專利名稱：可控電子負(fù)載的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種可控電子負(fù)載，具體說是電子產(chǎn)品測量輸出電壓時候，用于 測量電壓的穩(wěn)定性的電子負(fù)載。
背景技術(shù)：
電子產(chǎn)品測量輸出電壓時候，都需要接上可變負(fù)載來測量電壓的穩(wěn)定性。傳統(tǒng)的 方式是采用手調(diào)變阻器來調(diào)節(jié)需要的負(fù)載電阻值，這種方式的優(yōu)點為成本低，缺點為可 控性差，浪費時間?，F(xiàn)階段，可從市場上買入電子型電子負(fù)載，使用這種負(fù)載的優(yōu)點為可控 好，缺點為成本高，占用體積大，不適合大規(guī)模運用。

實用新型內(nèi)容本實用新型目的就是針對現(xiàn)有測量電子產(chǎn)品輸出電壓時所用電子負(fù)載的不足而 提供一種可控電子負(fù)載金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管(NM0S晶體管)，通過控制輸入端來控 制NMOS晶體管的負(fù)載電流的大小，從而達(dá)到閉環(huán)控制。實現(xiàn)本實用新型目的采用的技術(shù)方案是一種可控電子負(fù)載，包括一個NMOS晶體 管、數(shù)據(jù)采樣控制器和電流采樣電阻，NMOS晶體管的柵極連接到數(shù)據(jù)采樣控制器的輸出端， NMOS晶體管的漏極連接到被測電壓的接口，匪OS晶體管的源極與電流采樣電阻連接，經(jīng)過 放大器放大再輸入到數(shù)據(jù)采樣控制器的輸入端。進(jìn)一步的，晶體管的源極與IOhm電流采樣電阻連接。進(jìn)一步的，NMOS晶體管的源極與電流采樣電阻連接，經(jīng)過放大器放大10倍再輸入 到數(shù)據(jù)采樣控制器的輸入端。本實用新型就是通過控制輸入端來控制NMOS的晶體管負(fù)載電流的大小，從而達(dá) 到閉環(huán)控制。

圖1為本實用新型的結(jié)構(gòu)框圖。
具體實施方式
本實施例所用的NMOS晶體管是在一塊摻雜濃度較低的P型硅襯底(提供大量可 以動空穴)上，制作兩個高摻雜濃度的N+區(qū)(N+區(qū)域中有大量為電流流動提供自由電子的 電子源)，并用金屬鋁引出兩個電極，分別作漏極d和源極S。然后在半導(dǎo)體表面覆蓋一層 很薄的二氧化硅絕緣層，在漏——源極間的絕緣層上再裝上一個鋁電極作為柵極g。在襯底 上也引出一個電極B，這就構(gòu)成了一個N溝道增強(qiáng)型MOS管。Vgs = 0時，增強(qiáng)型MOS管的漏極d和源極s之間有兩個背靠背的PN結(jié)。當(dāng)柵—— 源電壓Vgs = 0時，即使加上漏-源電壓Vds，而且不論Vds的極性如何，總有一個PN結(jié)處 于反偏狀態(tài)，漏——源極間沒有導(dǎo)電溝道，所以這時漏極電流Id ^ 0。[0011]Vgs > 0時，則柵極和襯底之間的Si02絕緣層中便產(chǎn)生一個電場。電場方向垂直 于半導(dǎo)體表面的由柵極指向襯底的電場。這個電場能排斥空穴而吸引電子。排斥空穴使 柵極附近的P型襯底中的空穴被排斥，剩下不能移動的受主離子(負(fù)離子)，形成耗盡層。 吸引電子將P型襯底中的電子(少子)被吸引到襯底表面。利用此特性制作可變電阻。如圖1所示，一種可控電子負(fù)載，包括一個NMOS晶體 管、數(shù)據(jù)采樣控制器和電流采樣電阻，NMOS晶體管的柵極(g極)連接到數(shù)據(jù)采樣控制器的 輸出端，NMOS晶體管的漏極(d極)連接到被測電壓的接口，NMOS晶體管的源極(s極)與 IOhm電流采樣電阻連接，經(jīng)過放大器放大大10倍再輸入到數(shù)據(jù)采樣控制器的輸入端。利用 Vgs, Vds對Id的控制作用，可以把NMOS作為可控的電子負(fù)載。
權(quán)利要求1.一種可控電子負(fù)載，包括一個NMOS晶體管、數(shù)據(jù)采樣控制器和電流采樣電阻，其特 征在于NM0S晶體管的柵極連接到數(shù)據(jù)采樣控制器的輸出端，NMOS晶體管的漏極連接到被 測電壓的接口，NMOS晶體管的源極與電流采樣電阻連接，經(jīng)過放大器放大再輸入到數(shù)據(jù)采 樣控制器的輸入端。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可控電子負(fù)載，其特征在于NM0S晶體管的源極與IOhm電流 采樣電阻連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的可控電子負(fù)載，其特征在于NM0S晶體管的源極與電流采樣 電阻連接，經(jīng)過放大器放大10倍再輸入到數(shù)據(jù)采樣控制器的輸入端。
專利摘要本實用新型一種可控電子負(fù)載，屬于一種電子元器件，包括一個NMOS晶體管、數(shù)據(jù)采樣控制器和電流采樣電阻，NMOS晶體管的柵極連接到數(shù)據(jù)采樣控制器的輸出端，NMOS晶體管的漏極連接到被測電壓的接口，NMOS晶體管的源極與電流采樣電阻連接，經(jīng)過放大器放大再輸入到數(shù)據(jù)采樣控制器的輸入端。利用Vgs、Vds對Id的控制作用，把NMOS作為可控的電子負(fù)載，實現(xiàn)在電子產(chǎn)品測量輸出電壓時候，接上本實用新型用于測量電壓的穩(wěn)定性。
文檔編號G01R19/00GK201886060SQ20102062564
公開日2011年6月29日 申請日期2010年11月26日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月26日
發(fā)明者單濤 申請人:單濤