垂直且基本上垂直于用于對(duì)所述靶材進(jìn)行曝光的單個(gè)射束或多個(gè)射束。
8.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中，在曝光進(jìn)行期間，水平傳感器僅產(chǎn)生z方向上的數(shù)據(jù)。
9.一種用于對(duì)祀材(9)進(jìn)行曝光的光刻系統(tǒng),該系統(tǒng)包括 投射透鏡裝置(104)，用于投射一個(gè)或多個(gè)射束至所述靶材上以對(duì)所述靶材進(jìn)行曝光; 可移動(dòng)平臺(tái)(134)，用于承載被箝制至該平臺(tái)的所述靶材； 多個(gè)傳感器(30)，每一傳感器均用于在感測(cè)位置處測(cè)量所述傳感器與所述靶材的表面間的距離；以及 處理單元，用于接收來(lái)自所述傳感器的信號(hào)，并依據(jù)接收自所述傳感器的信號(hào)計(jì)算出一個(gè)或多個(gè)傾斜度修正數(shù)值(Rx、Ry)， 其中所述平臺(tái)進(jìn)一步包括傾斜機(jī)構(gòu)，用于依據(jù)所述一個(gè)或多個(gè)傾斜度修正數(shù)值調(diào)整所述平臺(tái)的傾斜度。
10.如權(quán)利要求9所述的光刻系統(tǒng)，其中每一所述傳感器各自均包含薄膜結(jié)構(gòu)，該薄膜結(jié)構(gòu)包含傳感器(30)，具有第一絕緣層(34)以及包含形成于該第一絕緣層的第一表面上的感測(cè)電極(31)的第一導(dǎo)電膜、包含背護(hù)電極(35)的第二導(dǎo)電膜,該背護(hù)電極形成于單一平面中且包括在同一平面中的周邊部分，該背護(hù)電極設(shè)置在所述第一絕緣層(34)的第二表面及第二絕緣層(43)或保護(hù)層(38)的第一表面上，其中所述背護(hù)電極的所述周邊部分延伸超過(guò)所述感測(cè)電極，以形成大致或完全環(huán)繞所述感測(cè)電極的側(cè)護(hù)電極。
11.一種用于測(cè)量系統(tǒng)中的靶材(9)表面的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的方法，該系統(tǒng)包括一組用于測(cè)量距所述靶材的距離的傳感器(30)，該方法包括 移動(dòng)所述靶材至第一位置，所述靶材上的測(cè)量點(diǎn)在此處與所述傳感器的第一子集重合； 測(cè)量所述傳感器的第一子集中每一傳感器與所述靶材間的距離，并依據(jù)該第一測(cè)量?jī)?chǔ)存一個(gè)或多個(gè)數(shù)值； 移動(dòng)所述靶材至第二位置，所述靶材上的測(cè)量點(diǎn)在此處與投射透鏡(104)下方的點(diǎn)以及所述傳感器的第二子集重合； 測(cè)量所述傳感器的第二子集中每一傳感器與所述靶材之間的距離，并依據(jù)該第二測(cè)量?jī)?chǔ)存一個(gè)或多個(gè)數(shù)值；以及 依據(jù)該第一和第二測(cè)量的儲(chǔ)存數(shù)值計(jì)算在所述投射透鏡下方的所述點(diǎn)處距所述靶材的距離的數(shù)值。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中藉由依據(jù)所述第一測(cè)量的儲(chǔ)存數(shù)值對(duì)所述第二測(cè)量的儲(chǔ)存數(shù)值進(jìn)行內(nèi)插，確定在所述投射透鏡(104)下方的所述點(diǎn)處距所述靶材(9)的距離的數(shù)值。
13.如權(quán)利要求11或12所述的方法，進(jìn)一步包括依據(jù)所述第一測(cè)量確定在所述靶材上的所述測(cè)量點(diǎn)處所述靶材(9)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。
14.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，進(jìn)一步包括依據(jù)所述第一測(cè)量確定在所述靶材上的所述測(cè)量點(diǎn)處所述靶材(9)的彎曲量。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中藉由依據(jù)在所述靶材的所述測(cè)量點(diǎn)處所述靶材的彎曲量對(duì)所述第二測(cè)量的儲(chǔ)存數(shù)值進(jìn)行內(nèi)插，確定在所述投射透鏡(104)下方的所述點(diǎn)處距所述靶材(9)的距離的數(shù)值。
16.如權(quán)利要求11至15中任一項(xiàng)所述的方法，進(jìn)一步包括依據(jù)所述第一和第二測(cè)量的儲(chǔ)存數(shù)值測(cè)量所述靶材(9)的傾斜度。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中由布置成三角形配置方式的至少三個(gè)傳感器(30)的測(cè)量，得出被用來(lái)確定所述傾斜度的儲(chǔ)存數(shù)值。
18.如權(quán)利要求11至17中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述組傳感器(30)包括傳感器陣列。
19.一種用于對(duì)祀材(9)進(jìn)行曝光的光刻系統(tǒng),該系統(tǒng)包括 投射透鏡裝置(104)，用于投射一個(gè)或多個(gè)射束至所述靶材上以對(duì)所述靶材進(jìn)行曝光; 可移動(dòng)平臺(tái)(134)，用于承載所述靶材，該平臺(tái)在至少第一方向上是可移動(dòng)的； 多個(gè)傳感器(30)，每一傳感器均用于在感測(cè)位置處測(cè)量所述傳感器與所述靶材間的距離，該多個(gè)傳感器包括 至少第一傳感器，其在與所述第一方向平行且相反的方向上具有與所述投射透鏡裝置對(duì)齊且分隔開(kāi)的感測(cè)位置； 包含一個(gè)或多個(gè)傳感器的第一子集，該第一子集中的每一傳感器均在垂直于所述第一方向的方向上對(duì)齊所述第一傳感器； 包含一個(gè)或多個(gè)傳感器的第二子集，該第二子集中的每一傳感器均在垂直于所述第一方向的方向上與所述投射透鏡對(duì)齊并分隔開(kāi)；以及 計(jì)算單元，用于計(jì)算依賴(lài)于所述投射透鏡裝置和所述靶材之間的距離的數(shù)值，該數(shù)值是基于來(lái)自傳感器的所述第一子集的測(cè)量以及來(lái)自傳感器的所述第二子集的測(cè)量。
20.如權(quán)利要求19所述的光刻系統(tǒng)，其中每一傳感器各自均包含薄膜結(jié)構(gòu)，該薄膜結(jié)構(gòu)包含傳感器(30)，具有第一絕緣層(34)以及包含形成于所述第一絕緣層的第一表面上的感測(cè)電極(31)的第一導(dǎo)電膜、包含背護(hù)電極(35)的第二導(dǎo)電膜,該背護(hù)電極形成于單一平面中且包括在同一平面中的周邊部分，所述背護(hù)電極設(shè)置在所述第一絕緣層(34)的第二表面和第二絕緣層(43)或保護(hù)層(38)的第一表面上，其中所述背護(hù)電極的所述周邊部分延伸超過(guò)所述感測(cè)電極，以形成大致或完全環(huán)繞所述感測(cè)電極的側(cè)護(hù)電極。
全文摘要
一種用于對(duì)系統(tǒng)中的靶材的表面進(jìn)行曝光的方法，該系統(tǒng)包含一組用于測(cè)量距靶材的距離的傳感器(30)。該方法包括將靶材箝制到可移動(dòng)平臺(tái)(134)、移動(dòng)靶材至一個(gè)或多個(gè)傳感器被定位于靶材上方的多個(gè)位置、接收來(lái)自被定位于靶材上方的一個(gè)或多個(gè)傳感器的信號(hào)、依據(jù)接收自傳感器的信號(hào)計(jì)算一個(gè)或多個(gè)傾斜度修正數(shù)值(Rx、Ry)、依據(jù)該一個(gè)或多個(gè)傾斜度修正數(shù)值調(diào)整平臺(tái)的傾斜度、以及對(duì)靶材進(jìn)行曝光。
文檔編號(hào)G01D5/24GK102782584SQ201080065058
公開(kāi)日2012年11月14日 申請(qǐng)日期2010年12月29日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月31日
發(fā)明者G.德波爾, J.J.J.范巴爾, J.J.科寧, K.P.帕德耶, N.弗吉爾, R.莫賽爾, S.W.H.K.斯坦布林克 申請(qǐng)人:邁普爾平版印刷Ip有限公司